Lucrarea de laborator nr.

1
Cercetarea caracteristicilor electrice ale materialelor conductoare
Scopul lucrrii: studierea naturii conductibilitii electrice i a
fenomenelor fizice n materialele conductoare, cunotina cu metodica
de cercetare a caracteristicilor electrice pentru materialele conductoare
i rezistoare, cercetarea experimental a principalelor caracteristici
electrice pentru diverse materiale conductoare, rezistoare i
termocuple i determinarea a lor parametri.
1.1. Noiuni generale
Materiale conductoare se numesc materiale la care principala
proprietate electric este nalta conductibilitate electric. Utilizarea lor
n tehnica electronic este condiionat n general de aceast
proprietate, care determin conductibilitatea electric foarte mare
!"#
$
%&m
'"
( la temperatur normal. Materialele conductoare cu
funcie de conducie a curentului electric pot fi corpuri lichide, solide
i n condiii corespunztoare i gaze.
)onductoarele solide sunt metalele, alia*ele metalice i unele
modificri ale carbonului.
+a conductoarele lichide se refer metalele topite, diferii
electrolii i topiturile compuilor ionici. Mecanismul de trecere a
curentului electric prin metale l alia*ele lor este determinat de
deplasarea diri*at a electronilor liberi sub aciunea unul cmp electric.
,n legtur cu aceasta, materialele i alia*ele lor n stare solid i
lichid se numesc materialele conductoare cu conductibilitate
electronic sau conductoare de prima categorie. )onductoarele din a
doua categorie, numite conductoare ionice sau electrolii sunt soluiile
n general n ap( acizilor, alcaliilor i ale srurilor. -recerea
curentului prin aceste conductoare este determinat de deplasarea
ionilor pozitivi i negativi, av.nd ca rezultat schimbarea treptat a
compoziiei electrolitului i separarea la electrozi a produselor
electrolizei. )onductibilitatea electric caracteristic acestor materiale
este mult mai mic dec.t conductibilitatea materialelor cu
conductibilitate electronic.
-oate gaze i vapori devin conductoare de curent electric numai
atunci c.nd tensiunea c.mpului electric depete o anumit valoare
limit la care energia cinetic a purttorilor de sarcin liberi electroni
i ioni(, accelerai de c.mpul electric, este suficient pentru a produce
ionizarea prin ciocnire i fotoionizarea moleculelor i atomilor
gazului. ,n aa situaie gazul are conductibilitate electronic i ionic.
/azele i vaporii nu sunt conductoare n condiii normale i pentru
valori sczute ale c.mpului electric.
,n tehnica electronic principalele materiale conductoare utilizate
sunt cele cu conductibilitate electronic. 0xistena electronilor liberi
duce la o bun conductibilitate electric i termic a metalelor i, de
asemenea, constituie o cauz a luciului metalelor. 1ezistivitatea
electric 2( a materialelor i alia*elor metalice la temperatura
ambiant este n domeniul "#
'3
4 "#
'$
5&m.
Metalele de nalt plasticitate i conductibilitate electric
26#,#$ 75&m( se utilizeaz la fabricarea conductoarelor, cablurilor,
nfurrilor transformatoarelor i mainilor electrice, bobinelor,
ghidurilor de und etc. Metalele i alia*ele cu rezisten electric mare
28#,9 75&m( se folosesc n aparatele de nclzire electric, la
rezistoare, la tuburi cu incandescen etc.
:arametrii principali ai materialelor conductoare sunt:
"(conductivitatea electric sau inversul valorii sale ; rezistivitatea
electric, <( coeficientul de temperatur al rezistivitii electrice, 9(
coeficientul conductibilitii termice, =( diferena potenialelor de
contact i fora electromotoare termic, $( lucrul de ieire a
electronilor din metal, >( limita rezistenei la ntindere i alungirea
relativ la rupere.
%ensul fizic al parametrilor i fenomenelor care au loc n
materialele metalice la interaciunea lor cu c.mpul electric se precaut
pe scurt mai *os.
1.2. Principalele cunotine teoretice
".<.". )onducia electric n metale i alia*ele lor.
-oi electronii de valen ai atomilor din metale sunt liberi,
deoarece pot trece sub aciunea energiei termice de pe nivelurile
bandei de valen ai atomilor din metale sunt liberi, deoarece pot trece
sub aciunea energiei termice de pe nivelurile bandei de valen pe
nivelurile libere ale bandei de conducie, care urmeaz i chiar se
suprapun cu nivelurile ocupate ale bandei de valen. 0i se afl
nentrerupt n micare termic i haotic n ntregul volum al
materialului, devenind purttori mobili de sarcini i se numesc
electroni de conducie. %ub aciunea c.mpului electric exterior
electronii de conducie ntr'un metal se deplaseaz n direcia forelor
de aciune ale c.mpului i primesc o vitez suplimentar. ,ns
micarea diri*at a electronilor de conducie nu este liber din cauza
ciocnirilor cu atomii din nodurile reelei cristaline sau cu impuritile
atomii de alt natur( i nsoete mprtierea energiei cinetice
primit de la c.mp. :roprietatea conductoarelor de a lsa s treac
curentul electric se apreciaz cu valoarea reactivitii electrice
rezistenei electrice specifice(
l
S
R
, "."(
unde R ' rezistena electric, S ' seciunea transversal i l ' lungimea
conductorului.
1ezistivitatea electric prezint rezistena electric 1 a
conductorului dat cu lungimea l?" m i seciunea transversal
constant %?"mm
<
i se exprim n 5 &mm
<
@m sau n alte uniti legate
ntre ele cu relaia:
" 5 &mm
<
@m ? "#
'>
5 &m ? "75&m.
Aaloarea invers a rezistivitii electrice se numete
conductivitate electric conductibilitatea electric specific(

@ "
, ".<(
care se exprim n siemens pe metru %@m(, iar " %@m ? " 5
'"
&m
'"
,n baza modelului clasic al teoriei electronice a metalelor, dezvoltat
de Brude i +orentz, se afl conceptul de gaz electronic, conform
cruia electronii de valen sunt liberi, mobili i colectivizai ntr'o
concentraie de acelai ordin de mrime cu concentraia volumic de
atomi C "#
<3
m
'9
(. /azului electronic se nscriu proprietile gazului
ideal, adic micarea electronilor se supune legilor statisticii clasice.
Bac vom socoti c atomii n metal sunt ionizai de o singur dat,
apoi concentraia electronilor liberi n n unitate de volum poate fi
calculat dup formula:
#
N
A
d
n
, ".9(
unde d ; densitatea materialuluiD E ; masa atomicD F
#
?>,#<&"#
<9
mol
'"
; numrul lui Evogadro. )oncentraia electronilor liberi este de
ordinea "#
<3
m
'9
la diverse conductoare metalice i practic
independent de temperatur. +a existena c.mpului electric densitatea
de curent cantitatea de sarcin care trece prin unitatea de seciune
transversal n unitatea de timp( n conductor se determin dup
formula:
E E
u m
l n e
en j
#
<
, ".=(
unde m
#
i e ; masa de repaus i sarcina electronului: ' viteza
medie a micrii diri*ate a electronilor liberiD u ' viteza medie a
micrii termiceD l ' lungimea medie a drumului liber parcurs de
electroniD E ; intensitatea c.mpului electric.
Gntensitatea curentului electric din conductor poate fi
determinat sub forma:
SE jS I
".$(
Hormula ".=( arat c densitatea de curent j este proporional
cu intensitatea c.mpului electric, iar aceasta este expresia cunoscut a
legii lui Ihm. Bependena curent'tensiune, I=f(U), care se determin
dup formulele ".=( i ".$( este o linie dreapt.
0xpresia ".<( pentru rezistivitatea electric, lu.nd n eviden
formula ".=(, capt forma:

l n e
u m
<
#
. ".>(
,n conformitate cu modelul cinetic al teoriei metalelor,
rezistivitatea electric a metalelor este legat cu lungimea liberului
parcurs mediu a electronilor prin relaia:

l n e
h
9 @ < <
9 @ "
3
9

,
_

, ".J(
unde h ? >,><&"#
'9=
K&s ; constanta lui :lancL.
+a diverse materiale conductoare vitezele de micare termic
haotic( a electronilor de conducie care aparin gazului electronic
sunt aproximativ aceleai C"#
$
m&s
'"
( i concentraiile electronilor
liberi se deosebesc de asemenea puin: astfel, de exemplu, la cupru i
nichel, aceast diferen de concentraie este sub "#M. Be aceea,
valoarea rezistivitii electrice se determin, n primul r.nd, cu
lungimea medie a drumului liber parcurs de electroni n conductorul
dat, care, la r.ndul su, depinde de structura conductorului, adic de
natura chimic a atomilor i tipul reelei cristaline. Metalele pure i cu
o structur cristalin perfect se caracterizeaz prin valorile cele mai
mici ale rezistivitii electrice 2. :rezena n metal a unor cantiti
mici de impuriti duce la deformarea reelei cristalului i la creterea
lui 2. Un rol nsemnat au i aciunile chimice ale atomilor de
impuritate. ,n alia*e, la dizolvarea metalelor de tranziie fier, nichel,
cobalt la care pturile 9d sau =f sunt incomplet ocupate( n elementele
din grupa nt.i a tabele chimice a lui Mendeleev, se observ creterea
anomal a lui 2, care, probabil, este legat cu plecarea electronilor de
valen ai atomilor metalului dizolvant la construirea d' i f'
substraturilor electronice interioare incomplete ale atomilor metalelor
de tranziie. 1ezult c numrul electronilor de conducie se
micoreaz i rezistivitatea electric se mrete.
Bependena de temperatur a rezistivitii electrice pentru
materialele conductoare se determin, n primul r.nd, de dependena
de temperatur a vitezei de drift la micarea diri*at a electronilor de
conducie asta este caracteristic pentru metale( i de variaia
concentraiei purttorilor mobili de sarcin la ridicarea temperaturii
asta este caracteristic pentru alia*e(.
)u ridicarea temperaturii se ma*oreaz amplitudinea oscilaiilor
termice ale atomilor i legate cu ele fluctuaia c.mpului periodic a
reelei cristaline. ,n drumul deplasrii diri*ate a electronilor apar tot
mai multe obstacole. Be aceea se mrete mprtierea electronilor i
scade lungimea medie a parcursului liber l , iar aceasta, la r.ndul su,
aduce la scderea vitezei i la creterea rezistivitii electrice

fig.".", a(.
a( b( c(
Hig ".". Aariaia rezistivitii electrice cu temperatura conductorului
metalic a( cuprului b( i metalelor feromagnetice c( ",< i 9 n a( ;
pentru diverse metale neferomagnetice topite.
Bomeniul liniar n dependena de temperatur a lui

la
ma*oritatea metalelor se ntinde de la temperatura normal p.n la
temperaturi care sunt n apropiere de temperatura de topire -
top
fig.
".". b(. )a excepie pot fi metalele feromagnetice fig.".".c(.
%chimbarea relativ a rezistivitii electrice la schimbarea
temperaturii cu un grad n scara lui Nelvin se numete coeficientul de
temperatur al rezistivitii electrice
dT
d

"

, ".3(
care poate fi calculat i dup formula
l R

+
, ".O(
unde
dT
dR
R
T
R
"

' coeficientul de temperatur al rezistenei electrice
la temperatura dat -D 1
-
' rezistena conductorului la temperatura
dat -D
l

' coeficientul termic de dilatare liniar a conductoruluiD

dT d @
i dT dR@ 'viteza de schimbare a lui

i 1.
,n domeniul liniar al variaiei rezistivitii electrice
( T
se
poate de folosit formula:
( )
# #
"

1 +
]
, "."#(
unde
#

' rezistivitatea i coeficientul de temperatur al

rezistivitii electrice, care se refer la temperatura iniial -
#
a gamei:

' rezistivitatea la temperatura ridicat -.

Bin formula ".3( i "."#( rezult c valoarea lui

pentru
metalele pure trebuie s fie n apropiere de "@-. Aalorile experimentale
ale lui
l

pentru metalele pure n stare solid, care ntotdeauna sunt

mai mari n comparaie cu

pentru alia*ele lor., sunt apropiate ntre

ele vezi anexa "."(, adic se poate considera aproximativ
"
##= , #
<J9
"

K

. )oeficienii termici de dilatare liniar

l

au
valori mai mici: pentru cupru ; ">,J&"#
'>
N
'"
D nichel ; "<,3&"#
'>
N
'"
D
constantan ; "J,#&"#
'>
N
'"
. :entru metalele pure
l

>>
i, de aceea,
la ei R

. ,ns pentru alia*e aa aproximare nu este corect.
)um s'a nsemnat, motivele de mprtiere a electronilor sau a
undelor electronice n metale sunt nu numai oscilaiile termice ale
nodurilor reelei cristaline, dar i defectele structurale statice atomi de
impuritate substituionali i interstiionali, vacane de atomi n reeaua
cristalin, dislocaii, granie ale granulelor etc.(, care aduc la abateri de
la caracterul periodic al c.mpului de potenial al cristalului. ,ns
mprtierea electronilor pe defectele statice ale reelei cristaline nu
depinde de temperatur. Be aceea, la cobor.rea i apropierea
temperaturii de zero absolut, rezistena metalelor tinde la o valoare
constant fig.".", a(, care se numete rezisten remanent. Be aici
rezult regula Mattisen despre aditivitatea rezistivitii.
rem T
+
, ".""(
adic rezistena metalului este egal cu suma rezistenei, condiionate
de interaciunea electronilor cu reeaua cristalin, i rezistenei
remanente, condiionate de mprtierea electronilor pe defectele
structurale statice.
Ebateri de la aceast regul se observ la metalele i alia*ele
supraconductoare niobiu, stibiu, aluminiu, titan, mercur, plumb etc.(,
n care pentru temperaturi mai mici dec.t temperatura critic -
sc
brusc
se anuleaz rezistena i se mrete conductibilitatea. +a temperaturi
foarte cobor.te de ordinul N( dispare mprtierea electronilor pe
oscilaiile termice ale nodurilor reelei cristaline. ,n afar de aceasta,
datorit interaciunii perechilor de electroni cu reeaua cristalin gazul
electronic capt proprieti caracteristice pentru starea de
suprafluiditate lichid, mai precis pentru temperaturi -P-
sc
are loc
starea de supraconductibilitate a materialului conductor fig. ".", a (.
Materialele supraconductoare sunt folosite pentru transportul energiei
electrice cu randament foarte ridicat, pentru fabricarea magneilor cu
intensitatea nalt a c.mpului magnetic etc.
)el mai nsemnat aport n
rem

aduce mprtierea pe impuriti

care ntotdeauna sunt n conductoare n form de impurificare sau n
form de elemente pentru aliere. :rezena n metal chiar a unor
cantiti mici de adaosuri duce la mrirea rezistivitii

, nect.nd c
adaosurile vor avea o conductibilitate mai mare n comparaie cu
metalul de baz. Ea, la introducerea impuritii de argint cu #, #"
pri atomice n conductorul de cupru, aduce la mrirea rezistivitii
electrice a cuprului cu #,##< 75&m.
%'a stabilit experimental c la coninuturi mici de impuriti
rezistivitatea electric se mrete proporional cu concentraia atomilor
de impuritate.
:entru alia*e cu metale de tranziie se observ i unele abateri de
la aceast regul. Una din motivele de abateri de la regula lui
Mattissen poate fi legat cu influena impuritilor asupra
proprietilor elastice ale metalului ce nsoete schimbarea spectrului
de oscilaii a reelei cristaline.
+a alierea metalelor ntre ele se formeaz alia*ul unuia din trei
tipuri: soluia solid, amestec mecanic, compus chimic. ,n tehnic pe
larg se folosesc alia*ele metalice, care au structura neordonat a
soluiei solide.
Bependenele lui

ale alia*ului din dou metale, care

formeaz ntre ele soluie solid, de schimbarea coninutului fiecrui
metal n limitele #...."##M au maximum caracteristic pentru

i
minim pentru

. Eceste puncte de maximum i minim nu se observ

dac alia*ul a dou metale aduce la o cristalizare separat alia*ul de
tipul amestec mecanic de cristale a fiecrei componente(. )a i n
cazul metalelor, rezistena total a alia*elor se determin cu formula
".""(. %pecificul soluiilor solide const n aceea c
rem

poate s
depeasc de multe ori componena termic
T

. :entru multe alia*e

din dou componente dependena de coninut a lui
rem

se descrie
bine cu dependena parabolic de tipul
( )
A A B A rem
X CX X CX "
, "."<(
unde Q
E
i Q
R
; prile atomice ale componentelor E i R n alia*: )'
constanta care depinde de natura alia*ului.
1elaia "."<( a cptat denumirea de legea lui Fordheim. Bin
ea rezult, c n soluiile solide binare rezistena remanent se mrete
cum la adugarea atomilor R la metalul E, aa i la adugarea atomilor
E la metalul R, precum aa schimbare se caracterizeaz prin curba
simetric fig.".9(.

Hig.".<. Aariaia rezistivitii electrice n funcie de
compoziie n procente de mas( pentru alia*ele Au-Cu

:uin mai altfel se comport soluiile solide, n care ca
componente sunt metalele din grupa trectoare sau elementele din
pm.nturi rare. ,n astfel de alia*e valoarea maxim a lui

deseori nu
corespunde coninutului de $#M.
)u ct mai mare este rezistivitatea alia*ului

, cu at.t mai mic

este

. Esta rezult din aceea, c n soluiile

T rem
>>
i
rem

nu
depinde de temperatur.
,n unele alia*e la anumit raport al componentelor

poate
cpta valori mici negative.
Elt caz, c.nd se observ abateri de la situaiile teoretice
principale, este conductibilitatea electric n pelicule subiri. :eliculele
metalice pe larg se utilizeaz n microelectronic n calitate de
conductoare, suprafee de contact, armturi plane pentru
condensatoare, elemente magnetice i rezistoare ale circuitelor
integrate.
-oate elementele de baz se reproduc pe peliculele cu grosimea
"#....."###

, care sunt cptate la condensarea fasciculelor

moleculare n vidul nalt pe suporturi dielectrice. :roprietile
electrice ale peliculelor subiri metalice i alia*ele se pot deosebi n
msur considerabil de la proprietile probelor volumetrice din
materialele iniiale conductoare. Una din motivele acestei deosebiri
este varietatea caracteristicilor de structur a peliculelor subiri. +a
varietatea condiiilor de condensare, structura peliculelor formate
poate s se schimbe de la starea de limit neordonat cu dispersie fin
condensat amorf( p.n la structura monocristalin a stratului straturi
epitaxiale(. Elt motiv de variaie a proprietilor materialului n form
de pelicul este legat cu apariia efectelor de dimensiune, mai precis
cu ma*orarea rolului proceselor de suprafa n comparaie cu cele
volumetrice n cazul c.nd grosimea peliculei este comparabil cu
lungimea medie a parcursului liber al electronilor. ,n aa condiii
presupunerea independenei rezistivitii electrice a materialului de
dimensiuni geometrice ale probei este nedreapt. Bin cauza reflexiilor
i dispersiei pe suprafa a electronilor liberi i gradului mare de
defecte structurale, rezistivitatea electric a peliculelor

poate fu
cu mult mai mare dec.t rezistivitatea volumetric a materialului.
0fectul de dimensiune i mrirea lui

a peliculelor subiri ncepe s

se observe la grosimi mai mici de #,"7m
" , #
7m(. +a grosimile
9
"#

7m depunerea nu se mai realizeaz n continuu i metalul se

depune sub forma unor granule izolate insule(. :eliculele foarte
subiri se caracterizeaz cu o conductibilitate nemetalic cu o
rezistivitate foarte mare i cu coeficientul negativ de temperatura al
rezistivitii

.
:entru aprecierea relativ a proprietilor de conducie a
peliculelor subiri se folosete parametrul rezistena pe patrat 1

sau
rezistena pe patratul fr dimensiuni, sau rezistena specific pe
suprafaa

(, care este egal cu rezistena msurat ntre dou laturi

opuse a unui patrat pe suprafaa peliculei
1

?
s

@
"."9(
:rin alegerea grosimii peliculei se poate de variat 1
independent de rezistivitatea volumetric

a peliculei. Batorit c
1

nu depinde de mrimea patratului rezistenei rezistoarelor peliculare
se calculeaz dup formula:
1? 1
#
#
d
l

"."=(
unde l
#
; lungimea rezistorului pe direcia de trecere a curentului
electricD d
#
; limea peliculei.
:entru fabricarea rezistoarelor cu pelicule subiri se obin
pelicule metalice cu rezistena pe suprafa $##..."### 5@. ,n calitate
de materiale rezistive se folosesc metalele greu fizibile S, Mo, -a,
1e, )r( i alia*ele nicrom Fi, )r( i monel Fi, )u(.
".<.<. Henomenele de contact i fora electromotoare termic
+a suprapunerea a dou metale diferite ntre ele, ia natere o
diferen de potenial. Ecest fenomen a fost descoperit de fizicianul
italian E.Aolta n anul "JOJ. Bup teoria cuantic motivul principal de
apariie a diferenei de potenial la contactare este n diverse valori ale
energiei lui fermi n metalele de compatibilitate. 0nergia lui Hermi sau
nivelul energetic Hermi E
F
determin energia maximal, pe care o
poate avea electronul n metal la temperatura absolut de zero. 0nergia
E
F
este independent de volumul cristalului, dar se determin numai
cu concentraia electronilor liberi, care nemi*locit rezult din
principiul lui :auli, adic
9 @ <
T
<
9 @ <
< 3
9
n
m
h
E
n
F

,
_

, "."$(
unde
T
n
m
' masa efectiv a electronului. +a orice temperatur pentru
nivelul cu energia E=E
F
, probabilitatea de ocupare de ctre
electroni este egal cu 0!. -oate nivelele energetice mai *os de nivelul
Hermi cu probabilitatea de ocupare mai mare de 0! sunt ocupate.
Bimpotriv, toate nivelele care se gsesc mai sus de nivelul fermi, cu
probabilitatea mai mic de 0! sunt libere de electroni. 0nergia
cinetic a electronului care se gsete pe nivelul Hermi este diferit n
diverse metale. Be aceea, la conectarea materialelor conductoare apar
tranziii intense ale electronilor din domeniul B cu energia Hermi
B
"
E
mai mare n domeniul A unde energia Hermi
A
"
E este mai mic, mai
precis din metalul B n metalul A. )a rezultat al acestui proces, la care
electronii tind s ocupe niveluri cu energia mai mic, metalul B se
ncarc pozitiv, iar metalul A ; negativD ntre ele apare diferena de
potenial U
#
fig. ".9(, care se mpotrivete trecerilor de mai departe
ale purttorilor liberi de sarcin. 0chilibrarea va fi atunci, c.nd lucrul
electronilor de nvingere a forelor c.mpului electric va fi egal cu
diferena de energie a electronilor, care pot trece prin contact:
A
F
B
F #
E E eU
. ".">(
+a echilibrarea nivelului Hermi n ambele metale trebuie s fie
acelai. Gntroducem expresia "."$( n formula ".">( i vom cpta:
( )
9 @ < 9 @ <
T
<
9 @ <
3
9
A B
A
F
B
F
C
n n
ne m
h
e
E E
U

,
_

, "."J(
unde n
A
i n
B
; concentraia electronilor liberi n materialele A i B.
Biferena potenialelor de contact la diferite cuple de metale
variaz de la zecimi de voli la c.iva voli.
Hig.".9. Modelul de ocupare a
Hig. ".=. %chema
nivelelor energetice de ctre constructiv
electronii liberi n metalele A a termocuplului
i B la conectarea lor.
.
)ircuitul nchis, alctuit din dou diferite conductoare metalice,
se numete termocuplu sau termoelement. ,n aa circuit nchis,
diferena potenialelor de contact pentru dou suduri contacte( sunt
ndreptate n diverse direcii, de aceea la temperaturi identice ale
sudurilor suma diferenelor de potenial este egal cu zero. Bac
temperaturile sudurilor sunt diferite, atunci apare fora electromotoare
termic f.e.m. termic( U
T
proporional diferenei de temperatur a
sudurilor:
( )
" <
T T U
T T

. "."3(
unde
T

' f.e.m. termic specific. Aaloarea lui

T

depinde de
natura de contact i temperatur.
H.e.m. termic n circuitul nchis este compus din trei componente.
:rima component este determinat de dependena de temperatur a
diferenei potenialelor de contact. Eltele dou componente ale f.e.m
termice sunt condiionate de difuzia purttorilor de sarcin de la
sudurile calde la cele reci i atracia electronilor de ctre cuani de
energie termic fononi(.
-eoria cuantic a metalelor obine urmtoarea expresie a f.e.m.
termice specifice pentru metalele monovalente:
F
T
E
$T
e
$
<

, "."3(
unde L ; constanta lui Roltzmann. +a temperatura ambiant raportul
F
E
$T
are valoarea de ordinea "#
'9
. Be aceea
T

constituie c.iva
7A@N.
-ermocuplele metalice, care sunt fabricate din dou s.rme
metalice cu f.e.m. termic mare, pe larg se utilizeaz pentru msurarea
precis a temperaturii. ,n procesul de msurare este necesar de a
stabiliza temperatura unei suduri. Mai des utilizate sunt sudurile
metalelor i alia*elor: cupru'constantan, cromel'copel, cromel'alumel,
platina'platin'rodiu.
,n aparatele de msurare i la rezistenele de precizie se
urmrete utilizarea metalelor i alia*elor cu f.e.m. termic ct mai
mic fa de cupru pentru a nu introduce erori de msur la msurarea
curenilor i tensiunilor mici.
0xist cupluri, care'i schimb semnul f.e.m. termice n procesul
de nclzire.
:rin urmare, metalele posed un ir de proprieti
caracteristice: "( nalt conductibilitate electric i termicD <(
coeficientul pozitiv de temperatur al rezistenei electrice: cu creterea
temperaturii, rezistena electric a metalelor pure se mrete: un
numr mare de metale C9#( posed starea supraconductoareD 9(
emisie termoelectronic, mai precis posibilitatea de a emite electroni
la nclzireD =( nsuirea de reflectare, metalele sunt netransparente i
posed luciul metalicD $( posibilitatea ridicat de deformaie plastic.
1.3. Descrierea instalaiei de laborator
%chema electric pentru studierea dependenei de temperatur a
rezistenei rezistoarelor bobinate i de volum fabricate din diverse
metale i alia*e, i dependenei de temperatur a forei electromotoare
termice la diverse termocuple este dat n fig.".$. 1ezistoarele
1"...1> i sudurile calde ale termocuplelor RN#, RN"...RN9 sunt
stabilite n termostatul n care se asigur temperatura necesar -
<
n
domeniul de la <# p.n la "J#U). %udurile reci ale termocuplelor sunt
introduse n termostatul cu temperatura -"?const vasul BeVar cu
ghea topit(. ,n lipsa gheei, temperatura sudurilor reci ale
termocuplelor -
"
corespunde cu temperatura camerei. Bate despre
rezistoarele 1"...1$ i termocuplele RN"...RN$ sunt artate pe panoul
frontal al instalaiei. Un terminal al rezistoarelor de cercetare este
conectat la ohmetrul :1, iar al doilea terminal de la fiecare rezistor
este conectat la unul din contactele comutatorului %E<, care are trei
direcii %E<."...%E<.9( cu cteva poziii "...$(.
El doilea terminal al rezistoarelor 1"...1$ este conectat la
direcia %E<, iar al rezistoarelor 1>...1"# ; la direcia %E<.<. +a
direcia %E<.9 este conectat un terminal al termocuplelor de cercetare.
Batorit acestor trei direcii ale comutatorului %E< se poate n acelai
timp de msurat valorile rezistenei i forei electromotoare termice
dup indicaiile ohmetrului :1 i milivoltmetrului :A" dispozitiv
universal de tipul RJ'<J(.

Hig. ". $. %chema electric a standului pentru cercetarea
caracteristicilor electrice ale materialelor conductoare
Rasculantul %E" n poziia " conecteaz ohmetrul :1 cu
comutatorul %E<.", adic cu rezistoarele 1"...1$, iar n poziia < ; cu
comutatorul %E<.<, adic cu rezistoarele 1>...1"#. 1ezistorul necesar
se introduce n schem prin schimbarea poziiei mnerului
comutatorului %E< i a basculantului %E<.
-ermocuplul etalon RN# este folosit pentru determinarea temperaturii
-
<
n termostat. Hora electromotoare termic dezvoltat de el este
nregistrat de milivoltmetrul :A<, scara cruia este gradat n U).
:entru cptarea temperaturii necesare -
<
n termostat, trebuie de
aplicat tensiune la elementul de nclzire 0N, adic de introdus fia
cordonului dublu de alimentare a transformatorului - n priza electric
cu tensiune C <<# A $# Wz( i pe panoul frontal al instalaiei de
stabilit ntreruptoarele %E$ X1eeauaY( i %E= X-ermostatulY( n
poziia X)onexiuneY, dup asta mnerul comutatorului %E9 se fixeaz
n una din poziiile posibile ".=(. ,n poziia " temperatura n termostat
se stabilete puin mai mare cu "#...<# U)( fa de temperatura
camerei, iar n poziia = ; aproape "3# U) temperatura maxim(.
E-0FZG0[ Fu se recomand de ma*orat temperatura n termostat
mai mare de "># U), fiindc n caz contrar, se ntrerup contactele
electrice ale rezistoarelor cu a lor terminale.
1.4. rdinea e!ecturii lucrrii
".=.".Esamblai schema electric a instalaiei pentru a efectua
msurrile dup fig.".$. )onectai n reea voltmetrele RJ'<" i RJ'
<JE@" i le permitei n parcurs de "#..."$ min s se nclzeasc.
".=.<. Beterminai rezistivitatea electric volumetric i
superficial pentru diverse materiale conductoare i fora
electromotoare termic a termocuplelor la temperatura camerei
elementul de nclzire 0N a termostatului este deconectat(.
:entru aceasta msurm rezistena rezistoarelor de cercetare
1"...1"#, care pe rnd se conecteaz n serie cu ohmetrul :1
dispozitivul RJ'<JE@" se utilizeaz n calitate de ohmetru(, comutnd
%E" i %E< n poziiile "'< i "...$ corespunztor. ,n acelai timp
msurm fora electromotoare termic a termocuplelor RN"...RN9
carea asemenea pe rnd se conecteaz la voltmetrul RJ'<". limitele de
msurare a
dispozitivelor RJ'<" i bJ'<JE@" trebuie alese optimal din punct de
vedere a asigurrii msurrilor ct mai precise. 1ezultatele msurrilor
i dimensiunile geometrice ale rezistoarelor de introdus n tabelul ".",
iar valorile forei electromotoare termice a termocuplelor ; n tabelul
".9.
-abelul "."


,n
tabelul "." este nevoie de socotit aria seciunii S
=
<
%
S

pentru
firul rezistiv( a conductorului i de calculat rezistivitatea electric
dup formul\ "."(.
".=.9. )ercetai dependenele de temperatur a rezistenei
rezistoarelor i a forei electromotoare termice la diverse termocuple.
:entru aceasta este necesar de a conecta elementul de nclzire
0N a termostatului i de meninut temperatura n termostat cu "#...<#
U) mai sus de cea iniial. +a nceputul msurrilor mnerul
comutatorului %E9 se fixeaz n poziia ". :e parcursul nclzirii
termostatului peste fiecare "# U) msurai rezistena rezistoarelor
1"...1> i fora electromotoare termic a termocuplelor n acelai mod
artat n p.".=.<. Batele rezistenei rezistoarelor cercetate se nscriu n
tabelul ".<, iar valorile forei electromotoare termice ; n tabelul ".9.
-emperatura maxim -
<
a termostatului nu poate fi mai presus de "J#
U). ,n tabelul ".< se nscriu valorile rezistenei rezistoarelor 1"...1$
la temperatura camerei din p.".=.<.
Bup datele tabelelor ".< i ".9 de construit graficele
dependenelor 1?f-( i U
-
?f-( pentru rezistoarele 1"...1> i
termocuplele RN"...RN9.
-abelul ".<
1ezistoarele de volum
Fr. 1, 5 l, m B, m %, m
<
2,5&m
-
U
)
1"
cupru
1<
nichel
19
constantan
1=
manganin
1$
nicrom
1
5
R

N
'"

N
'"
1
5
R

N
'"

N
'"
1
5
R

N
'"

N
'"
1
5
R

N
'"

N
'"
1
5
R

N
'"

N
'"
-abelul ".9
-< -" ]- f.e.m. termic U
-
, 7A
U) U) N
RN"
cupru'constantan
RN<
cupru'manganin
RN9
cupru'fier
".=.=. Bup datele de msurare calculai: a( lungimea medie a
drumului liber parcurs de electroni n srmele de cupru i de nichel
dup formula ".J(, mai precis

9
<
<
9
"
3
9
n e
h
l

,
_

,
unde h?>.><&"#
'9=
K&sD e?",>&"#
'"O
K

2 ; este dat n tabelul "."D n'
numrul electronilor n " m
9
al conductorului se determin dup
formula ".9(, n care pentru cupru d?3,O9&"#
9
Lg@m
9
i E?$3,J#&"#
'9
Lg@molD b( coeficientul termic al rezistenei electrice
R

pentru
conductoarele cercetate. Aaloarea
dT
dR
R
R
"

se gsete prin
diferenierea grafic a curbelor 1-( la valorile alese ale temperaturii
datele pentru - sunt date n tabelul ".<(.
:entru aceasta ducem tangente la curba 1-( n punctele alese
-,1
-
( i construim triunghiuri dreptunghiulare de mrimi arbitrare, pe
care se determin valorile catetelor ]1 i ]-. Aaloarea d1@d- pentru
valoarea concret 1
-
se determin prin relaia d1@d-? ]1@ ]-.
Aaloarea
R

se poate de determinat dup formula:

" <
" <
"
" "
T T
R R
R T
R
R
T T
T T
R

".<#(
unde 1-" i 1-< ; valorile rezistenei rezistoarelor corespunztoare la
temperatura de *os -
"
i de sus -
<
a limitei de temperaturi n triunghiul
dat. Aalorile
R

de introdus n tabelul ".<.

".=.$. )alculai coeficientul de temperatur al rezistivitii
electrice

pentru cupru, nichel i constantan dup formula ".O(, n

care

pentru aram este egal cu ">,J &"#

'>
N
'"
. 1ezultatele
calculelor dup formula ".O( se introduc n tabelul ".<. )onstruii
graficele dependenei

?f-(.
".=.>. )alculai valorile forei electromotoare termice specifice
ale termocuplelor cercetate, folosnd graficile construite ale
dependenilor U
-
?f-(.
1.". Coninutul re!eratului
".$.=. Benumirea i scopul lucrrii de laborator.
".$.$. %chema electric a instalaiei de laborator.
".$.>. Irdinea efecturii lucrrii. -abelele cu datele extrase
experimental i calculate i formulele de calcul.
".$.J. /raficele caracteristicilor i rezultatele calculelor
parametrilor pentru diverse metale, alia*e i termocuple.
".$.3. )oncluzii.
1.#. $ntrebrile de control
". Be ce metalele posed o conductibilitate electric nalt^ )are este
mecanismul de conductibilitate n metale^
<. Be ce rezistivitatea metalelor se ma*oreaz la nclzire^ Bai
definiia rezistivitii electrice.
9. Be ce rezistivitatea alia*elor metalice de tipul soluii solide este
mai mare dect rezistivitatea metalelor pure, care sunt
componenele alia*ului^
=. )um influeneaz impuritile asupra rezistivitii metalelor^
Hormulai regula lui Mattisen.
$. Bai definiia coeficientului de temperatur al rezistivitii
electrice

. 0ste

o valoare constant pentru metalul dat^ Be

ce

a alia*elor de tipul soluii solide este mai mic dect la

metalele pure^
>. +murii procesele care apar la contactarea a dou metale. )are
este sensul fizic al nivelului energetic Hermi^
J. ,n ce condiii apare fora electromotoare termic n circuitul
nchis^
3. Fumii mecanismele principale care sunt responsabile pentru
apariia f.e.m. termice.
O. )u care parametri se caracterizeaz nsuirile electrice ale
materialelor conductoare^ Fumii domeniile de utilizare a
materialelor conductoare cercetate.
"#. Be ce alia*ele cu rezisten electric mare de exemplu crom'
nichel( la conectarea multipl se prefac n praf^
"". Fumii funciunile pe care le pot ndeplini materialele conductoare
pe baza proprietilor de conducie electric.
1.%. &ibliogra!ie
". )tuneanu A.M. coordonator( .a. Materialele pentru electronic.
; Rucureti, 0dit. Bidac. i :edag., "O3<, ' =>3 p.
<. _\`abcde f.f., gdhdcib f.g. j\klhi\ma nmlckhdbbdo
klpbici ; j.q fj, "O3>. ; 93J `.
9. qdrdhdsitcio u.v., _\`abcde f.f., w\hlle q.j.
xmlckhdklpbiyl`cil z\klhi\ma, ' v., xblhrd\kdzins\k, "O3$, '
9#= `.
=. g{h\edybic {d nmlckhdklpbiyl`ciz z\klhi\m\z @ _ds hls.
|.f. }dhitcdrd, f.f. _\`abcde\ i f.j. w\hlle\ ; j.,
xblhrd\kdzins\k, "O3>.

Enexa "."
:roprietiile fizice de baz ale metalelor purific\te la <# ~g


M
e
t
a
l
u
l

B
e
n
s
i
t
a
t
e
a
,
"
#
9

L
g
@
m
9
-
e
m
p
.

d
e

t
o
p
i
r
e

,

-
t
o
p
,

U
)
)
o
e
f
i
c
i
e
n
t
u
l

t
e
r
m
i
c

d
e

d
i
l
a
t
a
r
e

l
i
n
i
a
r

d
l

&
"
#
>
,

N
'
"
1
e
z
i
s
t
i
v
i
t
a
t
e
a

e
l
e
c
t
r
i
c

,

7
5
&
m














































































)
o
e
f
.
d
e

t
e
m
.

r
e
z
i
s
t
i
v
i
t

i
i

e
l
e
c
t
r
i
c
e

2
&
"
#
9
,

N
'
"
+
u
c
r
u
l

d
e

i
e

i
r
e

a
l

e
l
e
c
t
r
o
n
i
l
o
r
,

e
A
f
.
e
.
m
.

t
e
r
m
i
c

s
p
e
c
i
f
i
c

a
b
s
o
l
u
t

,

7
A
&
N
'
"
-
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

d
e

t
r
e
c
e
r
e

n

s
t
a
r
e

s
u
p
r
a
c
o
n
d
u
c
t
o
a
r
e
,

N
Eluminiu
Reriliu
Solfram
/aliu
Hier
Eur
Gndiu
)admiu
)aliu
)obalt
)upru
Molibden
Fatriu
Fichel
)ositor
:latina
Mercur
:lumb
Ergint
-antal
)rom
<,J
",3=
"O,9
$,O<
J,3J
"O,9
J,9#
3,>$
#,3><
3,3$
3,O<
"#,<
#,OJ
3,O>
J,<O
<",=$
"9,$
"",9=
"#,=O
">,>
J,"O
J,"=

>>#
"<3#
9=##
<O,<
"$=#
"#>9
"$>
9<"
>9,$
"$##
"#39
<><#
O3
"=$9
<9<
"JJ#
'9O
9<J
O>"
9###
"O##
="O
<",#
"<,#
=,=
"3,"
"#,J
"=,#
<3,=
<O,#
39,9
"9,$
">,>
$,9
J<,#
"9,<
<9,#
O,$
"3<
<3,9
"3,>
>,>
>,<
9#,#
#,#<J
#,#="
#,#$$
#,"9>
#,#OJ
#,#<<$
#,#O
#,#J=
#,#>$
#,#>=
#,#">3
#,#$
#,#=<
#,#>3
#,""9
#,#O3"
#,O$3
#,"O
#,#"$
#,"<=
#,"9
#,#$O<
=,"
>,>
$,#
9,O
>,<$
9,O$
=,O
=,<
$,3
>,#
=,99
=,99
$,$
>,J
=,$
9,O
#,O
=,<
=,"
9,3
<,=
=,"
=,<$
9,O<
=,$=
9,O>
=,"
=,9
9,3
=,"
<,<<
=,="
=,=
=,9
<,9$
=,$#
=,93
$,9<
=,$<
=,#
=,9
=,"<
=,$3
=,<$
'",9
'9,#
<,#
'
">,>
",$
'
<,"
"<
'<#,"
",3
>,9
'3,J
'"O,9
'","
'$,"
3,"
'",<
",$
'<,$
"3,#
",$
","3>
#,#9
#,#"
",#3J
'
'
9,=#$
#,$"
'
'
'
#,O9
'
'
9,J<
'
=,"$9
J,<
'
=,$
'
#,33
Lucrarea de laborator nr. 2
Cercetarea dependenei de temperatur a conductibilitii
electrice a materialelor semiconductoare
Scopul lucrrii ' %tudierea naturii fizice a conductibilitii electrice
n materialele semiconductoare, iniierea cu metodica de msurare a
conductibilitii electrice, cercetarea dependenei de temperatur a
conductibilitii electrice, determinarea regiunilor cu conductibilitatea
electric intrinsec i extrinsec i lrgirea benzii interzise la diverse
materiale semiconductoare
2.1. Cunotine generale
:roprietatea de baz a materialului la aplicarea unui cmp
electric din exterior este conductibilitatea electric, adic capacitatea
de a conduce curent electric sub aciunea tensiunii electrice continuu.
Bac materialul se afl ntr'un cmp electric cu intensitatea

E
, atunci
particulele ncrcate libere din material, adic purttorii mobili de
sarcini electrice, sub aciunea forei

E & F
unde este sarcina
particulei( capt o acceleraie n direcia vectorului

E
pentru
purttorii care au sarcin pozitiv ( sau n direcia opus pentru
purttorii care au sarcina negativ (. Epariia n aa fel a micrii
ordonate n spaiu spre deosebire de cea termic haotic( al sarcinilor
electrice i este curentul electric n material.
:entru cazul cnd n material exist purttori mobili de sarcin
numai de un tip, densitatea curentului electric * reprezint cantitatea
de sarcin electric care este transferat ntr'o unitate de timp prin
unitatea de seciune perpendicular pe vectorul

E
, i se determin
prin expresia:

' &N j
, <."(
unde F este numrul de purttori mobili de sarcini electrice ce se afl
ntr'o unitate de volum, sau concentraia purttorilor mobili de
sarcin, m
'9
D

'
este viteza medie n micarea ordonat a purttorilor
mobili de sarcin viteza de drift( cptat n timpul parcursului liber
sub aciunea cmpului electric exterior. Bac sub aciunea intensitii
cmpului electric se schimb numai direcia micrii purttorilor
mobili de sarcin i vPPu unde u este viteza medie termic a
purttorilor la micarea haotic(, atunci astfel de cmpuri electrice se
numesc slabe. Bac ns la aciunea cmpului electric mobilitatea
purttorilor se micoreaz i mrimea absolut a vitezei de drift
nceteaz de a mai depinde de cmp i devine egal cu viteza termic
v u (, astfel de cmpuri electrice se numesc puternice. Be obicei
viteza v n cmpurile electrice slabe este proporional cu intensitatea
cmpului electric :

E (
, <.<(
unde

este factorul de proporionalitate, numit mobilitatea

purttorilor de sarcin i se msoar n m
<
@A&s. Mobilitatea

este
numeric egal cu viteza medie de drift a purttorilor de sarcin
produs de un cmp electric cu intensitatea unitate i caracterizeaz
agilitatea cu care purttorii mobili de sarcin se strecoar printre
nodurile reelei cristaline n cadrul micrii diri*ate indus de cmpul
electric

E
.Aiteza total a purttorilor mobili de sarcin se determin
prin suma vectorial a vitezei termice i vitezei de drift.
Zinnd cont de expresia <.<( i relaia <."( se poate scrie sub
forma :
@ E E E &N j
, <.9(
unde

?
&N
este conductivitatea electric i se msoar n %@m,

?"@

este rezistivitatea i se msoar in Ihm&m m .

1elaia <.9( reprezint forma diferenial a legii lui Ihm.
Mrimea nu depinde de valoarea cmpului electric slab i a
curentului i prin urmare se determin de proprietile fizice ale
materialului. +egea lui Ihm nu se respect numai la intensiti foarte
mari ale cmpului electric, c.nd

u (
. Bar acest caz n lucrarea dat
nu se asigur i n continuare nu se va mai analiza.
,n limitele n care are loc legea lui Ihm mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin nu depinde de intensitatea cmpului electric i se
determin de proprietile corpului solid i de mecanismul de
mprtiere a purttorilor de sarcin n cristal.
Eadar conductivitatea electric sau rezistivitatea electric
determin densitatea curentului electric n material la o mrime dat a
intensitii cmpului electric, adic caracterizeaz cantitativ fenomenul
de conducie electric.
Materiale semiconductoare sunt materiale care se caracterizeaz
prin valori ale rezistivitii electrice la temperatur normal n
domeniul "#
'3
"#
O
m , ce se afl ntre valorile rezistivitii ale
materialelor conductoare i cele dielectrice,i la care conductibilitatea
electric n mare msur depinde de diferite aciuni energetice din
exterior ca de exemplu ridicarea temperaturii, aplicarea cmpului
electric puternic sau magnetic, iradiere cu lumina, etc.( i de impuriti
atomi de alt natur (.
,n materialele semiconductoare ca purttori mobili de sarcin
sunt electronii i golurile de conducie, concentraiile de echilibru ale
cror n unitatea de volum se indic prin n i p corespunztor.
)onform relaiei <.9( densitatea curentului electric in
semiconductor se determin dup formula :

( ) E E e) en j j j
) n ) n
+ +
, <.=(
unde e este sarcina electric a electronului sau a golului,
n

i )

este
mobilitatea electronilor de conducie i a golurilor, iar :

( )
) n ) n ) n
) n e e) en + + +
. <.$(
,n semiconductoare extrinseci cu impuriti(, ca regul, una din
componentele relaiei <.$( poate fi exclus la temperatura normal.
Be exemplu, n cazul unei concentraii destul de mare a atomilor de
impuriti donoare n semiconductor aportul golurilor n
conductibilitatea electric este negli*abil. ,n ma*oritatea cazurilor
mobilitatea golurilor este mai mic dect cea a electronilor.
Aariaia conductibilitii electrice ntr'un domeniu larg de
temperatur pentru un material semiconductor poate avea loc att n
urma modificrii concentraiei a purttorilor mobili de sarcin, ct i
n urma variaiei mobilitii lor.
2.2. (n!luena temperaturii asupra conductibilitii electrice a
semiconductoarelor
<.<.". Bependena de temperatur a concentraiei purttorilor mobili
de sarcin
Hiecare electron din atomi liber are o anumit energie i ocup
un nivel energetic discret. +a formarea reelei cristaline a
semiconductorului toate nivelurile energetice ale electronilor ce le
posed atomii de tipul dat, se vor deplasa puin n urma interaciunii
dintre atomi. ,n corpul solid, datorit interaciunii de schimb,
nivelurile energetice discrete ale atomilor izolai se desfac n benzi
energetice. Biagrama energetic a unui semiconductor pur intrisec(,
adic dependena energiei, pe care o poate avea electronul n cristal,
de la coordonata Q este prezentat n fig.<.",a.
Hig. <.". Biagramele energetice ale materialelor semiconductoare
intriseci a(, respectiv extrinseci, de tip n b( i tip p c( la -!#
)onform modelului de benzi energetice determinat cuantic ntr'
un corp solid spectrul energetic al electronilor este format din benzi de
energie permis i interzis. ,ntr'un semiconductor util din punct de
vedere al conduciei electrice snt banda energetic superioar
permis, ocupat cu electroni de valen, numit banda de valen
RA( i urmtoarea band permis liber, numit banda de conducie
R)(D banda interzis RG( de mrime 0g, n care nu exist stri
permise pentru electroni, se ntinde de la limita superioar 0v a
bandei de valen pna la limita inferioar 0c a bandei de conducie
fig. <.",a(. )u sgeata i se indic trecerea electronului excitat din
banda de valen n banda de conducie. Eceasta tranziie arat la
ruperea unei legturi covalente ntre doi atomi vecini al materialului i
poate fi efectuat din contul energiei a oscilaiilor termice ale reelei
cristaline sau al energiei aciunilor din exterior asupra
semiconductorului. ,n acest caz apare un electron liber i o legtur
covalent nesatisfcut rupt(, creia pe diagrama energetic i
corespunde o stare posibil, dar neocupat de electron, n banda de
valen ; un gol liber. 0nergia, necesar pentru ruperea unei legturi
covalente se determin de lrgimea benzii interzise 0g a
semiconductorului. /olul se comport ca o particul fictiv, care are
sarcina pozitiv, egal dup valoare absolut cu sarcina electronului,
i o mas efectiv pozitiv
T
)
m
.
)u ct mai nalt este temperatura i
mai mica lrgimea benzii interzise 0g, cu att este mai mare viteza de
generare termic a electronilor i a golurilor de conducie.
)oncomitent cu generarea n semiconductor are loc nentrerupt
procesul invers ; recombinarea termic a purttorilor mobili de
sarcin, adic ntoarcerea electronilor de conducie n banda de valen
cu dispariia perechilor de purttori de sarcin prin refacerea
legturilor covalente. ,n rezultatul decurgerii acestor dou procese
opuse n semiconductor la orice temperatur se stabilete o oarecare
concentraie de chilibru a electronilor i a golurilor de conducie. ,ntr'
un semiconductor pur fr impuriti( concentraia de echilibru a
electronilor de conducie ni este egal cu concentraia de echilibru a
golurilor pi :


* *
) n
D
* * *
n ) n < +
D
< <
* * * *
) n ) n
'
<.>(
)u indicele i se noteaz toi parametrii semiconductorului pur
intrisec(. Aalorile ni i pi pot fi determinate la temperatura - dup
formula :

,
_

$T
E
N#N( ) n
+
* *
<
exp
, <.J(
unde Fc i Fv reprezint densitatea efectiv de stri energetice n
banda de conducie i respectiv n banda de valen, iar L este
constanta lui Roltzman. Gnfluena temperaturii asupra mrimii ni va fi
cu att mai mare cu ct mai mare va fi limea benzii interzise 0g.
Gmpuritatea de substituie, care nlocuiete un atom din nodurile
reelei i are mai muli electroni de valen dect snt necesari pentru
formarea legturilor covalente cu atomii vecini din reeaua de baz a
cristalului, creeaz n banda interzis n apropierea de limita inferioar
0c a bandei de conducie stri locale permise, adic nivele energetice
discrete. :e fiecare aa nivel energetic permis ocupat, numit nivel
donor 0B, situat n imediata vecintate a bandei de conducie, la
temperaturi *oase se afl cte un electron fig <.",b(. +a ridicarea
temperaturii electronii de pe nivele energetice discrete deci
concentraii nu prea mari( ale impuritilor pot s treac n banda
energetic liber banda de conducie( i s participe n proces de
conducie electric tranziia " n <.".b(. Gntervalul de energie
0B?0) 0B reprezint energia necesar a electronului de valen
suplimentar al atomului de impuritate pentru a deveni electron de
conducie. Eceasta energie de ionizare 0B, necesar pentru asemenea
tranziii ", este mult mai mic dect energia de ionizarea a atomilor
proprii din reeaua de baz, adic mai mic dect lrgimea benzii
interzise. Gmpuritile, ce furnizeaz electroni n banda de conducie a
semiconductorului la ionizare se numesc impuriti donoare. +a
temperaturi comparativ mai nalte electronii de valen pot, s rup
legturile lor cu atomii de baz ai materialului i s devin liberi,
adic pot s treac din band de valen n banda de conducie
tranziia < din fig <.".b(. ,n aa caz se formeaz dou tipuri de
purttori mobili de sarcin ; electronii i golurile. ,n aa
semiconductor cu impuriti donoare concentraia electronilor de
echilibru depete concentraia golurilor, i ca urmare, el se numete
semiconductor de tip n.
Gmpuritatea, care are un numr de electroni de valena mai mic
dect numrul electronilor de valen ai atomului pe care l substituie
n reeaua cristalin, adic mai mic dect numrul necesar pentru
completarea legturilor covalente cu atomii vecini de baz ai
materialului semiconductor, i datorit acestui fapt poate uor s
capteze electroni de valen de la atomii de baz, este numit
acceptoare. :entru legtura incomplet impuritatea acceptoare
creeaz n banda interzis un nivel energetic permis liber, numit nivel
acceptor 0E, situat n apropierea limitei superioare a benzii de valen
0A fig. <.",c(. +egtura incomplet vacant a electronului de
valen sau golul( n rezultatul oscilaiilor termice ale reelei cristaline
sau excitrii termice poate fi completata cu un electron de valen a
legturii covalente vecine, care la rndul su va deveni incomplet.
Epare un gol nou n banda de valen. 0lectronii captai din banda de
valen la astfel de nivele de impuritate tranziia "(, nu particip la
procesul de conducie a curentului electric din cauza legturii lor cu
atomii de impuritate. Gntervalul de energie 0E?0E ' 0A reprezint
energia necesar unui electron de valen pentru a se ataa atomului
acceptor ionizndu'l pentru a satisface o legtur covalent. ,n banda
de valen sunt goluri mobile libere(, care particip la procesul de
conducie a curentului electric. Micarea golurilor reprezint micarea
relativ complex a electronilor de valen legai de atomii de baz. +a
temperaturi nalte sunt posibile trecerile <, n rezultatul crora se
formeaz o pereche de purttori mobili: electronul i golul de
conducie. %emiconductorul dopat cu impuriti acceptoare are o
concentraie de echilibru a golurilor mai mare dect concentraia
electronilor de conducie i este numit semiconductor de tip p. Un
semiconductor poate s conin att impuriti donoare ct i impuriti
acceptoare.
:urttorii mobili de sarcin, concentraia crora predomin, sunt
numii ma*oritari electroni n semiconductori de tip n i golurile n
semiconductori de tip p(. :urttorii mobili de sarcin, concentraia
crora ntr'un semiconductor dat este n minoritate, se numesc
minoritari.
)onductibilitatea, condiionat de electroni i sau( de goluri de
conducie care apar n rezultatul ionizrii numai a atomilor de
impuritate, se numete. conductibilitate prin impuriti
Holosind metodele fizice statice se poate de artat c la
temperaturi *oase concentraia electronilor de conducie n
semiconductorul de tip n

,
_

$T
E
N#Nd n
%
<
exp
, <.3(
unde FB este concentraia atomilor de impuritate donoar n unitatea
de volum, iar 0B este energia de ionizare a impuritilor donoare.
+ogaritmiznd aceasta expresie, obinem:

$T
E
N#Nd n
%
<
ln ln

. <.O(
,n expresia <.O( primul termin din partea dreapt este puin dependent
de temperatur n comparaie cu termenul 0B@<L-(. Bependena lui
lnn( de "@- n domeniul temperaturilor foarte *oase, unde are loc
conductibilitatea prin impuriti, este aproximativ liniar cu
coeficientul unghiular de 0B@<L-( domeniul " pe curb cu FB" n
fig. <.<,a(.
Hig. <.<. Bependenele tipice de temperatur a concentraiei
electronilor de conducie n semiconductori de tip n, ce conine
diverse concentraii ale impuritilor donoare : FB"PFB<PFB9 a(D
nivelele energetice discrete ale impuritii n banda interzis b(D
formarea benzii de niveluri energetice donoare la concetraii mari ale
impuriilor c(D suprapunerea benzii energetice de niveluri donoare
cu banda de conducie la foarte mari concentraii ale impuritilor d(
+a o ridicare a temperaturii cu puin mai mare dect temperatura
-% practic toi electronii trec de la atomi de impuritate donoar n
banda de conducie i atunci condiia de epuizare deplin a impuritii
donoare are forma:
F ? FB <."#(
+a ridicarea n continuare a temperaturii concentraia electronilor
n banda de conducie practic nu se va schimba domeniul < pe curba
cu FB" n fig.<.<,a( pn cnd nu se va ncepe trecerea la
conductibilitatea intrisec proprie(, adic cnd electronii vor trece
intensiv din banda de valen n banda de conducie. Beoarece
0BPP0g, apoi intervalul de temperaturi, n care concentraia
electronilor practic nu depinde de temperatur, poate s fie destul de
mare. Ecest interval de temperatur domeniu(, se numete domeniu
de epuizare a impuritii. +a orice temperatur n stare de excitaie
termic se afl nu numai electronii de valen ai atomilor de
impuritate dar i electronii de valen a atomilor de baz, adic i
electronii din banda de valen. )oncentraia electronilor din banda de
conducie are forma:
n ? *m)
n

*
n
, <.""(
unde *m)
n
este concentraia electronilor de conducie, condiionat de
ionizarea impuritilorD
*
n
este concentraia electronilor de conducie
determinat de generarea temic a purttorilor intriseci, ce au trecut
din banda de valen n banda de conducie. +a temperaturi -!-s se
poate de notat:

,
_

+ +
$T
E
N#N( N n N n
+
% * %
<
exp
. <."<(
Idat cu ridicarea temperaturii se mrete si n, atinge i ntrece
valoarea FB. +a temperaturi relativ mari, -!-i domeniul 9 pe curba
cu FB" n fig. <.<,a(, rolul dominant ncep a *uca tranziiile electronilor
peste banda interzis, adic are loc creterea rapid a concentraiei
purttorilor de sarcin proprii i trecerea n domeniul conductibilitii
electrice intriseci. ,n acest domeniu la -!-i primul termen al relaiei
<."<( poate fi negli*at i concentraia electronilor de conducie este
egal cu cea a golurilor, iar panta curbei tgi( se determin de
valoarea lrgimii benzii interzise a semiconductorului. +ogaritmnd
formula <.J(, obinem :

$T
E
N#N( n
+
*
<
ln ln i
$
E+
,+
*
<

. <."9(
:entru ma*oritatea semiconductoarelor cu impuriti temperatura
-i de trecere la conductibilitatea electric intrisec esenial este mai
mare dect cea a camerei. Ea, pentru germaniu de tip n cu F
B
?"#
<<
m
'9
temperatura -i=$#N. Aaloarea lui -i este cu att mai nalt cu ct este
mai mare lrgimea benzii interzise a semiconductorului i cu ct este
mai mare concentraia atomilor de impuritate n el.
)u mrirea concentraiei impuritii domeniul " a curbelor, ce
corespund conductibilitii electrice prin impuriti, se deplaseaz in
sus. Unghiul de nclinaie a domeniului " depinde de concentraia
impuritilor F
B
, deoarece energia de ionizare a atomilor de impuritate
este determinat de interaciunea lor, iar aceasta din urm depinde de
distana dintre ei. Eceasta duce la despicarea nivelelor energetice
discrete i formarea benzii strilor de impuritate fig.<.<, b,c(. ,n mod
corespunztor se micoreaz energia de ionizare 0
B"
! 0
B<
! 0
B9
(. )u
ct este mai mare concentraia impuritii cu att este mai mare
temperatura epuizrii. %emiconductorul, n care banda de impuriti se
suprapune cu banda de conducie i ]0
B
#, este numit degenerat
curba pentru F
B9
n fig.<.<,a i d(.
Hormulele pentru concentraia purttorilor mobili n
semiconductor, dopat cu impuriti acceptoare, se obin analogic. 0le
au acelai aspect ca i pentru semiconductorul de tip n, dac n loc de
F
)
vom scrie F
A
, n loc de ]0
B
vom scrie ]0
E
i n loc de F
B
vom
scrie F
E
, adic :

,
_

$T
E
N-N( )
A
<
exp
. <."=(
Bependena lnp(?f"@-( este absolut analogic curbelor pentru
semiconductorul de tip n

fig.<.<(.
<.<.<. Bependena de temperatur a mobilitii purttorilor
de sarcin
0lectronii i golurile de conducie sunt supuse mprtierii
dispersiei(, adic i schimb direcia i viteza micrii la ciocnire cu
nodurile reelei cristaline, defectele reelei, atomii de impuritate.
Aiteza de drift, aceasta nseamn c i mobilitatea purttorilor de
sarcin, este strns legat cu lungimea parcursului liber n cristal:

u
l
m
e
m
e
T
#
T
, <."$(
unde m
T
este masa efectiv a purttorilor de sarcin. I valoare mare a
mobilitii poate fi condiionat de o mas efectiv mic a purttorilor
de sarcin i de o valoare mare a timpului de deplasare liber sau mai
precis a timpului de relaxare
#

. -impul de relaxare este determinat

de procesele de mprtiere a electronilor aflai n micare n
semiconductor i depinde de temperatur, concentraia impuritii F
imp
i intensitatea cmpului electric 0.
,n semiconductoare cu reeaua atomic mprtierea purttorilor
mobili de sarcin are loc n principal pe oscilaiile termice ale reelei
cristalinei pe impuritile ionizate. Eceste dou mecanisme de
dispersie aduc la apariia a dou poriuni n dependen de
temperatur a mobilitii fig.<.9(. Bispersia pe baza oscilaiilor
termice ale reelei cristalint *oac un rol dominant la temperaturi
ridicate , unde mobilitatea

< @ 9
T
T
, <.">(
adic mobilitatea se micoreaz la ridicarea temperaturii. Micorarea
lui 7 la mrimea temperaturii - se explic prin creterea numrului de
ciocniri ale purttorilor mobili de sarcin n unitatea de timp cu
nodurile reelei cristaline, adic cu micorarea timpului parcursului
liber. Eceast lege a variaiei a lui 7 de - va compensa n formula
<.$( creterea cu temperatura a mrimilor F
)
i F
A
, care se determin
dup formulele:

< @ 9
<
T
<
<

,
_

h
$T m
N
n
C

i
< @ 9
<
T
<
<

,
_

h
$T m
N
"
'

, <."J(
unde m
T
n
i m
T
p
sunt masele efective ale electronului i ale golului
de conducie n benzi, h este constanta lui :lancL. ,n domeniul
temperaturilor *oase o valoare esenial are o dispersie pe baza
atomilor ionizai de impuritate F
imp
i mobilitatea
7
ion
C-
9@<
@F
ion,
<."3(
adic mobilitatea crete odat cu ridicarea temperaturii. Aaloarea i
poziia maximului curbei 7-( depinde de concentraia impuritilor.
)u creterea ei maximul se deplaseaz n regiunea temperaturilor mai
ridicate, iar toat curba n *os pe axa coordonatelor. +a temperaturi
foarte *oase, cnd impuritile sunt slab ionizate, mprtierea
purttorilor mobili de sarcin are loc pe atomii neutrali de impuritate.
,n prezena acestui mecanism de mprtiere mobilitatea nu depinde
de temperatur, dar se determin numai de concentraia impuritii.
Mrirea concentraiei impuritii aduce la micorarea lungimii
parcursului liber al purttorilor i ca urmare, la scderea mobilitii
lor.
Mobilitatea purttorilor de sarcin poate sa se deosebeasc de la
o prob la alt prob n dependen de compusul lui i perfeciunea
structurii cristaline.
<.<.9. Bependena de temperatur a conductivitii electrice a
materialelor semiconductoare
)onductivitatea electric a semiconductorului, cum se vede din
relaia <.$(, se determin cu concentraia i mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin, valorile crora depind de temperatur. :recum
pentru concentraia purttorilor mobili de sarcin este caracteristic
dependena exponenial de temperatur, iar pentru mobilitate '
dependena de putere relativ slab(. Be aceea dependena de
temperatur a conductivitii electrice este asemntoare cu
dependena de temperatur a concentraiei purttorilor de sarcin fig.
<.=(.
Hig.<.9. Bependena de temperatura Hig.<.=. Bependena de
a mobilitii purttorilor mobili de temperatur a conductivitii
sarcin ntr'un semiconductor care electrice ntr'un semiconductor
conine diverse concentraii de cu diverse niveluri de dopare
impuriti F
B"
PF
B<
P F
B9
(
+egea exponenial de variaie a concentraiei purttorilor mobili
de sarcin n materiale semiconductoare la modificarea temperaturii
explic deosebirea principal ntre dependena de temperatur a
conductivitii semiconductoarelor i conductoarelor. +a metale
materialele conductoare( concentraia purttorilor mobili de sarcin
practic nu depinde de temperatur.
,n intervalul de temperaturi de la -
%
pna la -
"
unde exist
domeniul de epuizare a impuritilor, conductivitatea electric se
micoreaz cu creterea temperaturii pentru semiconductoare slab
dopate, deoarece n acest caz mobilitatea se micoreaz cu creterea
temperaturii i mecanismul principal de mprtiere este interacia cu
oscilaiile termice ale reelei cristaline curba pentru F
B"
n fig. <.=.(.
Micorarea conductivitii n regiunea temperaturilor *oase -P-
%
( este
legat de micorarea concentraiei purttorilor de sarcin, furnizai de
atomii de impuritate, i micorarea mobilitii din cauza mrimii
interaciei cu impuritile ionizate. )reterea rapid la temperaturile
-!-i

corespunde domeniului de conductivitate intrisec, care se
caracterizeaz cu egalitatea concentraiilor electronilor i golurilor .
:entru acest domeniu

(
<
exp ( (
$T
E+
N#N( e en
) n ) n * *
+ +
. <."3,a(
Zinnd cont c dependena de temperatura a expresiei
7
n
7
p
(F
)
F
A
este dependena de putere i mult mai slab dect
dependena de temperatur a exp'0g@<L-(( rezult

(
<
exp
$T
E+
#.ns,
*

. <."O(
Bup panta dreptei pe poriunea conductivitii electrice intriseci
a dependenei ln de "@- se poate de determinat lrgimea benzii
interzise a semiconductorului, adic

$
E+
,+
*
<

<.<#(
:entru materialele semiconductoare cu impuriti, cnd
concentraia purttorilor mobili de sarcin nu depinde de temperatur
dup legea exponenial vezi relaia <.3( i <."=((, se poate de scris
relaia
(
<
exp (
,
$T
E
N N e
*m)
*m) ( # ) n *m)

+ sau
(
<
exp
$T
E
#.ns,
*m)
*m)

, <.<"(
unde ]0
imp
i F
imp
sunt energia de ionizare i concentraia atomilor
de impuritate. Hormula <.<"( n regiunea conductivitii volumetrice
prin impuriti este valabil numai pentru acele temperaturi, pentru
care nu se petrece ionizarea complet a atomilor de impuriti -P-
%
(.
Bup panta dreptei n regiunea conductivitii electrice prin impuriti
poate fi determinat energia de ionizare a atomilor de impuritate,
adic:

K
E
,+
*m)
*m)
<

. <.<<(
Ibinnd experimental dependena de temperatur a
conductivitii sub forma ln?"@- se poate de determinat panta celor
dou poriuni n linie dreapt la axa abciselor sub forma :

( ) $
E
T
,+
+
*
*
< @ "
( ln

i
( ) $
E
T
,+
*m) *m)
*m)
< @ "
( ln

. <.<9(
)onstanta lui Roltzman L?3,><&"#
'$
eA@N, de aceea din formula
<.<9( avem :

( @ "###
( ln
"J< , #
T
E
*
+

i
( @ "###
( ln
"J< , #
T
E
*m)
*m)

. <.<=(
+a construirea dependenei de temperatur a conductivitii
electrice n forma lg?f"@-( panta a dou poriuni drept liniare la axa
abciselor se determin prin acelai mod:

( @ "#
( ln
= , #
9
T
E
*
+

i
( @ "#
( ln
= , #
9
T
E
*m)
*m)

. <.<=,a(
2.3 Descrierea mac)etului de laborator
%chema electric a machetului pentru cercetarea dependenei
conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare prin metoda
celor dou sonde la diverse temperaturi este prezentate n fig. <.$.
Hig. <.$. %chema electric a machetului pentru msurarea
conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare la diverse
temperaturi
:roba de material semiconductor 1x( se conecteaz n circuitul
de msurare, care conine o surs de tensiune de curent continuu
U?"# A o surs de alimentare electric q$'=3(. 1ezistorul variabil
1" servete pentru reglarea curentului G, care curge prin prob, ci
miliampermetru :E ' pentru msurarea acestui curent. )omutatorul %"
servete pentru conectarea sau deconectarea circuitului, %< permite
schimbarea direciei curentului n proba. )derea de tensiune U" i
U< pe proba ntre sonde c,d( se msoare cu a*utorul milivoltmetrului
:A". :roba de cercetare e conectat n circuit prin comutatorul %9,
plasat pe macheta.
:entru efectuarea msurrilor de temperatur suportul cu probe
este introdus n termostat, elementul de nclzire 0N a crui se
alimenteaz de la reglatorul cu tiristor sursa de alimentare
nclzitorului UC(. 1egimul de nclzire a elementului 0N se stabilete
prin tensiunea UC, care se ma*oreaz treptat nepind limita Umax
indicat la sursa de alimentare a nclzitorului UC, fiind msurat cu
a*utorul unui voltmetru de tensiunea continu.
-emperatura n termostat se controleaz cu a*utorul
termocuplului RN traductor de temperatur(, f.e.m. termic U
T
a
crui se msoar cu a*utorul milivoltmetrului :A<. -emperatura - n
termostat se determin dup formula
-N ? -
cam
<$ U
-
mA , <.<$(
unde -
cam
este temperatura camerei, N.
,n calitate de aparate de msurare sunt utilizate multimetre de tip
B-'39# R i aparate universale digitale RJ'<", RJ'<<, RJ'<J, la care e
necesar de stabilit regimul de lucru i limitele de msurare.
:entru a evita defectarea multimetrilor este interzis de conectat
alimentarea circuitului fr permisiunea lectorului.
+a msurarea rezistivitii electrice sau conductivitii electrice a
materialelor semiconductoare se ntlnesc dificulti legate de aceea c
n contactele la frontiera Xmetal'semiconductorY apar aa numitele
straturi de bara*, rezistena crora n zeci i sute de ori este mai mare
dect rezistena cristalului de volum.
Metoda cea mai rspndit de msurare a conductibilitii
electrice este metoda celor dou sonde, bazat pe msurarea diferenei
de potenial, ce apare ntre dou puncte ale probei punctele c i d
pentru proba " n fig.<.$( la trecerea prin el punctele a i b( a
curentului electric. :entru a exclude influena rezistenelor de trecere
ntre sondele de msurare i prob se folosete metoda compensrii
reducerii la zero( .
+a trecerea curentului prin prob n legtur cu neohmicitatea
contactelor de metal;semiconductor proba poate s se nclzeasc la
un capt i s se rceasc la altul. ,n afar de aceasta la determinarea
dependenei de temperatur a conductibilitii proba este necesar se
aezat n termostat i n aa caz capetele probei pot sa se afle la
diferite temperaturi. Eceste dou mpre*urri aduc la aceea c ntre
sondele de msurare contactele( de rnd cu cderea de tensiunii U,
creat de curentul electric ce trece prin prob cu rezistena 1, apare
diferena de potenial termoelectric a probei U
-0
, care se va aduga la
U sau se va scdea din U n dependen de aceea, care capt a probei
este mai cald. Biferena de potenial termoelectric poate sa constituie
de la un procent pn la cteva zeci de procente de la UD precum ea se
schimb cu variaia temperaturii. Bac de efectuat msurrile cderii
de tensiune pe prob la dou direcii opuse ale curentului electric se
poate evita influena a f.e.m. termice U
-0
(.
:ractic se msoar diferene de potenial U
"
?UU
-0
la o direcie
a curentului electric prin prob. +a schimbarea direciei curentului
electric semnul lui U se schimb , iar semnul lui U
-0
rmne acelai,
fiindc diferena de temperatur a capetelor probei nc nu s'a
schimbat. Bac ambele msurri de efectuat n cel mai scurt timp
posibil, atunci mrimea U
-0
nu va dovedi s se schimbe. Be aceea
diferena de potenial dintre sonde la alt direcie a curentului electric
prin prob este U
<
?UU
-0
. %cznd U
<
din U
"
i mprind la doi,
obinem :

< <
< " TE TE
U U U U U U
U
+ +

. <.<>(
Beoarece diferena de potenial U
<
este negativ fa de U
",
relaia
<.<>( poate fi scris prin mrimile absolute :

<
< "
U U
U
+
. <.<J(
,n aa fel, cnd se msoar conductibilitatea electric la trecerea
curentului continuu, msurrile este necesar de efectuat la dou
direcii ale curentului n intervalul minimal de timp.
Metoda celor dou sonde este deosebit de comod pentru
msurarea rezistenei 1 i determinarea rezistivitii
l
S R

( a
probelor, seciunea transversal a cror are o form geometric simpl.
Bimensiunile transversale ale probei trebuie sa fie n cteva ori mai
mici dect lungimea l a ei.
,n lucrarea dat se cerceteaz trei cristale probe(, confecionate
din diferite materiale semiconductoare n form de paralelipiped
dreptunghiular. )ontactele la ele sunt confecionate prin topirea n vid
a materialelor, ce satisfac cerinelor de ohmicitate. Bimensiunile
geometrice ale probelor sunt indicate n anexa <.". Fumrul probelor
i intervalului de temperatur pentru cercetare sunt artate de lector.
2.4 rdinea e!ecturii lucrrii
<.=.". Hacei cunotin cu schema electric din fig.<.$ i
pregtii machetul de lucru:
' conectai cu a*utorul conductoarelor de conexiune sursa de
tensiune continu U?"# A i aparate de msurare la *acurile
respective a machetului, alergnd regimul de lucru i limita de
msurare a fiecrui aparatD
' instalai comutatorul %E9 n poziia, care corespunde probei de
cercetare indicat de lector i m.nerul rezistorului 1" n poziia limit
din stnga.
<.=.<. )ercetai dependena de temperatur a conductibilitii
electrice pentru pentru probele date n intervalul de temperaturi de la
<O9 pn la =># N. 1ezultatele de msurare de scris in tabelul <.".
:entru aceasta conectai dup permisiunea lectorului( sursa de
alimentare q$'=3, ntreruptorul %" i instalnd valoarea indicat a
curentului G prin proba, msurai la temperatura camerei cderea de
tensiune ntre sondele U
"
i U
<
, ce corespund direciilor curentului
electric G

i G
'
prin prob. Eceleai valori se msoar i pentru toate
celelalte probe. Epoi de conectat la sursa de curent elementul de
nclzire 0N a termostatului i pe msura ridicrii temperaturii de
efectuat msurrile analogice a lui U
"
i U
<
peste "#<#
#
) pentru
toate probele. -emperatura termostatului se determin pe valoarea
f.e.m. termice U
-
a termocuplului RN i se calculeaz dup formula
<.<$(.
-abelul <."
-
,
N
T
9
"#
}
'"
:roba nr ", G?. z :roba nr <, G?.. z
U",
mA
U<,
mA
U,
mA
,
5
'"
m
'"
ln U",
mA
U<,
mA
U,
mA
,
5
'"
m
'""
ln

2.". Prelucrarea re*ultatelor msurrilor
<.$.". )alculai conductivitatea electrice n 5
'"
&m
'"
a materialelor
semiconductoare cercetate dup formula:

U
I
S
l

, <.<3(
unde l ; este lungimea dintre sonde pe care s'a msurat diferena de
potenial
< @ (
< "
U U U +
D G ' curentul parcursD % ' aria seciunii
transversale a probei.
<.$.<. Bup datele tabelului <." construii pe un desen pentru
toate probele cercetate graficele dependenei
( ) T f @ "### ln
. Bin
graficele obinute de determinat lrgimea bandei interzise 0g a
materialelor semiconductoare, avnd n intervalul cercetat de
temperaturi o conductivitate electric intrinsec, dup formula

( @ "###
( ln
"J< , #
T
E
*
+

.
<.$.9. Beterminai materialele probelor cercetate folosindu'v de
datele din ndreptar pentru 0g a materialelor semiconductoare la
temperatura camerei.
2.#. Coninutul drii de seam
<.>.". -ema i scopul lucrrii.
<.>.<. %chema electrica de principiu a machetului de laborator i
dimensiunile geometrice ale probelor.
<.>.9. Irdinea efecturii lucrrii i tabelul <." cu datele
experimentale i de calcul, de asemenea formulele de baz pentru
calcul i exemple de calcul.
<.>.=./raficele dependenei
( ) T f @ "### ln
i rezultatul
calculelor ale lui 0g. Epreciai eroarea metodei.
<.>.$. )oncluzii.
2.%. $ntrebri de control
<.J.". )are materiale se refer la materialele semiconductoare^
<.J.<. +murii noiunele: semiconductor intrisec, lrgimea
benzii interzise^
<.J.9. )are valori definesc conductibilitatea electric a
semiconductoarului^ +murii sensul fizic.
<.J.=. ,n ce mod impuritile influeneaz asupra conductivitii
materialelor semiconductoare^
<.J.$. :rin ce se deosebesc dependenele de temperatur a
conductivitii materialelor semiconductoare i conductoare^
<.J.>. )um se poate de determinat g i . *m) pe dependena
de temperatur a conductivitii^
<.J.J. ,n ce const particularitatea metodei celor dou sonde de
determinare a conductibilitii electrice^
<.J.3. Ertai domeniile principale de utilizare a materialelor
semiconductoare.
2.+. &ibliogra!ie
". )tuneanu A.M., )orleanu A., Gancu I., Brgulinescu M.,
Materiale pentru electronic. ; Rucureti : 0ditura Bidactic i
:edagogic, "O3<'=>3 p.
<. _\`abcde f. f., gdhdcib R.). j\klhi\ma nmlckhdbbdo
klpbici. ' j.: fa`. c., "O3>. ' 9>J `.
9. _\emde v. _. jlkdsa d{hlslmlbi d`bdebap {\h\zlkhde
{dm{hdedsbicdeap z\klhi\mde. ' j.: fa`. c., "OJ$.
=. dh\yle f. f., g{itib\ v. . iic\ {dm{hdedsbicde i
zlk\mmde.'j.: jlk\mmhri, "OJ$.'9>3`.
$. {i\bde . u., jdz\ |. . welhsdklmb\ nmlckhdbic\. ' j.
fa`. c. "O>>. ' 9#= `.
>. qdrdhdsitcio ._., _\`abcde f.f, w\hlle R.j. xmlckhdklpbi'
yl`cil z\klhi\ma. ' v. xblhrd\kdzis\k, "O3$. ' 9#= g.
J. g{h\edybic {d nmlckhdklpbiyl`ciz z\klhi\m\z @_ds hls.
|. f. }dhitcdrd, f. f. _\`abcde\, q. . w\hlle\. f 9 k. ' j:
xblhrd\kdzis\k, "O3>. k."D "O3J, k.<D "O33, k..
Enexa 3."
Bimensiunele geometrice ale cristalelor de cercetare
Fr.:robei +ungime
intre sonde
l, mm
+imea
b, mm
/rosimea
d, mm
" <.# 9.# #.$
< <.# 9.# #.$
9 <.# 9.# #.$