VARIATIA CU TEMPERATURA A RIZISTENTEI ELECTRICE A METALELOR SEMICONDUCTORILOR SI

ELECTROLITILOR

I.Consideratii generale

Modul de variatie a rezistentei electrice cu temperatura este determinata de natura

materialului studiat: metal, semiconductor,dielectric, electrolit.

La temperaturi obisnuite (500 K), conductivitatea electrica are valori de ordinul 103-104()
pentru metale de ordinul 100 -1012 (m), pentru semiconductori; si de ordinul 10−12-
10−17(m), pentru dielectrici.

Metalele, semiconductorii (cu exceptia celor amorfi) si dielectricii solizi au structura cristalina.
Caracteristica esentiala a starii cristaline o constituie asezarea tridimensionala, pefect periodica
a atomilor intr-o retea cristalina ideala. Distantele dintre atomi sunt de ordinul 10-10m; pozitiile
atomilor sunt fixe si reprezinta pozitii de echilibru in care rezultanta fortelor de interactiune cu
ceilalti atomi este nula.

In cristalele reale, prezenta impuritatilor ( ce se pot distrubui fie in nodurile retelei-impuritati

substitutionale, fie intre noduri-impuritati interstitiale), deformatiile mecanice (care produc
dislocatii etc.), marginile cristalului si vibratia termica a atomilor afecteaza caracterul periodic
ideal. Toate acestea constituie imperfectiuni ale retelei.

Unele proprietati ale metalelor, printre care conductibilitatea electrica si conductibilitatea

termica, pot fi explicate in modelul electronilor liberi (numiti si Drude-Lorentz). In acest model,
nodurile retelei cristaline a unui metal ocupate cu ioni pozitivi sunt ,,scufundate’’ intr-un gaz de
electroni liberi, gaz care se comporta ca un gaz ideal, respectand distribuita dupa viteze
(energii) date de satistica Maxwell-Boltzmann. Electronii de constructie provin din electroni de
valenta, ai atomilor de metal, care nu mai pot fi retinuti pe patura de valenta si devin liberi sa se
miste in intreg cristalul, fara insa a-l putea parasi in absenta vreunei cauze exterioare. Acesti
electroni nu mai aparatin unui sg. Atom, fiind uniform distribuiti in tot metalul. La aplicarea
unui camp electric exterior, electronii de conductie capata o miscare orientata asigurand
trecerea curentului electric. Deoarce electronii de conductie nu pot parasi metalul daca nu
exista o cauza exterioara si totodata nu pot avea orice energii, este mai corect sa se utilizeze
denumirea de cvasiliberi, prin electron liber intelegandu-se de regula electronul aflat in vid,
liber de orice forte si capabil sa aiba orice energie.
 Rezistenta electrica apare ca efect al ciocnirii electronilor de conductie cu ionii din nodurile
retelei cristaline sau cu diversele imperfectiuni ale acestora. Efectele acestor ciocniri sunt
aditive, incat rezistivitatea  a unui metal se poate scrie ca :

=𝑖𝑜𝑛𝑖 + 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑟𝑖𝑡𝑎𝑡𝑖 + 𝑑𝑒𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎𝑡𝑖𝑖 (1)

cee ce reprezinta legea lui Mathiesen.

Intre metale si semiconductori exista o deosebire fundamentala in ceea ce priveste variatia

rezistivitatii electrice cu temperatura  = (T).

Variatia tipica a rezistivitatii electrice a metalelor cu temperatura ilustrata pentru Na este

redata in figura 1 :

Fig. 1

In modelul nostru considerat, explicatia microscopica a acestei dependente este urmatoarea

la 0K ionii sunt in pozitiile lor de echilibru ( nodurile retelei ), electronii de conductie miscandu-
se liber printre acestia. La aceasta temperatura ca si intr-un interval mic in jurul ei,
probabilitatea ciocnirii electron - ion este foarte mica, practic zero, incat rezistivitatea electrica
se datoreaza ultimilor doi termeni, avand o valoare aproximativ constanta numita rezistivitate
reziduala. La teperaturi mari, rezistivitatea electrica este determinata de ciocnirile cu un
anumit tip de vibratii ale ionilor si reprezinta o dependenta de temperatura de forma  ≈ 𝑇 5 (
legea Blech-Gruneisen ). Cu cresterea in continuare a temperaturii, creste si