Semiconductori

Prof.ing.SANDU VERONICA
COL.TEHNIC P.TC.GHEORGHE AIRINEI

Cuprins:

Benzile de energie. Conductori, semiconductori,

izolatori
Semiconductori intrinseci
Semiconductori extrinseci
Probleme
Jonciunea pn. Dioda semiconductoare
Caracteristicile diodei semiconductoare
Trasarea experimental a caracteristicilor diodei
semiconductoare
Redresarea curentului alternativ

Nivele

energetice

Benzile de energie.
Conductori, semiconductori, izolatori

Banda de conductie
Eg Banda
interzisa
Banda de valenta

(nucleu)

Banda
Prin
nivelde energie
energetic
Banda
de
valen
n
atomul
liber,
provenit
nivelul
ntelegem o de
starela energetic
este
separat
de banda
deasupra
nivelului
de
posibil
ntr-unsistem
cuantic
energetic
discret
al
de
conducie
printr-un
atom,
molecul,
nucleu,
valen,
gsesc
atomului
pese
care
secristal,
afl
interval
energetic,
etc.)
nivele
electronii
de energetice
valen se
Fiecare
nivel
energetic
denumit
band
care,dei sunt
libere,
numete
band
de
discret al atomului,
caracterizat
interzis,
n
care
nu
ele
pot
fi ocupate
cu
valen.
prin
perechea
de
numere
exist
nivelenenergetice
electroni
urma
cuantice
(n,l), de
n ocupare
cristal
se
Gradul
pentru
electroni.
excit
rii atomului.
n
transform
ntr-o
band
cu
electroni
a
nivelelor
Ocuparea
cu
electroni
cristal nivelul liber al a
energetic.
energetice
dede
valen
nivelelor
banda
de
Noiuneadin
benzi
atomului
se
depinde
de energetice)
natura
conducie
poate
ncepe
energetice
(nivele
transform
ntr-o
chimic
atomilor,
de
reflect
numai
starea
numai
cnd
bandn amomentul
de
sbnivele
energetic a cristalin
electronilor
dintrstructura
sau
electronii
din
banda
de
libere
care
poart
un corp
de
ali solid.
factori; ea poateo
valen
denumirea primesc
de band
fi
ocupat
parial
sau
energie
cel
puin
egal
de conducie.
complet
de electroni.
n
cu
lrgimea
benzii
mod
normal electronii
interzise.
aflai
n
banda
de
valen au cea mai

Semiconductori
Semiconductoarele sunt corpuri a cror
conductivitate electric este cuprins ntre cea a
metalelor i cea a izolatoarelor, fiind influenat de
temperatur ( la temperaturi joase sunt izolatoare i
la temperaturi nalte sunt conductoare.
Semiconductoare intrinseci ( pure)
Semiconductoare
Semiconductoare
extrinseci ( cu
impuriti)

de tip n
de tip p

n funcie de gradul de ocupare cu electroni a benzilor de

energie, corpurile solide pot fi mprite n: conductoare,
semiconductoare, izolatoare.
Conductoare

Banda de conductie

Eg > 3
eV
Eg < 3
eV
Banda de
valenta

Conductoarele (metalele) au
deasupra benzii de valen complet
ocupat cu electroni o band de
conducie parial ocupat cu
electroni.

Semiconductoare
Eg<3eV

Izolatoare
Eg>3eV

Conducia electric a semiconductorilor

La temperaturi joase un semiconductor este un
izolator cu rezisten electric foarte mic.

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Atomii aflai n
nodurile reelei
cristaline
oscileaz n jurul
poziiei de
echilibru. La o
anumit
temperatur vor
avea o energie
cinetic finit,
existnd
posibilitatea ca
electronii
periferici s
prseasc atomii
devenind liberi.

Cristal de siliciu ( germaniu )

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Benzi de energie (eV)

Aducerea unui electron n starea de conducie nseamn trecerea lui din

banda de valen (BV) n banda de conducie (BC).
Prin plecarea electronului din BV n BC, n urma lui apare un nivel
energetic liber numit gol. Apariia unui gol este echivalent cu apariia unei
sarcini electrice pozitive.

BC
Eg
BV

E
Fe

Fe

Benzi de energie (eV)

BC
Eg
BV

Dac semiconductorului i se aplic

o diferen de potenial, electronii
din banda de valen vor ncepe s
se deplaseze n sens invers
cmpului electric; golurile vor fi
ocupate tocmai de acei electroni
care se apropie de ele, lsnd n
urma lor noi goluri.
Electronii se vor deplasa de la - la
+ iar golurile n sens invers.
n semiconductoare sunt posibile dou tipuri de
conducie electric:
- conducia electronic, determinat de
deplasarea electronilor n banda de conducie;
- conducie de goluri, determinat de
deplasarea golurilor n banda de valen.

unde

recombinar
e

BC
generar
e

n cazul semiconductorilor intrinseci, datorit

agitaiei termice electronii pot trece din banda de
valen n banda de conducie BC, procesul
numindu-se excitare termic intrinsec ( generare
termic intrinsec ). n urma acestui proces apar
electroni i goluri n numr egal.
Pe de alt parte are loc i procesul invers
generrii i anume recombinarea electronilor cu
golurile, respectiv trecerea electronilor din banda de
conducie BC n banda de valen BV.
Prin urmare, n regim de echilibru termodinamic
la o anumit temperatur T, numrul actelor de
generare este egal cu numrul actelor de
recombinare, iar n semiconductor se va stabili o
concentraie staionar de electroni i goluri libere,
concentraia electronilor liberi n0 fiind egal cu
concentraia golurilor libere p0:
n0 = p0 = ni

Benzi de energie (eV)

Semiconductori intrinseci

ni concentraia intrinsec

Eg
BV

Semiconductor de tip n
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip n se introduc
ntr-un semiconductor pur impuriti donoare ( donori ) adic,
atomi cu valena V precum fosfor (P) sau arseniu (As).

Si

Si

Si
As

As
Si

Si

Si

Ed energia de ionizare
Nd concentraia donorilor

- atomi donori

BC

- ioni ai atomilor donori

n - concentraia total a
electronilor liberi din BC
p - concentraia golurilor n BV
Donorii dau nivele energetice mai apropiate de banda
de conducie, electronii putnd fi uor transportai de pe
un astfel de nivel pe banda de conducie.
Trecerea electronilor de pe nivelul donor n banda de
conducie poart numele de excitare (generare) termic
extrinsec a electronilor. Poate avea loc i procesul invers
de trecere a electronilor din banda cde conducie pe
nivelul donor, proces denumit recombinarea electronilor
pe nivelul donor.

Ed

Eg
BV

n = p + Nd

Semiconductor de tip p
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip p se introduc
ntr-un semiconductor pur impuriti acceptoare ( acceptori) adic,
atomi cu valena III precum bor (B) sau galiu (Ga) .

Si

Si

Si
B

B
Si

Si

Si

Ea energia de ionizare a acceptorilor

Na concentraia acceptorilor

- atomi acceptori

BC

- ioni ai atomilor acceptori

p - concentraia total a
Ea
golurilor din BV
n - concentraia electronilor n
BC
Procese care au loc n semiconductorii de
tip p
la
temperaturi
coborte
predomin
schimbul de goluri dintre BV i nivelul
energetic Ea al acceptorilor, avnd loc acte de
generare i recombinare a golurilor;
la temperaturi mai nalte are loc i
generarea intrinsec.

Eg
BV

p = n + Na

Jonciunea p-n
p

E
Jonciunea p-n reprezint zona de trecere ( contact) care
se formeaz ntr-un cristal semiconductor, la care o parte
conine impuriti acceptoare ( tip n) iar cealalt impuriti
donoare (tip p). Ea are o lrgime l = 10-4.10-5 cm.

Dioda semiconductoare
Jonciunea pn are caliti
redresoare. Astfel aplicnd o
tensiune continu cu :
- polaritate direct (polul plus la
regiunea p i polul minus la
regiunea n), prin jonciune trece un
curent electric a crui intensitate
crete cu creterea tensiunii
aplicate, deoarece rezistena
electric este mic (Rj = 10 );
- polaritate invers, practic nu trece
curent deoarece are loc o lrgire a
stratului de baraj care capt o
rezisten electric foarte mare (Rj =
104...105 ); n acest caz se spune c
dioda este blocat.

Caracteristicile diodei
semicoductoare
U
Ub
Ub-U
Cnd dioda este polarizat invers,
cmpul extern aplicat avnd acelai sens
cu cmpul de baraj, micarea purttorilor
majoritari este mpiedicat. n acest caz,
curentul ce strbate dioda, format numai
din purttori minoritari, este extrem de
slab ( de ordinul mA la dioda cu Si i de
ordinul A la cea cu Ge), aa nct l
putem considera practic nul. Spunem c
la polarizarea invers dioda nu conduce
curentul electric.

la
echilibru
Tensiun
e
directa

Prin
aplicarea
cmpului
exterior n sens direct are loc o
micorare
a
duferenei
de
potenial (barierei) dintre cele
dou regiuni, deoarece cmpul
extern are sens invers cmpului
de baraj, ceea ce nlesnete
micarea purttorilor majoritari.
n felul acesta, la polarizare
direct curentul electric trece
prin diod.U

Ub+U
Ub

Tensiune
inversa
la
echilibru

Schema i
simbolul diodei

Dioda funcioneaz
ca o supap ce
permite trecerea
curentului electric
ntr-un singur sens
(cnd este
polarizat direct).

Caracteristica real a unei diode cu

jonciune.
n figur se reprezint caracteristica I =
f(U) a unei diode. Ea pune n
eviden urmtoarele:
a)
Intensitatea curentului n sens
direct, dup ce se depete
tensionea de deschidere UD, crete
exponenial i rezistena diodei
devine foarte mic.
b) n sens contrar, pentru U < 0, intensitatea curentului care trece prin diod este
foarte mic, cu multe ordine de mrime mai mic dect n sens direct. n
majoritatea aplicaiilor practice se consider egal cu zero. Dac tensiunea
crete peste o anumit valoare critic numit tensiune de strpungere dioda
(jonciunea) se strpunge i intensitatea curentului ncepe s creasc brusc.
Fenomenul de strpungere este unul negativ. n practic se urmrete crearea
de jonciuni care s reziste la tensiuni inverse ct mai mari, mii de voli.

Caracteristica
static
liniarizat
aproximeaz destul de bine, pentru cureni
lent variabili, caracteristica real a diodei.
Definim rezistena dinamic a diodei prin
relaia:

Rdm

i
i

u
i

pentru
poriunea
nclinat,
corespunztoare conduciei diodei.
Acest raport reprezint tangenta
unghiului de nclinare fa de
vertical a poriunii rectilinii nclinate
Rdm = tg .

u
0

UD

O diod ideal ar funciona ca un

ntreruptor care este nchis
pentru tensiuni u < 0 (polarizare
invers) i deschis pentru
tensiuni pozitive u > 0 (polarizare
direct). Ea ar prezenta la
polarizare invers o rezisten
infinit, iar n conducie direct, o
rezisten nul.

u
0

 0, u U D

i u U D
,u UD
R
dm

Dideala

Rdm

UD

(a)
i
dm

Caracteristica
liniarizat
ar
corespunde
modelului
electric
echivalnd cu o diod ideal nseriat cu
o rezisten, reprezentnd rezistena
dinamic a diodei i cu un generator
ideal de tensiune electromotoare egal
cu tensiunea de deschidere UD a diodei
i
reale. (a)
Din
compunerea
celor
trei
caracteristici individuale (b) rezult
caracteristica liniarizat (c).
Reinem c UD i Rdm sunt parametrii
modelului.
Modelul
este
descris D.i
matematic de funcia:
d

0 U
D

(b)

UD

(c)

Trasarea experimental a
caracteristicilor diodei semiconductoare
Materiale necesare:
diod

semiconductoare;
resistor (cel puin 10 )
surs : 0 12 V c.c.
conductori de legtur;
voltmetru, ampermetru;
reostat.

Redresarea curentului alternativ

Transformatorul din
circuitul redresor separ
Filtrul are rolul de a
Prin
redresarea
curentului
alternative
se (netezi)
nelege
componenta de curent
reduce
Redresorul
transformarea
curentului
alternativ de joas frecven
curent
alternativ de cea
de
pulsaiilen
tensiunii
propriu-zis
este
pulsator,
utiliznd
curent
continuu un
i dispozitiv numit redresor. redresate. Filtrele se
un element
determin
de obicei curentului alternativ se poate
Pentru
redresarea
folosi
dioda
realizeaz
de obicei
neliniar (sau mai
n valoarea
mod obinuit
tensiunii un redresor cu dispozitiv semiconductor
cu jonciune.
cu elemente de
multe) care
este continue
compus
din:
elementul
redresor circuit
(
dioda
pentru o
reactive:
permite trecerea
semiconductoare
),sursa de curent alternativ condensatoare,
(reea de
valoare dat a tensiunii
curentului ntralimentare
cu energie electric sau transformator)
un i
de reaea.
bobine,i
uneori
Spre
un singur sens.
Rete filtru de netezire..
rezistoare. sarci
a
na
Transforma
Filtru de
~
tor
netezire
Redresor

Redresor monoalternan

Redresorul monoalternan este cel mai simplu redresor. Blocul redresor

coine un singur element redresor, o diod.
Randamentul sczut este unul dintre dezavantajele acestui redresor. Un al
doilea dezavantaj este ncrcarea nesimetric a reelei, puterea fiind absorbit
doar n
timpul unei singure semialternante. Redresorul monoalternan este ns
destul de
folosit la puteri mici deoarece este cel mai simpu i cel mai ieftin.

Redresarea ambelor alternane

Redresor dubl alternan cu punct
median
n cazul acestui tip de redresor transformatorul este necesar i el trebuie s aib
un secundar cu dou nfurri nseriate, care au acelai numr de spire, cu un punct
median ntre ele, astfel ca s furnizeze blocului redresor compus din dou diode dou
tensiuni identice, u2. Ansamblul poate fi privit i ca dou redresoare monoalternan
legate la aceeai sarcin, n cazul acesta rezistena RS.

n prima semiperioad cele dou

diode sunt polarizate astfel: D1 direct,
plusul tensiunii transformatorului la
anod,
iar
D2
invers.
Schema
echivalent este aceea din figura (b)
(D1 scurtcircuit, D2 ntrerupt) i
tensiunea pe sarcin este egal cu u2,
adic o semialternan pozitiv.

n a doua semiperioad cele dou

diode sunt polarizate astfel: D1 invers,
minusul tensiunii transformatorului la
anod, iar D2 direct. Schema echivalent
este aceea din figura (c) (D1 ntrerupt, D2
scurtcircuit) i tensiunea pe sarcin este
egal cu minus u2 (negativ n acest
semiinterval),
adic
din
nou
o
semialternan pozitiv.
Se obine n acest fel o redresare dubl
alternan.

Redresor dubl alternan n punte

Redresorul dubl alternan n punte are
schema, forma tensiunilor i schemele
echivalente n semiperioadele distincte de
funcionare prezentate n figur. n cazul
acestui tip de redresor transformatorul
poate lipsi.
Se obine n acest fel o redresare dubl
alternan la fel ca n cazul anterior.
Avantajul schemei, valoarea medie
dubl fa de redresarea
monoalternan i
deci o eficacitate dubl a redresrii dar
i faptul c este nevoie de o singur
surs de alimentare.

Blocul redresor este format din 4 diode legate n punte (formnd un patrulater)
ntr-o anumit succesiune a terminalelor. La una din diagonalele punii se
conecteaz
sursa de tensiune alternativ, sau secundarul transformatorului dac acesta
exist, iar la
a doua diagonal se conecteaz sarcina, R n cazul acesta.

n prima semiperioad sunt

polarizate direct diodele D2 si D3 i
sunt polarizate
invers diodele D1 i D4. Schema
echivalenta este aceea din figur i
tensiunea pe sarcin este egal cu
u2, adic o semialternan pozitiv.
n a doua semiperioad sunt
polarizate invers diodele D2 i D3
sunt
polarizate direct diodele D1 i D4.
Schema echivalent este aceea
din figur i tensiunea pe sarcin
este egal cu minus u2 (negativ
n acest semiinterval), adic din
nou o semialternan pozitiv.

VA MULTUMESC PENTRU
ATENTIE !