Amplificatoare elementare cu tranzistoare

Tranzistoare echivalente. Tranzistoare compuse * permit simplificarea schemelor echivalente n regim dinamic ale circuitelor cu tranzistoare pentru a se identifica mai repede structurile fundamentale utilizate i, n consecin se pot anticipa principalele performane ale circuitului n cauz;

Tranzistoare echivalente * impedane (rezistene) n serie cu unul dintre terminalele TBIP sau ntre
dou terminale ale acestuia; * ntmpltoare (element secundar) sau intenionate nu schimb caracterul fundamental al dispozitivului respectiv dar modific, mai mult sau mai puin, parametrii dinamici echivaleni n funcie de valorile numerice ale elementelor; * tranzistor echivalent cu parametrii dinamici n funcie de parametrii tranzistorului iniial i de valorile numerice ale impedanelor adugate; * tranzistor caracterizat prin parametrii de cuadripol hibrizi permit o interpretare fizic direct i simpl; * impedana n serie cu un terminal al tranzistorului sau ntre dou terminale ale acestuia, nu modific tipul tranzistorului; * din punct de vedere dinamic, tipul tranzistorului (pnp sau npn) nu are importan, acest aspect contnd numai n ceea ce privete polarizarea sa n curent continuu, pentru precizarea PSF n jurul cruia se manifest semnalul variabil i care determin parametrii de regim dinamic ai tranzistorului. * pentru deducerea parametrilor hibrizi ai tranzistorului echivalent se pot folosi n principiu dou metode: - tranzistorul iniial este caracterizat prin mrimile U1, I1, U2, I2, ntre care exist relaiile:

U1 = hi I1 + hrU 2 I 2 = h f I1 + hoU 2

- tranzistorul T mpreun cu impedana Z conectat fie n serie cu unul dintre terminale, fie ntre dou terminale este caracterizat prin mrimile
' ' U1' , I1' , U 2 , I 2 ntre care exist relaiile: U1' = h ' I ' + h' U ' i 1 r 2 ' ' ' ' ' I 2 = h f I 1 + ho U 2

* ntre mrimile ce caracterizeaz tranzistorul (U1, I1, U2, I2) i mrimile ce caracterizeaz tranzistorul echivalent (U1 , I1 , U 2 , I 2 ) exist relaii ce pot fi puse n eviden prin teoremele lui Kirchhoff scrise pentru nodurile sau ochiurile care se formeaz; * prima metod const n eliminarea mrimilor U1, I1, U2 i I2 dintre aceste relaii i aranjarea relaiilorobinute sub forma anterioar de unde, prin identificare, se gsesc parametrii hibrizi corespunztori tranzistorului echivalent. * a doua metod const n determinarea parametrilor hibrizi ai tranzistorului echivalent pornind de la definiii.
' ' ' '

a) Tranzistor bipolar cu impedan n serie cu baza

* schema de principiu:

U1 = hi I1 + hrU 2 I 2 = h f I1 + hoU 2

* rezult: ' ' ' U1 = ( hi + Z ) I1 + hr U 2 ' ' I 2 = h f I1 + hoU 2 * se deduc parametrii tranzistorului echivalent sub forma :

I1' = I1 ' U1 = ZI1' + U 1

' U 2 = U 2 ' I 2 = I 2

h 'f = h f ' ho = ho

hi' = hi + Z ' hr = hr

Aceleai relaii se pot obine i dac se observ c impedana Z apare, pur i simplu, n serie cu hi . Rezult c parametrii devine suma hi

h f , hr , h0

nu sunt afectai i

+Z.
h'i

h'i

- odat cu modificarea parametrului echivalent care se micoreaz:

se modific i panta tranzistorului

S'=

h 'f hi'

hf hi + Z

=S

hi hi + Z
'

- amplificarea de tensiune a etajului de amplificare cu EM se va reduce; (fizic, o parte din semnalul aplicat la intrare, U 1 , se pierde pe impedana Z i nu ajunge efectiv la intrarea tranzistorului, U 1 (ntre baz i emitor) semnal care este amplificat de tranzistor); - dac tranzistorul iniial este caracterizat prin hr = 0 i h0 = 0 , atunci aceiai parametri ai tranzistorului echivalent rmn tot nuli ceea ce permite folosirea relaiilor aproximative pentru calculul performanelor amplificatorului; - impedana Z n serie cu baza poate s apar ca o rezisten antioscilant introdus n acest scop n circuit; de asemenea, se poate considera c i efectul rezistenei distribuite a bazei, rx , se manifest n acelai mod, dar el este important numai la cureni mai mari unde rx poate lua valori semnificative n comparaie cu hi . b) Tranzistorul bipolar cu impedan n serie cu emitorul * este una dintre situaiile ntlnite des n practic. * schema de principiu:

* se procedeaz ca n cazul precedent; se obin relaiile:

hi' = hi + ZN ; 1+ Zh0 ' h f Zh0 h f = 1+ Zh0 ;

unde

' h + Zh0 hr = r 1+ Zh0 h ' h0 = 0 1+ Zh0 N = h f + 1 + h hr .

* trebuie remarcat faptul c rezistena Z nu poate avea n cazurile practice valori prea mari, astfel c aproape ntotdeauna se poate face neglijarea | Zh0 |<< 1 ; se obin relaii aproximative:
' hi' hi + h f Z; hr' hr + Zh0 ; h'f h f ; h0 h0 h' hi h0 + h f Zh0 f r h f Zh0 h f h

* panta tranzistorului devine:

S'=

h'f hi'

hf hi + h f Z

=S

hi 1 =S hi + h f Z 1 + SZ

- micorarea pantei echivalente este important chiar pentru valori nu prea mari ale impedanei Z i duce la micorarea modulului amplificrii de tensiune a tranzistorului cu EM. - se mai poate interpreta rezultatul i n sensul c, fiind mrit substanial parametrul hi, nseamn c va fi necesar o tensiune de comand mai mare pentru a excita tranzistorul cu acelai curent de intrare n vederea amplificrii, ceea ce se va traduce n final, printr-o amplificare de tensiune de valoarea mai mic;

- dac hr = 0 si h0 = 0 rezult hr = 0 i h0 = 0 , ceea ce nseamn c se pot folosi n continuare relaiile aproximative pentru calculul performanelor amplificatoarelor elementare cu tranzistoare. * impedana Z poate fi o rezisten introdus n circuit, n serie cu emitorul, pentru stabilizarea PSF, dar poate fi introdus i n mod special pentru a stabiliza amplificarea de tensiune a amplificatorului cu EM; * amplificarea de tensiune aproximativ a unui etaj cu sarcin i n emitor i n colector:
' '

devine:

hi + h f Z i n condiiile n care | SZ |>> 1 , se deduce expresia: Z Au S Z hi'

Au =

h'f

Zs =

h f Zs

SZs 1 + SZ

- aceast relaie arat c amplificarea de tensiune nu mai depinde (n mod esenial) de parametrii tranzistorului, ci numai de raportul a dou impedane; - efectul impedanei Z se poate considera i ca o reacie negativ serie de curent. c) Tranzistor bipolar cu impedan n serie cu colectorul Schema de principiu:

* se obin relatiile:

* rezult parametrii tranzistorului echivalent prin identificare:

' U1' = hi + Zh I1' + hr U 2 1+ h0 Z 1+ h0 Z ' h f ' h0 ' I 2 =1+ h0 Z I1 +1+ h0 Z U 2

hi' = hi + Zh ; 1+ h0 Z ' hf h f =1+ h0 Z ;

h ' hr = r 1+ h0 Z h ' h0 = 0 1+ h0 Z

- pentru valori nu prea mari ale impedanei Z, ceea ce se ntmpl n mod obinuit n circuitele reale, se ndeplinesc urmtoarele condiii: Zh << hi , Zh0 << 1 i relaiile obinute se pot simplifica sub forma:
' hi' hi , hr' hr , h 'f h f , h0 h0

ceea ce nseamn c o impedan (rezisten) conectat n serie cu colectorul tranzistorului nu schimb substanial parametrii dinamici ai acestuia i deci, nici performanele sale ca amplificator de tensiune. - trebuie observat faptul c acest aspect era normal ntruct s-a accentuat de mai multe ori c tranzistorul bipolar se comport la ieire, n colector, ca un generator de curent aproape ideal, iar o impedan n serie cu un generator de curent nu conteaz; - n general, n astfel de situaii se permite neglijarea impedanei care apare n serie cu colectorul unui tranzistor. d) TBIP cu impedan ntre baz i emitor * este una dintre situaiile des ntlnite n practic. Schema de principiu: '=

'

'= '

'= '

*se obin relaiile:

' U1' = hi Z I1' + hr Z U 2 hi + Z hi + Z ' h f Z ' h + Zh0 ' I 2 = hi + Z I1 + hi + Z U 2

* prin identificare rezult parametrii tranzistorului echivalent: hf Z hi' ' hi Z ' hi = = hi ||Z ; h f = =h f hi + Z hi + Z hi ' h Z ' h Z + h hr = r ; h0 = 0 hi + Z hi + Z

* se constat c panta tranzistorului echivalent este identic cu aceea a tranzistorului iniial, S' = S . De multe ori, n cazurile practice, impedana Z, o rezisten, are o valoare mult mai mare dect hi, astfel nct, din punct de vedere numeric, parametrii tranzistorului echivalent sunt practic identici cu cei ai tranzistorului iniial. * dac tranzistorul inial este caracterizat de parametrii hr = 0 si h0 = 0 , atunci parametrii circuitului echivalent vor fi:

hi' = hi || Z ; h 'f = h f

Z ; hr = 0 si h0 = 0 , Z + hi

ceea ce permite utilizarea relaiilor aproximative pentru calculul performanelor amplificatoarelor; * din punct de vedere fizic, se observ c prezena impedanei Z duce la micorarea curentului care intr efectiv n baza tranzistorului pentru a fi amplificat, o parte din el mergnd prin Z spre borna comun. Cu ct impedana Z este mai mare, cu att aceast pierdere de curent este mai mic; * cel mai adesea, rezistena dintre baz i emitor apare fie din necesitile de polarizare corect a tranzstorului, fie din circuitele de bootstrapare utilizate pentru micorarea influenei curentului de polarizare din baz asupra impedanei de intrare, aa cum se va vedea n paragrafele urmtoare. e) TBIP cu rezisten ntre baz i colector * schema de principiu: este

* ecuaiile suplimentare necesare pentru determinarea parametrilor tranzistorului echivalent sunt : ' ' U1 U 2 ' ' U1 =U1 ; I1 = I1 +

Z ' ' ' U 2 U1 ' U 2 =U 2 ; I 2 = I 2 + Z

* se obin relaiile urmtoarele echivalri:

hi' = hi ||Z ; ' hi + hr Z hr = hi + Z ;

hf Z 2h f hi ' hf = hi + Z hi + Z hi + Z ' h Z + h h0 = 0 hi + Z

* ntotdeauna se poate face aproximarea cazurile practice, este ndeplinit condiia | h f Z

h 'f h f

|>> hi ;

Z Z + hi

deoarece, n

* se poate folosi metoda de calcul pprnind de la definiia parametrilor:

* conform definiiei:

hi'

U 1' U1 = ' = I1 U ' =0 I1 + I z

2

hr'
' h0

U1' | = ' U 2 |I1' = 0

' I2 = ' U2 ' I2 = ' I1
' I1 = 0

U1 = hi Z U1 U1 U 2 =0 + hi Z 1 Z hi Zhr + hi hrU 2 = = + U2 Z + hi Z + hi Z + hi =

= h0 + =
U 2 =0

1 hr h f (1 hr ) Zh0 + h + = Z + hi Z + hi Z + hi
I1' = Zh f Z + hi hi Z hf Z + hi Z + hi

h 'f

h f I1 I Z

* se constat c sunt afectai n mod substaniali trei dintre parametrii tranzistorului echivalent; astfel, chiar dac tranzistorul iniial este caracterizat prin hr = 0 si h0 = 0 rezult:

hr' =

hi 0 hi + Z

ceea ce nseamn c n calculul performanelor amplificatoarelor cu astfel de tranzistoare echivalente trebuie s fie luate n considerare relaiile exacte deduse. * se recomand ca n analiza circuitelor cu tranzistoare astfel de echivalri s fie evitate. * prezena unei rezistene ntre baza i colectorul unui tranzistor poate s apar frecvent datorit faptului c acest mod de polarizare a tranzistorului asigur o bun stabilizare termic a PSF. n plus, la polarizarea tranzistorului cu o rezisten ntre baz i emitor se elimin posibilitatea saturrii tranzistorului, indiferent de condiiile de lucru. * din punct de vedere dinamic se poate considera c impedana dintre baz i colector determin o reacie negativ paralel de tensiune care duce la modificarea important a parametrilor tranzistorului. * panta tranzistorului echivalent va fi:

S'=

h 'f hi'

hf

Z Z + hi h f = =S Z || hi hi

ceea ce nseamn c rmne practic nemodificat. f) Tranzistor bipolar cu rezisten ntre colector i emitor

* schema de principiu:

* pentru determinarea parametrilor tranzistorului echivalent se observ faptul c Z apare strict n paralel pe impedana

1 . Rezul c parametrii hi, hf ho

i hr nu sunt modificai iar parametrul h0 se nlocuiete prin combinaie n

paralel a celor dou impedane. Deci:

' h hi' = hi ;; r = hr ' hf =hf ;

mici dect

' h0 = h0 +

1 1 = . 1 Z Z || h0

* avnd n vedere c impedana Z are n mod obinuit valori sensibil mai

1 ' , parametrul ho ho

capt importan.

* o alt posibilitate, utilizat n practic, este ca impedana Z s fie considerat n paralel cu impedana de sarcin (dac montajul este cu emitorul sau cu colectorul la mas). * situaiile practice n care apare o astfel de impedan ntre emitor i colector sunt mai puin ntlnite.

Tranzistoare compuse
* sunt mai multe posibiliti de interconectare a dou tranzistoare care s se comporte global ca un tranzistor echivalent; este necesar ca dispozitivul rezultat s aib tot trei terminale. * din cele 4 posibiliti practice utilizate, dou permit i o polarizare direct n curent continuu fr elemente ajuttoare, ceea ce reprezint un avantaj n utilizarea lor n special n circuite integrate liniare.

g) Tranzistor compus de tip Darlington * schema de principiu (tranzistoare de tipul npn):

* prin conectarea celor dou tranzistoare se obine un dispozitiv cu trei terminale cu semnificaiile E,B,C: * pentru tranzistorul T se obine un curent de baz egal cu curentul de emitor al tranzistorului T, iar tensiunile dintre colectoarele i emitoarele celor dou tranzistoare pot fi simultan pozitive ceea ce asigur o funcionare n RAN. * la un curent de colector al tranzistorului compus prestabilit, se obine un curent de baz la intrare de valoare mic, ceea ce sugereaz posibilitatea utilizrii acestei structuri n etajele de intrare ale amplificatoarelor. * tranzistoarele sunt caracterizate n curent continuu prin factorii de curent i se poate deduce c, dac se noteaz cu I C , curentul de colector al tranzistorului compus, atunci curentul de baz de la intrare va fi:

'o i

" o

IB =

IC
' ' ' 0 + ( 0 + 1) 0'

* deci tranzistorul compus Darlington are un factor de curent echivalent pentru conexiunea EC de valoare:
' " ' " ' " o = o o + o + o o o

aproximarea fiind justificat de neglijarea lui 1 n raport cu fiecare dintre factorii de curent ai tranzistoarelor componente. * la o polarizare n curent continuu simpl, n care curentul de emitor al tranzistorului T este curent de baz pentru tranzistorul T se constat c, prin cele dou tranzistoare, circul curent de colector, n PSF, de valori mult diferite; din acest motiv, performanele de ansamblu ale structurii sunt inferioare celor ce rezult din analiza simplist a schemei. * factorul de curent al tranzistorului n conexiune EC depinde puternic de curentul de colector din PSF cnd acesta se modific n limite largi;

* tranzistoarele utilizate n tranzistorul compus Darlington, fiind de acelai tip, este dificil s se aleag curenii de colector din PSF pentru ambele tranzistoare T ' i T" n zona n care factorul de curent 0 s fie maxim i puin dependent de variaiile curentului de colector din PSF; unul dintre tranzistoare va avea o valoare redus a factorului de curent. * deoarece tranzistorul compus Darlington se folosete n etaje de intrare, este important i zgomotul propriu produs de tranzistor. Tensiunea echivalent de zgomot depinde i ea de curentul de colector din PSF:

* aceast curb este tipic fiecrui tranzistor i nu se pot alege curenii de colector din PSF astfel nct ambele tranzistoare s se situeze n zona de zgomot minim. * pentru evitarea acestor inconveniente, este necesar s se mreasc curentul de emitor al tranzistorului T ' aa cum se sugereaz n figur n care generatorul de curent I se poate realiza n mai multe variante concrete.

* din punct de vedere dinamic parametrii tranzistorului compus Darlington se pot deduce din n funcie de parametri de cuadripol hibrizi [ h ' ], respectiv [ h" ].

* la relaiile care descriu cele dou tranzistoare de forma :

' U1' = hi' I1' + hr' U 2 I ' =h' I ' + h' U ' 2 f 1 0 2 ' U1'' = hi'' I1'' + hr''U 2' I '' = h '' I '' + h ''U '' 2 f 1 0 2
se adaug relaiile rezultate din scrierea ecuaiilor Kirchhoff n nodurile i ochiurile formate.

U1 = U1' + U1'' ; I1 = I1' ; ' ' ' ' U 2 = U 2' = U 2 + U1'' ; I 2 = I 2 + I 2' ; ' I1' + I 2 = I1''

* din aceste 10 ecuaii, se elimin mrimile ce caracterizeaz cele dou tranzistoare componente i cele dou relaii rmase se aranjeaz sub forma:

 U1 = hie I1 + hreU 2 I = h e I + h eU 2 f 1 0 2
de unde, prin identificare se determin parametrii hibrizi ai tranzistorului compus . Calculele sunt laborioase i se rocomand deducerea acestor parametri pornind de la definiie. Astfel, condiia U 2 = 0 duce la urmtorul circ. echiv:

Pentru emitor:

hie

se aplic relaia pentru un tranzistor T' cu o impedan n

hi' + hi'' N ' = ' 1 + h0 hi'' ' ' unde N' = h f + 1 + h' hr . hie
- n condiiile unor aproximri acceptabile: ( h0 hi
' "

<< 1 si N' h"f + 1 ) rezult:

hie hi' + (hi' + 1)hi"

* pentru schema de polarizare standard: (adic urmtoarea observaie: deoarece:
' hi' r =

I " = I 'E ), se poate face B

kT kT kT ' ' = h 'f ' ' qI C qI E qI E

i:

hi"

hi' kT kT " kT " kT = = = = ' = ' " " " " ' qI C q I B q I E qI E h f
"

- rezult:

hie

hi'

+ (h 'f

hi' + 1) 2hi' h' f

e

* Deci mrirea parametrului hi nu este foarte mare aa cum apare n relaia initiala, ci se constat doar o dublare a parametrului respectiv al primului tranzistor. * din punct de vedere practic, acest lucru nseamn c tensiunea variabil care se aplic la intrarea tranzistorului compus Darlington se repartizeaz n mod egal pe intrrile celor dou tranzistoare. * pentru determinarea factorului de amplificare n curent al tranzistorului echivalent,

he f

, trebuie determinat curentul I 2 sub forma:

' I 2 = I 2 + h"f I i"

Curentul I 2 este curentul de colector n scurtcircuit al unui tranzistor ( T' ) care are o impedan n emitor ( hi ):
' I2
"

'

' h 'f hi"h0

1+

' hi"h0

I1

Pe de alt parte, curentul I2 este dat de relaia:

" " I 2 = h"f I1 "

unde I i este curentul de ieire al repetorului pe emitor format de tranzistorul T ' care lucreaz pe impedana hi . Rezult, conform relaiei amplificrii n curent a repetorului pe emitor:
" I1 = "

(h 'f + 1) 1+

I ' " 1 h0 hi
' hi"h0

Prin nlocuire, se obine:

I2 =

' h 'f hi"h0

1+

I1 + h"f

h 'f + 1
' 1 + hi"h0

I1

he = f

' h 'f hi"h0 + h"f (h 'f + 1) ' 1 + hi"h0

' (h0 hi" << 1)

- n cazurile de aproximare unanim acceptate relaia aproximativ:

se obine

h e = h 'f h"f + h 'f + h"f h 'f h"f f

- se constat c, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington are factorul de amplificare n curent de valoare foarte mare. Este adevrat c factorii de amplificare n curent ai celor dou tranzistoare sunt afectai de valorile foarte diferite pe care le au curenii de colector din punctele statice de funcionare ale celor dou tranzistoare. Panta tranzistorului echivalent:

S =
e

he f hie
hi'

' h 'f h"f + h 'f + h"f hi"h0

hi' + hi" N '

+ 1) hi' + hi"h'f h 'f h"f S " = = 2 2hi' h 'f h"f
sau:

- cu aproximrile acceptate:

S
e

h'f h"f + hi" (h 'f h 'f h"f ' ' ' hi hi + h f ' hf

Se =

adic panta tranzistorului echivalent este numai jumtate din panta celui de al doilea tranzistor, ceea ce nseamn c impedana de ieire oferit de tranzistorul compus Darlington este de circa 2 ori mai mare dect cea oferit de tranzistorul T luat separat ca repetor pe emitor (fr a lua n considerare rezistena generatorului de semnal al crei efect este mult micorat datorit faptului c factorul de amplificare n curent al tranzistorului echivalent este mult mrit; * fizic, deoarece tensiunea de intrare

U i'

se repartizeaz n pri aproape

' "

egale pe intrrile celor dou tranzistoare, adic U1 U1 i, deoarece curentul n scurtcircuit este dat, n principal, de curentul celui de-al doilea tranzistor, rezult reducerea pantei echivalente la jumtate din panta celui de-al doilea tranzistor, T " . * dezavantaj al tranzistorului compus Darlington, dar mai puin important dect avantajele pe care le prezint din alte puncte de vedere.

Pentru calculul celorlali doi parametri, se pune condiia obine o schem echivalent:

I1 = 0

i se

* deoarece I 2

" = I 1 , rezult: ' " ' " ' " I 2 = I 2 + I 2 = I 2 + h"f I1' + h0U 2 = ( h"f + 1) I 2 + h0U 2 ' ' I2

" U 2 h2U 2 Dar: = 1 hi" + ' h0 " U 2 (1 h2 ) " " Deci: I 2 = (h f + 1) + h0U 2 1 hi" + ' h0 " h0 " N + ' " " ' (h"f + 1)(1 hr ) h0 h0 + h0 N " " e adic: h0 = + h0 = = ' 1 1 " " 1 + h0 hi" hi + ' hi + ' h0 h0

n condiiile obinuite de aproximare, rezult:

" ' e h0 = h0 + h0 ( h"f + 1)

adic de valoare foarte mare, mai mare dect la fiecare dintre cele dou tranzistoare luate separat. Observnd c:

U1 =

' hr' U 2

U + h2 "U 2 + hi" 2

" h2U 2 1 hi" + ' ho

i c:

' U2

" 1 U 2 (1 hr ) = ' , h0 h" + 1 i ' h0

dup calcule elementare, rezult c:

hre

" " ' hr' hr + hr hr' + hi"h0 = ' 1 + h0 hi"

Aceast relaie se poate reduce la forma aproximativ:

" ' hre hr hr' + hi"h0

o expresie care nu se mai poate simplifica avnd n vedere faptul c cei trei termeni pot avea valori apropiate. * parametrii dinamici aproximativi ai tranzistorului compus Darlington vor fi:

hie = 2hi' ; h e = h 'f h"f ; f e e " ' " ' " ' " hr = hr hr + hi h0 ; ho = h0 + h0 (h f + 1) " S e = S 2
* deci, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington prezint un factor de amplificare n curent mrit, dar panta echivalent redus este la jumtate. Reacia intern este comparabil cu aceea a unuia dintre tranzistoarele componente, iar la ieire el se comport ca un tranzistor cu impedan de ieire mai mic dect cea a tranzistoarelor componente. * rmn ns importante proprietile tranzistorului compus Darlington n curent continuu prin care se asigur un curent continuu de baz de valoare foarte mic. De asemenea, prin artificii de circuit, n special n circuitele integrate lineare, se pot mbuntii i performanele dinamice. h) Tranzistor compus super-G * schema de principiu:

* n ambele cazuri, tranzistorul echivalent este de tipul primului tranzistor din combinaie i va avea E i B comune cu acesta. * se poate realiza o polarizare a tranzistoarelor n RAN. * n ambele cazuri se constat c, n curent continuu, curentul de colector al primului tranzistor, T' , este curent de baz pentru cel de-al doilea tranzistor, T" . Deci, ntr-o astfel de structur, se asigur curent de intrare continuu de valoare mic iar curentul prin sarcin este asigurat, practic, de cel de-al doilea tranzistor. * se poate deduce foarte simplu factorul de curent al tranzistorului compus:
e ' " ' " ' " 0 = 0 ( 0 + 1) = 0 0 + 0 0 0

* curenii continui prin cele dou tranzistoare fiind foarte mult diferii (n raportul 0 ), rezult c se vor pstra dezavantaje relevate la tranzistoare compuse Darlington cu privire la dependena de curentul de colector a factorului de zgomot propriu al tranzistoarelor i a factorului de curent al tranzistoarelor. n mod normal se pot folosi aceleai metode pentru reducerea efectului acestora. * din punct de vedere dinamic, parametrii tranzistorului echivalent, se determin din circuitul echivalent:
"

Se pot scrie relaiile de legtur:

" ' I 2 = I 2 ; I1 = I1' ; I 2 = I1' ; ' " ' U 2 = U 2 U1 ; U 2 = U 2 ; U1 = U1'

Dac se adaug relaiile dintre curenii si tensiunile corespunztoare fiecrui tranzistor, se pot elimina mrimile: U1 , U 2 , I1 , I 2 , U1 , U 2 , I1 i rezult dou relaii de forma:
' ' ' ' " '' " " si I 2

U1 = hie I1 + hreU 2 e e I 2 = h f I1 + h0U 2

Prin identificare, se pot deduce parametrii hibrizi ai tranzistorului compus. Pornind de la definiie, se pot deduce mai direct aceeai parametri. * parametrul hi :
e

hie

hi' + hi"h ' = ' 1 + h0 hi"

" '

n mod obinuit, hi h0
e

1 i hi' hi"h ' , astfel nct: hie hi'

adic parametrul hi al tranzistorului compus super-G este determinat de acelai parametru al primului tranzistor. * parametrul

he : f

he f

(h"f

+ 1)

h 'f
' 1 + h0 hi"

h 'f (h"f + 1) h 'f h f"

Factorul de amplificare n curent al acestui tranzistor compus va avea valoarea foarte mare. * panta tranzistorului compus echivalent.

S =
e

he f hie

h 'f h"f hi'

= S ' h"f

- foarte mare n comparaie cu panta primului tranzistor (i, de aici, denumirea sa, deoarece panta tranzistorului se mai noteaz i cu g m ) . - se observ c:

S =
e

S ' h"f

S " h 'f

hi" hi'

- deoarece, pentru o schem elementar de polarizare curenii continui prin cele dou tranzistoare sunt n raportul factorilor de cureni ai celor dou tranzistoare, se poate scrie:

kT " ' ' ' qI C IC " ' " " IC " " IC " " e = S hf " S hf " S hf " ' S = S hf " kT IC IC 0 IC hf ' qI C " " - n aceast ultim relaie, dac se apreciaz c, numeric, h f = 0 , h"f
rezult: - acest lucru se poate interpreta n felul urmtor: tranzistorul compus super-G asigur o pant echivalent mare (panta tranzistorului T " prin care circul curent continuu de valoare mare), n condiiile n care parametrul hi are i el valoare mare fiind asigurat de primul tranzistor T ' , prin care circul curent continuu de valoare mic. - comparnd rezultatele obinute cu cele ale tranzistorului compus Darlington, se constat c diferenele nu sunt eseniale: - pentru tranzistorul compus Darlington:
e

S e = S"

e S" ' e hi = 2hi ; S 2

- pentru tranzistorului compus super-G:

{h

e i

= hi' ; S e S "
- aceste rezultate nu trebuie s surprind prea mult, deoarece

n ambele cazuri, produsul

S e hie

este

h e , adic aproximativ h 'f h"f . f

- diferenele pe care le impun aproximrile fcute pe parcurs nu sunt eseniale, efectul lor rmnnd n zona n care se poate considera c factorul de curent al unui tranzistor este mult mai mare dect 1 (de cel puin 20-50 ori). * parametrul hr :
e

hre = hr'

1 " + hr' hr hr' " ' 1 + hi h0

- c reacia intern n tranzistorul compus super-G este dat, practic, de primul tranzistor.

* parametrul h0 :
e " ' " h0 = h0 + h0 h" h0

- acest parametru este dictat de cel de-al doilea tranzistor. * valorile aproximative ale parametrilor sunt de forma: hie = hi' ; he = h'f h" ; f f

e ' " e hr = hr ; h0 = h0; Se = S"

e

* prin comparaie cu parametrii tranzistorului compus Darlington) se observ c, n afara celor spuse despre hi , h f i ho , se poate aduga faptul c tranzistorul super-G se comport mai bine ca generator de curent dect tranzistorul compus Darlington. * tranzistorul compus super-G se folosete ori de cte ori este necesar obinerea unei impedane de ieire de valoare ct mai mic, chiar i n circuitele funcionnd la semnale lent variabile sau continue cum ar fi sursele de alimentare. * n locul tranzistorului T, se poate utiliza un alt tranzistor compus (de tip Darlington sau de tip super-G) care s asigure un factor de amplificare n curent de valoare ct mai mare. * exerciiu: s se determine pantele echivalente ale trazistoarelor compuse triplei n funcie de panta ultimului tranzistor, considernd c n schema de polarizare n curent continuu nu intervin alte elemente i c factorii de amplificare n curent i factorii de curent ai celor 3 tranzistoare sunt toi egali cu
e e

hf .

Observaie:

- n toate cazurile, mrirea pantei echivalente a tranzistorului compus provine n principal din fructificarea pantei mari a ultimului tranzistor (prin care circul cel mai mare curent). - structurile de tranzistor de tip super-G sau Darlington, se pot obine i n cazul unor polarizri de alt tip ale tranzitoarelor pentru a obine alte valori ale parametrilor individuali ai tranzistoarelor prin care s se mbunteasc parametri globali, n particular, panta echivalent:

i) Tranzistor compus superD * schema cu TBIP NPN; - sunt posibile variante i cu tranzistoare complementare. n toate cazurile, nu este posibil polarizarea n curent continuu fr elemente ajuttoare ceea ce reprezint un dezavantaj al acestui tranzistor compus n comparaie cu celelalte.

* din punct de vedere dinamic, comportarea lui este asemntoare cu a tranzistorului compus Darlington. Se remarc i aici faptul c, prin tranzistorul T ' circul curentul de baz al tranzistorului T " , ceea ce permite obinerea unei pante echivalente mari cu impedana de intrare de asemenea mare. * parametrii echivaleni sunt: * parametrul hi :
e

hie
cu:

hi' + hi" N ' = ' 1 + h0 hi" N ' = h 'f + 1 + h ' hr'

' "

- n condiiile unor aproximri acceptabile ( h0 hi rezult:

1 i N ' = h 'f + 1),

hie hi' + (h 'f + 1)hi'

* parametrul

he f

:
' h 'f hi"h0 ' 1 + hi"h0

h e = h"f + h"f f

h"f (1 + h 'f )
' 1 + hi"h0

cu relaia aproximativ:

h e h"f (h 'f + 1) h 'f h"f f

adic nu mult diferit de parametrul corespunztor al tranzistorului compus Darlington. * parametrul hr :

e

hre

" hr (1 hr' ) = ' 1 + ho hi"

" hre hr

- aproximativ: * parametrul h0 :
e ho
e

" ' ho + ho h" = ' 1 + hi"ho

e "

- cu aproximarea: ho ho * proprietile la ieire ale tranzistorului compus super-D sunt determinate numai de tranzistorul T " , aa cum este evident i din modul de conectare. * panta echivalent se calculeaz cu formulele aproximative, sub forma:

S =
e

h 'f h"f hi' + (h 'f + 1)hi"

- n funcie de modul de polarizare, panta echivalent poate lua valori diferite; astfel, dac, prin polarizarea n curent continuu, se realizeaz cureni de colector egali prin cele dou tranzistoare (sau aproximativ egali) atunci

hi' (h 'f + 1)hi"

S e S " , iar dac, prin polarizarea n curent continuu, se

S" S . 2
e

realizeaz un curent de baz pentru T" identic cu curentul de emitor al tranzistorului T' , atunci, n condiiile egalitii numerice a factorilor de curent ai acestora, se obine

- rezult c, n funcie de polarizare, panta echivalent este cuprins ntre

S" S 2
e

S ",

situaie mai bun dect la tranzistorul compus Darlington

clasic unde panta echivalent este

S" . 2

Observaie:

Pentru toate aceste trei tipuri de tranzistoare compuse se constat c se mrete substanial factorul de amplificare n curent echivalent, ceea ce reprezint un ctig pentru mbuntirea unor performane de regim dinamic ale circuitelor n care sunt folosite. i) Tranzistor compus cascod * structura de tranzistor compus cascod prezint o serie de proprieti remarcabile i const din conectarea n cascad a dou tranzistoare n conexiune EM respectiv BM:

- din punct de vedere dinamic tipurile tranzistoarelor T ' i T " nu conteaz, dar condiiile de funcionare n RAN ale celor 2 tranzistoare depind de tipurile lor i de circuitele de polarizare; nu este posibil o polarizare n curent continuu fr elemente ajuttoare; - parametrii dinamici ai tranzistorului echivalent arat c acest tranzistor compus poate fi utilizat ca un circuit de intrare performant n special la frecvene nalte; * deducerea parametrilor hibrizi echivaleni se face dup schema echivalent n care, pentru al doilea tranzistor a fost utilizat schema echivalent n parametrii hb n conexiunea baz comun.

* parametrii hibrizi se pot determina pornind de la definiie; * n condiiile de scurtcircuit la ieire, dispare generatorul de tensiune
" hrbU 2 i parametrul hie rezult ca fiind impedana de intrare n tranzistorul " avnd ca sarcin pe hib . " hi' + hib e Deci: hi = " ' 1 + hib h0 T'

Dar:

" hib

hi" " 2 ' " ; hib h ' hi ; hib h0 1, rezult: hie hi' hf +1
=
' I 2

" - observnd c I1

i c raportul

' I2 I1'

reprezint amplificarea de

curent a primului tranzistor, rezult:

he f

I = 2 I1

= U2 = 0 Ai'

" I "fb I1

I1

= h" fb U2 = 0 h'f

" I1 ' I1

= U2 = 0

= h" fb
deoarece:

= h" fb

' " 1 + hohib

h"fb

h"f h"f
+1

Rezult:

h e h'f f

- parametrii circuitului echivalent de intrare sunt determinai de parametrii primului tranzistor. * pentru parametrii circuitului de ieire, deoarece, I1 = 0 , generatorul de curent

h 'f I1' nu mai conteaz. hre U = 1 U2

' U1 U 2 = ' U2 U2

= hr' I1 = 0

I1 = 0

1 " + hib ' h0

1 ' h0

" hrb

sau:

hre

" hr' hrs = ' " 1 + ho hib

109 1010 ) astfel nct se poate considera:

Pentru calcularea lui h0 se observ c:
e

- produsul de la numrtor este foarte mic (ordinul de mrime este

hre 0

ceea ce arat c n acest tranzistor compus nu exist reacie de la ieire la intrare.

e h0

I = 1 U1

= I1 = 0

" " h0bU2 + h" I1 fb

U2

I1 = 0

" hibU2 " h0bU2 + h" fb 1 2 hib + ' h0 = = U2

" = h0b

" ' h" hrbh0 fb ' " 1+ h0hib

dar:

" ' " h"fb hrs h0 h0b ,

e astfel: h0

" h0b

" h0 " hf +1

- impedana de ieire echivalent pentru tranzistorul compus cascod este foarte mare, corespunztoare unui tranzistor cu baz la mas. Deci el se comport ca un foarte bun generator de curent la ieire, ceea ce permite conectarea ca sarcin a unui circuit oscilant paralel, fr ca acesta s fie amortizat sensibil prin impedana de ieire a amplificatorului. * panta echivalent a tranzistorului compus cascod este:

S =
e

he f hie

S'
(hie ) , tranzistorul compus este caracterizat de primul

Aadar, la intrare
e

tranzistor, transferul ( h f sau

S e ) este determinat tot de acesta, iar la ieire este

determinant impedana tranzistorului al doilea cu baz la masa neexistnd reacii interne. Utilizarea sa n circuite de intrare mai este facilitat i de ali parametri aa cum se va vedea i n paragrafele urmtoare.