TRANZISTORUL,

CIRCUITE INTEGRATE

ISTRATE RADU, PIRNECI ALEXANRU, APREUTESEI ANDREA

• Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria
semiconductoarelor care are cel puțin trei terminale (borne
sau electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale
cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a
amplifica și a comuta semnale electronice și putere electrică.
• Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru
care sunt destinate. În 2013 încă unele tranzistoare sunt
ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în
circuite integrate.
• Tranzistorul este componenta fundamentală a dispozitivelor
electronice moderne, și este omniprezent în sistemele
electronice. Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor
1950, tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii, și a
deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai
ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane
mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele.
• Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din 
New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, 
Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley.
Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea
electronicii fiind considerat una din cele mai mari inventii ale
erei moderne.
• Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu
componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul
audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie,
oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de
alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate,
tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă
a milioane de tranzistori.
• Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori:
• Tranzistoare de mica putere:
Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate
montării pe radiator.

• Tranzistoare de putere:
Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate
montării pe radiator.

• Tranzistoare de joasa frecventa:

Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în
circuite audio și de control al puterii.

• Tranzistoare de inalta frecventa:

Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz, cum este
domeniul radio –TV, circuite de microunde, circuite de comutație etc.
• Tranzistorul bipolar-principiul de functionare:
În funcționare normală joncțiunea emitor–bază este polarizată direct, iar joncțiunea
colector–bază este polarizată invers.
1. Joncțiunea emitor–bază, fiind polarizată direct, este parcursă de un curent
direct(curent de difuzie) IE, mare în raport cu curentul invers (rezidual) și, într-o
plajă largă de curenți, UEB constanta, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V (Si) sau 0,2
-0,3V (Ge).
2. Joncțiunea colector–bază, fiind polarizată invers, este caracterizată de un
curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru
tranzistoarele de siliciu și de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de
germaniu.
Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru
aceasta trebuie satisfăcute două condiții:
3. Joncțiunea emitorului să fie puternic asimetrică, adică impurificarea emitorului să
fie mult mai puternică decât cea a bazei.
4. Baza să fie foarte subțire, astfel încât fluxul de purtători majoritari din emitor să
ajungă practic în totalitate în regiunea de trecere a colectorului.
• Parametrii specifici tranzistoarelor:
Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt:
Factorul de amplificare (βf):
Temperatura maximă a joncțiunilor:
• Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul
funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel,
tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200
grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în
funcționare în jurul valorii de 100 grade C.
Observație: La temperaturi mai mari decât cele menționate, are loc creșterea
extraordinar de rapidă a concentrației purtătorilor minoritari și semiconductorul se
apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzându-si proprietățile inițiale.
• Puterea maximă disipată
Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din
această putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului.

Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni
ale acestuia:

PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.

• Curentul de colector maxim:

Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără
ca acesta să se distrugă. El este indicat în cataloage și depinde de particularitățile tehnologice
ale tranzistorului.

• Tensiunea maximă admisă:

Reprezintă valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor
fără ca acesta să se deterioreze. Această valoare este limitată de tensiunea de
străpungere a joncțiunii colector bază (polarizată invers).
Acest parametru are valori diferite în funcție de conexiunea tranzistorului și este
prezentat în foile de catalog pentru fiecare situație în parte.
Bibliogrfie: Wikipedia,
Circuiteelectronice.ro