Tehnologie electronic - Curs 4

Dintre materialele semiconductoare, siliciul este cel care s-a impus pentru realizarea de dispozitive semiconductoare i de circuite integrate monolotice. Motivul principal este acela c prin oxidare termic siliciul se acoper cu un strat de oxid de siliciu amorf, care constituie o barier n ptrunderea impuritilor n materialul de baz, bioxidul de siliciu fiind n acelai timp i un bun material dielectric. Siliciul i oxidul su stau la baza tehnologiei planare, care a fcut posibil realizarea cu productivitate ridicat a dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate pe scar mare. Siliciul se gsete n cantitate mare la suprafaa globului terestru (aprox. 28%). Sursele naturale de Si sunt n principal silicaii (nisip, etc), dar i zirconiul, jadul, mica, cuarul. Siliciul exist natural sub form de oxizi (starea oxidat). Pentru elaborare este necesar o metod de reducere a sa, iar apoi trebuie s fie purificat pn la stadiul de siliciu "de calitate electronic" sau EGS (Electronic Grade Silicon).

Tehnologie electronic - Curs 4

Prima etap a tehnologiei siliciului corespunde elaborrii siliciului de calitate "metalurgic" sau MGS (Metallurgic Grade Silicon). Dup aceast etap n urma purificrilor repetate se obine materialul de puritate "electronic". Temperatura de topire a siliciului este ridicat, situndu-se la valoarea de 1415C. Dificultatea n obinerea siliciului const n aceea c oxidul de siliciu (SiO2) nu poate fi redus direct prin folosirea hidrogenului, fiind necesar o tehnic adaptat de reducere (cu carbon, la temperatur ridicat).

Tehnologie electronic - Curs 4

Obinerea siliciului metalurgic se efectueaz prin electroliza silicei topite (SiO2) ntr-un cuptor cu arc electric. Se folosete cuptorul cu arc electric pentru a se putea atinge temperatura de topire a SiO2 care se gsete n amestec cu carbon (crbune). Siliciul care se obine n urma electrolizei are puritatea de 98 %. Puritatea trebuie mrit n continuare, cu multe ordine de mrime, pn la obinerea unui material utilizabil n microelectronic.

Tehnologie electronic - Curs 4

Tehnologie electronic - Curs 4

Teoria dispozitivelor semiconductoare este construit n ipoteza unui cristal perfect sau cvasi-perfect. Calitatea electronic (EGS) a siliciului este greu de obinut fiind necesar aplicarea succesiv a unui numr mare de etape de purificare.

Tehnologie electronic - Curs 4

a) purificarea chimic o metod folosit const n dizolvarea siliciului ntr-un produs lichid la temperatura ambiant i apoi distilarea acestui lichid. n mod frecvent se folosesc halogenurile de siliciu ca produs intermediar lichid.

Tehnologie electronic - Curs 4

b) purificarea fizic - se bazeaz pe redistribuirea impuritilor existente n material la trecerea acestuia din faza lichid n faza solid.
metoda solidificarii directe, prin care materialul aflat iniial

n stare lichid se solidific treptat prin deplasarea unei singure interfee solid-lichid; metoda topirii zonale simple - const n topirea unei zone a lingoului de material semiconductor i deplasarea lent a acestei zone de-a lungul lingoului. metoda topirii zonale multiple - const n topirea mai multor zone, distanate ntre ele i separate prin faza solid.

Tehnologie electronic - Curs 4

Tehnologie electronic - Curs 4

c) obinerea lingoului

Evoluia dimensiunilor lingourilor a fost legat de evoluia gradului de control asupra parametrilor de proces i echipamentelor asociate, avnd ca scop creterea randamentului de fabricaie i reducerea costurilor de producie pe circuit integrat realizat. Astfel, n mai puin de 30 de ani, diametrul plachetelor a crescut de 10 ori, respectiv de la 25 mm n 1964 la 300 mm n 1998.

Tehnologie electronic - Curs 4

d) tragerea i creterea cristalului - tehnic folosit pentru realizarea lingourilor de mari dimensiuni care pornete de la un lingou de siliciu policristalin obinut n reactorul de reducere. Creterea cristalului se obine pornind de la un germene fixat la extremitatea lingoului, prin deplasarea unei zone topite.

Tehnologie electronic - Curs 4

Tehnologie electronic - Curs 4

Aceasta zon este nclzit prin inducie pn la limita de topire a siliciului. Procesul de nclzire se obine prin intermediul unei bobine parcurse de curent de nalt frecven, care induce n lingou cureni turbionari (Foucault), la fel ca i n cazul purificrii lingoului. Diametrul lingoului este determinat de parametrii fizici n timpul tragerii.

Tehnologie electronic - Curs 4

O alt variant pentru tragerea de lingouri este aceea n care lingoul se obine ntr-o form paralelipipedic, iar cristalizarea se efectueaz progresiv, pornind de la una din extremiti. Aceast metoda este numit metoda "Bridgman. Aceast tehnic este folosit, n special, pentru lingouri din compui III - V, cum ar fi GaAs.

Tehnologie electronic - Curs 4

e) tierea capetelor lingoului - Operaia const n eliminarea extremitilor lingoului, care sunt fie imperfect cristalizate, fie bogate n impuriti (n special dac s-a folosit tehnica topirii zonale.

Tehnologie electronic - Curs 4

f) controlul rezistivitii la extremitile lingoului - Concentraia de impuriti nu este constant n timpui tragerii, rezistivitatea final variaz de-a lungul lingoului. Se impune o verificare a acestui parametru n raport cu specificaiile tehnologice (gama de variaie). Msurarea rezistivitii se face cu metoda "celor patru sonde".

Tehnologie electronic - Curs 4

g) determinarea reperelor cristalografice i marcarea lingoului - cunoaterea orientrilor cristalografice este necesar, pentru a putea decupa materialul de-a lungul axelor cristalografice, la sfritul procesului de fabricaie. Dup reperarea planurilor cristalografice la lingoul de siliciu se creeaz o teitur care va servi ca referin

Tehnologie electronic - Curs 4

h) polizajul cilindric - n cursul tragerii diametrul lingoului variaz uor, suprafaa fiind ondulat. Pentru a obine plachete de acelai diametru este necesar o polizare cilindric.

Tehnologie electronic - Curs 4

i) polizarea unei teituri de referin - acest reper va folosi ca referin n cursul procedeului de fabricaie (orientarea zonelor de conducie n raport cu axele cristalului, reperarea desenelor gravate n cursul fotolitografiei, decuparea cipurilor dup axele cristalografice)

Tehnologie electronic - Curs 4

Se vor realiza suplimentar i alte repere, n funcie de tipul de dopaj al substratului i de orientarea sa cristalografic. La plachetele cu diametru mai mare de 3 inch (oli) (1 inch =25,4 mm) se folosete un reper cristalografie n form de cresttur. Se pot distinge uor tipurile de dopaj n i p precum i orientrile cristalografice. Pe lingou se marcheaz datele de identificare ale lingoului cu ajutorul unui fascicul laser: numrul lotului n care s-a realizat, data fabricaiei.

Tehnologie electronic - Curs 4

Din lingoul de siliciu cristalin se obin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii specifice urmeaz a se realiza dispozitivele electronice i circuitele integrate.

Tehnologie electronic - Curs 4

a) debitarea plachetelor - dup obinerea lingoului de siliciu monocristalin acesta va fi decupat n discuri subiri ce vor reprezenta plachetele (wafers). O modalitate de debitare a plachetelor este aceea care se face cu ajutorul unui ferstru diamantat. Dac se ia n considerare eliminarea capetelor de lingou i polizarea, rezult c din lingou se elimin n total 50% la 60%

Tehnologie electronic - Curs 4

b) tratament termic - operaia de debitare a plachetelor creeaz tensiuni mecanice n cristal. Eliminarea acestor tensiuni i relaxarea cristalului se obine printr-o cretere lent a temperaturii plachetelor pn la 600...700C. Prin acest tratament termic de recoacere, atomii obin suficient energie proprie pentru a se reaeza n isturile cristaline. Se obine n acelai timp diminuarea efectului atomilor de oxigen (de tip donor) i se stabilizeaz rezistivitatea.

Tehnologie electronic - Curs 4

c) polizarea marginilor (debavurarea) - dup tiere, pe marginile plachetelor rmn bavuri ce trebuie eliminate. Se realizeaz n acelai timp i o rotunjire a muchiilor, pentru a uura manipularea plachetelor n cursul procesului de fabricaie. Prin aceasta se evit degradarea dispozitivelor de prindere i se suprim amorsele de fisuri.

Tehnologie electronic - Curs 4

d) selecia plachetelor n funcie de grosime - dup debitare, grosimile plachetelor pot fi sensibil diferite. Pentru reducerea timpului de polizare plachetele se triaz n game de grosimi e) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumin i polizarea - pentru a ameliora starea suprafeelor, plachetele sunt polizate cu ajutorul unei soluii ce conine n suspensie granule de alumin de dimensiuni micronice. f) curirea - aceasta etap are rolul de a elimina produsele abrazive i substanele contaminante, prin splare cu solveni i ap deionizat.
Tehnologie electronic - Curs 4

g) atacul chimic al plachetelor - n cursul etapelor parcurse de plachete, acestea formeaz la suprafa un strat de oxid care conine impuriti. Aceste impuriti sunt fie particule metalice i pot fi eliminate cu soluii acide, fie substane organice ce pot fi eliminate folosind soluii bazice. Se obine n acest fel o suprafa neutr din punct de vedere chimic, naintea polizrii "oglind".

Tehnologie electronic - Curs 4

h) deteriorarea feei inferioare - partea util a plachetei (n care se vor crea componentele electronice) se gsete foarte aproape de suprafaa superioar. Se urmrete realizarea unei caliti maxime a materialului n aceast zon, att sub aspectul gradului de puritate (atomi strini), ct i ai defectelor cristalografice (macle, dislocri, etc). n acest scop se creeaz intenionat defecte pe faa inferioar, prin sablaj sau bombardament laser

Tehnologie electronic - Curs 4

Aplicnd ulterior un tratament termic, impuritile de pe faa activ a plachetei vor migra prin substrat spre faa inferioar i vor fi captate de defectele create n aceast parte, acestea oferind stri energetice favorabile fixrii atomilor. Acest fenomen este numit efectul "getter".

Tehnologie electronic - Curs 4

i) selecia n funcie de grosime - prin operaia precedent se modific grosimile plachetelor. Se face o nou selecie n game de grosime. J) prelucrarea final a suprafeei - aceast prelucrare tip "oglind" poate fi efectuat mecanic sau mecanochimic. Se urmrete eliminarea zgrieturilor i a micilor denivelri ale suprafeei rmase de la operaiile anterioare. Operaia se efectueaz cu discuri abrazive folosind o soluie abraziv cu granule foarte fine.

Tehnologie electronic - Curs 4

k) testarea rezistivitii plachetelor, selecia final n funcie de rezistivitate- formarea loturilor ce urmeaz s se livreze beneficiarilor dup o selecie n funcie de rezistivitate. Determinarea rezistivitii se realizeaz cu ajutorul a patru electrozi punctiformi care se aeaz pe suprafaa plachetei

Tehnologie electronic - Curs 4

Prin doi dintre aceti electrozi se injecteaz un curent I n circuit, iar ntre ceilali doi electrozi se msoar tensiunea UBC care ia natere. n funcie de configuraia electrozilor, se poate determina prin calcul rezistivitatea plachetei. Atunci cnd electrozii sunt coliniari i echidistani rezistivitatea se calculeaz cu relaia:

Tehnologie electronic - Curs 4

l) reperarea/marcarea - se marcheaz pe lingou cu ajutorul unui fascicul laser: numrul lotului n care s-a realizat, data fabricaiei. Prin aceste reperare este posibil urmrirea plachetei de-a lungul ntregii linii de fabricaie. m) curarea final n "camera alb- pentru a demara ansamblul etapelor ce formeaz procedeul de fabricaie a circuitelor integrate, plachetele trebuie sa fie perfect curate (fr grsime, fr particule de praf, etc). Curarea final se realizeaz n incinta cu condiii de mediu perfect controlate ("camera alb").

Tehnologie electronic - Curs 4

n) inspecia vizual - inspecia final se impune pentru a detecta variaiile de culoare, zgrieturile, particulele de praf. Omul este la ora actual cel mai bun inspector. El poate detecta vizual i n scurt timp variaiile de culoare, zgrieturile, particulele de praf cu dimensiuni mai mici de un micron. Un sistem automat de control cu baleiaj optic al ntregii suprafee a plachetei ar necesita deocamdat un timp de analiz mult mai mare dect cel necesar unui operator uman antrenat. o) testul de planeitate - planeitatea plachetelor este foarte important pentru operaiile litografice la care acestea urmeaz s se supun. Exista n prezent dispozitive bazate pe msurri optice (devierea unui fascicul laser), pentru testarea planeitii. Plachetele semiconductoare sunt n continuare supuse la o serie de operaii dintre care se pot sintetiza: impurificarea controlat i selectiv n mai multe etape, depuneri de straturi, realizarea conexiunilor la pini, ncapsularea, testarea.

Tehnologie electronic - Curs 4