Amplicatoare operat ionale

1). S a se proiecteze un amplicator operat ional Miller cu urm atoarele specicat ii: GBW =10MHz, SR =15V/s, CL =3pF, fzp =10GBW, m =60 si VDD = -VSS =1,5V. Lungimea canalului tranzistoarelor se consider a L=1m. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezult a din calcul se recomand a s a e Vod =200mV. Tranzistoarele de intrare sunt de tipul NMOS. M NMOS PMOS ID 50A 50A W/L 10m/1m 20m/1m Vod 175mV 225mV VT h 450mV 450mV

Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor

VDD

eg r In t
M2 Ip M5 VSS
Figura 1

M3

M4

at e
M6 Vout CM CL M7

Im

M1

Rezolvare:

Pasul 1: Determinarea capacit a tii de compensare n raport cu cea de sarcin a. Conform expresiilor lui GBW si fzp si tin and cont de relat ia dintre frecvent a zeroului si GBW dat a n specicat ii, vom avea:

Ci r cu ite

Vbiasn

An

alo g

ice

Gm2 = 10Gm1

Determinarea raportului dintre frecvent a polului al doilea si produsul amplicareband a, se face dup a cum urmeaz a:

GBW = tan 90 m tan1 fp2

GBW fzp

An

m = 90 arctan

GBW fp2

arctan

GBW fzp

fp2 2, 22GBW

alo g

eg r

Gm1 GBW = 2CM G fp2 = m2 2CL

at e

T in and cont de acest rezultat, de leg atura dintre transcoductant ele celor dou a etaje si de expresiile lui GBW si fp2 , rezult a relat ia dintre capacitatea Miller si cea de sarcin a:

CM 0, 22CL

Pe baza acestei relat ii si stiind c a CL = 10pF , putem alege capacitatea de compensare CM = 2, 5pF . Pasul 2: Calculul curentului de polarizare a etajului diferent ial. Din formula vitezei maxime de variat ie a tensiunii de ie sire se calculeaz a curentul I5 : SR = I5 CM I5 = SR CM = 37, 5A (4)

Pasul 3: Calculul valorilor transconductant elor celor dou a etaje. Din expresia produsului amplicare-band a putem obt ine valoarea lui Gm1 : GBW = Gm1 2CM Gm1 = 2CM GBW = 157S gm1 = 157S (5)

Am ar atat anterior c a ntre transconductant ele celor dou a etaje exit a relat ia:

Ci r cu ite

In t

ice

Gm1 GBW = 2CM Gm2 fzp = 2CM

(1)

(2)

(3)

Gm2 = 10Gm1 = 1, 57mS gm6 = 1, 57mS Pasul 4: G asirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M1 -M2 .

(6)

S tiind valorile transconductant ei si a curentului prin M1 , putem aa tensiunea de overdrive a acestui tranzistor: gm1 = 2I1 I5 = Vod1 Vod1 Vod1 = I5 = 239mV gm1

alo g

Pasul 5: Dimensionarea tranzistoarelor M1 -M2 .

Folosind setul de referint a pentru tranzistoare NMOS (I = 50A, Vod = 175mV , W/L = 10/1) se face o scalare pentru a obt ine setul de parametrii dorit i (I1 = 18, 75A, Vod1 = 239mV, W1 /L1 ): 10L1 50 = 18, 75 W1 175m 239m

at e

An

2 W1 =2= L1 1

Pasul 6: Dimensionarea tranzistorului M5 .

Se face o nou a scalare pentru setul de parametrii dorit i (I5 = 37, 5A, Vod5 = 200mV, W5 /L5 ):

In t

10L5 50 = 37, 5 W5

eg r

175m 200m

W5 5, 7 = 5, 7 = L5 1

Pasul 7: Dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4 . Din nou scal am, de data aceasta folosind setul de referint a pentru tranzistoare PMOS (I = 50A, Vod = 225mV, W/L = 20/1). Parametrii dorit i sunt (I3 = 18, 75A, Vod3 = 200mV, W3 /L3 ): 50 20L3 = 18, 75 W3 225m 200m
2

Ci r cu ite

W3 9, 5 = 9, 5 = L3 1

Pasul 8: Calculul curentului prin etajul al doilea de c a stig si dimensionarea lui M6 . Pentru ca factorul de reexie al oglinzii de curent M3 -M4 si M6 s a nu depind a de eroarea datorat a coecientului de modulat ie al lungimii canalului, se impune condit ia de echilibru a tensiunilor dren a-surs a. In aceste condit ii tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor ce formeaz a oglinda sunt egale:

ice

(7)

(8)

(9)

(10)

Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV Din formula transconductant ei pentru M6 , rezult a curentul prin acest tranzistor. gm6 = 2I6 Vod6 I6 = 1 gm6 Vod6 157A 2

(11)

Raportul dintre l a timea si lungimea canalului lui M6 se poate calcula: 50 20L6 = 157 W6 Pasul 9: Dimensionarea lui M7 . 50 10L7 = 157 W7 175m 200m
2

225m 200m

W6 80 = 80 = L6 1

alo g

An

Pasul 10: Determinarea tensiunii de polarizare Vbiasn .

a pa sii de proiectare de la problema 1), iar n nal se obt in Solutie: a). Se repet dimensiunile tuturor tranzistoarelor din schem a. CM 1, 63CL , aleg CM = 5pF (16)

In urma calculelor rezult a valorile:

Ci r cu ite

2). a). S a se proiecteze un amplicator operat ional Miller cu urm atoarele specicat ii: GBW =10MHz, SR=15V/ s, CL =3pF, fzp =3GBW, m =60 si VDD =3V, VSS =0V. Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezult a din calcul se consider a Vod =200mV. Intrarea se face pe tranzistoare NMOS. b). Desenat i caracteristicile de amplitudine si faz a pentru circuitul proiectat, consider and valoarea simulat a a c a stigului de joas a frecvent a A0 =60dB. Se neglijeaz a efectul Miller pe tranzistoarele de intrare si perechea pol-zero introdus a de oglinda M3 -M4 . c). Desenat i schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a si dat i expresiile parametrilor acesteia.

In t

eg r

Vbiasn = VSS + VT hn + Vod5 = 1, 5 + 0, 45 + 0, 2 = 0, 85V

at e

W7 23, 8 = L7 1

ice

(12)

(13)

(14)

(15)

alo g
fp1=10kHz fp2=50MHz fzp=30MHz GBW=10MHz A0=60dB

Gm1 = gm1 = 314, 16S , Gm2 = gm6 = 942, 47S W1 4 W5 11, 4 W3 19 = , = , = L1 1 L5 1 L3 1 47, 7 W7 14, 3 W6 = , = L6 1 L7 1 Vbiasn = 0, 65V

b). Frecvent ele singularit a tilor se calculeaz a conform urmatoarelor relat ii: GBW fp1 = = 10kHz A0 fp2 = gm6 = 50M Hz 2CL fzp = 3GBW = 30M Hz GBW = 10M Hz

An

60 40 20 0 -20 -40 -60

Ci r cu ite

0d -30d -60d -90d -120d -150d -180d -210d -240d -270d 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
Figura 2

In t

eg r

at e

ice
(17) (18)

Diagramele Bode sunt desenate n Figura 2. c). Schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a este dat a n Figura 3, iar expresiile parametrilor sunt conform sistemului (19).
V1 CM Vin Gm1Vin R1 C1

alo g
R2

Gm2V1

Figura 3

at e

Gm1 = gm1 R1 = rDS 2 || rDS 4

An
(19)
M7 Vout CM CL M6

Vbiasp

Ci r cu ite

Im

M1

In t

M5

M2

M3

3). S a se proiecteze un amplicator operat ional Miller cu urm atoarele specicat ii: GBW =15MHz, SR=25V/s, CL =5pF, fzp =5GBW, m =60 si VDD =-VSS =1,2V. Lun-

eg r

C1 = CBD2 + CBD4 + CGS 6 + CGD6 (Gm2 R2 ) Gm2 = gm6 R2 = rDS 6 || rDS 7

VDD

Ip

M4 VSS
Figura 4

ice
CL

Vout

si pa si de proiectare ca la problema 1). Rezolvare: vom urma aceea

Pasul 1: Determinarea capacit a tii de compensare n raport cu cea de sarcin a. CM 0, 59CL (20)

Pasul 2: Calculul curentului de polarizare a etajului diferent ial. SR = I5 CM I5 = SR CM = 75A

An

Pe baza acestei relat ii si stiind c a CL = 5pF , putem alege capacitatea de compensare CM = 3pF .

alo g

Pasul 3: Calculul valorilor transconductant elor celor dou a etaje. GBW = Gm1 2CM

eg r

Gm1 = 2CM GBW = 283S

at e

Intre transconductant ele celor dou a etaje exit a urm atoarea relat ie:

In t

Gm2 = 5Gm1 = 1, 41mS

Pasul 4: G asirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M1 -M2 .

Ci r cu ite

gm1 =

2I1 I5 = Vod1 Vod1

Vod1 =

I5 = 265mV gm1

Pasul 5: Dimensionarea tranzistoarelor M1 -M2 . 50 20L1 = 37, 5 W1 225m 265m

2

W1 5, 4 = 10, 8 = L1 0, 5

Pasul 6: Dimensionarea tranzistorului M5 . 50 20L5 = 75 W5 225m 200m

2

W5 19 = 38 = L5 0, 5

ice

gimea canalului tranzistoarelor se va lua L=0,5m. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezult a din calcul se consider a Vod =200mV. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS. Care este domeniul de variat ie a tensiunii de ie sire, dac a amplitudinea semnalului la ie sire este Vsemn =0,4V.

(21)

(22)

(23)

(24)

(25)

(26)

Pasul 7: Dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4 . 50 10L3 = 37, 5 W3 175m 200m

2

Din formula transconductant ei pentru M6 , rezult a curentul prin acest tranzistor. gm6 = 2I6 Vod6 I6 = 1 gm6 Vod6 = 140A 2 (28)

Facem o nou a scalare pentru a obt ine dimensiunea lui M6 : 50 10L6 = 140 W6 Pasul 9: Dimensionarea lui M7 . 20L7 50 = 140 W7 225m 200m
2

eg r

at e

175m 200m

10, 6 W6 = 21, 2 = L6 0, 5

An

alo g

Pasul 8: Determinarea curentului prin etajul al doilea de c a stig si dimensionarea lui M6 . Stiind ca Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV , rezulta:

35, 4 W7 = 70, 8 = L7 0, 5

Pasul 10: Calculul tensiunii de polarizare Vbiasp . Vbiasp = VDD VSG5 = 1, 2 (0, 45 + 0, 2) = 0, 55V

In t

Pasul 11: Pentru a asigura regimul de saturat ie a tranzistoarelor se ia VDS = Vod +V , iar V = 100mV . In acest caz, domeniul de variat ie a tensiunii de ie sire este:

Ci r cu ite

VoutM IN = VSS + VDS 6 + Vsemn = 1, 2 + (0, 2 + 0, 1) + 0, 4 = 0, 5 V outM AX = VDD VDS 7 Vsemn = 1, 2 (0, 2 + 0, 1) 0, 4 = +0, 5

4). S a se proiecteze un amplicator operat ional cascod a pliat a cu urm atoarele specica tii: GBW =50MHz, SR=50V/s, CL =4pF si VDD =-VSS =1,5V. Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. Curentul prin ramurile etajului cascod a este Icas =1,5*Iin . Intrarea se face pe tranzistoare NMOS. a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a amplitudinea semnalului de ie sire Vsemn =0,5V. b). Calculat i tensiunile de polarizare Vbiasn , Vcasp si Vbiasp .

ice

W3 2, 8 = 5, 7 = L3 0, 5

(27)

(29)

(30)

(31)

(32)

c). Dimensionat i tranzistoarele din schem a. d). Desenat i schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a si dat i expresiile parametrilor acesteia.
VDD M4a Vbiasp P

Iin

Iin

M3a Vcasp Icas Icas

M3b

Ip

Mina

Minb

An
M2b M1b

Im

M2a

Vbiasn

M5

VSS

Rezolvare:

Domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire trebuie ales astfel nc at tranzistoarele s a e polarizate n regim saturat. Rezult a c a limitele de variat ie ale tensiunii de ie sire sunt: VDD VoutM AX = VDS 3 + VDS 4 VoutM AX = VDD (Vod3 + V ) + (Vod4 + V ) VoutM AX = 0, 85V VoutM IN VSS = VDS 1 + VDS 2 VoutM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + 2V V outM IN = 0, 85V

Ci r cu ite

a). Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de polarizare M1 , M4 , M5 si Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascod a M2 , M3 . Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare Min rezult a Vod = 160mV , dup a cum se va ar ata la punctul c). Adit ional, tensiunea dren a-surs a a ec arui tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea VDS minim a admis a.

In t

eg r
Figura 5

at e
M1a

alo g
Vout CL

M4b

ice
(33)

Rezult a c a variat ia maxim a v arf la v arf a tensiunii de ie sire este:

M AX M IN Vout = Vout Vout = 0, 85 (0, 85) = 1, 7V

(34)

Pentru aplicat ia noastr a consider am c a variat ia v arf la v arf a semnalului de ie sire este de 1V . Aceasta este mai mic a dec at valoarea teoretic a maxim a calculat a n (34). b). Calculul tensiunii continue la iesire si apoi a tensiunilor de polarizare din grilele tranzistoarelor se face in condit iile n care tensiunile de mod comun la intrare si ie sire sunt egale, Vin =Vout . Limita inferioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la intrare trebuie s a permit a tranzistoarelor de intrare Mina -Minb si celui de polarizare a etajului diferent ial M5 s a funct ioneze n regim saturat.
min Vin VSS = VGSin + VDS 5 ,

An

alo g

M IN Rezult a Vin = 0, 54V

Pe de alt a parte, valoarea minim a a tensiunii continue la ie sire se poate obt ine conform ecuat iei (37). T inem seama de faptul c a amplitudinea semnalului de ie sire, notat a cu Vsemn , este un sfert din tensiunea v arf la v arf diferent iala de ie sire.
M IN Vout VSS = VDS 1 + VDS 2 + Vsemn ,

In t

eg r

VGSin = Vodin + VT hn = 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V VDS 5 = Vod5 + V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35

at e

unde:

unde:

Ci r cu ite

VDS 1 = Vod1 + V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V VDS 2 = Vod2 + V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V

M IN De aceast a dat a, rezult a Vout =-0,35V.

Valoarea minim a a tensiunii continue care acoper a ambele valori part iale calculate mai M IN M IN sus este Vin = Vout =-0,35V.

10

ice

(35)

(36)

(37)

(38)

Limita superioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la ie sire trebuie s a permit a funct ionarea tranzistoarelor M3 si M4 n regim saturat, n condit iile n care semnalul de ie sire atinge valoarea sa maxim a.
M AX VDD Vout + Vsemn = VSD3 + VSD4 ,

unde: VSD3 = Vod3 + V = 0, 3V VSD4 = Vod4 + V = 0, 35V

alo g

Teoretic, tensiunea continu a la ie sire poate n intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru maximizarea domeniului de variat ie a semnalului de ie sire alegem Vin = Vout =0V.

Deoarece schema este simetric a, tranzistoarelor M1 -M2 si M3 -M4 vom aloca 1,5V. Vom repartiza mai mult spatiu n tensiune tranzistoarelor cascod a. Prin urmare, alegem VDS 1 = VSD4 =0,5V si VDS 2 = VSD3 =1V. Tensiunea VDS 5 este condit ionat a de valoarea tensiunii continue la intrare si se calculeaz a conform ecuat iei: Vin VSS = VGSin + VDS 5 VDS 5 = 0, 89V (41)

In Figura 6 sunt marcate tensiunile dren a-surs a si curent ii prin tranzistoare. Acum se pot calcula tensiunile de polarizare: Vbiasn VSS = VGS 5 Vbiasn = 0, 8V VDD Vbiasp = VSG4 Vbiasp = 0, 8V VDD Vcasp = VSD4 + VSG3 Vcasp = 0, 35V

Ci r cu ite

In t

eg r

at e

Pentru calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasp si Vbiasn , mai nt ai stabilim c aderile de tensiune pe ecare tranzistor din schem a, astfel nc at ele s a e polarizate n regim saturat. In aceste condit ii, tensiunile dren a-surs a se aleg cu o margine de 100mV fat a de tensiunile de overdrive.

An

M AX Rezult a valoarea maxim a a tensiunii continue la iesire, ca ind Vout =0,35V.

11

ice

(39)

(40)

(42)

VDD=1,5V M4a Vbiasp 0,5V

M4b

M3a 1,61V Mina Minb Vcasp

M3b Vout M2b

1V

Ip

Im

M2a

An

Vbiasn

M5

0,89V

M1a VSS=-1,5V

M1b

Figura 6

c). Dimensionarea tranzistoarelor AO cascod a pliat a este structurat a pe pa si. Ace stia sunt prezentat i n cele ce urmeaz a:

Curentul prin cele dou a ramuri ale etajului diferent ial de intrare este egal cu jum atate din curentul prin M5 .

In t

SR =

I5 CL

eg r

Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial. Curentul I5 se obt ine din expresia SR-ului, astfel: I5 = SR CL = 200A (43)

Curentul prin ramurile etajului de ie sire este Icas = 1, 5 Iin = 150A. Curentul prin tranzistoarele M4a -M4b este 250A, conform teoremei lui Kirchho pentru curent ii din nodul de pliere. Pasul 2: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare. Din expresia lui GBW determin am transconductant a Gm1 . GBW = Gm1 2CL Gm1 = gmin = 2CL GBW = 1, 25mS (45)

Pe de alt a parte, transconductant a lui Min se poate scrie astfel:

Ci r cu ite

Iina = Iinb = I5 /2 = 100A

at e

alo g
CL 1V 0,5V

12

ice
(44)

gmin =

2Iin Vodin

(46)

Din ecuat iile (45) si (46) rezult a valoarea tensiunii de overdrive pentru tranzistoarele de intrare.

alo g
M4 M5 4* 4, 8 1

Vodin =

2Iin = 160mV gmin

Pasul 3: dimensionarea tranzistoarelor.

In Tabelul 2 sunt dat i curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din schem a. Tip Min M1 M2 M3 M4 M5 ID 100A 150A 150A 150A 250A 200A Vod 160mV 250mV 200mV 200mV 250mV 250mV

Ci r cu ite

Wn = 7, 5 , Ln 1 Wn 4, 8 = , Ln 1

In t

Deoarece curent ii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate, egal cu 50A, se vor face scal ari pentru tranzistoarele de tip NMOS si PMOS av and curentul egal cu unitatea si tensiunea de overdrive de 200mV si 250mV , dupa caz. Rezult a: Wp 25, 3 = , pentru Vod = 200mV Lp 1 Wp 16, 2 = , pentru Vod = 250mV Lp 1

eg r

Tabelul 2: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor

at e

An
VDS 1,61V 0,5V 1V 1V 0,5V 0,89V (48) 5* 16, 2 1

In Tabelul 3 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schem a.

Min

M1 4, 8 1

M2 3* 3, 7 0, 5 3*

M3 12, 6 0, 5

W L

23, 6 1

3*

Tabelul 3: Geometria tranzistoarelor

13

ice

(47)

d). Schema echivalent a de semnal mic si nalta frecvent a este dat a n Figura 7, iar expresiile parametrilor sunt conform sistemului 49.
Vp Vin Gm1Vin Rp Cp Gm2Vp

Figura 7

Gm1 = gm1 1 RP = gm3

An eg r
VDD

alo g
M11 M9 Vout M7 CL M5

Rout

CP = CBD4 + CBS 3 + CBD1 + CGD4 + CGS 3 Gm2 = gm3 R = g r r || g r r

out m2 DS 2 DS 1 m3 DS 3 DS 4

In t

Vbiasp

M3

Ci r cu ite

Im

M1

M2

Ip M6 Vcasn P

Vbiasn VSS
Figura 8

5). S a se proiecteze un amplicator operat ional cascod a pliat a cu urm atoarele specica tii: GBW =50MHz, SR=50V/s, CL =4pF, CP =200fF si VDD =3V, VSS =0V. Lungimea

at e

M10

M8

M4

14

ice
CL

Vout

(49)

Rezolvare:

a). Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de polarizare M3 , M4 - M5 , M10 -M11 si Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascod a M6 M7 , M8 -M9 . Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 rezult a Vod = 160mV , dup a cum se va arat a la punctul c). Adit ional, tensiunea dren a-surs a a ec arui tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea VDS minim a admis a. Domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire trebuie ales astfel nc at tranzistoarele s a e polarizate n regim saturat. Rezult a c a limitele de variat ie ale tensiunii de ie sire sunt:

eg r

M AX = VSD9 + VSD11 VDD Vout M AX Vout = VDD (Vod9 + V ) + (Vod11 + V ) M AX Vout = 2, 35V

at e

An

alo g

canalului tranzistoarelor este L=1m. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS. a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a valoarea tensiunii de ie sire v arf la v arf diferent iale este 2V? b). Calculat i tensiunile de polarizare Vbiasn , Vcasn si Vbiasp . c). Dimensionat i tranzistoarele din schem a. d). Desenat i caracteristicile de amplitudine si faz a pentru circuitul proiectat. Prin simul ari se obt ine c a stigul de joas a frecvent a A0 =60dB. Se neglijeaz a efectul Miller pe tranzistoarele de intrare si perechea pol-zero introdus a de oglinda de curent M8 -M9 M10 -M11 .

Ci r cu ite

Rezult a c a variat ia maxim a v arf la v arf a tensiunii de ie sire este:

M AX M IN Vout = Vout Vout = 2, 35 0, 65 = 1, 7V

In t

M IN = VDS 7 + VDS 5 Vout M IN Vout = Vod1 + Vod2 + 2V V M IN = 0, 65V out

Variat ia v arf la v arf a semnalului de ie sire este de 1V, deci este mai mic a dec at valoarea teoretic a maxim a calculat a n (51). Notam amplitudinea semnalului la iesire cu Vsemn =0,5V. b). Dac a tensiunile continue la intrare si ie sire sunt egale, Vin = Vout , valoarea acestora se g ase ste dup a cum urmeaz a: Limita superioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la intrare trebuie s a permit a tranzistoarelor M1 -M2 si lui M3 care polarizeaza etajul diferent ial s a funct ioneze n regim saturat.

15

ice

(50)

(51)

M AX VDD Vin = VSD3 + VSG1

M AX = VDS 9 + VDS 11 + Vsemn VDD Vout M AX Vout = 3 (0, 2 + 0, 1) (0, 25 + 0, 1) 0, 5 = 1, 85V

alo g

Pe de alt a parte, valoarea tensiunii continue la ie sire se poate obt ine conform ecuat iei (53).

Valoarea maxim a a tensiunii continue la intrare si ie sire, care acoper a ambele valori M AX M AX part iale calculate mai sus este Vin = Vout =1,85V.

M IN Vout + Vsemn = VDS 5 + VDS 7 M IN Vout = (0, 25 + 0, 1) + (0, 2 + 0, 1) + 0, 5 = 1, 15V

eg r

at e

Limita inferioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la ie sire trebuie s a permit a funct ionarea tranzistoarelor M4 -M5 si M6 -M7 n regim saturat, n condit iile n care semnalul de ie sire atinge valoarea sa maxim a.

An

Deoarece schema este simetric a, vom aloca 1, 5V tranzistoarelor PMOS, la fel si celor NMOS. Repartizam mai mult spatiu n tensiune tranzistoarelor cascod a, deci alegem VDS 4 = VDS 5 = VSD10 = VSD11 = 0, 5V si VDS 6 = VDS 7 = VSD8 = VSD9 = 1V . Tensiunea VSD3 este condit ionat a de valoarea tensiunii continue la intrare si se calculeaz a conform ecuat iei: VDD Vin = VSG1 + VSD3 VSD3 = 0, 89V (55)

In Figura 9 sunt marcate tensiunile dren a-surs a si curent ii prin tranzistoare.

Ci r cu ite

Pentru calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasn si Vbiasn , mai nt ai stabilim c aderile de tensiune pe ecare tranzistor din schem a, astfel nc at ele s a e polarizate n regim saturat (tensiunile dren a-surs a se aleg cu o margine de 100mV fat a de tensiunile de overdrive).

In t

Teoretic, tensiunea continu la ie sire a poate n intervalul 1,15V si 1,85V. Pentru maximizarea domeniului de variat ie a semnalului de ie sire alegem Vin = Vout =1,5V.

16

ice

M AX Vin = 3 (0, 25 + 0, 1) (0, 45 + 0, 16) = 2, 04V

(52)

(53)

(54)

VDD=3V M11 0,5V

M8 Im M1 M2 1,61V Vcasn Ip M6

M9 Vout M7

1V

M4 Vbiasn VSS=0V

Figura 9

Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:

c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.

In t

SR =

I3 CL

eg r

VDD Vbiasp = VSG3 Vbiasn = 2, 3V Vbiasn = VGS 4 Vbiasn = 0, 7V Vcasn = VDS 4 + VGS 6 Vcasn = 1, 65V

at e

An

M5

alo g
CL 1V 0,5V

I3 = SR CL = 200A

Ci r cu ite

Curentul prin cele dou a ramuri ale etajului diferent ial de intrare este egal cu jum atate din curentul prin M3 . I1 = I2 = I3 /2 = 100A (58)

Curentul prin ramurile etajului de iesire este Icas = 1, 5 Iin = 150A. Curentul prin tranzistoarele M4 -M5 este 250A, conform teoremei lui Kirchho pentru curentii din nodul de pliere. Pasul 2: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare. Din expresia lui GBW determin am transconductant a Gm1 . GBW = Gm1 2CL Gm1 = gm1 = 2CL GBW = 1, 25mS (59)

17

ice
(56) (57)

Vbiasp

M3

0,89V

M10

Pe de alt a parte, transconductant a lui M1 se poate scrie astfel: gm1 = 2I1 Vod1 Vod1 = 160mV (60)

Pasul 3: dimensionarea tranzistoarelor.

In t

Wn = 3, 8 , Ln 1 Wn 2, 4 = , Ln 1

eg r

Deoarece curent ii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate, egal cu 25A, se vor face scal ari pentru tranzistoarele de tip NMOS si PMOS av and curentul egal cu unitatea si tensiunea de overdrive de 200mV si 250mV , dupa caz. Rezult a: Wp 12, 6 , pentru Vod = 200mV = Lp 1 Wp 8, 1 = , pentru Vod = 250mV Lp 1

at e

Tabelul 4: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor

An
(61) M8 -M9 3* 3, 8 1 M10 -M11 3* 12, 6 1

Tip M1 -M2 M10 -M11 M8 -M9 M6 -M7 M4 -M5 M3

ID 100A 150A 150A 150A 250A 200A

Vod 160mV 250mV 200mV 200mV 250mV 250mV

VDS 1,61V 1V 0,5V 1V 0,5V 0,89V

Ci r cu ite

In Tabelul 5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schem a.

M1 -M2

M3 8, 1 1

M4 - M 5 9* 2, 4 0, 5

M6 -M7 3* 3, 8 0, 5

W L

5 16 1

8*

Tabelul 5: Geometria tranzistoarelor

d). Circuitul are un pol dominant introdus de rezistent a si capacitatea echivalent aa nodului de ie sire si un pol de nalt a frecvent a datorat nodului de pliere. Frecvent ele singularit atilor sunt:

18

alo g

In Tabelul 4 sunt dat i curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din schem a.

ice

Diadramele Bode sunt conform Figurii 10.

40 20 0 -20 -40 -60 -80 0d -30d -60d -90d -120d -150d

Ci r cu ite

-180d 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz

Figura 10

6). S a se proiecteze un amplicator operat ional cascod a telescop cu urm atoarele specicat ii: GBW =53MHz, SR=50V/s, CL =4pF si VDD =-VSS =2V. Lungimea canalului tranzistoarelor cascod a este L=0,5m, iar pentru restul L=1m. Intrarea se face pe tranzistoare NMOS. a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a valoarea tensiunii de ie sire v arf la v arf diferent iale este 2V? b). Calculat i tensiunile de polarizare Vbiasn si Vcasn . c). Dimensionat i tranzistoarele din schem a.

In t

eg r

at e

19

An

60

alo g
fp1=50kHz fp2=1.2GHz GBW=50MHz A0=60dB

fp1 = GBW = 50kHz A0 gm6 fp2 = = 1, 2GHz 2Cp GBW = 50M Hz

ice

(62)

VDD

Vout M2a Vcasn M1a X M1b M2b

Ip

Vbiasn

VSS

Figura 11

a). Domeniul maxim de variat ie a semnalului la ie sire. Domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire trebuie ales astfel nc at tranzistoarele s a nu ajung a n regim liniar sau blocate. In consecint a, limitele de variat ie ale tensiunii de ie sire se pot scrie: M AX VDD Vout = VSD3 + VSD4 M AX Vout = VDD (Vod3 + V ) + (Vod4 + V ) M AX Vout = 1, 35V
M IN Vout VSS = VDS 1 + VDS 2 + VDS 5 V M IN = VSS + Vod1 + Vod2 + Vod5 + 3V out V M IN = 1, 1V out

Ci r cu ite

In t

Rezolvare: Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de polarizare M4 s i M5 si Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascod a M2 si M3 . Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 rezult a Vod = 150mV , dup a cum se va arat a la punctul c). Adit ional, tensiunea dren a-surs a a ec arui tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea VDS minim a admis a.

eg r

at e

M5

An
Im

alo g
CL

M3a

M3b

20

ice
(63)

M4a

M4b

Rezult a c a variat ia maxim a v arf la v arf a tensiunii de ie sire este:

M AX M IN Vout = Vout Vout = 1, 35 (1, 1) = 2, 45V

(64)

Pentru ca AO s a funct ioneze corect atunci c and este cascadat ntr-un lant de amplicatoare, tensiunile continue la intrare si ie sire trebuie s a e egale, Vin = Vout .

Pe de alt a parte, valoarea minim a a tensiunii de ie sire este:

M IN Vout VSS = VDS 1 + VDS 2 + VDS 5 + Vsemn M IN = 2 + (0, 15 + 0, 1) + (0, 2 + 0, 1) + (0, 25 + 0, 1) + 0, 5 = 0, 6V Vout

eg r

at e

M IN Vin VSS = VGS 1 + VDS 5 = (0, 15 + 0, 45) + (0, 25 + 0, 1) = 1, 05V

An

Limita inferioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la intrare trebuie s a permit a ca tranzistoarelor M1a -M1b si celui de polarizare al etajului diferent ial, M5 , s a e n regim saturat: (65)

alo g

Valoarea teoretic a v arf la v arf a tensiunii de ie sire suportate de circuit far a distorsiuni este 2,45V. Pentru aplicat ia noastr a consider am variat ia v arf la v arf a semnalului de ie sire de 1V , deci mai mic a dec at maximul admis. Not am amplitudinea semnalului la ie sire cu Vsemn =0,5V.

Ci r cu ite

Limita superioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la ie sire trebuie s a permit a funct ionarea tranzistoarelor M3b si M4b din oglinda de curent cascod a n regim saturat, chiar si atunci c and semnalul de ie sire atinge valoarea sa maxim a.

M AX VDD Vout + Vsemn = VSD3 + VSD4 M AX = 2 (0, 2 + 0, 1) (0, 25 + 0, 1) 0, 5 = 0, 85V Vout

In t

Pentru a aa valoarea minim a a tensiunii continue la intrare si ie sire, se ia cazul cel M IN M IN = Vout =-0,6V. mai defavorabil Vin

Teoretic, tensiunea continu a la ie sire poate aleas a oriunde ntre -0,6V si +0,85V. In practic a, variat ia optim a a semnalului la ie sire este obt inut a atunci c and tensiunea continu a la ie sire este aleas a la aproximativ jum atatea intervalului dintre limitele admise. Prin urmare, o posibil a valoare ar putea Vin = Vout =0V. b). Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai nt ai stabilite c aderile de tensiune dren a-surs a pe ecare tranzistor. Se porne ste cu a sezarea n tensiune a

21

ice

(66)

(67)

tranzistorului M5 . Tensiunea VDS 5 este condit ionat a de valoarea tensiunii continue la intrare, astfel: Vin VSS = VGS 1 + VDS 5 VDS 5 = 1, 4V

In cazul tranzistoarelor PMOS dispunem de 2V pe care s a-i mp art im ntre M3 si M4 . Din nou aloc am mai mult tranzistorului cascod a si vom avea VSD3 = 1, 5V si VSD4 = 0, 5V .

VDD=2V

eg r

at e

In Figura 12 sunt marcate tensiunile dren a-surs a si curent ii prin tranzistoare.

M4a

M4b

In t

M3a

M3b

Vout M2b CL 0,35V

M2a

Vcasn

Ci r cu ite

Ip

M1a

M1b

Im

M5 VSS=-2V
Figura 12

Vbiasn

Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:

22

An
0,5V 1,5V 1,4V

alo g
0,25V

Dac a Vin = Vout , atunci valoarea teoretic a calculat a a tensiunii instantanee la ie sire este limitat a de tensiunea gril a-surs a a tranzistorului de intrare si de tensiunea dren asurs a a lui M5 . Deoarece la M5 asigur am 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care r am an trebuie mp art it i ntre tranzistoarele M1 si M2 . Vom aloca mai mult spat iu n tensiune tranzistorului cascod a, deoarece tranzistorul care intr a primul n regim liniar este cel cascod a. Prin urmare, alegem VDS 1 = 0, 25V si VDS 2 = 0, 35V .

ice

(68)

c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial. Curentul I5 se obt ine din expresia SR-ului, astfel: SR = I5 CL

I5 = SR CL = 200A

An
VDS 0,25V 0,35V 1,5V 0,5V 1,4V

alo g

Vbiasn VSS = VGS 5

Vbiasn = 2 + (0, 45 + 0, 25) = 1, 3V

I1 = I2 = I3 = I4 = I5 /2 = 100A Pasul 2: Calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare. Din expresia lui GBW se poate calcula transconductant a Gm1 . GBW = Gm1 2CL Gm1 = gm1 = 2CL GBW = 1, 33mS

at e

Curentul prin cele dou a ramuri ale etajului diferent ial este egal cu jum atate din curentul dat de sursa implementat a cu M5 . (72)

eg r

Pe de alt a parte transconductant a tranzistorului M1 se scrie: gm1 = 2I1 Vod1 Vod1 = 2I1 = 150mV gm1 (74)

Pasul 3: Dimensionarea tranzistoarelor. Tip M 1a M 1b M 2a M 2b M 3a M 3b M 4a M 4b M5 ID 100A 100A 100A 100A 200A Vod 150mV 200mV 200mV 250mV 250mV

Ci r cu ite

Tabelul 6: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor

In t

23

ice

Vcasn VSS = VGS 2 + VDS 1 + VDS 5 Vcasn = 2 + (0, 45 + 0, 2) + (0, 15 + 0, 1) + 1, 4 = 0, 3V

(69)

(70)

(71)

(73)

Curent ii si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schem a sunt date n Tabelul 6. Conform acestor valori si folosind setul de referint a, se poate calcula raportul W/L pentru ecare tranzistor. M W L M1 26, 9 1 M2 7, 5 0, 5 M3 25, 3 0, 5 M4 32, 4 1 M5 19, 4 1

Tabelul 7: Valorile W/L a tranzistoarelor

VDD M3

Ip

M1 M4

eg r
VSS
Figura 13

Vcasp M6

In t

at e
M2 Im M5 Vout M7 CL M9

Vbiasp

7). S a se proiecteze un amplicator operat ional cascod a telescop cu urm atoarele specicat ii: GBW =50MHz, SR=50V /s, CL =4pF, CX =100fF si VDD =4V, VSS =0V. Lungimea canalului tranzistoarelor cascod a si a celor de intrare este L=0,5m, iar pentru restul L=1m. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS. a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a valoarea tensiunii de ie sire v arf la v arf diferent iale este 2V? b). Calculat i tensiunile de polarizare Vbiasp si Vcasp . c). Dimensionat i tranzistoarele din schem a.

Ci r cu ite

M8

24

An

alo g

ice

d). Estimat i marginea de faz a a amplicatorului, dac a se neglijeaz a efectul Miller pe tranzistoarele de intrare si perechea pol-zero introdus a de oglinda de curent M6 -M7 M8 -M9 . Rezolvare: Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de polarizare M3 si M8 -M9 si Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascod a M4 -M5 si M6 M7 . Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 rezult a Vod = 160mV , dup a cum se va arat a la punctul c). Adit ional, tensiunea dren a-surs a a ec arui tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea VDS minim a admis a. a). Domeniul maxim de variat ie a semnalului la ie sire. Domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este:

at e

M AX = VSD3 + VSD1 + VSD4 VDD Vout M AX Vout = VDD Vod3 Vod1 Vod5 3V M AX Vout = 3, 09
M IN = VDS 7 + VDS 9 Vout M IN Vout = Vod7 + Vod9 + 3V V outM IN = 0, 75V

An
(75) (76) (77)

Rezult a c a variat ia maxim a v arf la v arf a tensiunii de ie sire este:

M AX M IN Vout = Vout Vout = 3, 09 0, 75 = 2, 34V

Tensiunile continue la intrare si ie sire trebuie s a e egale, Vin = Vout . Limita inferioar aa domeniului de variat ie a tensiunii continue la ie sire trebuie s a permit a ca tranzistoarele M7 si M9 s a e n regim saturat:

Limita superioar a a domeniului de variat ie a tensiunii continue la ie sire trebuie s a permit a funct ionarea tranzistoarelor M3 , M2 si M5 n regim saturat, chiar si atunci c and semnalul de ie sire atinge valoarea sa maxim a.

Ci r cu ite

Valoarea teoretic a a tensiunii varf la varf de ie sire suportate de circuit far a distorsiuni este 2,34V. Pentru aplicat ia noastr a variat ia v arf la v arf a semnalului de ie sire este 1V, deci mai mica decat maximul admis. Notam amplitudinea semnalului la iesire cu Vsemn =0,5V.

M IN Vout = VDS 7 + VDS 9 + Vsemn = (0, 2 + 0, 1) + (0, 25 + 0, 1) + 0, 5 = 1, 15V

In t

eg r
25

alo g

ice

M AX + Vsemn = VSD3 + VSD2 + VSD5 VDD Vout

Pe de alt a parte, valoarea maxima a tensiunii continue la intrare este:

M AX = VSD3 + VSG2 VDD Vin

M AX Vin = 4 (0, 25 + 0, 1) (0, 45 + 0, 16) = 3, 04V

alo g

b). Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai nt ai stabilite c aderile de tensiune dren a-surs a pe ecare tranzistor. Se porne ste cu a sezarea n tensiune a tranzistorului M3 . Tensiunea VSD3 este condit ionat a de valoarea tensiunii de mod comun la intrare, astfel: VDD Vin = VSG1 + VSD3

eg r

at e

An

Teoretic, tensiunea continu a la ie sire poate aleas a oriunde ntre 1,15V si +3,04V. In practic a, variat ia optim a a semnalului la ie sire este obt inut a atunci c and tensiunea continu a de ie sire este aleas a la aproximativ jum atatea intervalului dintre limitele admise. O valoare ar putea Vin = Vout =2V.

VSD3 = 1, 39V

In cazul tranzistoarelor NMOS dispunem de 2V pe care s a-i mp art im ntre M7 s i M9 , astfel VDS 7 =1,5V si VDS 9 =0,5V. In Figura 14 sunt marcate tensiunile dren a-surs a si curent ii prin tranzistoare. Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:

Ci r cu ite

VDD Vcasp = VSG5 + VSD1 + VSD3 Vcasp = 4 (0, 45 + 0, 2) (0, 16 + 0, 1) + 1, 39 = 1, 7V

In t

Deoarece lui M3 i asigur am 1,39V, atunci restul de 0,6V care r am an trebuie mp art it i ntre tranzistoarele M2 si M5 . Alegem VSD2 =0,25V si VSD5 =0,35V.

VDD Vbiasp = VSG3

Vbiasp = 4 (0, 45 + 0, 25) = 3, 3V

26

ice

M AX Vout = 4 (0, 25 + 0, 1) (0, 16 + 0, 1) (0, 2 + 0, 1) 0, 5 = 2, 59V

(78)

(79)

(80)

(81)

(82)

VDD=4V M3 1,39V

M4 Vcasp M6

M5 Vout M7 CL

0,35V

M8 VSS=0V

M9

Figura 14

Curentul I5 se obt ine din expresia SR-ului, astfel:

In t

SR =

I3 CL

eg r

c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.

I3 = SR CL = 200A

at e

An
0,5V

1,5V

alo g
(83) (84) (85) (86)

Ip

M1

M2

Im

0,26V

Curentul prin cele dou a ramuri ale etajului diferent ial este egal cu jum atate din curentul dat de sursa implementat a cu M3 .

Pasul 2: Calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare. Gm1 2CL

Ci r cu ite

I1 = I2 = I4 = I5 = I6 = I7 = I8 = I9 = I3 /2 = 100A

GBW =

Gm1 = gm1 = 2CL GBW = 1, 25mS

Pe de alt a parte transconductant a tranzistorului M1 se scrie: gm1 = 2I1 Vod1 Vod1 = 160mV

Pasul 3: Dimensionarea tranzistoarelor.

27

ice

Vbiasp

Tabelul 8: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor

M W L

M1 M2 39, 5 0, 5

M3 64, 8 1

M4 M5 25, 3 0, 5

M6 M7 7, 5 0, 5

An

Curent ii si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schem a sunt date n Tabelul 8. Conform acestor valori si folosind setul de referint a, se poate calcula raportul W/L pentru ecare tranzistor.

Tabelul 9: Valorile W/L a tranzistoarelor

d). Pentru calculul marginii de faz a, trebuie n prealabil sa determinam frecvent ele singularit a tilor. vspace3mm

In t

Expresia marginii de faz a se scrie:

m = 180 arctan

Ci r cu ite

GBW fp1 = = 50kHz A0 gm5 fp2 = = 1, 6GHz 2CX GBW = 50M Hz

eg r

at e

alo g
M8 M9 9, 7 1

GBW GBW arctan = 180 89, 94 1, 79 = 88, 27 (88) fp1 fp2

28

ice
(87)

Tip M1 M2 M4 M5 M6 M7 M8 M9 M3

ID 100A 100A 100A 100A 200A

Vod 160mV 200mV 200mV 250mV 250mV

VDS 0,26V 0,35V 1,5V 0,5V 1,39V