MEMS - Proiect - 2

Proiectare MEMS-uri de RF:

Tehnologiile MEMS, datorit capacitii lor de a integra att dispozitive electronice
(2-D) ct i electromecanice (3-D), se pot utiliza foarte bine pentru realizarea circuitelor de
RF i la aplicaiile wireless. Circuitele MEMS de RF se caracterizeaz prin consum mic de
putere i band ngust. Prin combinarea tehnicilor de microprelucrare de suprafa, de
microprelucrare n volum i LIGA se pot realiza componente de RF cu zgomot foarte mic, de
calitate ridicat.
Dispozitivele tip MEMS de radiofrecven, fabricate prin microtehnologiile
specifice, se pot clasifica astfel:
De exemplu:
un element inductor obinut prin tehnologii cu siliciu de corodare n volum, cu
valoarea de 1 nH, are un factor de calitate msurat ntre 6 i 28, la frecvene ntre 6 i
18 GHz, n timp ce un element inductor realizat prin microtehnologii de suprafa de
2.3 nH are un factor de calitate Q de 25 la 8.4 GHz.
Un varactor de 2.05 pF, realizat prin microprelucrri de suprafa, are un factor de
calitate Q de 20 la o frecven de 1 GHz, pentru un domeniul de reglaj al capacitii de
1.5:1, cu o tensiune de reglaj de la 0 la 4 V, la o frecvena de rezonan proprie de 5
GHz.
Comutatoarele MEMS prezint rezisten serie mai mica de 1 , pierderi prin inserie
mai mici de 0.1 dB la 1 GHz, factor de izolare mai mare de 40 dB la 1 GHz, punct de
interceptatre de ordinul al treilea (IP3) mai mare de 66 dBm, tensiune de acionare
ntre 3 i 30 V i curent de control mai mic de 10 A.
Rezonatorii cu cavitate realizat prin microtehnologii au un factor de calitate Q
S
de
500 la 10 GHz, numai cu 3.8 % mai mic dect factorul de calitate n gol Q obinut la o
cavitate dreptunghiular cu dimensiuni identice.
Elemente pasive de
nalt calitate:
Inductori
Varactori
Linii de transmisie
Comutatoare
Rezonatori
Micro-tehnologii de fabricaie 3-D:
Microprelucrri n volum
Microprelucrri de suprafa
LIGA
MEMS-uri de RF - dispozitive integrate electronice i mecanice
Economie de spaiu / funcionalitti noi
Circuite / sisteme:
Oscilatoare
Mixere
Amplificatoare de putere
Defazori
Filtre
Matrici de comutaie
Antene inteligente
Transmitori
Rezonatorii microelectromecanici au factori de calitate Q
S
de 7450 la 92.5 MHz, n
timp ce rezonatorii acustici masivi cu strat subire (film bulk acoustic resonators,
FBARs) au Q
S
de peste 1000 la frecvene de rezonan ntre 1.5 i 7.5 GHz.
mbuntirile obinute prin corodarea n adncime a substratului n scopul eliminrii
semnalelor parazite la liniile de transmisie sunt remarcabile. De exemplu, s-au
mbuntit pierderile prin inserie: 7 dB la 7 GHz i de 20 dB la 20 GHz.
Duplexorul FBAR la 1900 MHz produs pe scar larg de Agilent pentru receptoarele
PCS (Personal Communications Services) permite reducerea dimensiunilor de cinci
ori fa de corespondentul su ceramic, i are performane comparabile.
Aplicarea tehnologiei MEMS n domeniul circuitelor de RF i microunde diversific
potenialul de proiectare i duce la nivele superioare de performan. Microtehnologiile cu
microprelucrri de suprafa i n volum i tehnologia LIGA (Lithographie, Galvanoformung,
und Abformung, sau litografie, electroplastie i matriare), precum i utilizarea materialelor cu
proprieti speciale ofer noi posibiliti de realizare a unor dispozive cu funcionalitate
deosebit i nivel de zgomot foarte redus. Problemele care rmn de rezolvat sunt legate de
perfecionarea metodologiilor de modelare i proiectare a acestor circuite multidisciplinare.
Elemente de circuit realizate prin microprelucrri (micromachned-enhanced elements)
Sunt elemente 3-D realizate prin microprelucrri de suprafa i n volum, cu structuri
specifice.
Rezonatori MEMS de RF
Rezonatorii sunt elemente cheie n realizarea filtrelor i a oscilatorilor, factorul lor de
calitate, Q, determinnd cantitatea de pierderi, respectiv zgomotul de faz.
1. Rezonatori planari de tip linie de transmisie
Pentru obinerea acestui tip de rezonatori se folosesc microtehnologi pentru realizarea
unei linii de transmisie /2 pe o membran dielectric suspendat subire de cca. 1.4 m.
Odat ce substratul de dedesubtul rezonatorului este corodat, pierderile dielectrice sunt
eliminate. Pentru ca rezonatorul s aib stabilitate mecanic, membrana este pus ntre dou
straturi care ecraneaz structura pentru a minimiza pierderile prin radiaie. Mediul rezonant
este aerul, iar dimensiunile structurii sunt ct de mari se poate pentru a avea pierderi ohmice
reduse. Un exemplu de astfel de rezonator are urmtorii parametri: lime - 800 m,
lumgimea liniei proiectat a.. s rezoneze la 28.7 GHz, factor de calitate n sarcin - 190 i n
gol - 460. Procesul de fabricaie este similar cu cel al unui condensator interdigital.
2. Rezonatori cu cavitate rezonant
Rezonatoarele cu cavitate rezonant n banda X realizate prin microtehnologii sunt
potrivite pentru integrare n contextul unui proces de fabricaie planar din tehnologia
micrmicroundelor. Un exemplu de astfel de cavitate a fost realizat prin corodarea parial de
volum a unei pastile, apoi prin metalizarea prii de jos a cavitii obinute. Pentru nchiderea
cavitii s-a folosit o alt pastil cu canale de cuplaj corespunztoare. Factorul de calitate este
de 506 pentru astfel de cavitate cu dimensiunile de 16 x 32 x 0.465 mm, doar cu 3.8 % mai
mic dect factorul de calitate n gol al unei caviti dreptunghiulare cu dimensiuni identice.
Una din principalele limitri care mpiedic obinerea unui factor de calitate ridicat o
constituie volumul mic al cavitii. De aceea se caut soluii pentru construirea de caviti mai
mari, cu care se ajunge la un factor de calitate de circa 2000. O metod este folosirea a cinci
pastile, corodate pe ambele pri n baie de KOH care se aliniaz apoi i se face legtura ntre
ele, plasndu-le pe o pastil necorodat cu rol de suport. Ansamblul este apoi metalizat n
dou etape: mai nti se depune un start conductor de Au prin electroliz, care ader foarte
bine, apoi se depune Cu electrolitic pn la 25 m grosime. Cavitatea este prezentat n figura
de mai jos.
Fig. Cavitate rezonant la 30 GHz, obinut prin microtehnologii de prelucrare n
volum a siliciului (lungime c = 5 mm); (a) schema; (b) cavitatea rezonant (sursa: [6])
3. Rezonatori micromecanici
Prezint un factor de calitate Q
S
foarte mare. Variante de astfel de rezonatori sunt:
- rezonatorul nchis-nchis (clamped-clamped resonator) are o frecven de rezonan n jur
de 8 MHz. Are constanta de oscilaie crescut, care ii permite un domeniu dinamic mare i
puteri mari. Din pcate prezint pierderi ele energiei cmpului n substrat.
- rezonatorul deschis-deschis (free-free resonator), gndit pentru a scpa de dezavantajele
rezonatorului precedent, are frecvena de rezonan de pn la 92 MHz. La acest rezonator
braul oscilant este suspendat cu ajutorul a patru brae rsucite, prinse fiecare rigid de substrat,
care pot oscila pe sfert de lungime de und (/4) i deci prezint o mare impedan acustic n
punctele de contact cu braul oscilant rezonator. Aceasta nseamn ca foarte puina energie
acustic se disperseaz ctre substratul suport, ceea ce face ca factorul de calitate s fie mare
(mai mare cu un ordin de mrime fat de rezonatorul precedent).
Fig. (a) Rezonatorul deschis-deschis; (b) vedere de sus.
Fig. (a) Rezonatorul deschis-deschis; (b) vedere de sus.

Dezavantajul acestor dou tipuri de oscilatoare const n faptul c, odat cu creterea
frecvenei de rezonan (spre 92 MHz) dimensiunile scad drastic i se realizeaz greu. De
aceea a fost conceput urmtorul tip de rezonator.
- rezonatorul cu disc contur (contour-mode disk resonator) atinge frecvene de rezonan de
pn la 156 MHz i factori de calitate de 9400. A fost realizat pentru a avea frecvene de
rezonan mari, la dimensiuni relativ mari n comparaie cu primele dou tipuri de rezonatori.
Un exemplu de astfel de rezonator este redat n figura de mai jos. Dimensiunile sunt redate n
figur, spaiul pentru excitator de 1000 i o tensiune de polarizare e 35 V.
Fig. Rezonator cu disc contur (sursa: [7]).
3.1. Rezonatorul nchis-nchis (clamped-clamped resonator)
Rezonatorul const dintr-un bra oscilant prins la ambele capete, plasat deasupra electrodului
inferior. Braul are dimensiunile: lungimea - L
r
, limea - W
r
, grosimea - h i este confecionat
dintr-un material elastic cu modulul de elasticitate E i densitatea . Electrodul de jos are
limea W
e
i este separat de braul oscilant printr-un spaiu liber cu limea d.
Fig. Rezonatorul microelectromecanic nchis-nchis cu bra oscilant, ntr-o
configuraie dat de excitare i polarizare. Fora f
c
reprezint fora excitativ (sursa
[8]).
fora f
c
locaia l
c
d
Q ~ 10 000
electrod
bra oscilant
n timpul funcionrii se aplic o tensiune continu V
P
i o tensiune alternativ v
i
pe
condensatorul definit de aria de suprapunere dintre braul oscilant i electrodul de jos, cu
capacitatea:
0
r e
WW
C
d
, (la echilibru: 0 0
0
r e
WW
C
d

). (1)
Fora electrostatic indus n braul oscilant rezonator, f
c
, va fi:
c P i
C
f V v
x

, (2)
care l face s vibreze vertical, cu deplasamentul x
c
. Derivata / C x reprezint modificarea
capacitii electrod-rezonator pe unitatea de deplasament a rezonatorului i este dat de:
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
2 2
1 1
2
0 mod
3
mod
'
' '
'
e e
e e
L L
r
re
r L L
W X y
k C
dy dy
x k y X y
d y d y

]

. (3)
Se poate folosi aproximaia: 0 2
0
r e
WW C
x d

;
.
unde d
0
reprezint limea spaiului rezonator-electrod n lipsa polarizrii electrice.
Cnd frecvena semnalului alternativ aplicat atinge valoarea frecvenei de rezonan a
rezonatorului mecanic, amplitudinea de vibraie a braului oscilant este:
c
P i
re re
Q f Q C
X V v
j k j k x



,
unde Q este factorul de calitate al rezonatorului.
Deplasarea braului oscilant ca urmare a tensiunii v
i
aplicate induce un curent capacitiv dat de:
2
2
0 x P P i
r
C x Q C
i V V v
x t k x

_



,
(4)
care este maxim cnd frecvena de excitaie este apropiat de frecvena de rezonan mecanic
a braului oscilant, dat de:
, 2
1.03
r nom
r
E h
f
L

, (5)
unde este un factor de scalare care modeleaz efectele topografiei suprafeei (de ex. modul
de ancorare al braului i elasticitatea finit corespunztoare). n general, frecvena de
rezonan a rezonatorului cu bra rezonant nchis-nchis este o derivat a formulei precedente
i depinde de tensiunea de polarizare V
P
, care induce o constanta de oscilaie dinamic
(dynamic stiffness) k
e
, care se scade din constanta de oscilaie fr polarizare (unbiased stiffness)
k
m
. Aceast dependen este luat n consideraie fenomenologic exprimnd frecvena de
rezonan cu ajutorul relaiei:
( )
0 , ,
1 1 ,
e
r nom r nom P
m
k
f f f g d V
k

, (6)
unde g modeleaz efectul de inducere a oscilaiilor determinate de semnalul electric.
Constanta k
m
corespunde oscilaiilor mecanice transversale n braul rezonant i se calculeaz
cu formula:
( ) ( ) ( )
2
2
m nom r
k y f m y . (7)
Pentru verificare al ordinului de mrime pentru k
m
se folosete formula:
r
m
r
G W h
k
L

,
unde G reprezint modulul de forfecare al materialului din care e fcut braul rezonant, W
r
h
este aria seciunii transversale a braului rezonant i L
r
lungimea acestuia.
Figura de mai jos indic dependena frecvenei de rezonan msurate de tensiunea V
P
.
Fig. Frecvena de rezonan msurat funcie de tensiunea continu de polarizare V
P
,
n cazul unui rezonator MEM cu bra oscilant nchis-nchis, cu straturi paralele (sursa
[8]).
Frecvena de rezonan depinde deci de tensiunea continu aplicat, V
P
.
Masa echivalenta a rezonatorului la nivelul coordonatei y de-a lungul lungimii sale
este dat de raportul dintre energia cinetic maxim i ptratul vitezei de oscilaie mprit la
2, ambele considerate la coordonata y (a se vedea figura de mai jos):
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
2
mod
0
2 2
mod
' '
/ 2
r
L
r
tot
r
W h X y dy
KE
m y
v y X y
1
]

1
]

, (8)
unde ( )
mod
X y
reprezint unda mecanic pe modul fundamental:
( ) ( ) ( )
mod
cos ch sin sh X y ky ky ky ky +
, (9)
cu constanta de propagare k = 4.730/L
r
i = -1.101781.
mod
( ) X y
este adimensional;
numeric este proporional cu
( ) v y
. n mod asemntor, constanta de oscilaie elastic
echivalent (equivalent spring stiffness) va fi:
( ) ( )
2
0 r r
k y m y
, (10)
unde
0
este frecvena unghiular de rezonan mecanic a braului oscilant, n radiani.
Fig. Seciune transversal prin rezonator reprezentat schematic (sursa [8]).
Factorul de atenuare echivalent va fi dat de:
bra oscilant,
prins la ambele capete
electrod
( )
( ) ( )
m r
r
nom
k y m y
c y
Q

. (11)
Mrimile ( )
r
m y
i ( )
r
c y
reprezint parametrii mecanici ai rezonatorului nepolarizat. Pentru
a obine caracteristicile rezonatorului polarizat trebuie determinat funcia g, cu ajutorul
creia se calculeaz constanta de oscilaie indus electric. Constanta de oscilaie indusa
electric k
e
este determinat pe baza dependenei neliniare a capacitii dintre braul oscilant i
electrod ( )
n
C x
de deplasamentul x.
Derivata constantei de oscilaie k
e
este dat de:
( )
( ) ( )
2 0
3
'
'
'
r
e P
W dy
dk y V
d y

, (12)
unde s-a notat cu ( ) ' d y
spaiul dintre braul oscilant i electrod existent la aplicarea tensiunii
de polarizare V
P
. Dac se presupune c deformaia braului oscilant rezultat n urma
polarizrii este identic cu modul fundamental de oscilaie, acest spaiu se poate aproxima:
( )
( ) ( ) ( )
( )
( )
2
1
2
0 0 2
'
1 1
'
2
e
e
L
static
P r
static L
m
X y
d y d V W dy
X y
k y d y

, (13)
unde d
0
reprezint spaiul dintre braul oscilant i electrod la
0
P
V
. Distanele L
e1
i L
e2
reprezint coordonatele marginilor electrodului inferior (a se vedea figura precedent).
Ecuaia precedenta se rezolv iterativ, pornind de la ( )
0
d y d
n membrul drept i pn la
gsirea soluiei (pn se atinge convergena). n final, cantitatea ( ) ,
P
g d V
care modeleaz
efectul de oscilaie indus electric este dat de:
( )
( )
( )
1
2
'
,
'
e
Le
e
P
m L
dk y
g d V
k y

(14)
n acelai timp se poate scrie:
2 2 2
nom r
g L
E

;
3
12
r
r
W h
I

;
( ) 2 1
E
G

+
,
unde
2
nom nom
f
este frecvena unghiular nominal a rezonatorului fr tensiunea
continu V
P
aplicat; I
r
este momentul de inerie; G i reprezint modulul de forfecare,
respectiv coeficientul Poisson al materialului din care este realizat braul oscilant.
Un bra oscilant rezonator excitat prezint un rspuns neliniar datorit: naturii
neliniare a capacitii spaiului liber rezonator - electrod i neliniaritii materialului datorate
violrii legii lui Hooke. De aceea deplasamentul va fi maxim la rezonan. La rezonan,
deplasamentul ntr-un punct y de-a lungul braului oscilant este de Q ori mai mare dect
deplasamentul cnd nu avem rezonan. Acest deplasament maxim va fi:
( )
( ) ( )
c
P i
ef ef
QF Q C
x y V v
k y k y x

, (15)
unde ( )
ef
k y
reprezint constanta de oscilaie efectiv (effective stiffness) la coordonata y, dat
de:
( )
( ) ( )
( )
( )
2
1
1
2
mod
0
mod
1 1
'
' ' '
e
e
L
ef
r e L
X y
d
k y dy
d y k y W X y

1
1
1

1
1
1
]
]

. (16)
Viteza undei transversale n braul oscilant va fi:
/
c
tr
re r
f
v
m L

. (17)
Exemplu numeric de caracteristici ale unui astfel de rezonator MEM: lime - 8 m;
lungime - 40.8 m; grosime - 1.98 m; modul Young, E = 150 GPa; densitate masic, =
2300 kg/m
3
; spaiu bra oscilant - electrod - 1300 ; tensiune alternativ de polarizare, v
i
= 3
mV. Rezonatorul va avea o amplitudine de vibraie de 49 n centru braului oscilant. n
figura de mai jos este reprezentat caracteristica de transmisie (caracteristica amplitudine -
frecven) a rezonatorului nchis - nchis.

Fig. Caracteristica amplitudine - frecven pentru un rezonatot MEM cu polisiliciu i
f
0
= 8.5 MHz, msurat la o presiune de 70 mTorr, care are o tensiune de polarizare
continu V
P
= 10 V, o tensiune alternativ de excitaie v
i
= 3 mV i un amplificator
transrezisten cu un ctig de 33 k. Amplitudinea este v
0
/v
i
(sursa [8]).
Circuitul echivalent al rezonatorului MEM se obine prin analogie mecanic.
Echivalena dintre mrimile electrice i mecanice este dat n tabelul de mai jos. n acest sens
se pot exploata tehnicile CAD de proiectare a circuitelor de RF i microunde convenionale.
Variabile mecanice Variabile electrice
Atenuarea, c [kg/s]
constanta de oscilaie
-1
(stiffness
-1
), k
-1
[kg/s
2
=N/m]
Masa, m [kg]
Fora, f [N=kgm/s
2
]
Viteza, v [m/s]
Rezistena, R []
Capacitatea, C [F]
Inductana, L [H]
Tensiunea, V [V]
Curentul, I [A]
Tab. Echivalena dintre mrimile electrice i mecanice la modelarea rezonatorului MEM.
Circuitul electric echivalent de semnal mic al rezonatorului MEM este redat n figura
de mai jos.
Fig. Circuitul echivalent al rezonatorului MEM nchis-nchis (sursa [8]).
Rezonatorul este modelat de un circuit RLC cu miez, legtura dintre excitaia electric
v
i
i fora extern f
c
fiind dat de relaiile precedente. Parametrii circuitului echivalent sunt:
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
2 2
1 1
2
0 mod
3
mod
'
' '
'
e e
e e
L L
r
re
e P P
r L L
W X y
k C
V V dy dy
x k y X y
d y d y

]

(18)
( )
r
c
re
k y
k
, pentru
c
y l
, (19)
unde
e
modeleaz transformarea tensiunii de intrare n micare mecanic i
c
modeleaz
transformarea impedanei mecanice realizat de cuplajul mecanic cu braul oscilant ntr-un
punct aflat la distana l
c
de captul fix.
Circuitul echivalent precedent poate fi transformat ntr-un circuit RLC serie cu
urmtorii parametri:
2
re
x
e
m
L

;
2
e
x
re
C
k

;
2
re re
x
e
k m
R
Q

(20)
Rezistena R
x
se mai poate scrie:
2
re
x
e
c
R

,
unde constanta de atenuare este:
0
( )
( )
r
r
m y
c y
Q

, cu ( ) 1 ,
nom P
Q Q g d V . (21), (22)
(
0 re
re
m
c
Q

- constanta de atenuare echivalent)

Factorul de calitate este evident funcie de elasticitatea dinamic i deci funcie de tensiunea
de polarizare V
P
. Masa echivalent n centru electrozilor, m
re
, se calculeaz ca:
2
r
re r
L
m m
_

,
. La fel i
2
r
re r
L
k k
_

,
. La fel i
( )
0
/ 2
2
r r
r
re r
m L
L
c c
Q

_


,
.
Un set de parametri ai unui rezonator nchis-nchis real este dat n tabelul de mai jos:
Modul de fabricare al unui rezonator MEM nchis-nchis se bazeaz pe
microprelucrri de suprafa a polisiliciului (Si policristalin). Schema structurii este redat n
figura de mai jos. Substrat este de siliciu, pe care sunt depuse straturi de oxid i de nitrid;
startul de sacrificiu este din SiO
2
; stratul structural este din polisiliciu. La nceput se depun un
straturi de oxid izolator i de nitrid pe o pastil de siliciu. Apoi se depune un strat de 3000
de polisiliciu dopat cu fosfor, urmnd tehnicile folosite n procesele IC convenionale (ca la
circuitele integrate). Polisiliciul astfel depus este corodat pentru a forma capetele de prindere
ale braului oscilant, electrodul i interconexiunile. Apoi este depus un strat de sacrificiu de
1300 din dioxid de siliciu prin LPCVD i este modelat la forma necesar prin corodare. Se
obine seciunea tranversal prin dispozitiv redat n partea (a) a figurii de mai jos. Apoi se
depune un strat structural de polisiliciu prin LPCVD la 585
0
C i dopat cu ajutorul unui gaz de
dopaj POCL
3
. Acest strat este bine acoperit de un strat de SiO
2
, depus prin LPCVD, de 5000
care are un rol dublu: s serveasc ca barier de difuzie a dopantului n timpul dopjului de 1
or la 1050
0
C i s serveasc ca masc n timpul modelrii stratului structural de polisiliciu
prin corodare pe baz de clorine n plasm de nalt densitate (RIE). Se obine seciunea
tranversal prin dispozitiv redat n partea (b) a figurii de mai jos. Ultimii pai se fac pentru a
elibera braul oscilant. Se scufund dispozitivul ntr-o soluie de HF care corodeaz
preferenial stratul de sacrificiu de oxid de deasupra stratului structural de polisiliciu.
Dispozitivul astfel realizat se cur apoi pentru ndeprtarea reziduurilor de corodant din
spaiul dintre braul oscilant i electrod. Pentru aceasta se scufund n soluie de curat de
H
2
SO
4
i H
2
O
2
(numit corodant pirania, piranha etch) timp de 10 minute i se mai cur i cu
CO
2
.
Fig. Etapele de realizare a rezonatorului MEM: (a) electrodul de polisiliciu i stratul de
interconectare de sub oxidul din stratul de sacrificiu de 1300 ; (b) straturile subiri necesare
i mtile de care este nevoie n timpul formrii rezonatorului prin corodare cu ioni reactivi
(RIE); (c) braul oscilant care rezult, de sine stttor, n urma corodrii n acid hidrofluoric
(HF) (sursa [8]).
Fig. Rezonator MEMS nchis-nchis realizat prin microprelucrri de suprafa, cu
frecvena de rezonan de 10 MHz, cu bra oscilant din polisiliciu.
4. Rezonatori cu und acustic (Film Bulk Acoustic Wave Resonators)
Frecvena de rezonan maxim a celorlaltor tipuri de rezonatori MEM este de circa
200 MHz. n practic sunt necesari rezonatori cu frecvene de rezonan mai mari. Astfel au
aprut rezonatorii cu und acustic, care au frecvenele de rezonan n intervalul 0.5 6
GHz. Acetia sunt compatibili cu procesul de fabricaie al IC i al MEMS-urilor i prezint
factori de calitate Q
S
i frecvene de rezonan mari. n plus, deoarece undele acustice au
lungimi de und cu circa cinci ordine de mrime mai mici dect undele electromagnetice, se
realizeaz o reducere semnificaiv a dimensiunilor la implementarea filtrelor. Dou tipuri de
rezonatori cu und acustic sunt redai n figura de mai jos. n partea (a) a figurii este
reprezentat un tip de rezonatori cu membran, care au factorul de calitate Q
S
mai mare de
1000 i frecvenele de rezonan n domeniul 1.5 7.5 GHz. n partea (b) a figurii este
reprezentat un tip de rezonatori cu montur solid, care au factorul de calitate Q
S
similar n
domeniul frecvenelor de rezonan de 1.5 7.5 GHz.
Fig. Reprezentare schematic a rezonatorilor cu und acustic: (a) rezonator cu
membran; (b) rezonator cu montur solid (sursa [9]).
Rezonatorii cu und acustic sunt structurai n principiu ca i caviti rezonante
acustice. Unda care vibreaz ntre pereii separai de o distan /2 este o und acustic, pereii
cavitii (care servesc de asemenea i ca electrozi) reprezint discontinuiti ale impedanei
acustice. Mediul care umple cavitatea este un material piezoelectric (nitridul de aluminiu,
aluminium nitride AlN - pentru care corespund i valorile numerice din exemplele de mai jos,
ZnO, PZT, CdS, LiNiO
3
, LiTaO
3
sau, mai recent folosite: Mg
x
Zn
1-x
O, langasite LGS.).
Structura apare ca un condensator umplut cu material piezoelectric. Excitarea undei acustice
are loc la aplicarea unei tensiuni alternative pe acest condensator, care face ca materialul
piezoelectric s expandeze, respectiv s se contracte periodic, transformnd energia cmpului
electric n energie mecanic i invers (a se vedea figura de mai jos).
Fig. Propagarea undei acustice n stratul piezoelectric cu grosime multiplu de /2.
Raportul dintre energia stocat n cmpul electric U
E
i energia cmpului acustic U
M
se numete constanta de cuplaj piezoelectric a materialului i este dat de:
2
2 E
E S
M
U e
K
U c

, (23)
unde e este constanta piezoelectric (piezoelectric constant) care leag constricia materialului de
inducia electric indus,
E
c [N/m
2
] reprezint rigiditatea materialului (material stiffness)
msurat n cmp electric constant (care leag cauza de efect n legea lui Hooke) i
S
este
permitivitatea (msurat la tensiune mecanic constant). n general, aceste mrimi sunt
tensori, deci valorile care se folosesc n relaia precedent se refer la o direcie preferenial.
Direcia de interes depinde de normala la electrozi dup care este aplicat cmpul electric i de
orientarea cristalului piezoelectric. Vom avea dou moduri de excitaie: excitaie dup
grosime (thickness excitation, mod TE), n care direcia cmpului electric aplicat i a undei
acustice excitate coincid i excitaie dup lime (lateral thickness excitation, mod LTE), n
care acestea sunt perpendiculare. Modul TE este caracterizat de relaia precedent, n timp ce
modul LTE este caracterizat cu ajutorul constantei de cuplaj electromecanic, dat de:
2
2
2
1
t
K
k
K

+
. (24)
Comportamentul rezonatorului este caracterizat de impedana sa, care include att
comportamentul piezoelectric ct i cel din domeniul microundelor, dat de:
( )
2
0
/ 2
1
1
/ 2
in t
tg kd
Z k
j C kd
_


,
, (25)
unde este frecvena unghiular; C
0
este capacitatea ntre plcile paralele ale rezonatorului,
dat de:
0
0
r
A
C
d

, (26)
k este numrul de und acustic:
a
k
v

, cu /
E
a
v c unde c
E
reprezint rigiditatea
materialului (material stiffness) i densitatea. (27)
Impedana de intrare devine infinit, reprezentnd o rezonan paralel sau o anti-
rezonan, cnd
2 2
kd
, (28)
ceea ce are loc la o frecven
p
, dat de:
a
p
v
N
d

, N 1, 3, 5, ... (29)
n mod similar, rezonana serie are loc cnd impedana este nul. Aceasta se ntmpl
cnd:
( )
2
/ 2
1
/ 2
t
tg kd
k
kd
. (30)
Aceasta este o ecuaie transcedental care, n general, nu are o form nchis a soluiei. Pentru
constante de cuplaj k
t
mici, se obine o expresie aproximativ care leag frecvenele de
rezonan serie
s
de frecvena de rezonan paralel:
( )
2
2
4
p s
t
p
k
N

, N 1, 3, 5, ... (31)
Circuitul echivalent pentru un rezonator intrinsec se numete circuit echivalent
Butterworth-Van Dyke (BVD), redat n figura de mai jos:
Fig. Circuitul echivalent BVD al unui rezonator ideal cu und acustic (sursa [10]).
Capacitatea C
0
este capacitatea ntre plcile paralele ale rezonatorului, iar L
m
i C
m
determin frecvenele de rezonan serie, respectiv paralel:
1
s
m m
L C

(32)
0
1
1
m
p
m m
C
C L C
+
. (33)
Legtura dintre circuit i modelul sau echivalent este dat de:
2
2
0
8
( )
m t
C k
C N

i
2
2 2
0
( )
8
m
s t
N
L
C k

;
. (34)
n practic, factorul de calitate al rezonatorului este finit, deci trebuie considerate
efectele de pierderi. Acestea se manifest prin atenuarea acustic n straturile metalice i prin
pierderi ohmice i sunt reprezentate printr-o constant de propagare complex:
$
r i
k k jk + , (35)
unde partea real, respectiv partea imaginar sunt:

r
a
k
v

respectiv

2
2
i
a a
k
v v

_


,
, (36), (37)
unde reprezint vscozitatea acustic i densitatea materialului piezoelectric. n circuitul
echivalent, aceste pierderi sunt reprezentate de rezistena R
m
, care are expresia:
2
2
0
( ) 1
8
m E E
t m m s s
N
R
C k c C c C Q

, (38)
unde este coeficientul de vscozitate al materialului.
Dac se iau n consideraie pierderile rezistive n terminale, modelate de R
serie
i n
condensatorul dintre plcile paralele ale rezonatorului, modelate de G
unt
, atunci circuitul
echivalent real al rezonatorului este cel din figura de mai jos:
Fig. Circuitul echivalent al rezonatorului real.
Un exemplu de valori ale parametrilor circuitului echivalent ai unui rezonator cu und
acustic cu frecvena de rezonan ntre 1.7 i 2.1 GHz: C
p
= 1.8 pF; G
unt
= 1.18 S; R
serie
=
1.02 ; L
m
= 79.4 nH; C
m
= 81 fF; R
m
= 0.65 ; = 3300 kg/m
3
,
r
= 8.9.
Folosind expresia factorului de calitate (serie) al unui circuit RLC serie:
E
s m
s
m s
L c
Q
R

, se obine:
2
a
s
v
Q

. (39)
Parametrii fizici ai rezonatorului pot fi dedui din parametrii de circuit i se obin
printr-o corelare a unei curbe cu datele msurate, dac se cunosc: densitatea materialului - ,
permitivitatea sa electric -
r
i aria sa - A, dup cum urmeaz:
2
0
8
m
t
C
k
C

(40)
3 2
0
3
8
m s r t
a
L A k
v

(41)
2 E
a
c v (42)
2 2
0
2
8
m r t a
R k A v
d

. (43)
n mod normal este imposibil s se prevad valorile parametrilor dependeni de proces
cum ar fi acetia, pn ce procesul de fabricaie nu este definitivat. Astfel, informaiile legate
de circuitul echivalent, derivate din potrivirea curbelor cu datele obinute pentru dispozitivele
experimentale, sunt de obicei folosite pentru elucidarea acestor parametri fundamentali ai
rezonatorului.
Teme de proiect:
1. Rezonatorul nchis-nchis
Date de proiectare (exemplu):
- f
0
frecvena de rezonan pe care ne propunem s o realizm cu rezonatorul cu
dimensiunile propuse n datele de proiectare; f
0
= 8 MHz
- Q
nom
- factorul de calitate nominal care se realizeaz cu rezonatorul cu dimensiunile
propuse; Q
nom
= 7800
- B - banda; se ia din grafic, funcie de f
0
; B = 18 kHz
- se adopt polarizarea: v
i
= 3 mV; V
P
= 10 V
- se dau dimensiunile geometrice propuse pentru rezonator, care se vor ajusta ulterior pentru
a se obine f
0
dorit:
d
0
- spaiul bra oscilant - electrod, la echilibru (fr polarizare); d
0
= 1300
W
r
- limea braului oscilant; W
r
= 8 m
h - grosimea braului oscilant; h = 1.98 m
W
e
- limea electrodului; W
e
= 10 m
- se adopt - factor de scalare care modeleaz efectele topografiei suprafeei (de ex. modul
de ancorare al braului i elasticitatea finit corespunztoare); = 0.87915
Constante folosite:
- c - viteza luminii n spaiul liber;
- E - modulul de elasticitate al materialului din care este fcut braul oscilant (polisiliciu) - se
ia de pe Internet
- - densitatea polisiliciului - se ia de pe Internet
-
0
- permitivitatea vidului - se ia de pe Internet
- constantele din expresia lui ( )
mod
X y
care reprezint unda mecanic pe modul
fundamental:
= -1.101781
k - constanta de propagare; k = 4.730/L
r

Cerine:
- L
r
- lungimea braului oscilant;
- k
e
- constanta de oscilaie dinamic sau constanta de oscilaie indus electric;
-
, r nom
f
- frecvena de rezonan nominal; f
0
real, care se obine cu rezonatorul cu
dimensiunile propuse;
- ajustarea dimensional a elementelor rezonatorului (L
r
, d
0
, eventual W
e
) pentru obinerea
unei frecvene de rezonan reale, f
0
real, cat mai apropiat de frecvena de rezonan propus
iniial, f
0
;
- elementele circuitului echivalent: C
0
,
e
, c
re
, k
re
, m
re
,
c
, f
c
;
- elementele circuitului RLC serie n care poate fi transformat circuitul echivalent precedent:
R
x
, L
x
, C
x
.
Proiectul trebuie s conin i verificarea la unitile de msur.
Indicaii:
- Se alege mai nti geometria potrivit a rezonatorului. L
r
se adopt a. . s fie un multiplu de
/4, n micrometri: ( )
6
4...7 10
4
r
L


m, iar raportul lungime / lime al braului oscilant s fie
rezonabil (4 ... 7).
- Se calculeaz
, r nom
f
din relaia (5).
- Se determin factorul g, care modeleaz efectul de inducere a oscilaiilor determinate de
semnalul electric, cu ajutorul relaiei (14), n care d(y) va fi dat de (13). n relaia (13), pentru
prima iteraie se ia d(y') de la numitor ca d
0
, unde L
e1
, respectiv L
e1
reprezint capetele
electrodului pe axa Oy:
1
2
r e
e
L W
L

, respectiv
1
2
r e
e
L W
L
+
. Constanta elastic k
m
(y) se
calculeaz cu relaia (7).
- Se determin frecvena de oscilaie real, obinut cu rezonatorul astfel dimensionat, cu
relaia (6). Se face ajustarea dimensional a rezonatorului, modificndu-se L
r
, d
0
(1000 ...
2000 ), h (1.89 ... 2.6 m), eventual W
e
(10 ... 20 m) pn se obine g < 1 si f
0, real
ct mai
apropiat de f
0
dat iniial. Se consider factorul de calitate nominal cel dat iniial (propus) i se
determin Q real la care se ajunge cu rezonatorul proiectat, folosind relaia (22).
- Se calculeaz viteza undei transversale in braul oscilant, cu (17).
- Se calculeaz k
e
.
- Se determin elementele circuitului echivalent:
C
0
( din relaia (1));

e
(din relaia (18), unde k
r
(y) e calculeaz cu relaia (10); k
re
se ia
( / 2)
r r
k L
);
m
re
se ia
( / 2)
r r
m L
;
c
re
(folosind c
r
(y) dat de relaia (11) sau (21));

c
, va fi dat de (19), unde l
c
se consider L
r
/2 ;
f
c
va fi dat de relaiile (2) i (3).
- Se calculeaz elementele circuitului RLC serie, R
x
, L
x
, C
x
, folosind (20).

2. Rezonatori cu und acustic
Date de proiectare:
- f
0
frecvena de rezonan pe care ne propunem s o realizm cu rezonantorul cu
dimensiunile propuse n datele de proiectare; f
0
= 1.7 ...2.1 GHz
- Q
S
- factorul de calitate care se va realiza cu rezonatorul cu dimensiunile propuse; Q
S
>
1000
- se adopt materialul piezoelectric folosit: AlN, ZnO sau PZT i se iau de pe Internet
mrimile fizice caracteristice necesare:
[kg/m
3
] - densitatea,
c
E
[N/m
2
] - rigiditatea (material stiffness) msurat n cmp electric constant,
e [C/m
2
] - constanta piezoelectric,

S
[F/m] =
S
r

0
- permitivitatea electric la tensiune mecanic constant
- se dau dimensiunile geometrice propuse pentru rezonator:
d - grosimea stratului piezoelectric = distanta dintre peretii cavitatii (sau electrozi) - se
ia multiplu de /2, n intervalul 750 ... 1000 nm
A - aria stratului piezoelectric; A = 30 ... 50 m x 80 ... 120 m
Constante folosite:
- c - viteza luminii n spaiul liber;
-
0
- permitivitatea vidului - se ia de pe Internet
Cerine:
- frecventele de rezonan paralel i serie (primele 10), f
p i
, f
s,i

- elementele circuitului echivalent: C
0
, L
m
, C
m
, R
m
, C
p
, G
sunt
, R
serie
- parametrii fizici ai rezonatorului astfel obinut: k
t
real, v
a
real, E real, real; se ajusteaz
valorile dimensiunilor geometrice i a factorului de calitate pn la obinerea de valori
apropiate de cele calculate iniial.
Proiectul trebuie s conin i verificarea la unitile de msur.
Indicaii:
- se iau de pe Internet mrimile fizice caracteristice necesare pentru materialul piezoelectric
folosit;
- se calculeaz grosimea stratului piezoelectric, d, ca un multiplu ntreg de /2, n intervalul
750 ... 1000 nm (iniial mai mic, se va ajusta ulterior); ex.: ( )
5
10 2 / 4

d
- se calculeaz impedana rezonatorului, Z
in
, cu relaia (25), apoi frecvenele de rezonan
paralel i serie, cu formulele (29), respectiv (31);
- se ajusteaz dimensional rezonatorul (prin modificarea lui d i A) pn cnd frecvenele de
rezonan fundamentale se apropie de f
0
propus iniial
- se calculeaz elementele circuitului echivalent, C
0
, L
m
, C
m
, R
m
, cu formulele (32-34),
respectiv (38);
- se calculeaz parametrii fizici reali ai rezonatorului astfel obinut, cu formulele (40)-(43) i
se ajusteaz valorile dimensiunilor geometrice (d, A) i a factorului de calitate pn la
obinerea de valori apropiate de cele calculate iniial. Se are n vedere pstrarea valorilor
frecvenelor de rezonan fundamentale n apropierea lui f
0
.

Bibliografie:
[1] MEMS Fabrication Process, Introduction to MEMS and micromachining process,
http://knol.google.com/k/hani-hisham-tawfik/mems-fabrication-process/2ufdlj2yc019u/3?
version=44#
[2] Hector J. De Los Santos, RF MEMS Circuit Design for Wireless Communications, EMS,
Microelectromechanical Systems Series, Artech House Microelectromechanical, Boston,
London, 2002, ISBN 1-58053-329-9.
[3] Muller, A., et al., .Dielectric and Semiconductor Membranes As Support For Microwave
Circuits,. Mediterranean Electrotechnical Conf., MELECON 98, Vol. 1, 1998, pp. 387-391.
[4] Sun, Y., et al., .Suspended Membrane Inductors and Capacitors for Application in Silicon
MMICs,. IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium
Digest of Papers, 1996, pp. 99-102.
[5] Jiang., H., et al., .Fabrication of High-Performance On-Chip Suspended Spiral Inductors
by Micromachining and Electroless Copper Plating,. 2000 IEEE IMS Digest of Papers,
Boston, MA, 2000.
[6] Stickel, M., G. V. Eleftheriades, and P. Kremer, .A High-Q Micromachined Silicon
Cavity Resonator at Ka-Band,. Electron. Lett., Vol. 37, No. 7, March 2001, pp. 433.435.
[7] Clark, J. R., W.-T. Hsu, and C. T.-C. Nguyen, .High-Q VHF Micromechanical
Contour-Mode Disk Resonators,. 2000 IEEE Int. Electron Dev. Meeting, pp. 493-496.
[8] Stickel, M., G. V. Eleftheriades, and P. Kremer, .A High-Q Micromachined Silicon
Cavity Resonator at Ka-Band,. Electron. Lett., Vol. 37, No. 7, March 2001, pp. 433-435.
[9] Horwitz, S., and C. Milton, .Applications of Film Acoustic Resonators,. 1992 IEEE MTT-
S Digest, 1992.
[10] Lakin, K. M., et al., .Development of Miniature Filters for Wireless Applications,.
IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 43, December 1995, pp. 2933-2939.
[11] Rob M. C. Mestrom, Rob H. B. Fey, Henk Nijmeijer, Theoretical and Experimental
Nonlinear Dynamics of a Clamped-Clamped Beam Mems Resonator, ENOC-2008, Saint
Petersburg, Russia, June, 30July, 4 2008.