Generalitai:

Efectul fotovoltaic const n producerea unui curent electric ca urmare a absorbtiei radiatiei electromagnetice(fotoni).Acest efect cunoaste aplicatii importante n semiconductori, unde generarea de purtatori de sarcina liberi (electroni, goluri) este semnificativa n raport cu numarul purtatorilor generati termic. Daca n semiconductor exista un cmp electric intens (ca n cazul onctiunilor n!p n siliciu) atunci electronii generati ca urmare a absorbtiei radiatiei (fotoelectroni) vor fi condusi ntr!un circuit exterior, generndu! se, astfel, energie electrica. A. E. "ec#uerel descoperit efectul fotovoltaic n anul $%&', la iradierea unor electrozi de argint n electrolit, si descris de (. Adams si ). Da* pentru electrozi de seleniu n $%++. ,rziu, dupa descoperirea tranzistorului ($'-%) si elaborarea teoriei ./oc0le* ($'-'), s!a realizat prima celula solara cu randament de 12 (D.3. 4/apin, 4... 5uller si 6.7. 8earson, de la "ell 7aboratories 9 .:A, $';-). 8na n anul $'+& (prima criza a petrolului) celulele solare s!au utilizat mai mult n aplicatii spatiale. 8na la nceputul anilor <'= productia mondiala de cellule solare (aproximativ ;= 3(>an) era complet nesemnificativa la nivelul consumului de electricitate global. 3aterialele semiconductoare policristaline cu structura calcopiritica au o larga utilizare n /etero onctiuni pentru fabricarea celulelor solare. ?nteresul pentru acest tip de materiale a aparut datorita proprietatilor lor optice ! n special absorbtia optica 9 astfel nct, grosimi de strat de ordinul a $@m sunt suficiente pentru absorbtia eficienta a luminii solare si pentru obtinerea unor eficiente de conversie comparabile cu cele ale celulelor solare cu siliciu monocristalin. Economia de material ce rezulta de aici, combinata cu procedee te/nologice pretabile la obtinerea de suprafete mari, duc la reduceri esentiale ale costurilor de fabricatie pentru celulele si modulele solare, conditie obligatorie pentru aplicarea pe scara larga a conversiei fotovoltaice a energiei solare. Exceptnd sursele nucleare de energie, toate celelalte surse de energie de pe planeta noastr Ai au originea n energia solar. 4entralele termice cu combustibili fosili, centralele /idroelectrice, generatoarele eoliene Ai centralele utiliznd energia mrilor Ai oceanelor convertesc indirect energia solar n energie electric. 7umina direct a soarelui este cea mai abundent surs de energie de pe glob. B parte este absorbit de atmosfer Ai se regseAte sub forma energiei eoliene, dar n medie $.&;& 0(>mC din aceast energie cade pe suprafaDa pmntului, binenDeles cu valori mai mari la ecuator Ai n zone deAertice. :tilizarea direct a energiei solare (a acestui 0iloEat) se face de mult timp folosind captatoare solare cu sau fr concentratoare pentru nclzirea apei, pentru nclzirea aerului, pentru topirea metalelor, pentru uscarea diferitelor produse agricole sau industriale Ai pentru producerea de energie electric n centrale termice solare. Este cunoscut legenda cu oglinzile lui Ar/imede, cu care ar fi incendiat corbiile inamice. Exist state, ?sraelul, .:A, Australia Ai Faponia, care au montate milioane de captatoare solare fiecare, pentru producerea apei calde. Exist multe central termice solare care produc energie electric, cu puteri de sute de 3( fiecare, dar costul energiei electrice produse nu a putut fi sczut sub $= cenDi pe 0(/ faD de ; cenDi n centralele electrice clasice Dar cea mai interesant cale de utilizare a energiei solare este conversia ei direct n energie electric. Exist mai multe modalitDi de utilizare direct a energiei solareG conversia fotovoltaic, conversia termoelectric Ai conversia termoionic. Dintre acestea, conversia fotovoltaic se pare c are cele mai mari posibilitDi de a deveni o te/nologie alternativ la modul clasic de producere a energiei electrice n condiDiile actualei crize energetice.

4elula fotovoltaic a fost salvat de la obscuritate de cursa spaDial .tatele :nite 9 :niunea .ovietic din anii <1=. Hn scopul gsirii unui mod practic de alimentare cu energie electric a sateliDilor, s!au alocat fonduri importante de cercetare Ai firme caG ,exas ?nstruments, )4A Ai Ieliote0 au reuAit s scad preDul acestor celule fotovoltaice de peste $= ori. 4riza energetic din anii <+= a adus multe miliarde de dolari n progresul acestei te/nologii fotovoltaice (5J), pentru a o folosi Ai n aplicaDii terestre. Hn anii <%= erau larg rspndite n staDii Di relee telefonice, n faruri izolate Ai cabine telefonice rutiere etc., deAi costul unui 0(/ produs nc nu a sczut sub C= cenDi. Au crescut vnzrile de celule fotovoltaice de la 1 3( n $'%= la C' 3( n $'%+ Ai 1= 3( n $'%&. Hn prezent marea ma oritate a ceasurilor de mn Ai a calculatoarelor de buzunar din lume au o astfel de surs de energie. :n nou avnt al acestei industrii este iminentG electrificarea rural n Drile lumii a treia. 7a 4ongresul 3ondial al Energiei din $''; de la ,o0io s!a afirmat c -=2 din populaDia actual a lumii nu are nici un acces la o energie comercial, populaDie aflat n Drile subdezvoltate ale lumii a treia. 6uvernele acestor Dri n loc s subvenDioneze extinderea reDelelor electrice clasice spre zonele rurale, industria lor energetic nefiind competitiv cu a Drilor dezvoltate, ar putea gsi mai eficient te/nologia 5J, ceea ce ar ec/ivala cu o revoluDie n domeniul energetic. Exist lanterne solare care folosesc un panou solar de C.1 ( pentru ncrcarea unei baterii pe timpul zilei Ai care poate aprinde dou lmpi fluorescente pe timpul nopDii. Acest produs este accesibil ca preD Ai familiilor cele mai srace. :tilizarea sistemelor electrice solare n gospodriile rurale creAte Ai n Drile industriale. Astfel un sistem 5J de C;==( 9 suficient pentru a alimenta iluminatul, maAina de splat, frigiderul, radioul, televizorul Ai computerul unei locuinDe cost mai puDin de $;=== de dolari, inclusiv panoul fotovoltaic, becuri, cabluri, baterie de nmagazinare a energiei Ai instalaDia de reglare. Korvegia avea n $''& peste ;==== de case rurale alimentate cu celule fotovoltaice Ai o situaDie similar se ntlneAte n Faponia, .pania, ElveDia Ai .:A . Hn 6ermania se deruleaz programul celor $===== de acoperiAuri solare. Hn ?srael pot fi vzuDi stlpi de iluminat stradal ec/ipaDi cu mici panouri solare, care ziua acumuleaz energie electric Ai noaptea asigur iluminatul stradal. Faponia intenDioneaz s asigure &=2 din consumul rezidenDial de instalaDii fotovoltaice (C;= 3( n anul C=== Ai -1==3( n anul C=$=), 6ermania $=2 pn n anul C=$=, .:A $;2 din consumul rezidenDial pn n C=$= Ai $==2 n urmtorii C;!-= de ani dup C=$=. )educerea costurilor celulelor fotovoltaice este aAteptat n continuare Ai ca urmare o mai larg utilizare a acestei te/nologii. 4elulele fotovoltaice pot fi realizate din mai multe material semiconductoare, dar peste ';2 din celulele solare sunt realizate din siliciu (.i), care este al doilea element c/imic cel mai rspandit n scoarDa terestr, reprezentand cca. C;2 din aceasta, deci este disponibil n cantitDi suficiente, fiind astfel Ai ieftin. Hn plus, procesele de prelucrare a acestui material nu sunt agresive pentru mediul ambiant.de valenD pentru c acestia s devin liberi, adic pentru a putea trece pe banda de conducDie. 8rin supunerea materialelor semiconductoare de tipul siliciului la radiaDia solar, fotonii, sau cuantele de lumin cum mai sunt numiDi acestia, sunt capabili s transmit electronilor de pe banda de valenD, energia necesar pentru a depsi Lbariera energeticM Ai a trece pe banda de conducDie. Acest fenomen se produce in celulele fotovoltaice.

Conversia fotoelectrica a energiei solare: ,ransformarea direct a energiei radiate solare n energie electric are loc prin intermediul unor fenomene care se produc n structura cristalin a unor corpuri solide, n urma absorbDiei fotonilor care compun radiaDia inciden, fenomene care constituie efectul fotoelectric, se deosebescG ! Efectul fotoelectric intern, manifestat la unele metale, constand n extragerea electronilor de conducDie din metal ! Efectul fotoelectric intern, contretizat n generarea de purttori de sarcina (electroni Ai goluri) n interiorul unor material semiconductoare. 4ercetrile teoretice Ai experimentale au aratat c, pentru conversia energiei la scar mare, prezint interes numai efectul fotoelectric intern. Dispozitivele realizate pentru utilizarea acestui fenomen se numesc celule solare(fotoelectrice, fotovoltaic). Din punct de vedere structural, celulele fotoelectrice sunt formate din dou zone, realiznd o onctiune, care poate fi de mai multe tipuriG ! /omo oncDiune, n care cele dou zone sunt formate din accelaA material semiconductor, avnd tipuri de conducDie diferiteAN ! /etero oncDiune, n care cele doua zone sunt formate din material semiconductor diferite, avnd de asemenea tipuri de conductive diferiteG ! oncDiune metal!semiconductor(celul .c/ott0*) ! onctiune electrolid!semiconductor. 8rincipalele fenomene care formeaz conversia fotoelectric se pot explica cel mai simplu n cazul /omo oncDiuni semiconductoare. Electul fotoelectric n homojonciune p-n: .e consider o structur format din dou zone, cu conducDie de tip p Ai n. DeAi ambele zone, n ansamblu, sunt neutre din punct de vedere electric, ele conDin purttori de sarcin liberi, de ambele semene, dar n proportii diferite, purttorii ma oritari atribuind si denumirea zonei respective(electroni pentru zona n Ai golurile pentru zona p). Datorit agitaDiei termice, purttorii de sarcin difuzeaz, trecnd prin oncDiune, ceea ce este ec/ivalent cu circulaDia unor curenDi prin aceasta. Difuzia purttorilor ma oritari creaz, pe o anumit distanD de la oncDiune, cte un strat de sarcini electrice de aceleaAi semn(! n zona p si O n zona n), numit strat de bara , ca urmare aparnd o barier de potenDial de nalDime Ei Ai un camp electric orientat n n spre p. Acest camp electric frneaz difuzia n continuare a purttorilor ma oritari Ai favorizeaz circulaDia purttorilor minoritari. Hn prezenDa barierei de potenDial, intensitDile curenDilor care circul prin oncDiune se pot exprima, n principiuG ! curentul de electroni din zona p catre zona nG ?$P0$n$ ! curentul de goluri din zona n catre pG ?CP0CnC ! curentul de electroni din zona n catre zona pG?&P0&n&.e!#Ei>Q, . !#E Q, ! curentul de goluri din zona p catre zona nG ?-P0-n- e i>

.tructura, circulaDia de curenDi Ai benzile energetice pentru /omo oncDiunea p!n.

Hn care R sunt constant, iar R sunt concentraDiile purtatorilor de sarcin respectivi. 4urentul total prin oncDiuneG ?P !( O )O( O ) e!#Ei>Q, n ec/ilibru trebuie sa fie nul. DeciG O P( O )e!#Ei>Q,.

Hn cazul polarizrii inverse, nalDimea barierei de potenDial creAte, ceea ce mpedica circulaDia purttorilor de sarcin ma oritari Ai de asemenea nu afecteaz circulaDia purttorilor minoritari. 8entru polarizri inverse mari, circulaDia purttorilor ma oritari dispare, rmnand numai un current invers al purttorilor minoritari. P Sinand seama de egalitateaG O oncDiune, n cazul polarizarii directe, devineG O P ( O )e!#Ei>Q,, curentul prin

P?= . (

!$)

Hn continuare, considernd oncDiunea nepolarizat, dar supus unei radiaDii monocromatice, avand cuanta de energie a fotonilor mai mare dect naltimea zonei interzise a semiconductorului , n celul ce genereaz perec/i de purttori de sarcin liberi, electron!gol. Dac acestea sunt generate n zona de influenD a cmpului electric intern sau pe distanDa cel mult egal cu lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin, ei vor putea fi diri aDi ctre campul intern astfelG ! golurile catre regiunea p ! electronii catre regiunea n 8rezenDa electronilor suplimentari n regiunea n Ai p a golurilor suplimentare n regiunea p produce o micsoare a barierei de potenDial cu o cantitate egal cu tensiunea fotoelectric, analog polarizari directe a oncDiunii aflate la ntuneric. 4a urmare, prin oncDiune va trece curentul de diod ntr!un sens Ai curentul de iluminare n sens contrar, astfel ncat curentul total n acest regim va fiG

P (

!$)!

Hn aceast expresie, : este tensiunea fotoelectric, care se stabileAte la bornele celulei, polariznd!o n sens direct. Hn cazul ideal, valoarea maxim a acesteia(la mersul n gol) ar corespunde dispariDiei totale a barierei de potenDial, iar tensiunea de mers n gol ar fi cu att mai mare cu ct doparea semiconductorului ar fi mai mare. Hn realitate, n toate cazurile :=TE# Ai n cele mai bune situaDii : = UC>& E#. Aceasta se ntmpl din cauza c, la dopri prea mari, curentul invers creAte pe seama efectului tunel. Din expresia curentului ($=.C-) rezult c, n regim de iluminare, caracteristica : 9 ? a fotocelulei se obDine deplasnd de os caracteristica diodei polarizate direct la intuneric cu mrimea . Aparea astfel n cadranul ?J o porDiune a caracteristici pentru care 8P:V?T= ceea ce, conform convenDiei din termodinamic, nseamn c celula este generatoare de energie. 8e baza expresiei ($=.C-) se poate stabili sc/ema ec/ivalent a unei fotocelule, ca n figura $=.+.a. .c/ema cuprinde o surs de curent constant ?7 (pentru o iluminare constant), care debiteaz pe rezistenD neliniar a oncDiuni p!n, polarizat direct Ai pe rezistenDa de sarcina ).

5ig.$=.+ .c/emele electrice ec/ivalente ale fotocelulelor

B sc/em mai exact curinde, n plus, dou rezistenDeG ) p! rezistenD n paralel, care reprezint rezistenDa dintre contactele celulei pe suprafaDa acesteia Ai o rezistenD serie )s, care modeleaz rezistenDa intern a celulei, datoarat n special zonelor n care purttorii generaDi de lumin nu sunt diri aDi de catre cmpul intern al celulei.

Caracteristicile energetice ale fotocelulelor a) ?ntensitatea curetului de scurtcircuit (petru :P=) P!

4urentul de scurtcircuit este determinat de numarul purttorilor de sarcin generaDi prin absorbDia luminii, care pot a unge pn la oncDiune. Acest numar poate fi exprimat ca o fracDiune W din numarul total de fotoni incidenDi, astfel cG P WVeV
4aracteristicile externe pentru /omo oncDiunea p!n polarizat direct ($) Ai iluminat(C)

)ezul ca intensitatea curentului de scurtcircuit este direct proporDional cu intensitatea radiaDiei luminoase incidente. b) ,ensiunea de mers in gol (pentru P=) Din relaDia se obDineG P( !$)P , P > ,astfel cG

Aceast relaDie arat ca tesiunea de mers n gol variaz logaritmic radiaDiei incidente, astfel nct manifest o tendinD de ncetinire a creAterii (similar cu o saturare). c) 8uterea debitat de celul se exprima caG 8P:V P:VX ! ( !$)Y

Zi reprezint, n fig. $=.% aria dreptungiului corespuztor coordonatelor punctului de funcDionare. 8entru un anumit punct de funDionare 3, aceast arie este maxim. 8arametrii corespuztori punctului 3 se determin astfelG ! V( > O$P !$)! : P=, O ! V ($O )

($O#u>0,), P

ln( O$)P#:>0,Oln($O#:>0,) 9 (0,>#)Vln(lO# >0,)N

4urentul corespunztor puterii maxime se determin introducnd rezultatul ($=.C') n ($=.C-) P ! ( )ezult n finalG P O ) P X

iar puterea debitat de celula va fiG

O )

d) 5actorul de umplere al fotocelulei fP p> :V?. 4u ct acest factor este mai apropiat de unitate, caracteristic extern a celulei este mai rectangular, ceea ce este mai util n expluatare, pastrandu!se constant tensiunea pentru diferiDii curenDi de sarcin. e) )andametul celulei(eficienDa energetica) se defineAte ca raportul dintre puterea furnizat(electric) Ai puterea incident(radiat). 8uterea incident pe unitate de suprafaD se poate exprimaG 8P Ve n careG ! este fluxul de fotoni(fot.> s), ! este energia media a unui fotonN ! este voncentraDia fotonilor (fot.> ) ! este viteza de deplasare a fotonilor(m>s). Hn cazul puterii furnizate maxime($=.&$), rezultG PnVcN ($=.&&)

($=.&-)

EficienDa energetic a fotocelulelor depinde de lrgimea zonei interzise a semiconductorului, Eg Kumrul de fotoni din spectrul solar avnd energii /. [ Eg scade pe masur ce Eg creAte, iar ca urmare, ?7 scade. 8e de alt parte, :3 creAte pe msura creAterii lrgimii zonei interzise, n principal datorit cresterii tensiunii de mers n gol, dar Ai prin scderea curentului invers, l=. Datorit acestor dou efecte contrare, eficienDa maxim a celulei, n funcDie de Eg va trece printr!un maxim, pentru un anumit conDinut spectral al radiaDiei incidente. 7und n considerare spectrul energetic solar rezult, teoretic, c eficienDa maxim a fotocelulelor se poate obDine, la = =4, pentru semiconductoarele care prezint $,$T Eg T$,' eJ. 4ele mai potrivite materiale, din acest punct de vedere sunt date mai osG 3aterialul Eg(eJ) .i $,$$ ?n8 $,C' 6aAs $,&' 4d,e $,-; 4d.e $,+6a8 C,C-

4u ct temperatura creAte, maximul ficienDei se deplaseaz ctre valori Eg mai mari, cu toate c, n ansamblu, eficinDa scade. 4urentul invers creAte exponenDial cu temperature, iar tensiunea de mers n gol variaz invers proporDional cu aceasta. ?nfluenDa temperaturii este cu att mai mare, cu ct Eg este mai mic.

Particularitile heterojonciunilor semiconductoareG

Ietero oncDiunile se formeaz prin contactul a dou materiale semiconductoare diferite att ca natur ct Ai prin tipul de conducDie. Datorit materialelor diferite, difer lrgimile zonelor interzise n cele dou materiale ca Ai alDi parametri fizici precum constantele reDeleor cristaline, coeficienDii de dilatare termic, afinitDile electronice, costantele dielectrice, etc. Datorit lungimii diferite a zonelor interzis, n regiunea de contact apar discontinuitDia la benzilor energetice de conducDie Ai de valenD. "ariera de potenDial pentru goluri este diferit de accea pentru electroni. Hn general, barierele de potenDial pot avea forme mai complicate(cu vrfuri Ai vi). Din aceste motive predomina curentul datorat unui singur tip de purttori. Hn cazul /etero oncDiunilor nalDimea barierei de potenDial este limitat la o fracDiune din E g,deoarece se adauga Ai contribuDia dicontinuitDilor din zona de contact. 4a urmare tesiunea de mers n gol va putea fi mai mare, ceea ce constituie un mare avanta . 8rezenDa unor fenomene care coduc la creAterea curentului invers (efect tunel) face ca marirea randamentului s nu se fac n aceeaAi msur. ,otuAi, cele mai mari randamente teoretice Ai practice s!au obDinut n cazul /etero oncDiunilor. ,ipul oncDiunii n AlAs 9 p 6aAs n 4ds 9 p 4d,e n 6aAs 9 p 6ap n ?n8 9 p 6aAs n 4ds 9 p .i ,eoretic C% C; C% &= C1 )andamentul(2) )ealizat $%,; $= 9 $C % ! ;

)andamentul fotocelulelor cu /etero oncDiuni

Particularitile joncinilor metal-semiconductor:

5ormarea stratrului de bara , care imprim comportamentul de diod redreseoare acestei oncDiuni se datoreste, n acest caz, efectul de emisie teromoelectric a celor dou materiale. 8etru a se realiza acest strat, trebuie ndeplinite anumite condiDii cu privire la marimile lucrului de ieAire al electronlui din metal (7 m), respectiv din semiconductor (7s). AstfelG a) n cazul oncDiunii metal!semiconductor(n), trebuie caG 7m [ 7s

Astfel nct unii electroni din semiconductor s treac n metal, formndu!se n semiconductor un strat de sarcin pozitiv, iar materialul ncarcandu!se negativ. Astfel apare campul electric intern, care se opune trecerii electronilor prin oncDiune, stabilindu! se starea de ec/ilibru. b) n cazul oncDiunii metal!semiconductor(p) se cere caG 7m T 7s Astfel c prin trecerea unor electroni din metal n semiconductor se formeaz n acesta un strat de sarcini negative, metalul rmnnd cu sarcina rezultant pozitiv. De asemenea are loc apariDia cmpului electric intern, care se opune trecerii n continuare a electronilor catre semiconductor. Hn cazul ambelor oncDiuni menDionate, dac inegalitDile respective nu sunt repectare, nu se va crea stratul de bara , obDindu!se un comportament de contact electric intre metal Ai semiconductor. Hn regim de iluminare a unei asemenea fotocelule, rolul principal l oaca zona semiconductoare, deoarece stratul de metal depus pe suprafaDa semiconductorului trebuie sa fie att de subDire nct s permit trecerea luminii prin el. EficienDa de colectare a purttorilor generaDi n stratul de bara este foarte mare astfel nct desitatea curetululi de scurtcircuit rezult mai mare dect alte fotocelule. Avnd ns tensiuni de mers n gol mai reduse, randamentul este mai sczut. 3rirea tensiunii de mers n gol se poate realiza prin intercalarea ntre metal Ai semiconductor a unui strat foarte subDire din material izolant sau oxid, cu a utorul caruia se mreAte nlDimea barierei de potenDia, fr a introduce o rezistenD serie important. Astfel, infulenDa asupra curetului de scurtcircuit este redus. Factori limitativi ai eficienei celulelor solare B fotocelul transform n energie electric numai o poarte din energia radiat incident. 8ierderile apar n mai multe moduriG ! n faza n care energie este n form de radiaDie, perderii prin reflexie pe suprafaDa celulei, prin absorbDie fr generare de sarcini electrice libere Ai prin transmisie ctre electrodul posterior. ! dup crearea sarcinilor electrice libere n semiconductor, pierderi prin recombinarea sarcililor libere, nainte de atingerea oncDiunii Ai pe rezistenDa interna a celulei. 8entru fiecare dintre aceste procese se poate stabili o eficienD parDial. 8rodusul acestora d eficienD total a celulei, ntruct procesele enumerate se desfAoar succesiv. a) )eflexia luminii la suprafaDa celulei Energie incident corespunztoare unui interval de lungimi de und de lDime d\ se poate scrie ]\d\. Din aceasta, o parte )\]\d\ este reflectat, iar restul, (l!)\) ]\d\, este absorbit de ctre fotocelul. 5actorul de reflexie )\ depinde de lungimea de und \, de calitatea suprafeDei Ai de indicele de refracDie al cristalului. EficienDa de ptrundere a luminii n fotocelul se poate scrieG

5actorul de reflexie )\ n domeniul vizibil are valori de =,&!=,- petru semiconductor avnd lrgimea benzi interzise ntre $,$ Ai $,; eJ. 8etru micAorarea lui, pe suprafaDa celulei de depun straturi antireflectante. b !bsorbia incomplet a radiaiei B parte din radiaDia ptruns n celul, este transmis catre electrodul opus, fr a produce sarcini electrice libere. Aceste pierderi se pot caracteriza prin coeficientul de absorbDie e N ele variaz exponential cu grosimea de material strabatut, putndu!se exprima energia radiaDiei dupa traversarea celulei prin multiplicarea cu factorul e! d, a energiei patrunse n celul. )ezult c energia absorbit efectiv este parte ($!e!e .d) din energie patruns n celul. Eficienta absorbtiei se poate scrie G

)educerea acestei pierderi se poate obDine prin dimensionarea corect a grosimii celulei, pentru a absorbi ct mai complet energia incident. c Generarea purtatorilor liberi de sarcin B parte dintre fotonii absorbiDi realizeaz doar excitarea atomilor, fr a elibera electroni sau amplifica vibraDiile atomilor n nodul reDelei cristaline, provocnd creAterea temperaturii celulei. Daca se noteaz cu ^\ randamentul cuantic, definit ca raportul dintreG ! numarul perec/ilor de sarcini libere create ! numarul de fotoni absorbiti, atunci eficienDa generarii de sarcini se scrie G

d Pierderi de energie datorate recombinarii Dintre toDi purtatorii de sarcin creaDi n semiconductor, particip la curentul debitat de celula numai cei care se gasesc, faD de onctiune. 7a o distanD mai mica dect lungimea de difuzie 7n pentru electroni, respectiv 7p pentru goluri. 4elelalte sarcini se recombin , ceea ce reprezint pierderi din energie absorbit de catre celul. Kotnda cu A fracDiunea de purtatori separaDi de campuri intern, eficienDa limitat de recombinare se poate scrie G

e Pierderi de tensiunea 5otonii avnd o energie [E# genereaz sarcini libere a caror energie depAeste

energia medie a purttorilor, la temperatur de ec/ilibru. .urplusul de enegie este disipat prin ciocniri cu atomii retelei, ceea ce reprezint pierderi pe rezistenDa interna a celulei. 8ierderea de tensiunea fotovoltaica asociat tranzitiei unui electron, este egal cu raportul #:> P#:\>/c.

Dintre energia consumat pentru transportul unitatii de sarcin prin circuit Ai energia fotonului incident. EficienDa condiDionat de acest tip de pierdere esteG

Hn total eficienDa fotocelulelor se scrie G

! "ipuri de celule solare a) Celule solare cu siliciu ,e/nlogiile actuale utilizeaz siliciu n trei forme G monocristal, policristalin Ai amorf /idrogenat. 8e lang avanta ul materiei prime disponibile n mari cantitDi, celulele de siliciu prezint stabilitate funcDional deosebit Ai randamente relativ bune. )ealizarea unei fotocelule cu siliciu presupune parcurgerea urmatoarelor etape G ! producerea plac/etei semiconductoare ! realizarea celulei propriu!zise ! ncapsularea Hn prima etap au loc urmatoarele operatiuniGobDinerea din cuarD a siliciului metalurgic, rafinarea .i metalurgic pentru obDinerea puritDii necesare semiconductorului N obDinerea monocristalului de .i sub form prismatic sau de panglic (avnd grosimea plac/etei) N taierea plac/etelor (folosind un disc diamantat) urmat de corodarea c/imic, pentru nlaturarea defectelor de suprafaD. Hn vederea scaderii costului celulelor cu siliciu, n aceast etap exist urmatoarele posibilitaDiG renunDarea la puritatea de tip _<semiconductor<<. 8rin admiterea unui anumit procent de impuritDi scaderea randamentului fotocelulelor este nensemnat, nsa costul prelucrarii scade mult. Acest grad de puritate se numeste _<solar<<N folosirea .i policristalin care se obDine prin turnare n lingouri Ai racire controlat N deAi randamentul celulelor obtinute va fi mai mic, eliminarea formarii monocristalului are efect economic mai mare N folosirea .i amorf /idrogenat. 8lac/eta de .i obDinut n aceast faza poseda conducDie de tip _<8<< realizat n faz de topitur. Etapa realizarii celulei cuprinde urmatoarele operatiuni G ! formarea uncDiunii frontale prin impurificare ntr!un strat subDire, pe una dintre suprafete cu un element pentavalent, cel mai frecvent fiind folosit fosforul. Acest se poate face prin mai multe procedee G difuzie n faz gazoas, n faz solid, implatare de ioni acceleraDi. ! )ealizarea contactelor electrice prin folosirea unor materiale aderente la siliciu cu un cost ct mai redus Ai cu conducDie electric ct mai bun. 8e suprafaDa iluminat se pune o gril opturand inevitabil o parte din suprafaDa celulei. 8e partea opus se poate pune un strat continuu de metal. De exemplu pe partea iluminata se foloseAte Ag, iar pe partea opusa aluminiu aliat cu 8d.

Depunerea stratului antireflectant, care trebuie sa aiba indice de refracDie C Ai s fie transparent la spectrul solar. .e folosesc ,iBC, ,aCB; n grosimi de %==!$===A. Etapa de ncapsulare const n urmatoarele G ! realizarea conexiunilor dintre plac/etele dintr!o capsul, pentru a obDine parametri externi doriDi N asamblarea ntr!o structura sandEic/ , cu alte traturi de protecDie, obDinndu!se .copul acestei operaDiuni este asigurarea protectiei fotocelulei mpotriva umiditaDii, poluarii Ai a deteriorarii metalice. )epartiDia costului total al fotcelulei pe cele trei etape este aproximativ G -=2 realizarea plac/etei, &=2 realizarea celulei Ai &=2 asamblarea n carcas. Performane DeAi randamentul teoretic maxim al fotocelulei cu .i monocristalin atinge CC2, celulele realizate potrivit te/nologiilor descrise, au un randament de cel mult $-2. 8osibilitDile de marire a randamentului n continuare sunt G ! reducerea grosimii stratului n la cca. =,&! randament $12 ! texturarea suprafeDei pentru reducerea pierderilor prin reflexie, randament $+2 N ! celulele cu straturi multiple, randament pn la $',;2 4elulele cu .i pentru radiaDie solar concentrat Datorit creAterii temperaturii celulei n asemenea situaDie, creAte rezistenta serie, deci pierderile interne n celul. De aceea trebuie asigurat racirea celulelor, ceea ce implic un consum de energie din exterior. 8entru marirea eficienDei n aceste condiDii de concentrare a radiaDiei, se pot folosi celule de concentraDie special la care dispunerea contactelor are loc astfel ncat s se foloseasc toat suprafaDa iluminat. 8erformanDele obDinute sunt date n tabelul $=.+ ,ipul celulei solare 4elula cu .i, conventionala ?dem 4elula intrepatrundere 4elula multi onctiune vert. 5atctorul de ,emperatura concentrare celulei (==4) &= $C= CC= &&= $== T-= $; $&= )andamentul (2) 1 % $1 1.$

b) Celule solare cu siliciu amorf hidrogenat 8roprietaDiile siliciului amorf /idrogenat rezult att din diferenDele dintre .i amorf Ai .i monocristal ct Ai din diferenDele dintre .i amorf /idrogenat Ai .i amorf pur. Astfel, datoritA ordinii structurale specifice cristalelor, .i monocristalin este un semiconductor cu benzile energetice de valenDa Ai conducDie clar delimitate, n care purtatorii de sarcin au mobilitaDi mari n capul electric. Acesta permite ca sarcinele libere sa difuzeze pe distanDa de C==!&== n, iar controlul conductibilitDii prin impurificare sa fie eficient. Din cauza dezordinii structurale, care mplic multi atomi cu legaturi covalente rupte, n .i amorf pur, benzile de conducDie Ai de valante se prelungesc una catre cealalt, acoperind intervalul dintre ele cu straturi energetice, din ce n ce mai puDine catre mi locul intervalului. Kumarul mare de straturi energetice din zona interzis, face posibil controlarea prin dopare a timpului de conducDie Ai asigura o mare probabilitate de recombinare a purtatorilor de sarcini generaDi de lumin. Acest fapt asociat cu mobilitatea redus a sarcinilor libere n acest caz, face ca efectul fotoelectric sa fie negli abil n .i amorf. .iliciu amorf /idrogenat este un alia .i!I conDinnd /idrogen n proporDie de pn la &=2. 4irca $2 din /idrogen compenseaza legaturile covalente rupte dintre atomii de .i ai reDelei dezordonate, iar restul realizaez noi legaturi .i!I, care atenueaz abaterile de la ordinea local. )ezultatul este c, ramanand amorf, .i!I se apropie de caracterul de semiconductor ideal Ai al .i monocristalin. Densitatea de straturi energetice ocupate n interiorul benzii interzise, scade cu trei ordine de marime, ceea ce face posiblul controlul conducDiei prin dopare. 4ercetarile din acest domeniu sunt foarte intense n vederea simplificarii te/nologiei Ai reducerii substanDiale a pretului. Eficient realizat n faza de producDie industriala se apropie de +2 N n condiDii de laborator s!au obDinut Ai $C2. # Celulele solare pe ba$a de sulfura de cadmiu 8ornind de la materialul de baz, 4d., se pot realiza mai multe tipuri de celule solare, 4d. 9 4uC., 4d.! 4u?n.e, 4d. 9 4d,e Ai altele. 4d. se foloseste sub form policristalin. 5ar de .i acest material prezint o absorbDie mai rapid a radiaDiei solare N totodat lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcin liberi este mult mai redus, astfel nct stratul de baz poate avea o grosime mai mic (numai C; m n loc de C==m la .i). 4uC. are band interzis mai ngustN deoarece acest strat absoarbe cea mai mare parte a spectrului solar n grosimi foarte mici, grosimea lui este de numai =,$!=,C m. Acest material nu se poate obDine dect ca semiconductor de tip _<p<<. 4ea mai simpl cale de realizare a acestui strat este sc/imbul de ioni ntr!o soluDie electronic cu ioni de 4u. ,e/nologiile de realizare a unor asemenea celule cu straturi subDiri policristaline sunt mai simple dect la .i, permiDnd preDuri mult mai reduse G metoda pulverizarii, metoda evaporarii n vid, metoda serigrafica. DeAi metodele enumerate au particularitaDi de realizare, diferenDele de performanDa ale celulelor obDinute nu sunt relevante. .tructura unei celule cu straturi subtiri de tip 4d.>4uC. poate fi, n principiu de dou feluri, n funcDie de modul de iluminare. Hn cazul iluminarii posterioare, 4d. avnd band interzis larga, permite trecerea celulei mai mari parDi a luminii catre 4uC. unde este absorbit. De aceea contactul superior trebuie sa fie transparent. 8erformanDele celulelor 4d. sunt, n privinDa eficienDei teoretice, de ordinul a $;2, iar n faza industrial de 1!%2. C Celulele solare pe ba$a de Ga!s

6aAs este unul dintre materialele cele mai potrivite pentru conversia fotoelectric a energiei solare datorit faptului c, avnd o largime a benzii interzise de $,&' eJ se situeaz pe maximul curbei de eficienD a conversiei n funcDie de Eg.

Celule fotovoltaice cu siliciu cristalin

6ermaniul nu se foloseAte la realizarea fotocelulelor din cauza slabei sale rezistenDe la temperaturi ridicate. .iliciul domin piaDa mondial a celulelor fotovoltaice ( peste ;=2), din cel puDin trei motiveG stabilitate funcDional Ai randamente bune, te/nologii bine puse la punct n alte domenii ale electronicii, el fiind Ai unul din cele mai abundente materiale din natur. ,e/nologiile actuale utilizeaz siliciul sub trei formeG monocristal, policristalin Ai amorf /idrogenat. Dezavanta ul ma or al acestor tipuri de fotocelule este costul nc ridicat. ,e/nologia cu siliciu monocristalin tipic are trei etape distincteG producerea plac/etei (-=2 din cost), producerea celulei (-=2 din cost), asamblarea Ai ncapsularea (C=2). Hn prima etap, nisipul sau cuarDul este transformat n siliciu de grad metallurgic (''2 puritate). 3aterialul este purificat n continuare n siliciu de grad semiconductor. Dup purificare siliciul este topit, se dopeaz corespunztor Ai este tras apoi n monocristal. 3aterialul este tiat apoi n plac/ete de =.& mm grosime, ce se polizeaz pentru ndeprtarea defectelor de tiere. ?n etapa de producere a celulei, plac/eta se dopeaz din nou pentru a forma o ptur superficial de conductivitate opus plac/etei de baz. .e ataAeaz apoi contactele metalice pe cele dou feDe Ai adugarea unui strat antireflectant pe faDa luminat definitiveaz celula. 4elulele sunt apoi interconectate Ai ncapsulate transparent sticl sau plastic. 8entru reducerea costurilor se admite un nivel de purificare intermediar ntre siliciul metalurgic Ai cel semiconductor Ai anume siliciul de tip solar, nivel care nu afecteaz semnificativ randamentul celulei solare. .!a dezvoltat o te/nologie de producere a unei panglici de siliciu monocristalin, obDinndu!se siliciu de grad solar, eliminnd etapele de tiere Ai polizare. 8anglica se obDine prin ridicarea siliciului n stare topit prin efect capilar ntr!o matriD din grafit cu fant dreptung/iular (firma 3obile ,*co!.:A). )enunDarea complet la siliciul monocristalin n favoarea celui policristalin antreneaz o scdere considerabil a preDurilor, deAi randamentul este mai slab. .iliciul de grad solar se toarn n lingouri paralelipipedice urmat de tierea Ai prelucrarea mecanic. Doparea final a plac/etelor se face prin difuzie din faz gazoas sau solid Ai prin implantare ionic cu atomi de fosfor (plac/eta fiind de tip p). Difuzia din stare gazoas nu este recomandat deoarece se dopeaz plac/etele pe ambele feDe Ai o oncDiune va trebui nlturat. Difuzia din stare solid se face prin depunere c/imic din stare de vapori (4JD), pulverizare Ai serigrafiere. 4ea mai utilizat este te/nologia prin serigrafiere. B past cu fosfor este ntinde pe plac/et printr!o sit serigrafic. apoi plac/etele sunt arse la '==`4 ntr!un cuptor tunel, sunt corodate Ai se obDine oncDiunea. ?mplantarea ionic produce o dopare foarte bine controlat, dar ec/ipamentul este cam scump Ai nu se ustific pentru celule solare, care nu au cerinDe deosebite privind controlul doprii. Hn figura de mai os este prezentat structura unei celule fotoelectrice normale cu siliciu cristalin

.tructura normale cu siliciu

unei

celule

Fotocelule cu siliciu amorf hidrogenat %a-&i:'

Din cauza ordinii structurale, siliciul monocristalin ( c-Si), are benzi de conducDie Ai de valenD clar delimitate, n care purttorii de sarcin au mobilitDi mari, deci este un semiconductor cu proprietDi controlabile prin dopare controlat. Ku acelaAi lucru se poate spune despre siliciul amorf pur (a-Si). Acesta, din cauza dezordinii structurale, are mulDi atomi cu legturi rupte. Acestea fac ca s existe un numr mare de stri energetice, iar purttorii de sarcin s posede mobilitDi sczute. ,oate acestea fac imposibil controlarea prin dopare a tipului de conducDie Ai n final conduc la o fotoconducDie negli abil. Dac, prin procesul de preparare al siliciului amorf, n acesta se incorporeaz Ai /idrogen, rezult siliciul amorf /idrogenat (a-Si:H), care este de fapt un alia siliciu! /idrogencu /idrogen n proporDie de pn la &=2. 4irca $2 din acest /idrogen compenseaz ma oritatea legturilor rupte din atomii de siliciu ai reDelei dezordonate, iar restul /idrogenului realizeaz legturi siliciu!/idrogen care relaxeaz n continuare tensiunile Ai abaterile de la ordinea local, impuse de necesitatea interconectrii atomilor ntr!o reDea care rmne totuAi dezordonat. Hn final, numrul de stri energetice se reduce Ai se obDine un semiconductor amorf cu proprietDi asemntoare celui cristalin Ai care are proprietDi fotovoltaice controlabile prin dopare controlat. 4ea mai utilizat metod de preparare a a!.iGI este metoda descrcrii luminescente sau 6D (gloE disc/arge) ntr!o atmosfer de silan!.iI-, un compus gazos al siliciului figura de mai jos . .tratul de a!.iGI se depune pe un suport din sticl, metal sau c/iar plastic, plasat ntr!un reactor de depunere. Hn reactor, racordat la o instalaDie de vidare, se introduce un debit controlat de .iI-, n care se amorseaz o descrcare electric luminescent prin aplicarea unei tensiuni de radiofrecvenD. Hn plasma descrcrii , .iI- se descompune n grupuri .iI& , .iIC , .iI, pe suport depunndu!se n final un strat de a-.iGI. Acesta este un semiconductor cvasi intrinsec cu un slab caracter n. 8roprietDile stratului se controleaz prin temperatura suportului, debitul Ai presiunea gazului Ai tensiunea de radiofrecvenD aplicat.

nstalaDie de depunere a siliciului amorf /idrogenat (a!.iGI) prin descrcare luminescent n plasm de silan .traturi de a!.iGI cu dopare controlat se obDin cu mici adaosuri de fosfin (8I & dopare n) sau diboran ("C I+ ! dopare p), procente de debit n general sub $2 din debitul de silan. Avanta ele te/nologice Ai economice sunt evidenteG prin controlul simplu al duratei de depunere Ai al debitelor se pot realiza n mod controlat, pe suporDi ieftini, structuri complexe p!n, p!i!n, p!pO etc., din compuAi gazoAi ai siliciului Ai la temperaturi sczute (&=== 4). ?n fig. de mai os se prezint structura unei fotocelule cu siliciu amorf /idrogenat.

4elul fotovoltaic cu siliciu amorf /idrogenat Ai structur p 9 i 9n.

Aceste celule au lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin foarte redus Ai efectul fotovoltaic ar fi negli abil dac siliciul amorf nu ar avea un coeficient de absorbDie a radiaDiilor solare mult mai bun (cu un ordin de mrime) dect cel cristalin. )ezult c sunt necesare grosimi de cDiva microni faD de sute de micron la cele cu siliciu cristalin . Din acest motiv un strat suplimentar de circa =.+ @m de tip i, adic cu conducDie intrinsec, este binevenit, aceast regiune devenind regiune de barier cu cmp electric ridicat.

Celule solare pe ba$ de Cd&

Aceste celule solare sunt de tipul /etero oncDiune obDinute n te/nologie cu straturi subDiri policristaline. .tratul de baz (stratul n) este ntotdeauna sulfura de cadmiu 4d., dar stratul p poate fi realizat n mai multe moduriG din sulfur de cupru 4u C ., telurur de cadmiu 4d,e sau 4u?n.eC. Exist mai multe te/nologii de realizare a acestor celule solareG metoda pulverizrii pirolitice din soluDie (spra*), metoda evaporrii termice n vid Ai metoda serigrafic. 3etoda evaporrii n vid, se pare c este cea mai folosit Ai va fi prezentat n continuare. ,e/nologia evaporrii n vid este bine cunoscut, fiind folosit pe scar larg n industria dispozitivelor semiconductoare, deci este accesibil ntreaga gam de utila e necesare. 4elulele 4d.!4uC. au intrat n atenDia cercettorilor deoarece pot fi obDinute cu straturi subDiri policristaline, deci consum redus de materiale semiconductoare Ai cu te/nologii de mare serie. B asemenea asociere a fost determinat de doi factoriG sulfura cuproas, care este semiconductorul cu banda interzis ngust Ai n care are loc absorbDia celei mai mari prDi din lumina spectrului solar, nu poate fi obDinut dect sub form de semiconductor de tip p, Ai ca atare s!a ales un alt semiconductor de tip n avnd proprietDi ale reDelei potrivite cu ale eiN

sulfura cuproas poate fi obDinut printr!o reacDie c/imic direct pe stratul de 4d..

Exist dou tipuri posibile de structuriG cu iluminarea oncDiunii dinspre partea de 4d. Ai cu iluminarea dinspre partea de 4uC.. :ltima soluDie este cea mai folosit deoarece permite folosirea unor benzi metalice netransparente n calitate de contacte la stratul de 4d.. B asemenea structur este prezentat n figura de mai jos. Hn calitate de substraturi sefolosesc n special plci de sticl ordinar sau folii subDiri de cupru (=.=&; mm). Hn primul caz, n calitate de contact reflectant se utilizeaz un strat de argint obDinut prin evaporare n vid. Hn al doilea caz folia de cupru este zincat Ai ca urmare a tratamentelor termice rezult un strat de alam care este reflectant, zincul din compoziDia ei asigurnd contactul o/mic la 4d.. 8ulberea presat de 4d. este nclzit indirect ntr!un creuzet de cuarD, n vid, de la un nclzitor de grafit. .ubstratul este nclzit tot indirect n aceeaAi incint vidat pn la C== =4. Jiteza de evaporare asigur o depunere de circa $@m>min. .e depune un strat de $;!&=@m.

4elul solar 4d.!4uC. obDinut prin metoda evaporrii n vid. .tratul de 4uC. se obDine prin reacDia c/imic a sulfurii de cadmiu cu o clorur cuproas n aAa fel nct atomii de 4u i nlocuiesc pe cei de 4d n matricea cristalin a sulfurii de cadmiu. Acest proces poart denumirea de topotaxie. El se realizeaz fie prin scufundarea (dipping) stratului de 4d. ntr!o soluDie de 4u4l la '' =4 fie prin depunerea n vid a unui strat de 4u4l urmat de un tratament termic de reacDie.

Celule solare din Ga!s:

:tilizarea acestui tip de semiconductor la realizarea celulelor solare ar avea , n raport cu siliciul, urmtoarele avanta eG este cel mai eficient material semiconductor n conversia energiei solare n energie electric prin fenomene fotovoltaice (eficienD maxim C12)N poate funcDiona la temperaturi superioare siliciului, permiDnd realizarea de celule solare cu concentrarea $=== faD de concentrarea $== ct permit cele de siliciuN coeficient de absorbDie mai ridicat, ceea ce permite folosirea structurilor foarte subDiri. Ele au Ai dezavanta e, din care cauz nc nu au cunoscut o mare rspndire. Astfel, acest material semiconductor este mai scump de vreo $= ori dect siliciul. ,e/nologia

de realizare a acestor fotocelule este cea a creAterii epitaxiale, care de asemenea este mai scump de circa $= ori dect celelalte te/nologii utilizate n cazul siliciului. Sinnd cont Ai de avanta e Ai de dezavanta e, cele dou direcDii sunt comparabile ntre ele, aAa c multe firme din lume produc astfel de celule. B structur tipic este pre$entat de mai jos. .traturile se obDin prin creAtere epitaxial. .tratul p are trei substraturi. .tratul Al6aAs!p acDioneaz ca un contact aproape transparent pentru stratul p, iar ultimul strat 6aAs!p are rolul de a asigura valori reduse pentru rezistenDa de contact metalsemiconductor.

.tructura tipic a unei celule cu strat fereastr din Al6aAs Zi n )omnia s!au realizat astfel de celule, ncapsulate n capsule de tranzistoare de putere tip TO3, capabile s produc &.- ( la o concentrare a radiaDiei solare de ;==.

(oi tendine in fabricaia celulelor fotovoltaice:

7a ora actual, toDi productorii de celule fotovoltaice caut soluDii pentru mbuntDirea performanDelor celulelor fotovoltaice Ai pentru reducerea costurilor de fabricaDie a acestora, respectiv a panourilor care le conDin. 4ateva dintre aceste tendinDe sunt prezentate n continuare. )ealizarea de suprafeDe cu pierderi prin reflexie minime. Astfel de cellule fotovoltaice au suprafaDa realizat ntr!o structur piramidal, pentru ca lumina incident s loveasc de mai multe ori suprafaDa celulei. :tilizarea unor materiale noi, cum suntG 6aliu!Arseniu (6aAs), 4admiu!,eluriu (4d! ,e) sau 4upru!?ndiu!.eleniu (4u?n.eC). )ealizarea unor celule fotovoltaice tandem, construite din material semiconductoare diferite asezate unul deasupra celuilalt, cu scopul de a capta energia luminoas intr!un domeniu de lungimi de und cat mai larg. :tilizarea unor concentratori de lumin, realizaDi dintr!un sistem de oglinzi, care pe de!o parte s mreasc intensitatea radiaDiei luminoase si pe de alt parte s poat urmri deplasarea .oarelui pe cer.

8roducerea campului electric intern prin realizarea unei oncDiuni intre un strat subDire de oxid si un semiconductor, aceast soluDie fiind mai eficient decat oncDiunea pn. :tilizarea celulelor 6ratzel, care sunt celule fotovoltaice cu lic/id electroc/imic si utilizeaz dioxid de titan ca electrolit si o vopsea special, pentru a imbuntDi procesul de absorbDie a luminii.

&isteme de utili$are a energiei electrice obinute prin efect fotovoltaic:

?n figura &.$C este prezentat un sistem de producere Ai utilizare a curentului continuu cu a utorul panourilor fotovoltaice.

.istem cu panou producerea curentului continuu

fotovoltaic

pentru

Acest tip de aplicaDie poate s permit de exemplu asigurarea iluminatului electric, cu becuri de curent continuu, n imobile situate n zone izolate Ai neelectrificate. .e observ c panoul fotovoltaic nu este singurul component al sistemului. Deoarece momentul n care este nevoie de energie electric, nu coincide cu cel n care este prezent radiaDia solar, energia electric furnizat de panou este acumulat ntr!una sau mai multe baterii pentru a fi utilizat la nevoie. Hntre panoul fotovoltaic Ai baterie este intercalat un regulator de ncrcare deoarece parametrii curentului electric la ieAirea din panou sunt variabili, n funcDie cel puDin de intensitatea radiaDiei solare, iar parametrii curentului electric utilizat la ncrcarea bateriei trebuie s fie constanDi. 4onsumatorii alimentaDi cu curent continuu, sunt conectaDi tot la bornele de iesire ale regulatorului, pentru a fi alimentaDi cu curent electric avand parametrii constanDi. &istem pentru producerea simultan a curentului continuu si alternative: Hn figura &.$& este prezentat un sistem de producere Ai utilizare simultan a curentului continuu Ai alternativ cu a utorul panourilor fotovoltaice.

.istem cu panouri fotovoltaice pentru producerea simultan a curentului Ai alternative Avand n vedere c un asemenea sistem are nevoie de o putere electric mai mare, specific de regul consumatorilor de curent continuu, este nevoie de utilizarea unui numr mai mare de panouri fotovoltaice, iar numrul bateriilor este de asemenea mai mare, pentru c sistemul s poat asigura puterea electric maxim, pentru un timp cat mai lung, nainte ca bateria s se descarce. ,rebuie menDionat prezenDa obligatorie n sistem a unui ec/ipament denumit invertor, care transform curentul continuu n curent alternativ.

&istem fotovoltaic hibrid:

,e/nologia sistemelor /ibride este o nou apropiere ctre electrificarea descentralizat. Aceste sisteme n cele mai multe cazuri sunt proiectate n micro!reDele monofazate sau trifazate, care alimenteaz n general consumatori casnici. De foarte multe ori ntr!un astfel de sistem, pe lng sursele regenerabile de energie, sunt cuplate Ai surse de energie clasice cum sunt generatoarele cu motoare diesel. Acestea sunt utilizate n cazurile n care cererea de energie depAeAte capacitatea surselor regenerabile, n anumite momente ale zilei si>sau ale anului. :n sistem /ibrid petru producerea energiei electrice nglobeaza mai multe surse de energie Ai poate alimenta consumatorii far ntreruperi c/iar dac una dintre surse nu functioneaz. 3a oritatea sistemelor /ibride sunt sisteme off!grid, adic nu sunt conectate la reDea, avnd acumulatori n alcatuirea lor. Aceste sisteme sunt folosite n zone izolate unde conectarea la reteaua electrica este imposibil sau foarte scump. .istemele /ibride au capacitate limitata din cauza generatoarelor de energie electrica instalate Ai a capacitaDii acumulatorilor. Dimensiunea sistemului de acumulatori poate sa fie foarte mare, pana la $==.===A/, numai c preDul este destul de mare. Din acest motiv se doreAte o eficentizare a producDiei Ai a consumului de energie electric. :tilizatorii unui sistem off!grid trebuie s nveDe s foloseasc eficient sistemul de energie electric n intervalul acestor limitari. Atunci cnd nu este soare generatorul diesel porneAte automat astfel nct s asigurere necesarul energetic fr bti de cap. Astfel se evit riscul de a rmne fr energie. Dezavanta ul ma or al sistemelor /ibride este faptul c acestea pot fi influenDate foarte uAor de sarcinile conectate, curbele de sarcin avnd variaDii foarte accentuate c/iar Ai ntr!un interval de cteva minute. Acest lucru duce la necesitatea implementrii unor dispozitive de control care s rspund rapid la modificrile din sistem. 8roblema stocrii intr!un sistem energetic autonom este foarte importanta, deoarece utilizarea dispozitivelor de stocare poate duce la obDinerea unui randament ridicat al sistemului, Ai poate contribui la mbuntDirea parametrilor energiei din sistem.

Hn figura &.$- este prezentat un sistem /ibrid pentru producerea Ai utilizarea simultan a curentului continuu Ai alternativ cu a utorul panourilor fotovoltaice.

5aD de sistemul prezentat anterior, acest sistem /ibrid are n componenD Ai un generator electric acDionat de un motor cu ardere intern de tip diesel. Acest generator, care poate s produc att curent continuu ct Ai curent alternativ, are rolul de a asigura puterea electric necesar n perioadele de varf de sarcin, sau n perioadele n care radiaDia solar nu este suficient de intens.

&istem fotovoltaic racordat la reea: Ku sunt folosite baterii pentru stocarea energiei electrice produse. Alimentarea consumatorilor se face n curent alternativ, excesul de energie electrica produs n timpul zilei este vandut reDelei electrice de transport. 4apacitatea sistemelor pot a unge la sute Ai mii de 0iloEaDi dar pot fi folosite Ai configuratii cu capacitate mica. Avanta ele centralelor fotovoltaice racordate la reDea sunt generate de lipsa acumulatoarelor din aceste sisteme. Hn acest caz stocarea energiei neconsumate se realizeaz n reteaua electric, care oac rolul unui acumulator cu capacitatea de stocare ainfinita. Hn figura &.$; este prezentat un sistem pentru producerea Ai utilizarea curentului alternativ cu a utorul panourilor fotovoltaice, racordat la reDeaua local de alimentare cu energie electric.

.istem fotovoltaic pentru producerea curentului electric alternativ, racordat la reDea

:n asemenea sistem pentru producerea curentului electric alternativ, cu a utorul panourilor fotovoltaice, permite utilizarea direct a curentului electric produs de sistemul fotovoltaic, dar Ai furnizarea acestuia in reDeaua local de alimentare cu energie electric, acest sistem fiind furnizor de energie electric. Este evident c imobilele prevzute cu un asemenea sistem de alimentare cu energie electric, trebuie s fie prevzute cu cte un dispozitiv de msur care s contorizeze energia

electric furnizat n reDea, dar Ai cu un contor pentru msurarea consumului de energie electric absorbit din reDea. Avanta ele utilizrii acestor sisteme faDa de sistemele fotovoltaice independente suntG exploatarea integrala a energiei fotovoltaice furnizate de panouriN stocarea fiind de capacitate infinita n retea, economie de cca. -=2 din investitie (lipsa bateriilor), mentenanDa minim (bateriile sunt cele care cer cea mai mare atenDie), durat de viaDa prelungit a sistemului, energie pur datorit eliminarii reciclarii bateriilor.