Lucrarea 11 Dispozitive optoelectronice 1.Scopul lucr!rii n lucrare se studiaz! caracteristicile statice pentru urm!

toarele dispozitive optoelectronice: fotodioda, fototranzistorul, dioda luminescent! "i optocuplorul. 2.Considera"ii teoretice n general purt!torii apar ntr-un semiconductor datorit! excit!rii electronilor din banda de valen#! sau de pe nivelele donoare "i deplasarea acestora n banda de conduc#ie. Dac! semiconductorul este iluminat apar purt!torii de sarcin! suplimentari cu energie mai mare (purt!tori liberi). Deci iluminnd un semiconductor concentra#ia purt!torilor liberi devine n = n 0 + n p = p 0 + p unde n 0 , p 0 sunt concentra#iile de echilibru ale electronilor "i golurilor, iar n , p sunt concentra#iile electronilor "i golurilor ap!rute ce urmare a injec#iei optice. Dispozitivele optoelectronice se mpart n: dispozitive fotodetectoare, dispozitive fotoemi#!toare "i modulatoare optoelectronice. Func#ionarea dispozitivelor fotodetectoare se bazeaz! pe absor#ia radia#iei electromagnetice n corpul solid "i generarea de purt!tori de sarcin! prin efect fotoelectric. Efectul fotoelectric poate fi extern cnd purt!torii p!r!sesc materialul "i intern cnd purt!torii se elibereaz! din re#eaua cristalin!. 2.1 Fotodioda Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat dintr-o jonc#iune pn sau un contact metal-semiconductor polarizat invers, cu regiunea de trecere excitat! de un flux luminos. Simbolul, modul de polarizare "i caracteristicile statice ale fotodiodei sunt prezentate n fig. $$.$.
A V$ Far! iluminare VA IA

K a)

+ b)

Cu iluminare Fig. $$.$ c)

U/R

66

Caracteristica curent-tensiune reprezint! cele trei zone n care poate func#iona fotodioda: -cadranul trei, n regim de polarizare invers! extern! sau regim de fotodiod! n care curentul este propor#ional cu iluminarea. -cadranul patru, n regim de polarizare exterioar! nul! sau regimul de fotoelement, n care prin fotodiod! circul! un curent dependent de fluxul luminos incident. -cadranul unu adic! polarizare direct! n care fotodioda se comport! ca o jonc#iune pn normal!. Parametrii specifici unei fotodiode sunt: -curentul de ntuneric I Lo , este curentul prin fotodiod! la iluminare nul!; -tensiunea invers! maxim! VR max , este tensiunea invers! maxim! ce o poate suporta fotodioda f!r! s! apar! multiplicarea curentului n avalan"!: -rezisten#a dinamic! la polarizare invers! R D =
dU A dIA

-sensibilitatea integral! ce se poate defini astfel S = SE =

I L [A / lx ] "i reprezint! varia#ia curentului la o varia#ie a fluxului E luminos sau a ilumin!rii. 2.2 Fototranzistorul Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structur! de tranzistor, a c!rui comand! se realizeaz! pe cale optic! de c!tre un flux luminos ce cade pe regiunea bazei sau pe oricare alt! regiune (emitor sau colector). Pentru cazul n care comanda se realizeaz! n baz! fototranzistorul are simbolul "i caracteristicile statice de ie"ire date n figura $$.2:
C IC [mA] Cu iluminare Ev=ct

I L [A / lm] sau

Far! iluminare E Fig. $$.2 UCE [V]

Sensibilitatea integral! a fototranzistorului este mai mare ca la fotodiode datorit! amplific!rii n curent . Parametrii fototranzistoarelor se aseam!n! cu ai fotodiodelor "i ai tranzistoarelor obi"nuite. 67

2.3 Dioda luminiscent! Este un dispozitiv fotoemi#!tor fiind realizat! dintr-o jonc#iune pn de construc#ie special!, care emite radia#ie luminoas! pe seama energiei rezultate din recombinarea purt!torilor de sarcin!. Ea se polarizeaz! direct, emi#nd o lumin! n spectrul vizibil, ce depinde de materialul semiconductorului utilizat "i natura impurit!#ilor. Se realizeaz! de obicei din GaP cu impurit!#i de Zn (ro"u) sau N(verde). Simbolul, caracteristica curenttensiune "i caracteristica spectral! sunt prezentate n figura $$.3
A IA [mA] IV/IVo

UA [V]

%P

% [&m]

Fig.$$.3 Parametrii specifici unei diode luminiscente sunt: -intensitatea luminoas! emis! la un anumit curent direct -lungimea de und! la intensitate luminoas! maxim! P ; 2.4 Optocuplorul Optocuplorul este un dispozitiv optoelectronic ob#inut prin cuplarea optic! a unui fotoemi#!tor "i a unui fotodetector. Cu ajutorul lui se poate realiza transferul unei comenzi cu izolare galvanic! foarte bun! ntre intrare "i ie"ire. Cele mai utilizate optocuploare sunt realizate prin cuplare LED fototranzistor. Simbolul unui optocuplor mpreun! cu caracteristica de transfer IC = f (IF ) sunt prezentate n figura $$.4.
A IR IC IC [mA]

K Fig. $$.4

IF [mA]

68

3.Desf!#urarea lucr!rii 3.$. Se realizeaz! montajul din figura $$.5 pentru a determina curentul de ntuneric I Lo , tensiunea invers! maxim! precum "i pentru a trasa caracteristicile curent-tensiune.
+ S$ Fig.$$.5 mA I$
$00'

IFD VE

$0K UFD

&A VCC

+ S2 -

Unde:

S$,S2 -surse de tensiune continu! reglabil! VE -voltmetru electronic

a) Se acoper! fotodioda pentru a nu fi iluminat! "i se completeaz! tabelul $$.$: Tabelul $$.$ VCC [V] IFD [&A] UFD [V] $ 3 5 8 $0

b) Pentru determinarea URmax se regleaz! I$=$0mA "i se modific! VCC din sursa S2 n pa"i de $V pn! se ob#ine o instabilitate a IFD. Valoarea UFD n acest caz reprezint! VRmax. c) Pentru diferite valori ale curentului I$ se traseaz! caracteristica fotodiodei n cadranul trei al planului curent-tensiune prin modificarea valorii VCC "i completarea tabelului $$.2 Tabelul $$.2 I$ [mA] UFD [V] IFD [mA] IFD [mA] IFD [mA] 0. VRmax.

3.2 Pentru studiul unui fototranzistor se realizeaz! montajul din figura $$.6. Pentru diferite valori ale tensiunii I$ se traseaz! caracteristicile de ie"ire ale fototranzistorului prin modificarea VCE "i completarea tabelului $$.3

69

+ S$ -

mA

I$

$00'

IC VE

2K UCE

mA VCC

+ S2 -

Fig.$$.6 Tabelul $$.3 IS [mA] VCE [V] 0 IC [mA] IC [mA] IC [mA] IC [mA] $ 2 3 5 8 $0

3.3 Se studiaz! func#ionarea unei diode luminescente realiznd montajul din figura $$.7:
+ S$ Fig.7 VCC mA
R $K

IL VE UL

Se modific! curentul prin LED "i se m!soar! tensiunea la bornele sale completnd tabelul $$.4
Tabelul $$.4 IL [mA] $ UL[V] 2 3 5 8 $0 $2 $5 20

3.4 Se execut! montajul din figura $$.8 pentru ridicarea caracteristicii de transfer IC=f(IF) a unui cuplaj optic
+ S$ Fig.8 mA IL R$ $ K IC R2 $K mA + S2

Se regleaz! sursa S2 la $2V .Se modific! curentul prin elementul emi#!tor (LED) "i se m!soar! curentul prin fototranzistor completndu-se tabelul $$.4: 70

Tabelul $$.4 IL [mA] $ IC [mA]

$0

$2

$5

20

4.Con"inutul referatului 4.$ Schemele montajelor folosite pentru ridicarea caracteristicilor dispozitivelor optoelectronice studiate. 4.2 Caracteristicile specifice fiec!rui dispozitiv studiat.

7$