Centrale fotovoltaice

Expunerea a V-a

Celule solare realizare. Materiale Sistemele fotovoltaice sunt realizate dintr-un ansamblu de module fotovoltaice MFV, denumit arie FV- AFV. Modulul trebuie realizat ca s reziste la intemperii. Un modul este un ansamblu de celule fotovoltaice, CFV. Celulele solare sunt realizate pe baza de materiale semiconductoare la care amplitudinea benzii interzise (de ordinul electron volilor) pot sa asigure tensiuni la borne de acelai ordin de mrime - Tab 1.
Material Siliciu Sulfura de cadmiu Fosfura de indiu Compoziie Si CdS InP Ei[Ev] 1.12 1,20 1,27

Arseniura de galiu
Telulura de cadmiu Telulura de zinc Arseniura de aluminiu

GaAs
CdTe ZnTe AlAs

1,35
1,45 1,49 2,1 2,16

Antimoniura de aluminiu AlSb

Fosfura de galiu
Compus Ga-As-P

GaP
GaAsxP1-x

2,34

1,35-2,34

Celule solare Tipuri constructive

1. Celule cu Siliciu cristalin

Sunt doua tipuri de celule solare realizate din Si cristalin in producia de volum mare: a.) din Si monocristalin; b.) din Si policristalin

1. Celule cu Si (1) a. monocristalin

La aceste celule se utilizeaz Si rafinat cu o puritate tipica de 99,9999%. Metoda Czochrolski de cretere a cristalelor de Si este vizibil: buci de Si pur, fr structura cristalografica particulara sunt topite la 1414 gr. C intrun creuzet din grafit. Un mic grunte de Si este, apoi, introdus in contact cu suprafaa topita pentru a porni cristalizarea . Si topit se solidifica la interfaa dintre grunte si topitur, iar gruntele este uor de retras. ncepe formarea unui lingou mare att pe verticala cat si lateral cu atomii tinznd sa se auto aeze intr-o reea cristalina perfect.
Lingoul este tiat in felii subiri cu fierstraie cu srm.

Din astfel de siliciu se formeaz buci, tablete, de exemplu circulare, adesea cu diametrul de 15cm, cu aspect argintiu wafer asamblate in grupuri de forma drepunghiular sau hexagonal. Metoda descrisa, din cauza unor deficiente - cost energetic, cretere lent, lingouri mari, nevoia de taiere, pierdere de material, impuriti introduse de creuzet, este nlocuita cu tehnici mai sofisticate, care permit tragerea Si cristalin in foi subiri sau sub form de panglic.
Procesul tehnologic, incluznd si dopajul este costisitor; Pentru obinerea unui KWv este nevoie de 7m2; Randamentul este de 12-16%; Cunoscute ca I-a generaie de celule FV.

1. Celule cu Si (2) b. policristalin

Celulele multicristaline sau policristaline sunt asemntoare celor din Si monocristalin, dar procesul de obinere este altul. Se pornete de la Si pur, dar se utilizeaz un proces de turnare, rezultnd blocuri de Si cu structura cristalina cu multe granule, fiind o structura mai puin ideal fat de cazul precedent. Urmeaz operaia de taiere in buci mici, tablete, si apoi forme subiri, ptrate sau dreptunghiulare, wafer. Cu acestea se formeaz, apoi, module. Structura nefiind ca a celulelor din Si monocristalin se obine un randament mai sczut, tipic cu 1%, dar si cu un pre de cost mai mic. Celulele sau modulele de acest gen au culoare bleu, cu zone strlucitoare, ceea ce le fac potrivite pentru montarea pe faada cldirilor. Randamentul tipic este de 11-15% si au ajuns din urm celulele monocristaline in volumul de producie in ultimii ani. Aria modulelor este de cca. 8m2/KWv

Placa de celula

Modul din Si-policristalin

2. Celule peliculare/1
1. O prima categorie sunt celule solare tot cu Si, dar fara forma precisa, amorf, de tip pelicular, thin film, cunoscute ca a-Si. - Introduse in 1980 la calculatoare si ceasuri, fiind celule mici; Ieftine; Randamentul tipic de 6-8%, care nu conteaz uneori. S-au realizat si module mari fiind potrivite pentru faada cldirilor. Aria ceruta este aproximativ 16m2/KWv Nu este departe producia in volum mare; acum, pentru acest tip de celule volumul lor de producie este de cteva procente.
Un exemplu bun este faada cldirii alturate astfel de utilizri fac celulele de acest gen competitive cu orice alt tip, daca inem cont de faptul c nlocuiete materialele costisitoare necesare acoperirii faadelor si produce si tensiune electrica. In timp ce celulele cu Si monocristalin sunt eficiente la soare puternic, performantele lor scad la lumina difuza fiind inferioare celor cu pelicule subiri si sunt mult mai afectate de temperatura ridicata. Si-amorf este mai bun absorbant fata de Si monocristalin, pot fi folosite grosimi foarte mici, de ordinul unui m.

2. Celule peliculare/2
- Alte avantaje, ca si a altor tehnologii de acest gen: Procesul tehnologic este relativ simplu, desfasurat la temperatura joasa utiliznd substraturi ieftine si metoda de producie in linie - banda; Potenial de producie flexibil, produse uoare; Sistemul integrat, monolitic, evita realizri de plci individuale.

Si-a (Amorf - fr form precisa) poate fi depus in straturi fine, intr-o varietate de substraturi pelicule - pe un suport, fr a prezenta o structur regulat. Distanta si unghiul dintre atomii de Si sunt aleator distribuii, dnd o cretere a numrului legturilor incomplete si o concentrare mai mare a defectelor. Rezultatul: o mare densitate a strilor energetice permise in zona energiei interzise nominale, in contrast puternic cu Si cristalin. Ca efect, strile energetice extra acioneaz ca pietre de pit, permind deplasarea electronilor napoi s se relaxeze in banda de valen si s se recombine. Este, de asemenea, problema scderii mobilitii purttorilor de sarcin n materialul semiconductor - transport srac. Sunt dou ci de ameliorare:

1. Introducerea hidrogenului, H, in Si a poate pasiviza legturile incomplete, cunoscute ca legturi legnate, reducnd puternic numrul strilor energetice in exces din banda interzisa. Modificrile la Si(H) - a fig. Figura arat un aranjament neregulat a atomilor de Si, legturi legnate, DB,si legturi legnate care au fost pasivizate de atomii de hidrogen(H). Utiliznd aceasta abordare este posibil s facem material efectiv de tip n si p prin doparea cu fosfor sau bor, rezultnd o band interzis in jur de 1,75eV.

2. Celule peliculare/3
2- - introducerea in regiunea de
trecere p-n a unui strat intrinsec (care in practica este cam regiunea de tip n), dnd o structur p i - n (Fig.). Stratul i crete puternic regiunea golita de purttori si cmpul electric asociat care acioneaz mpinge - purttorii de sarcin pentru traversarea jonciunii. Presupunnd c stratul este de fapt o regiune n uor dopat, cmpul cel mai mare electric se afla la interfaa p-i si este mai bine, de aceea, s proiectm celula astfel ca lumina s ptrund prin partea frontala transparent intr-un strat foarte subire, puternic dopat de tip p. Aceasta asigur ca cei mai muli purttori de sarcina s fie generai in apropiere de partea superioar a celulei si s fie colectai cu uurin. Reversul fenomenului: la iluminarea iniial puternic, absorbia stratului i creeaz defecte adiionale care ajut recombinarea si reduce eficienta celulei - efectul Staebler - Wronski.

Fenomenul depinde de numrul total de fotoni absorbii si, in consecina, de intensitatea si durata luminii si de grosimea stratului i. Acumularea in decursul lunilor are ca rezultat o stabilizare a eficientei semnificativ micorat fa de valorile iniiale. In trecut acest fenomen a condus la reputaia unei incerte eficiente a celulei Si-a cu o jonciune.

Pierderile iniiale pot fi reduse utiliznd straturi multijonciune, sau structuri de celule stiv in care absorbia luminii este mprit intre dou sau mai multe straturi i subiri.

2. Celule peliculare/4
Prin stratificarea celulelor cu diferite benzi interzise este posibil sa utilizam un mai mare procentaj de fotoni si sa cretem nivelul de eficien si stabilitate, in special la lumina slab sau difuz. Schema de baza este data in figura alturat. Aceast construcie depinde de capacitatea Si de a forma aliaje bune cu Ge , cu o band redus interzis. Celula de sus capteaz energia ridicata a fotonilor albatri, banda fiind de cca. 1,75eV. Urmtoarea, celula verde, se bazeaz pe celula din aliaj de a-Si-Ge, cu Ge de cca. 15%, cu banda in jur de 1,6eV. Celula roie, proiectata sa captureze fotonii infraroii, cu energie joasa, utilizeaz aliaj cu cca. 50% Ge, dnd o banda interzisa in jur de 1,4eV. Fotonii, care dup prima trecere nu au fost absorbii de celule sunt returnai prin reflexie de mbrcmintea de jos, care poate fi texturizat pentru favorizarea captrii razelor.
Suportul pentru depuneri nu-i obligatoriu s fie flexibil, dar aceasta ar oferi mari posibiliti in aplicaii, dar si in producie. Procesul de producie poate fi continuu, prin rularea suportului pe care se depun diversele straturi. Stratul are o grosime de fraciuni de mm, iar lungimea poate fi de ordinul kilometrilor. Celulele individuale sunt automat trasate si interconectate ca un circuit monolitic. Neajunsurile a - Si sunt astfel nlturate i apropiate de randamentul Si cristalin, cel puin la soare puternic. Anii receni au nregistrat noi progrese in acest domeniu, depunerile putnd fi de 1um pe diferite substraturi, incluznd sticla.

2. Celule peliculare/5
Cristalele Siliciului relativ la absorbia luminii slabe depinde de eficienta ridicata a trapelor de lumina care in in pelicula lumina captata. Sperana este ca aceste microcristale ale Si vor rivaliza cu tehnologia plcuelor wafer - ca robustee si stabilitate electrica, in acelai timp utiliznd un minim de material brut ieftin si abundent, crescnd eficiena produselor amorfe, si scderea dramatica a costurilor.

Alte materiale pentru celulele FV/1 - Seleniura de indiu cupru

Un compus de semiconductor din seleniura de indiu cupru, CIS, ofer excelente caliti absorbante in straturi din mici granule, de grosime a unu - doi microni. In contrast cu Si, CIS nu poate fi dopat s formeze o jonciune proprie p-n eficient, dar poate fi interfaat cu alt semiconductor, sulfura de cadmiu, CdS, s formeze o heterojonciune - jonciune intre semiconductoare eterogene. CIS si CdS sunt bine adaptate si nu sufer recombinri excesive la interfaa. Deoarece CdS poate fi dopat cu succes numai cu un material de tip n, CIS urmeaz a fi dopat cu material de tip p. Este destul de dificil sa faci contact metalic bun cu CIS. Se utilizeaz pentru contactul inferior molibden - aurul este scump. In 1970 s-a descoperit ca banda interzisa destul de mare (1,1eV) a CIS poate sa creasc prin substituirea unei pri de indiului cu Ga (1,7 eV). In plus, tensiunea in circuit deschis joasa a CIS este mrita cu 0,5V, comparabila cu a Si cristalin, ceea ce nsemna c trebuiau cteva celule interconectate pentru a furniza o tensiune utilizabil. Aadar, in loc de CIS se folosete CIGa Fig.
Variantele comerciale au atins deja eficienta de 10-12%. In figura se vede c lumina strbate o regiune transparent care servete drept contact superior . Urmeaz regiunea extrem de subire de CdS, care formeaz heterojonciunea p-n cu regiunea absorbanta f. subire CIGS. Contactul inferior completeaz structura celulei. Doparea regiunii p se face gradual, mai

slab in preajma heterojonciunii.

Alte materiale pentru celulele FV/2- CIS, CIGS

Sistemul de dopare conduce la extinderea regiunii srcite de purttori si aceasta este asociata cmpului electric, iar purttorii de sarcin pot cu mai mare uurin s strbat jonciunea. Suportul nefigurat, poate fi rigid sau flexibil si realizat din sticla, metal sau plastic. Indiu este un material rar. Toxicitatea Cd este un alt aspect - sunt rezultate privind nlocuirea Cd cu atomi de S: CIGSS, avnd eticheta celule Cd free. Aceste realizri de celule solare peliculare dezvolta generaia a II-a de celule solare. Vom ntlni module CIS si CIGS cu suprafaa gri nchis /albastru adesea preferate de arhiteci. Sunt dezvoltri de module semitransparente, permind unei pri a luminii s ptrund in cldire, generndu-se si electricitate.

Alte materiale pentru celulele FV/3- CdTe

Telulura de Cd, CdTe, 1,45 eV. Nu este toxic dei componentele sunt. Cd rezulta din fabricarea Zn si ar fi o oportunitate de reciclare prin utilizarea sa in industria FV. Cd si Te sunt mai rspndite dect Indiu din CIS/CIGS Modulele CdTe numr 6% din producia mondiala de celule FV, in 2008, mai mult dect orice alta tehnologie peliculara si se gsesc pe scara mare in uzinele productoare de electricitate. Eficienta conversiei este cca. 11% cu posibilitatea de cretere in jur de 15% in urmtorii ani. Cele mai ieftine in termen de pre/ putere de vrf. Schema celulei asemntoare celei CIS/CIGS- figura 1, substratul de depunere fiind metal, plastic, sticla, ceea ce fac celulele rigide sau flexibile. Fig 2 arata o centrala in Germania de 810KW; in Nevada este una de 10MW, cu 167000 CdTe module, 11% , iar in 2009 s-a anunat una in Mongolia.

Materiale inovative: FV/4- GaAs

Celule speciale Ga- gr a III-a, As- gr a V-a. Utilizate la celulele solare din afara spaiului, si in sistemele terestre cu sisteme concentratoare de lumina, cu oglinzi sau lentile. Prin 1970 principalele surse spaiale erau cele cu Si cu 15%, dup care Ga a avut un mare impact:
Nu este susceptibil la defectare in spaiu din cauza radiaiilor, ca Si. Banda interzisa este de 1,42eV fata de 1,1 eV a Si, permind unui procent mai mare din spectru solar sa fie utilizat la conversie.

In figura de jos este artata o schema tipic de celula cu tripla jonciune cu GaAs, cu regiuni cu energii diferite ale benzilor interzise. Fiecare celula cuprinde staturi cristaline n si p. I-ul strat Wi =1,9eV, cuprinde GaIP, absorbant a fotonilor UV de mare energie Al II-lea GaAs cu Wi =1,42eV Al II-lea Ge cu Wi =0,7eV, pentru fotonii infraroii. In ciuda denumirii se vede ca se utilizeaz materiale din gr. III-V si Ge din IV. Este construita monolitic, straturile fiind realizate controlat - grosime si dopaj - unul dup altul. Procedeu avansat si materiale f. scumpe, dar randamentul in jur de 30%, chiar cele comerciale.

Din 1980 de cnd proiectanii au nvat cum sa depoziteze pelicule subiri pe plcutele wafer - de Ge producia componentelor multijonciune cu eficien mare s-a dezvoltat. Modulele cu tripla jonciune au rezultat fiabile si uoare ca mas. Cu toate c Ga si tehnologia au pre mare , acesta este nesemnificativ fata de costul proiectelor spaiale.

Alte materiale pentru celulele FV/5- GaAs

Poate cobori tehnologia pe pmnt? Succesul depinde de concentrarea razelor solare utiliznd lentile - Fig1sau oglinzi reflectorizante, Fig. 2. Creterea, de ex., a intensitii de 500 de ori, poate reduce suprafaa celulei de tot attea ori, pentru aceeai putere la ieire. Celulele de laborator cu concentrator au randament de 40%, iar cele comerciale nu sunt departe. Succesul sistemelor de concentrare pot conduce la reducerea costului acestor celule. Acestea se studiaz in laboratoare, dar sunt si comerciale.

Alte materiale pentru celulele FV/6- DSC, Celule prin vopsire

Generaia a III- a de celule FV sunt cu materiale organice artificiale Un exemplu de celule sunt cele DSC ( Dye Sensitive Cells)- celule senzitive vopsite, prezente in avangarda dezvoltrii si comercializrii. In 1991 s-a raportat de doi cercettori Michael Graetzel si Brian ORegan , Universitatea Politehnica din Lausanne, Elveia - c o pelicula de 10um din TiO2 poate lucra ca o celula solara daca este acoperita cu o vopsea organic imersata intr-un electrolit si prevzut cu contacte. Celula Graetzel: TiO2 este realizat poros nanotehnologie, semiconductor anorganic; vopseaua si electrolitul sunt organice, astfel celula este numita organica - anorganica. Vopseaua acioneaz ca un absorbant, genernd electroni pe care-i injecteaz in banda de conducie a semiconductorului

Alte materiale pentru celulele FV/7- DSC

Conceptele de baza sunt aceleai absorbia fotonilor, pierderile optice, generarea, transportul sarcinilor recombinarea, rezistenta dar terminologia si procesele electrochimice sunt din alta sfera, cu termeni nefamiliari. Schema de baz a DSC arat: lumina intra printr-un contact transparent, situat la partea superioara, este absorbita de vopseaua organica (care acoper TiO2) care se oxideaz, aadar elibereaz electroni. Electronii cu un plus de energie sunt injectai in banda de conducie ai TiO2 , sunt transportai prin difuzie pana la contactul electric superior. Dac este conectata o sarcina, prin circuitul exterior, electronii ajung la electrodul inferior - Counter electrode. Acest electrod va furniza, in acest fel, electronii pentru restaurarea strii vopselei - stare neoxidata.

Alte materiale pentru celulele FV/7- DSC

Si aici au loc recombinri, dar nu in aceeai maniera ca cea de la celulele cu Si.

Dei electronii sunt injectai de vopsea in banda de conducie a semiconductorului, nu se formeaz goluri in banda sa de valena; nu sunt generate perechile electron gol. Electronii pot, insa, sa se recombine cu oxidul de vopsea. Injecia de electroni si transportul in semiconductor este, ins, extrem de rapid comparativ cu procesul de recombinare, nct separarea efectiva a sarcinii are loc. Se face o paralela adesea cu procesul fotosintezei Celulele Graetzel au nregistrat eficienta de 10% in condiii standard de iluminare 1000W/m2, 25 gr. C, dar nu acesta este criteriul acestor celule: lumina sczut si difuza, temperatura ridicata. Caliatati:
utilizeaz materiale netoxice; se gsesc din abunden; pot fi realizate pe suport flexibil; pot fi realizate la dimensiuni si forme particulare; pot satisface diferite criterii estetice. proces tehnologic relativ simplu pretabil la producia rola-rola

Utilizri: integrarea in construcii: produse pt. acoperiuri, ferestre transparente si semitransparente, componente despritoare si decorative.

Module si arii
Celulele solare necesita o incapsulare atenta pentru a preveni efectele solicitarilor mecanice, termice, patrunderea apei si a umezelei; contactele electrice trebuie sa fie robuste si protejate la coroziune. O parte a modulelor sunt prevazute cu rame din Al - confera protectie si simplificare de montaj pe acoperisuri sau pe structuri suport. O alta parte de module sunt fara suport, laminate preferabile din ratiuni de estetica la fatade. Pentru un nivel al eficientei celulelor, puterea de iesire este proportionala cu suprafata modulului. Pentru minimizarea numarului de conexiuni electrice si reducerea costului general de montaj, constructorii au marit puterea modulelor: la Si s-a ajuns la cateva sute de W, puterea de varf. O conditie: sa nu fie prea mari- greu de manipulat. Modulul este un ansamblu de celule. Celula este casanta se va avea in vedere acest aspect.

Constructia unui modul FV- asamblarea mecanica.

Celula este incapsulata fara aer intr-un material din acetat vinil etil. La partea superioara urmeaza o sticla termica tratata, de multe ori, cu o imbracaminte antireflectorizanta ARC. Dedesupt este o foaie de Tedlar- un polimer sintetic care este o bariera la umezeala si la substantele chimice. Acest sandwich estefixat intr-o rama din Al cu un material de etansare. Constructia astfel realizata trebuie sa reziste 25-30 de ani la expunerea exterioara in diferite zone: deserduri nisipoase, zapada alpina,vanturi, ploaie, poluanti, temperaturi extreme, umezeala, ploi.