Republica Moldova

Universitatea Tehnica a Moldovei

REFERAT
La disciplina Convertoare i echipamente
electronice avansate

Tema: AMPLIFICATOARE

AUDIO pe baza e TRA!"I#TOARE MO#FET

A efectuat: St. Gr. IE-13M Bcec Ivan

A verificat: Blaja Valeriu

Chisinu 2013

Tranzistorul - dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor avind cel puin trei borne, care fac legtura la diferite regiuni ale cristalului semiconductor. Este folosit indeosebi pentru a amplifica i a comuta semnale electronice i semnale de putere electric.

Notiunea de tranzistor a fost inventata in statul nord-estic american, New-Jersey la ell !elep"one #aboratories in $%&'. (a urmare a dezvoltrii sale de la )nceputul anilor $%*+, tranzistorul a revoluionat in domeniul electronicii, i a desc"is calea pentru crearea ec"ipamentelor electronice mai mici, si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, computere s.a. ,spectul tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru care este destinat. -n prezent unele tranzistori mai sunt inca ambalate individual, dar marea ma.oritate sunt gsite )ncorporate )n circuite integrate. /escoperirea tranzistorului a determinat un puternic imbold spre dezvoltarea electronicii moderne. !ranzistorul 0123E! - !ranzistorul cu Efect de (amp tip 0etal-14id2emiconductor 5!E(-012, in engleza suna 0123E!5 0etal-14id2emiconductor 3ield Effect !ranzistor. ,cesta este un dispozitiv electronic semiconductor cu 6 terminale7 sursa, drena, poarta. 8ezi fig.$ $. 2ursa - electrodul de unde pleaca sarcinile electrice, 9. /rena - electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice, 6. :oarta - electrodul care comanda comportarea dispozitivului.

3ig.$ 2tructura unui transzistor 0123E!

!ranzistorul de putere 0123E! este un dipozitiv foarte rsp;ndit )n electronica de putere datorit performanelor pe care le dezvolt7

Prototip primului MOSFET

- viteza de comutaie mare, capabil sa comute la frecvene mari deoarece el este un dispozitiv electronic la care conducia se face prin purttori ma.oritari de sarcin. - (omanda sa, se face )n tensiune, iar viteza de comutaie depinde de ritmul )n care se introduce sau se elimin sarcina din circuitul de poarta. - <mpedana de intrare are valori foarte mari, )ntruc;t poarta tranzistorului 0123E! este izolata electric de surs printr-un strat de o4id de siliciu. #a aplicarea unei tensiuni )ntre poarta i surs, un curent foarte mic, practic negli.abil, se stabilete )ntre surs i poart. 0a.oritatea tranzistoarelor 0123E! au incorporate )ntre dren i surs o diod. !impul de polarizare invers al diodei depinde de tensiunea dren-surs. :entru tensiuni .oase =$++ 8>, timpul de revenire este de circa 9++ ns, )n timp ce la tranzistoarele cu tensiuni dren-surs de &++ - *++ 8, timpul de revenire este de ?++ - '++ ns. -n caracteristic din fig.9 ID 5 f ( UDS) se disting dou zone cunoscute sub numele de @rezisten constant @ i de @curent constant @.

3ig.9

:;n )n punctul , al caracteristicii, curentul </ crete proporional cu tensiunea A/2. /up acest moment, la orice cretere a tensiunii, prin tranzistor curentul rm;ne constant. Cnd tranzistorul MOSFET este folosit ca element de comutaie , cderea de tensiune )ntre dren i surs este proporional cu curentul de dren, adic tranzistorul lucreaz n domeniul de rezisten constant. /in acest motiv, rezistena dren-surs a tranzistorului )n starea de conducie, B/2, este un element foarte important )n determinarea pierderilor de putere. Bezistena drena-sursa RDS depinde relativ puin de temperatur. 2e apreciaz c aceasta se dubleaza la o gam de variaie a temperaturii de $$+C (. -n cazul tranzistoarelor 0123E!, pierderile de putere la comutaie se dubleaz doar la o variaie a temperaturii de circa $++C (. /in acest punct de vedere tranzistorul de putere 0123E! este mai stabil decat tranzistorul bipolar. :entru a folosi cele mai adecvate procedee de comand a tranzistorului 0123E! de putere, trebuie cunoscute limitele de variaie a capacitilor parazite )n funcie de tensiunile aplicate tranzistorului. 2c"ema electric a structurii tranzistorului este redat )n figura 6. Drosimea i suprafaa stratului de material dielectric de 2i1 9 dintre poart i surs, determin valoarea capacitii de poart. -n starea de blocare capacitatea total dintre poarta i surs este format din7 a> capacitatea (6 corespunztoare spaiului dintre poart i stratul de tip NE puternic dotat din surs b> capacitatea (9 dintre poart i stratul : dotat moderat c> capacitatea ($ dintre sursa i stratul metalizat depus pe surs deasupra porii.

3ig.6 2c"ema electrica ec"ivalenta a tranzistorului 0123E!

(e este un amplificator pe baza de MOSFET F

2emnalele electrice mici nu sunt prea utile atunci cand avem de a face cu domenii cum ar fi cel audio. (a sa putem auzi muzica, semnalele trebuie amplificate !

,mplificarea semnalului audio este posibila cu a.utorul tranzistoarelor. 1 e4plicatie succinda ar fi ca tranzistoarele permit controlarea a unui curet mare cu altul mai mic. mplificator audio de putere ! nucleul oricarui sistem muzical )l constituie amplificatorul de audiofrecve, care de obicei este alctuit din dou pri principale preamplificatorul i amplificatorul de putere. 0enirea amplificatorului de audiofrecven este de a prelucra semnalul primit de sursa de program audio astfel )nc;t traductorul de ieire s redea sub forma de unde sonore mai puternice la performanele dorite.

/eoarece din aceast precizare general sunt greu de dedus proprietile concrete ale amplificatorului, care sunt de diferentiete clase7 ,, , , , (, /, E, 3, D, G H care trebuie s le posede un aparat de audiofrecven de oarecare fidelitate e4emplu Gi-3i. 0area ma.oritate a dispozitivilor electronice contemporane sunt constituite pe 0-1-2 transitoare, din principiul ca sunt mai econome in comparatie cu tranzistoarele bipolare. <n prezent pe o suprafata de $-9 cm9 se pot amplsa =p)na c)nd> circa citeva miliarde de transistoare. ,ceste micsorari a elementelor tranzistoarelor permit o ma.orare de efectuare a operatiunilor insotita cu o dega.are mai mica de caldura si respectiv un consum mai mic. Anele din avanta.ele principale ale tranzistoarelor 0123E!7 Beglare buna prin tensiune a curentului ce trece prin tranzistor (onsum mic de energie datorita impedantei de intrare mari =pina la $+ $' 1"m> (urentul depinde liniar de tensiunea la intrare 0ai putine distorsiuni al semnalul amplificat 2tabilitate la supraincarcari si functionare stabila la frecvente mai mari Nivel scazut de zgomot 2implificarea sc"emelor sofisticate si sporirea rezultatelor finale (onectarea simpla in pararel a mai multor 0123E!i pe o ramura :uteri mai mari

<n prezent utilizarea te"nologiei cu tranzistoare 0123E! in amplificatoarelor audio nu este ceva unical sau inovational, insa o mare ma.oritate a producatorilor electronicii moderne indeosebi a autoturismelor este pe amplificatoare cu tranzistoare 0123E!. An punct forte a marIetologilor este accentuarea a unei deosebite atentii catre aceste tranzistoare in amplificatoare audio, indeosebi pentru consumatorii neinformati.

E4ista o multime de pareri despre calitatea si puterea sunetului emis de amplificatoarele pe baza de tranzistoare 0123E!. #a general spus dispozitivele audio la iesirea carora sunt 0123E!-uri au o calitate mai .oasa decit cele pe lampi, insa pentru cerintele contemporane unde se pune accent pe puterea si claritatea sunetului, pretul, robustitatea si accesibilitatea dispozitivului 0osfeturile au prioritate. <nferioritatea calitatii sunetului in comparatie cu amplificatoarele pe lampi este demonstrata prin faptul ca initial tranzistoarele 0123E! au fost proiectate ca switc"-uri =intrerupatoare> si apoi si-au gasit utilizarea in amplificarea de semnale electrice.

:retul si proprietatile decente ale apratelor audio pe baza de tranzistoare 0123E! leau evidentiat pe piata moderna.

/esigur pe linga calitati pozitive sunt evidentiate si unede dezavanta.e ale acestor tranzistoare7 :ret superior transistoarelor bipolare 2ensibil la curent electric static care e prezent practic in orice mediu si a.unge la mii de volti #a puteri mari stabilitatea termica se ec"ivaleaza cu cea a tranzistoarelor bipolare, insa calitatea sunetului amplificat cedeaza, =dupa $*+ o( la 0123E! iar la tranzistoare bipolare dupa 9++o(> :utina literatura si sc"eme simple pentru incepatori #a frecvente mai mari de $,*DGz consumul de energie a tranzistoarelor 0123E! creste e4ponential. Jde aceea a si disparut goana de marire a frecventei procesoarelor ci marirea numarul de nucleeK

Evident ca pentru marea ma.oritate a dispozitivelor audio cu amplificatoare incorporate ce se comercializeaza, tranzistoarele 0123E! ar fi o alegere optimala, referinduse la concluziile luate de mai sus si raportul pret-calitate.

/ependenta (urentuluidrena de tenisunedrena

/ependenta (urentuluidrena de tenisunepoarta

< #<1DB,3<E
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET http://tec.org.ru/board/4 -!-"-#$% http://electrodb.ro/atelier/audio/ampli&icatoare/ampli&icator-de-!"""w-mo'&et-legend-'tagema'ter-mk#/ http://&orum.'o&tpedia.com/topic/(#%$$%-mo'&et-'au-bipolari-ampli&icatoare-audio/ http://hightolow.ru/tran'i'tor4.php http://www.redcircuit'.com/Page!#).htm http://grimmi.ru/Mo'&et*#"tran'.html http://mariolla.com/inde+.php/ampli&ier/!#-mo'&it.html http://radiokot.ru/&orum/,iewtopic.php-&.4#/t.%($)#