C

i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Amplicatoare operat ionale
1). Sa se proiecteze un amplicator operat ional Miller cu urmatoarele specicat ii:
GBW=10MHz, SR=15V/s, C
L
=3pF, f
zp
=10GBW, m

=60

si V
DD
= -V
SS
=1,5V.
Lungimea canalului tranzistoarelor se considera L=1m. Tensiunea de overdrive a
tranzistoarelor care nu rezulta din calcul se recomanda sa e V
od
=200mV. Tranzistoa-
rele de intrare sunt de tipul NMOS.
M I
D
W/L V
od
V
Th
NMOS 50A 10m/1m 175mV 450mV
PMOS 50A 20m/1m 225mV 450mV
Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor

M
1
M
2
M
3 M
4
M
6
C
M
C
L
V
out
M
7
M
5
V
biasn
V
DD
V
SS
I
m
I
p
Figura 1
Rezolvare:
Pasul 1: Determinarea capacitat ii de compensare n raport cu cea de sarcina.
Conform expresiilor lui GBW si f
zp
si t inand cont de relat ia dintre frecvent a zeroului
si GBW data n specicat ii, vom avea:
1
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

GBW =
G
m1
2C
M
f
zp
=
G
m2
2C
M
G
m2
= 10G
m1
(1)
Determinarea raportului dintre frecvent a polului al doilea si produsul amplicare-
banda, se face dupa cum urmeaza:
m

= 90

arctan

GBW
f
p2

arctan

GBW
f
zp

GBW
f
p2
= tan

90

tan
1

GBW
f
zp

f
p2
2, 22GBW (2)
T inand cont de acest rezultat, de legatura dintre transcoductant ele celor doua etaje si
de expresiile lui GBW si f
p2
, rezulta relat ia dintre capacitatea Miller si cea de sarcina:

GBW =
G
m1
2C
M
f
p2
=
G
m2
2C
L
C
M
0, 22C
L
(3)
Pe baza acestei relat ii si stiind ca C
L
= 10pF, putem alege capacitatea de compensare
C
M
= 2, 5pF.
Pasul 2: Calculul curentului de polarizare a etajului diferent ial.
Din formula vitezei maxime de variat ie a tensiunii de iesire se calculeaza curentul I
5
:
SR =
I
5
C
M
I
5
= SR C
M
= 37, 5A (4)
Pasul 3: Calculul valorilor transconductant elor celor doua etaje.
Din expresia produsului amplicare-banda putem obt ine valoarea lui G
m1
:
GBW =
G
m1
2C
M
G
m1
= 2C
M
GBW = 157S g
m1
= 157S (5)
Am aratat anterior ca ntre transconductant ele celor doua etaje exita relat ia:
2
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
G
m2
= 10G
m1
= 1, 57mS g
m6
= 1, 57mS (6)
Pasul 4: Gasirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M
1
-M
2
.
Stiind valorile transconductant ei si a curentului prin M
1
, putem aa tensiunea de
overdrive a acestui tranzistor:
g
m1
=
2I
1
V
od1
=
I
5
V
od1
V
od1
=
I
5
g
m1
= 239mV (7)
Pasul 5: Dimensionarea tranzistoarelor M
1
-M
2
.
Folosind setul de referint a pentru tranzistoare NMOS (I = 50A, V
od
= 175mV ,
W/L = 10/1) se face o scalare pentru a obt ine setul de parametrii dorit i (I
1
=
18, 75A, V
od1
= 239mV, W
1
/L
1
):
50
18, 75
=
10L
1
W
1

175m
239m

W
1
L
1
= 2 =
2
1
(8)
Pasul 6: Dimensionarea tranzistorului M
5
.
Se face o noua scalare pentru setul de parametrii dorit i
(I
5
= 37, 5A, V
od5
= 200mV, W
5
/L
5
):
50
37, 5
=
10L
5
W
5

175m
200m

W
5
L
5
= 5, 7 =
5, 7
1
(9)
Pasul 7: Dimensionarea tranzistoarelor M
3
-M
4
.
Din nou scalam, de data aceasta folosind setul de referint a pentru tranzistoare PMOS
(I = 50A, V
od
= 225mV, W/L = 20/1). Parametrii dorit i sunt
(I
3
= 18, 75A, V
od3
= 200mV, W
3
/L
3
):
50
18, 75
=
20L
3
W
3

225m
200m

W
3
L
3
= 9, 5 =
9, 5
1
(10)
Pasul 8: Calculul curentului prin etajul al doilea de castig si dimensionarea lui M
6
.
Pentru ca factorul de reexie al oglinzii de curent M
3
-M
4
si M
6
sa nu depinda de
eroarea datorata coecientului de modulat ie al lungimii canalului, se impune condit ia
de echilibru a tensiunilor drena-sursa.

In aceste condit ii tensiunile de overdrive ale
tranzistoarelor ce formeaza oglinda sunt egale:
3
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
od3
= V
od4
= V
od6
= 200mV (11)
Din formula transconductant ei pentru M
6
, rezulta curentul prin acest tranzistor.
g
m6
=
2I
6
V
od6
I
6
=
1
2
g
m6
V
od6
157A (12)
Raportul dintre lat imea si lungimea canalului lui M
6
se poate calcula:
50
157
=
20L
6
W
6

225m
200m

W
6
L
6
= 80 =
80
1
(13)
Pasul 9: Dimensionarea lui M
7
.
50
157
=
10L
7
W
7

175m
200m

W
7
L
7
=
23, 8
1
(14)
Pasul 10: Determinarea tensiunii de polarizare V
biasn
.
V
biasn
= V
SS
+V
Thn
+V
od5
= 1, 5 + 0, 45 + 0, 2 = 0, 85V (15)
2). a). Sa se proiecteze un amplicator operat ional Miller cu urmatoarele specicat ii:
GBW=10MHz, SR=15V/ s, C
L
=3pF, f
zp
=3GBW, m

=60

si V
DD
=3V, V
SS
=0V.
Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. Tensiunea de overdrive a tranzistoa-
relor care nu rezulta din calcul se considera V
od
=200mV. Intrarea se face pe tranzistoare
NMOS.
b). Desenat i caracteristicile de amplitudine si faza pentru circuitul proiectat, consi-
derand valoarea simulata a castigului de joasa frecvent a A
0
=60dB. Se neglijeaza efectul
Miller pe tranzistoarele de intrare si perechea pol-zero introdusa de oglinda M
3
-M
4
.
c). Desenat i schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a si dat i expresiile
parametrilor acesteia.
Solutie: a). Se repeta pasii de proiectare de la problema 1), iar n nal se obt in
dimensiunile tuturor tranzistoarelor din schema.
C
M
1, 63C
L
, aleg C
M
= 5pF (16)

In urma calculelor rezulta valorile:

4
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
G
m1
= g
m1
= 314, 16S , G
m2
= g
m6
= 942, 47S
W
1
L
1
=
4
1
,
W
5
L
5
=
11, 4
1
,
W
3
L
3
=
19
1
W
6
L
6
=
47, 7
1
,
W
7
L
7
=
14, 3
1
V
biasn
= 0, 65V (17)
b). Frecvent ele singularitat ilor se calculeaza conform urmatoarelor relat ii:

f
p1
=
GBW
A
0
= 10kHz
f
p2
=
g
m6
2C
L
= 50MHz
f
zp
= 3GBW = 30MHz
GBW = 10MHz
(18)
100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
-270d
-240d
-210d
-180d
-150d
-120d
-90d
-60d
-30d
0d
-60
-20
0
20
40
60
-40
f
p1
=10kHz
f
p2
=50MHz
f
zp
=30MHz
GBW=10MHz
A
0
=60dB
Figura 2
5
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Diagramele Bode sunt desenate n Figura 2.
c). Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a este data n Figura 3, iar
expresiile parametrilor sunt conform sistemului (19).
C
1
V
in C
L
C
M
R
1
G
m1
V
in
G
m2
V
1
V
1
V
out
R
2
Figura 3

G
m1
= g
m1
R
1
= r
DS2
|| r
DS4
C
1
= C
BD2
+C
BD4
+C
GS6
+C
GD6
(G
m2
R
2
)
G
m2
= g
m6
R
2
= r
DS6
|| r
DS7
(19)
M
1
M
2
M
3
M
4
M
6
C
M
C
L
V
out
M
7
M
5 V
biasp
V
DD
V
SS
I
m
I
p

Figura 4
3). Sa se proiecteze un amplicator operat ional Miller cu urmatoarele specicat ii:
GBW=15MHz, SR=25V/s, C
L
=5pF, f
zp
=5GBW, m

=60

si V
DD
=-V
SS
=1,2V. Lun-
6
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
gimea canalului tranzistoarelor se va lua L=0,5m. Tensiunea de overdrive a tranzis-
toarelor care nu rezulta din calcul se considera V
od
=200mV. Intrarea se face pe tran-
zistoare PMOS. Care este domeniul de variat ie a tensiunii de iesire, daca amplitudinea
semnalului la iesire este V
semn
=0,4V.
Rezolvare: vom urma aceeasi pasi de proiectare ca la problema 1).
Pasul 1: Determinarea capacitat ii de compensare n raport cu cea de sarcina.
C
M
0, 59C
L
(20)
Pe baza acestei relat ii si stiind ca C
L
= 5pF, putem alege capacitatea de compensare
C
M
= 3pF.
Pasul 2: Calculul curentului de polarizare a etajului diferent ial.
SR =
I
5
C
M
I
5
= SR C
M
= 75A (21)
Pasul 3: Calculul valorilor transconductant elor celor doua etaje.
GBW =
G
m1
2C
M
G
m1
= 2C
M
GBW = 283S (22)

Intre transconductant ele celor doua etaje exita urmatoarea relat ie:
G
m2
= 5G
m1
= 1, 41mS (23)
Pasul 4: Gasirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M
1
-M
2
.
g
m1
=
2I
1
V
od1
=
I
5
V
od1
V
od1
=
I
5
g
m1
= 265mV (24)
Pasul 5: Dimensionarea tranzistoarelor M
1
-M
2
.
50
37, 5
=
20L
1
W
1

225m
265m

W
1
L
1
= 10, 8 =
5, 4
0, 5
(25)
Pasul 6: Dimensionarea tranzistorului M
5
.
50
75
=
20L
5
W
5

225m
200m

W
5
L
5
= 38 =
19
0, 5
(26)
7
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pasul 7: Dimensionarea tranzistoarelor M
3
-M
4
.
50
37, 5
=
10L
3
W
3

175m
200m

W
3
L
3
= 5, 7 =
2, 8
0, 5
(27)
Pasul 8: Determinarea curentului prin etajul al doilea de castig si dimensionarea lui
M
6
. Stiind ca V
od3
= V
od4
= V
od6
= 200mV , rezulta:
Din formula transconductant ei pentru M
6
, rezulta curentul prin acest tranzistor.
g
m6
=
2I
6
V
od6
I
6
=
1
2
g
m6
V
od6
= 140A (28)
Facem o noua scalare pentru a obt ine dimensiunea lui M
6
:
50
140
=
10L
6
W
6

175m
200m

W
6
L
6
= 21, 2 =
10, 6
0, 5
(29)
Pasul 9: Dimensionarea lui M
7
.
50
140
=
20L
7
W
7

225m
200m

W
7
L
7
= 70, 8 =
35, 4
0, 5
(30)
Pasul 10: Calculul tensiunii de polarizare V
biasp
.
V
biasp
= V
DD
V
SG5
= 1, 2 (0, 45 + 0, 2) = 0, 55V (31)
Pasul 11: Pentru a asigura regimul de saturat ie a tranzistoarelor se ia V
DS
= V
od
+V ,
iar V = 100mV .

In acest caz, domeniul de variat ie a tensiunii de iesire este:

V
outMIN
= V
SS
+V
DS6
+V
semn
= 1, 2 + (0, 2 + 0, 1) + 0, 4 = 0, 5
V
outMAX
= V
DD
V
DS7
V
semn
= 1, 2 (0, 2 + 0, 1) 0, 4 = +0, 5
(32)
4). Sa se proiecteze un amplicator operat ional cascoda pliata cu urmatoarele specica-
t ii: GBW=50MHz, SR=50V/s, C
L
=4pF si V
DD
=-V
SS
=1,5V. Lungimea canalului
tranzistoarelor este L=1m. Curentul prin ramurile etajului cascoda este I
cas
=1,5*I
in
.
Intrarea se face pe tranzistoare NMOS.
a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca amplitudinea semnalului
de iesire V
semn
=0,5V.
b). Calculat i tensiunile de polarizare V
biasn
, V
casp
si V
biasp
.
8
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
c). Dimensionat i tranzistoarele din schema.
d). Desenat i schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a si dat i expresiile
parametrilor acesteia.
M
ina
M
2a
M
3a
M
4a
C
L
V
out
M
5
V
biasn
V
DD
V
SS
I
m
I
p
V
casp
M
inb
M
2b
M
3b
M
4b
V
biasp
M
1a
M
1b
I
in
I
in
I
cas
I
cas
P
Figura 5
Rezolvare:
a). Valorile tensiunilor de overdrive se aleg V
od
= 250mV pentru tranzistoarele de po-
larizare M
1
, M
4
, M
5
si V
od
= 200mV pentru tranzistoarele cascoda M
2
, M
3
. Tensiunea
de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
in
rezulta V
od
= 160mV , dupa cum se va
arata la punctul c). Adit ional, tensiunea drena-sursa a ecarui tranzistor se alege cu
o margine V = 100mV fat a de valoarea V
DS
minima admisa.
Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele sa e
polarizate n regim saturat. Rezulta ca limitele de variat ie ale tensiunii de iesire sunt:

V
DD
V
outMAX
= V
DS3
+V
DS4
V
outMAX
= V
DD
(V
od3
+ V ) + (V
od4
+ V )
V
outMAX
= 0, 85V
V
outMIN
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
V
outMIN
= V
SS
+V
od1
+V
od2
+ 2V
V
outMIN
= 0, 85V
(33)
9
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Rezulta ca variat ia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
V
out
= V
MAX
out
V
MIN
out
= 0, 85 (0, 85) = 1, 7V (34)
Pentru aplicat ia noastra consideram ca variat ia varf la varf a semnalului de iesire este
de 1V . Aceasta este mai mica decat valoarea teoretica maxima calculata n (34).
b). Calculul tensiunii continue la iesire si apoi a tensiunilor de polarizare din grilele
tranzistoarelor se face in condit iile n care tensiunile de mod comun la intrare si iesire
sunt egale, V
in
=V
out
.
Limita inferioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la intrare trebuie sa
permita tranzistoarelor de intrare M
ina
-M
inb
si celui de polarizare a etajului diferent ial
M
5
sa funct ioneze n regim saturat.
V
min
in
V
SS
= V
GS
in
+V
DS5
, (35)
unde:

V
GS
in
= V
od
in
+V
Thn
= 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V
V
DS5
= V
od5
+ V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(36)
Rezulta V
MIN
in
= 0, 54V
Pe de alta parte, valoarea minima a tensiunii continue la iesire se poate obt ine conform
ecuat iei (37). T inem seama de faptul ca amplitudinea semnalului de iesire, notata cu
V
semn
, este un sfert din tensiunea varf la varf diferent iala de iesire.
V
MIN
out
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
semn
, (37)
unde:

V
DS1
= V
od1
+ V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V
V
DS2
= V
od2
+ V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
(38)
De aceasta data, rezulta V
MIN
out
=-0,35V.
Valoarea minima a tensiunii continue care acopera ambele valori part iale calculate mai
sus este V
MIN
in
= V
MIN
out
=-0,35V.
10
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Limita superioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la iesire trebuie sa
permita funct ionarea tranzistoarelor M
3
si M
4
n regim saturat, n condit iile n care
semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
V
DD

V
MAX
out
+V
semn

= V
SD3
+V
SD4
, (39)
unde:

V
SD3
= V
od3
+ V = 0, 3V
V
SD4
= V
od4
+ V = 0, 35V
(40)
Rezulta valoarea maxima a tensiunii continue la iesire, ca ind V
MAX
out
=0,35V.
Teoretic, tensiunea continua la iesire poate n intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru
maximizarea domeniului de variat ie a semnalului de iesire alegem V
in
= V
out
=0V.
Pentru calculul tensiunilor de polarizare V
biasp
, V
casp
si V
biasn
, mai ntai stabilim caderile
de tensiune pe ecare tranzistor din schema, astfel ncat ele sa e polarizate n regim
saturat.

In aceste condit ii, tensiunile drena-sursa se aleg cu o margine de 100mV fat a
de tensiunile de overdrive.
Deoarece schema este simetrica, tranzistoarelor M
1
-M
2
si M
3
-M
4
vom aloca 1,5V. Vom
repartiza mai mult spatiu n tensiune tranzistoarelor cascoda. Prin urmare, alegem
V
DS1
= V
SD4
=0,5V si V
DS2
= V
SD3
=1V.
Tensiunea V
DS5
este condit ionata de valoarea tensiunii continue la intrare si se calcu-
leaza conform ecuat iei:
V
in
V
SS
= V
GS
in
+V
DS5
V
DS5
= 0, 89V (41)

In Figura 6 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.

Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:

V
biasn
V
SS
= V
GS5
V
biasn
= 0, 8V
V
DD
V
biasp
= V
SG4
V
biasp
= 0, 8V
V
DD
V
casp
= V
SD4
+V
SG3
V
casp
= 0, 35V
(42)
11
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
ina
M
2a
M
3a
M
4a
C
L
V
out
M
5
V
biasn
V
DD
=1,5V
V
SS
=-1,5V
I
m
I
p
V
casp
M
inb
M
2b
M
3b
M
4b
V
biasp
M
1a
M
1b
0,5V
1V
1V
0,5V
1,61V
0,89V
Figura 6
c). Dimensionarea tranzistoarelor AO cascoda pliata este structurata pe pasi. Acestia
sunt prezentat i n cele ce urmeaza:
Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial. Curentul I
5
se
obt ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
5
C
L
I
5
= SR C
L
= 200A (43)
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferent ial de intrare este egal cu jumatate
din curentul prin M
5
.
I
ina
= I
inb
= I
5
/2 = 100A (44)
Curentul prin ramurile etajului de iesire este I
cas
= 1, 5 I
in
= 150A.
Curentul prin tranzistoarele M
4a
-M
4b
este 250A, conform teoremei lui Kirchho pen-
tru curent ii din nodul de pliere.
Pasul 2: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW determinam transconductant a G
m1
.
GBW =
G
m1
2C
L
G
m1
= g
m
in
= 2C
L
GBW = 1, 25mS (45)
Pe de alta parte, transconductant a lui M
in
se poate scrie astfel:
12
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m
in
=
2I
in
V
od
in
(46)
Din ecuat iile (45) si (46) rezulta valoarea tensiunii de overdrive pentru tranzistoarele
de intrare.
V
od
in
=
2I
in
g
m
in
= 160mV (47)
Pasul 3: dimensionarea tranzistoarelor.

In Tabelul 2 sunt dat i curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din schema.
Tip I
D
V
od
V
DS
M
in
100A 160mV 1,61V
M
1
150A 250mV 0,5V
M
2
150A 200mV 1V
M
3
150A 200mV 1V
M
4
250A 250mV 0,5V
M
5
200A 250mV 0,89V
Tabelul 2: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Deoarece curent ii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate, egal cu
50A, se vor face scalari pentru tranzistoarele de tip NMOS si PMOS avand curentul
egal cu unitatea si tensiunea de overdrive de 200mV si 250mV , dupa caz. Rezulta:

W
n
L
n
=
7, 5
1
,
W
p
L
p
=
25, 3
1
, pentru V
od
= 200mV
W
n
L
n
=
4, 8
1
,
W
p
L
p
=
16, 2
1
, pentru V
od
= 250mV
(48)
In Tabelul 3 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schema.
M M
in
M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
W
L
23, 6
1
3*
4, 8
1
3*
3, 7
0, 5
3*
12, 6
0, 5
5*
16, 2
1
4*
4, 8
1
Tabelul 3: Geometria tranzistoarelor
13
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
d). Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a este data n Figura 7, iar
expresiile parametrilor sunt conform sistemului 49.
C
p
V
in C
L
R
p
G
m1
V
in
G
m2
V
p
V
p V
out
R
out
Figura 7

G
m1
= g
m1
R
P

=
1
g
m3
C
P
= C
BD4
+C
BS3
+C
BD1
+C
GD4
+C
GS3
G
m2
= g
m3
R
out
= g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
(49)
M
1
M
2
M
3
M
4
M
6
C
L
V
out
M
7
M
5
V
biasp
V
DD
V
SS
I
m
I
p
V
casn
V
biasn
M
8
M
9
M
10
M
11
P
Figura 8
5). Sa se proiecteze un amplicator operat ional cascoda pliata cu urmatoarele specica-
t ii: GBW=50MHz, SR=50V/s, C
L
=4pF, C
P
=200fF si V
DD
=3V, V
SS
=0V. Lungimea
14
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
canalului tranzistoarelor este L=1m. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS.
a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca valoarea tensiunii de
iesire varf la varf diferent iale este 2V?
b). Calculat i tensiunile de polarizare V
biasn
, V
casn
si V
biasp
.
c). Dimensionat i tranzistoarele din schema.
d). Desenat i caracteristicile de amplitudine si faza pentru circuitul proiectat. Prin
simulari se obt ine castigul de joasa frecvent a A
0
=60dB. Se neglijeaza efectul Miller pe
tranzistoarele de intrare si perechea pol-zero introdusa de oglinda de curent M
8
-M
9
-
M
10
-M
11
.
Rezolvare:
a). Valorile tensiunilor de overdrive se aleg V
od
= 250mV pentru tranzistoarele de
polarizare M
3
, M
4
- M
5
, M
10
-M
11
si V
od
= 200mV pentru tranzistoarele cascoda M
6
-
M
7
, M
8
-M
9
. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
1
-M
2
rezulta V
od
=
160mV , dupa cum se va arata la punctul c). Adit ional, tensiunea drena-sursa a ecarui
tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea V
DS
minima admis a.
Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele sa e
polarizate n regim saturat. Rezulta ca limitele de variat ie ale tensiunii de iesire sunt:

V
DD
V
MAX
out
= V
SD9
+V
SD11
V
MAX
out
= V
DD
(V
od9
+ V ) + (V
od11
+ V )
V
MAX
out
= 2, 35V
V
MIN
out
= V
DS7
+V
DS5
V
MIN
out
= V
od1
+V
od2
+ 2V
V
MIN
out
= 0, 65V
(50)
Rezulta ca variat ia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
V
out
= V
MAX
out
V
MIN
out
= 2, 35 0, 65 = 1, 7V (51)
Variat ia varf la varf a semnalului de iesire este de 1V, deci este mai mica decat va-
loarea teoretica maxima calculata n (51). Notam amplitudinea semnalului la iesire cu
V
semn
=0,5V.
b). Daca tensiunile continue la intrare si iesire sunt egale, V
in
= V
out
, valoarea acestora
se gaseste dupa cum urmeaza:
Limita superioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la intrare trebuie sa per-
mita tranzistoarelor M
1
-M
2
si lui M
3
care polarizeaza etajul diferent ial sa funct ioneze
n regim saturat.
15
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
DD
V
MAX
in
= V
SD3
+V
SG1

V
MAX
in
= 3 (0, 25 + 0, 1) (0, 45 + 0, 16) = 2, 04V (52)
Pe de alta parte, valoarea tensiunii continue la iesire se poate obt ine conform ecuat iei
(53).
V
DD
V
MAX
out
= V
DS9
+V
DS11
+V
semn

V
MAX
out
= 3 (0, 2 + 0, 1) (0, 25 + 0, 1) 0, 5 = 1, 85V (53)
Valoarea maxima a tensiunii continue la intrare si iesire, care acopera ambele valori
part iale calculate mai sus este V
MAX
in
= V
MAX
out
=1,85V.
Limita inferioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la iesire trebuie sa per-
mita funct ionarea tranzistoarelor M
4
-M
5
si M
6
-M
7
n regim saturat, n condit iile n
care semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
V
MIN
out
+V
semn
= V
DS5
+V
DS7

V
MIN
out
= (0, 25 + 0, 1) + (0, 2 + 0, 1) + 0, 5 = 1, 15V (54)
Teoretic, tensiunea continu

la iesire a poate n intervalul 1,15V si 1,85V. Pentru

maximizarea domeniului de variat ie a semnalului de iesire alegem V
in
= V
out
=1,5V.
Pentru calculul tensiunilor de polarizare V
biasp
, V
casn
si V
biasn
, mai ntai stabilim caderile
de tensiune pe ecare tranzistor din schema, astfel ncat ele sa e polarizate n regim
saturat (tensiunile drena-sursa se aleg cu o margine de 100mV fat a de tensiunile de
overdrive).
Deoarece schema este simetrica, vom aloca 1, 5V tranzistoarelor PMOS, la fel si celor
NMOS. Repartizam mai mult spatiu n tensiune tranzistoarelor cascoda, deci alegem
V
DS4
= V
DS5
= V
SD10
= V
SD11
= 0, 5V si V
DS6
= V
DS7
= V
SD8
= V
SD9
= 1V .
Tensiunea V
SD3
este condit ionata de valoarea tensiunii continue la intrare si se calcu-
leaza conform ecuat iei:
V
DD
V
in
= V
SG1
+V
SD3
V
SD3
= 0, 89V (55)

In Figura 9 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.

16
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
1
M
2
M
3
M
4
M
6
C
L
V
out
M
7
M
5
V
biasp
V
DD
=3V
V
SS
=0V
I
m
I
p
V
casn
V
biasn
M
8
M
9
M
10
M
11
0,5V
1V
1V
0,5V
1,61V
0,89V
Figura 9
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:

V
DD
V
biasp
= V
SG3
V
biasn
= 2, 3V
V
biasn
= V
GS4
V
biasn
= 0, 7V
V
casn
= V
DS4
+V
GS6
V
casn
= 1, 65V
(56)
c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.
SR =
I
3
C
L
I
3
= SR C
L
= 200A (57)
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferent ial de intrare este egal cu jumatate
din curentul prin M
3
.
I
1
= I
2
= I
3
/2 = 100A (58)
Curentul prin ramurile etajului de iesire este I
cas
= 1, 5 I
in
= 150A.
Curentul prin tranzistoarele M
4
-M
5
este 250A, conform teoremei lui Kirchho pentru
curentii din nodul de pliere.
Pasul 2: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW determinam transconductant a G
m1
.
GBW =
G
m1
2C
L
G
m1
= g
m1
= 2C
L
GBW = 1, 25mS (59)
17
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pe de alta parte, transconductant a lui M
1
se poate scrie astfel:
g
m1
=
2I
1
V
od1
V
od1
= 160mV (60)
Pasul 3: dimensionarea tranzistoarelor.

In Tabelul 4 sunt dat i curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din schema.
Tip I
D
V
od
V
DS
M
1
-M
2
100A 160mV 1,61V
M
10
-M
11
150A 250mV 1V
M
8
-M
9
150A 200mV 0,5V
M
6
-M
7
150A 200mV 1V
M
4
-M
5
250A 250mV 0,5V
M
3
200A 250mV 0,89V
Tabelul 4: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Deoarece curent ii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate, egal cu
25A, se vor face scalari pentru tranzistoarele de tip NMOS si PMOS avand curentul
egal cu unitatea si tensiunea de overdrive de 200mV si 250mV , dupa caz. Rezulta:

W
n
L
n
=
3, 8
1
,
W
p
L
p
=
12, 6
1
, pentru V
od
= 200mV
W
n
L
n
=
2, 4
1
,
W
p
L
p
=
8, 1
1
, pentru V
od
= 250mV
(61)
In Tabelul 5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schema.
M M
1
-M
2
M
3
M
4
-M
5
M
6
-M
7
M
8
-M
9
M
10
-M
11
W
L
5 16
1
8*
8, 1
1
9*
2, 4
0, 5
3*
3, 8
0, 5
3*
3, 8
1
3*
12, 6
1
Tabelul 5: Geometria tranzistoarelor
d). Circuitul are un pol dominant introdus de rezistent a si capacitatea echivalenta a
nodului de iesire si un pol de nalta frecvent a datorat nodului de pliere. Frecvent ele
singularitatilor sunt:
18
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

f
p1
=
GBW
A
0
= 50kHz
f
p2
=
g
m6
2C
p
= 1, 2GHz
GBW = 50MHz
(62)
Diadramele Bode sunt conform Figurii 10.
100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
-180d
-150d
-120d
-90d
-60d
-30d
0d
-80
-40
-20
0
20
40
60
-60
f
p1
=50kHz
f
p2
=1.2GHz
GBW=50MHz
A
0
=60dB
Figura 10
6). Sa se proiecteze un amplicator operat ional cascoda telescop cu urmatoarele
specicat ii: GBW=53MHz, SR=50V/s, C
L
=4pF si V
DD
=-V
SS
=2V. Lungimea ca-
nalului tranzistoarelor cascoda este L=0,5m, iar pentru restul L=1m. Intrarea se
face pe tranzistoare NMOS.
a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca valoarea tensiunii de
iesire varf la varf diferent iale este 2V?
b). Calculat i tensiunile de polarizare V
biasn
si V
casn
.
c). Dimensionat i tranzistoarele din schema.
19
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
1a
M
2a
M
3a
M
4a
C
L
V
out
M
5
V
biasn
V
DD
V
SS
I
m I
p
V
casn
M
1b
M
2b
M
3b
M
4b
X
Figura 11
Rezolvare: Valorile tensiunilor de overdrive se aleg V
od
= 250mV pentru tranzistoa-
rele de polarizare M
4
si M
5
si V
od
= 200mV pentru tranzistoarele cascoda M
2
si M
3
.
Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
1
rezulta V
od
= 150mV , dupa cum
se va arata la punctul c). Adit ional, tensiunea drena-sursa a ecarui tranzistor se alege
cu o margine V = 100mV fat a de valoarea V
DS
minima admisa.
a). Domeniul maxim de variat ie a semnalului la iesire.
Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele sa nu
ajunga n regim liniar sau blocate.

In consecint a, limitele de variat ie ale tensiunii de
iesire se pot scrie:

V
DD
V
MAX
out
= V
SD3
+V
SD4
V
MAX
out
= V
DD
(V
od3
+ V ) + (V
od4
+ V )
V
MAX
out
= 1, 35V
V
MIN
out
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
DS5
V
MIN
out
= V
SS
+V
od1
+V
od2
+V
od5
+ 3V
V
MIN
out
= 1, 1V
(63)
20
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Rezulta ca variat ia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
V
out
= V
MAX
out
V
MIN
out
= 1, 35 (1, 1) = 2, 45V (64)
Valoarea teoretica varf la varf a tensiunii de iesire suportate de circuit fara distorsiuni
este 2,45V. Pentru aplicat ia noastra consideram variat ia varf la varf a semnalului de
iesire de 1V , deci mai mica decat maximul admis. Notam amplitudinea semnalului la
iesire cu V
semn
=0,5V.
Pentru ca AO sa funct ioneze corect atunci cand este cascadat ntr-un lant de ampli-
catoare, tensiunile continue la intrare si iesire trebuie sa e egale, V
in
= V
out
.
Limita inferioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la intrare trebuie sa
permita ca tranzistoarelor M
1a
-M
1b
si celui de polarizare al etajului diferent ial, M
5
, sa
e n regim saturat:
V
MIN
in
V
SS
= V
GS1
+V
DS5
= (0, 15 + 0, 45) + (0, 25 + 0, 1) = 1, 05V (65)
Pe de alta parte, valoarea minima a tensiunii de iesire este:
V
MIN
out
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
DS5
+V
semn

V
MIN
out
= 2 + (0, 15 + 0, 1) + (0, 2 + 0, 1) + (0, 25 + 0, 1) + 0, 5 = 0, 6V (66)
Pentru a aa valoarea minima a tensiunii continue la intrare si iesire, se ia cazul cel
mai defavorabil V
MIN
in
= V
MIN
out
=-0,6V.
Limita superioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la iesire trebuie sa
permita funct ionarea tranzistoarelor M
3b
si M
4b
din oglinda de curent cascoda n regim
saturat, chiar si atunci cand semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
V
DD

V
MAX
out
+V
semn

= V
SD3
+V
SD4

V
MAX
out
= 2 (0, 2 + 0, 1) (0, 25 + 0, 1) 0, 5 = 0, 85V (67)
Teoretic, tensiunea continua la iesire poate aleasa oriunde ntre -0,6V si +0,85V.

In
practica, variat ia optima a semnalului la iesire este obt inuta atunci cand tensiunea con-
tinua la iesire este aleasa la aproximativ jumatatea intervalului dintre limitele admise.
Prin urmare, o posibila valoare ar putea V
in
= V
out
=0V.
b). Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ntai stabilite caderile
de tensiune drena-sursa pe ecare tranzistor. Se porneste cu asezarea n tensiune a
21
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
tranzistorului M
5
. Tensiunea V
DS5
este condit ionata de valoarea tensiunii continue la
intrare, astfel:
V
in
V
SS
= V
GS1
+V
DS5
V
DS5
= 1, 4V (68)
Daca V
in
= V
out
, atunci valoarea teoretica calculata a tensiunii instantanee la iesire
este limitata de tensiunea grila-sursa a tranzistorului de intrare si de tensiunea drena-
sursa a lui M
5
. Deoarece la M
5
asiguram 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care raman
trebuie mpart it i ntre tranzistoarele M
1
si M
2
. Vom aloca mai mult spat iu n tensiune
tranzistorului cascoda, deoarece tranzistorul care intra primul n regim liniar este cel
cascoda. Prin urmare, alegem V
DS1
= 0, 25V si V
DS2
= 0, 35V .

In cazul tranzistoarelor PMOS dispunem de 2V pe care sa-i mpart im ntre M

3
si
M
4
. Din nou alocam mai mult tranzistorului cascoda si vom avea V
SD3
= 1, 5V si
V
SD4
= 0, 5V .

In Figura 12 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.

M
1a
M
2a
M
3a
M
4a
C
L
V
out
M
5
V
biasn
V
DD
=2V
V
SS
=-2V
I
m I
p
V
casn
M
1b
M
2b
M
3b
M
4b
0,5V
1,5V
0,35V
0,25V
1,4V
Figura 12
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:
22
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
casn
V
SS
= V
GS2
+V
DS1
+V
DS5

V
casn
= 2 + (0, 45 + 0, 2) + (0, 15 + 0, 1) + 1, 4 = 0, 3V (69)
V
biasn
V
SS
= V
GS5
V
biasn
= 2 + (0, 45 + 0, 25) = 1, 3V (70)
c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.
Curentul I
5
se obt ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
5
C
L
I
5
= SR C
L
= 200A (71)
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferent ial este egal cu jumatate din curentul
dat de sursa implementata cu M
5
.
I
1
= I
2
= I
3
= I
4
= I
5
/2 = 100A (72)
Pasul 2: Calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW se poate calcula transconductant a G
m1
.
GBW =
G
m1
2C
L
G
m1
= g
m1
= 2C
L
GBW = 1, 33mS (73)
Pe de alta parte transconductant a tranzistorului M
1
se scrie:
g
m1
=
2I
1
V
od1
V
od1
=
2I
1
g
m1
= 150mV (74)
Pasul 3: Dimensionarea tranzistoarelor.
Tip I
D
V
od
V
DS
M
1a
M
1b
100A 150mV 0,25V
M
2a
M
2b
100A 200mV 0,35V
M
3a
M
3b
100A 200mV 1,5V
M
4a
M
4b
100A 250mV 0,5V
M
5
200A 250mV 1,4V
Tabelul 6: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
23
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Curent ii si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schema sunt date n
Tabelul 6. Conform acestor valori si folosind setul de referint a, se poate calcula raportul
W/L pentru ecare tranzistor.
M M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
W
L
26, 9
1
7, 5
0, 5
25, 3
0, 5
32, 4
1
19, 4
1
Tabelul 7: Valorile W/L a tranzistoarelor
M
1
M
2
M
3
M
4
M
6
C
L
V
out
M
7
M
5
V
biasp
V
DD
V
SS
I
m I
p
V
casp
M
8
M
9
X
Figura 13
7). Sa se proiecteze un amplicator operat ional cascoda telescop cu urmatoarele
specicat ii: GBW=50MHz, SR=50V/s, C
L
=4pF, C
X
=100fF si V
DD
=4V, V
SS
=0V.
Lungimea canalului tranzistoarelor cascoda si a celor de intrare este L=0,5m, iar pen-
tru restul L=1m. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS.
a). Care este domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca valoarea tensiunii de
iesire varf la varf diferent iale este 2V?
b). Calculat i tensiunile de polarizare V
biasp
si V
casp
.
c). Dimensionat i tranzistoarele din schema.
24
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
d). Estimat i marginea de faza a amplicatorului, daca se neglijeaza efectul Miller pe
tranzistoarele de intrare si perechea pol-zero introdusa de oglinda de curent M
6
-M
7
-
M
8
-M
9
.
Rezolvare: Valorile tensiunilor de overdrive se aleg V
od
= 250mV pentru tranzistoarele
de polarizare M
3
si M
8
-M
9
si V
od
= 200mV pentru tranzistoarele cascoda M
4
-M
5
si M
6
-
M
7
. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
1
-M
2
rezulta V
od
= 160mV ,
dupa cum se va arata la punctul c). Adit ional, tensiunea drena-sursa a ecarui tran-
zistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea V
DS
minima admisa.
a). Domeniul maxim de variat ie a semnalului la iesire.
Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire este:

V
DD
V
MAX
out
= V
SD3
+V
SD1
+V
SD4
V
MAX
out
= V
DD
V
od3
V
od1
V
od5
3V
V
MAX
out
= 3, 09
V
MIN
out
= V
DS7
+V
DS9
V
MIN
out
= V
od7
+V
od9
+ 3V
V
outMIN
= 0, 75V
(75)
Rezulta ca variat ia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
V
out
= V
MAX
out
V
MIN
out
= 3, 09 0, 75 = 2, 34V (76)
Valoarea teoretica a tensiunii varf la varf de iesire suportate de circuit fara distorsiuni
este 2,34V. Pentru aplicat ia noastra variat ia varf la varf a semnalului de iesire este
1V, deci mai mica decat maximul admis. Notam amplitudinea semnalului la iesire cu
V
semn
=0,5V.
Tensiunile continue la intrare si iesire trebuie sa e egale, V
in
= V
out
. Limita inferioara a
domeniului de variat ie a tensiunii continue la iesire trebuie sa permita ca tranzistoarele
M
7
si M
9
sa e n regim saturat:
V
MIN
out
= V
DS7
+V
DS9
+V
semn
= (0, 2 + 0, 1) + (0, 25 + 0, 1) + 0, 5 = 1, 15V (77)
Limita superioara a domeniului de variat ie a tensiunii continue la iesire trebuie sa
permita funct ionarea tranzistoarelor M
3
, M
2
si M
5
n regim saturat, chiar si atunci
cand semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
25
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
DD

V
MAX
out
+V
semn

= V
SD3
+V
SD2
+V
SD5

V
MAX
out
= 4 (0, 25 + 0, 1) (0, 16 + 0, 1) (0, 2 + 0, 1) 0, 5 = 2, 59V (78)
Pe de alta parte, valoarea maxima a tensiunii continue la intrare este:
V
DD
V
MAX
in
= V
SD3
+V
SG2

V
MAX
in
= 4 (0, 25 + 0, 1) (0, 45 + 0, 16) = 3, 04V (79)
Teoretic, tensiunea continua la iesire poate aleasa oriunde ntre 1,15V si +3,04V.

In
practica, variat ia optima a semnalului la iesire este obt inuta atunci cand tensiunea con-
tinua de iesire este aleasa la aproximativ jumatatea intervalului dintre limitele admise.
O valoare ar putea V
in
= V
out
=2V.
b). Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ntai stabilite caderile
de tensiune drena-sursa pe ecare tranzistor. Se porneste cu asezarea n tensiune a
tranzistorului M
3
. Tensiunea V
SD3
este condit ionata de valoarea tensiunii de mod
comun la intrare, astfel:
V
DD
V
in
= V
SG1
+V
SD3
V
SD3
= 1, 39V (80)
Deoarece lui M
3
i asiguram 1,39V, atunci restul de 0,6V care raman trebuie mpart it i
ntre tranzistoarele M
2
si M
5
. Alegem V
SD2
=0,25V si V
SD5
=0,35V.

In cazul tranzistoarelor NMOS dispunem de 2V pe care sa-i mpart im ntre M

7
si M
9
,
astfel V
DS7
=1,5V si V
DS9
=0,5V.

In Figura 14 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.

Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:
V
DD
V
casp
= V
SG5
+V
SD1
+V
SD3

V
casp
= 4 (0, 45 + 0, 2) (0, 16 + 0, 1) + 1, 39 = 1, 7V (81)
V
DD
V
biasp
= V
SG3
V
biasp
= 4 (0, 45 + 0, 25) = 3, 3V (82)
26
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
1
M
2
M
3
M
4
M
6
C
L
V
out
M
7
M
5
V
biasp
V
DD
=4V
V
SS
=0V
I
m I
p

V
casp
M
8
M
9
1,39V
0,26V
0,35V
1,5V
0,5V
Figura 14
c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.
Curentul I
5
se obt ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
3
C
L
I
3
= SR C
L
= 200A (83)
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferent ial este egal cu jumatate din curentul
dat de sursa implementata cu M
3
.
I
1
= I
2
= I
4
= I
5
= I
6
= I
7
= I
8
= I
9
= I
3
/2 = 100A (84)
Pasul 2: Calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
GBW =
G
m1
2C
L
G
m1
= g
m1
= 2C
L
GBW = 1, 25mS (85)
Pe de alta parte transconductant a tranzistorului M
1
se scrie:
g
m1
=
2I
1
V
od1
V
od1
= 160mV (86)
Pasul 3: Dimensionarea tranzistoarelor.
27
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tip I
D
V
od
V
DS
M
1
M
2
100A 160mV 0,26V
M
4
M
5
100A 200mV 0,35V
M
6
M
7
100A 200mV 1,5V
M
8
M
9
100A 250mV 0,5V
M
3
200A 250mV 1,39V
Tabelul 8: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Curent ii si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schema sunt date n
Tabelul 8. Conform acestor valori si folosind setul de referint a, se poate calcula raportul
W/L pentru ecare tranzistor.
M M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
M
6
M
7
M
8
M
9
W
L
39, 5
0, 5
64, 8
1
25, 3
0, 5
7, 5
0, 5
9, 7
1
Tabelul 9: Valorile W/L a tranzistoarelor
d). Pentru calculul marginii de faza, trebuie n prealabil sa determinam frecvent ele
singularitat ilor.
vspace3mm

f
p1
=
GBW
A
0
= 50kHz
f
p2
=
g
m5
2C
X
= 1, 6GHz
GBW = 50MHz
(87)
Expresia marginii de faza se scrie:
m

= 180

arctan
GBW
f
p1
arctan
GBW
f
p2
= 180

89, 94

1, 79

= 88, 27

(88)
28