1.

Etapele de dezvoltare a tehnologiei dispozitivelor i circuitelor electronice

Primele utilizri ale materialelor semiconductoare n tehnic au fost redresoarele pe baza
seleniului (1886 - Frits).
n 1927 (Grondal i Ghigher) au fost folosite redresoarele pe baza CuO (oxid de cupru).
Materiale semiconductoare sunt: Ge si SI.Ge i Si au proprieti semiconductoare
foarte
bune. Proprietile principale ale Ge au fost descrise n 1870 de ctre Mendeleev. n 1886
Vinclev a sintetizat pentru prima oar Ge (n Germania, de unde vine i numele). Temperatura
de topire este 980
o
C. E
g
= 0.707 eV. n scoara pmntului Ge exist doar n valoare de
0.001% , pe cnd Si este foarte rspndit n sol sub form de bioxid de siliciu (SiO
2
) i el
constituie 25% din greutatea pmntului. GeO este nestabil si se dizolva in apa. SiO
2
este
solubil numai in HCl.
n 1939 pt. prima dat a fost stabilit din punct
de vedere teoretic posibilitatea de formare a
tranzistorului. n 1940 pt. prima dat a fost creat
dioda punctiform. Dezavantajul acestui tip de
semiconductor este frecvena de funcionare mare din
cauza ca capacitatea este mica.
n 1948 savanii americani Bardin, Bratain i Shacly au realizat
tranzistorul cu contacte punctiforme.
n 1955 a aprut tehnologia jonciunii pn format prin difuzia
impuritilor (primele tranzistoare formate prin difuzie).
n 1957 s-a demonstrat c pelicula de SiO
2
cu grosime de 1m nu
permite trecerea impuritilor, iar n 1959 aceast pelicul a fost folosit n
microelectronic.

n 1959 au aprut primele circuite integrate (CI) care conineau tranzistoare bipolare
(TB).
n 1964 au fost confecionate primele CI cu tranzistoare MOS.
n 1968-1969 s-au fcut primele led-uri (diode luminescente).
n 1970 deja un cristal coninea cte 1000 tranzistoare MOS.
n 1951 N. Ganiunov a descoperit un ir de materiale semiconductoare:

Dac facem un aliaj din elementele din grupa a-V-a cu elemente din grupa a-III-a
obinem un material de forma A
III
B
V
- care are proprieti semiconductoare binare.
Banda interzis (Eg) pentru aceste semiconductoare este:
GaAs=1.45eV
GaP=2.2eV
InP=1.35eV
InAs=0.24eV
InSb=0.16eV
AlAs=3eV
Eg Ge = 0.707eV Eg Si = 1.1eV.