Etapele de dezvoltare a tehnologiei dispozitivelor i circuitelor electronice
Primele utilizri ale materialelor semiconductoare n tehnic au fost redresoarele pe baza seleniului (1886 - Frits). n 1927 (Grondal i Ghigher) au fost folosite redresoarele pe baza CuO (oxid de cupru). Materiale semiconductoare sunt: Ge si SI.Ge i Si au proprieti semiconductoare foarte bune. Proprietile principale ale Ge au fost descrise n 1870 de ctre Mendeleev. n 1886 Vinclev a sintetizat pentru prima oar Ge (n Germania, de unde vine i numele). Temperatura de topire este 980 o C. E g = 0.707 eV. n scoara pmntului Ge exist doar n valoare de 0.001% , pe cnd Si este foarte rspndit n sol sub form de bioxid de siliciu (SiO 2 ) i el constituie 25% din greutatea pmntului. GeO este nestabil si se dizolva in apa. SiO 2 este solubil numai in HCl. n 1939 pt. prima dat a fost stabilit din punct de vedere teoretic posibilitatea de formare a tranzistorului. n 1940 pt. prima dat a fost creat dioda punctiform. Dezavantajul acestui tip de semiconductor este frecvena de funcionare mare din cauza ca capacitatea este mica. n 1948 savanii americani Bardin, Bratain i Shacly au realizat tranzistorul cu contacte punctiforme. n 1955 a aprut tehnologia jonciunii pn format prin difuzia impuritilor (primele tranzistoare formate prin difuzie). n 1957 s-a demonstrat c pelicula de SiO 2 cu grosime de 1m nu permite trecerea impuritilor, iar n 1959 aceast pelicul a fost folosit n microelectronic.
n 1959 au aprut primele circuite integrate (CI) care conineau tranzistoare bipolare (TB). n 1964 au fost confecionate primele CI cu tranzistoare MOS. n 1968-1969 s-au fcut primele led-uri (diode luminescente). n 1970 deja un cristal coninea cte 1000 tranzistoare MOS. n 1951 N. Ganiunov a descoperit un ir de materiale semiconductoare:
Dac facem un aliaj din elementele din grupa a-V-a cu elemente din grupa a-III-a obinem un material de forma A III B V - care are proprieti semiconductoare binare. Banda interzis (Eg) pentru aceste semiconductoare este: GaAs=1.45eV GaP=2.2eV InP=1.35eV InAs=0.24eV InSb=0.16eV AlAs=3eV Eg Ge = 0.707eV Eg Si = 1.1eV.