Dispozitivele semiconductoare care conin jonciuni pn sunt utilizate ca element de circuit, atunci cnd la bornele jonciunii se aplic o diferen de potenial VA, prin intermediul unor contacte metalice. Convenia de notaii este prezentat n figura 2.3. Polarizarea electric a jonciunii pn se face n dou situaii: Polarizare direct: VA >0 , de unde rezult IA >0; n acest caz se vor utiliza urmtoarele notaii: VA =VF i IA = IF ; (indicele Forward = nainte) Polarizare invers: VA <0 , de unde rezult IA <0 ; n acest caz se vor utiliza urmtoarele notaii: VA = VR i IA = IR ; (indicele Reverse = invers)
Polarizarea direct a jonciunii pn n cazul jonciunii pn polarizat direct cmpul electric n regiunea de trecere scade la valoarea EB EF , bariera de potenial reducndu-se la valoarea B VF 0 . n consecin regiunea de trecere va fi mai ngust. Scderea cmpului electric intern la valoarea E EF , duce la creterea concentraiei purttorilor mobili de sarcin fa de situaia de echilibru termic. Acest proces poart numele de injecie de purttori minoritari. golurile din regiunea p difuzeaz ntr-un numr mai mare n regiunea n (din punctul de vedere al regiunii n golurile sunt purttori minoritari); electronii din regiunea n difuzeaz ntr-un numr mai mare n regiunea p (din punctul de vedere al regiunii p electronii sunt purttori minoritari); n consecin, prin jonciune apare un curent IF nenul; se mai spune c jonciunea pn polarizat direct permite conducia electric. Din acest motiv, regimul de polarizare direct a jonciunii pn se mai numete i regim de conducie. Polarizarea invers a jonciunii pn n cazul jonciunii pn polarizat invers cmpul electric n regiunea de trecere crete la valoarea EB + ER , bariera de potenial mrindu-se la valoarea B VR 0 + . n consecinregiunea de trecere va fi mai lat . Mrirea cmpului electric intern are ca efecte directe: mrirea curenilor de cmp; micorarea curenilor de difuzie. Ca urmare, curentul IR ce apare prin jonciune va fi mult mai mic fa de situaia polarizrii directe, i cvasiindependent de tensiunea invers aplicat, VR.