DISPOZITIVE ELECTRONICE

CURS 2
.L.DR.ING. CERCEL CONSTANTIN
COSTI.CERCELS@YAHOO.COM
21.10.2014

CUPRINS
Noiuni de fizica semiconductoarelor
Purttori de sarcin n semiconductoare

Nivele energetice i benzi energetice

Semiconductoare intrinseci i extrinseci
Transportul purttorilor de sarcin n semiconductoare
21.10.2014

PURTTORI DE SARCIN N SEMICONDUCTOARE

Corpurile solide au o structur cristalin cu atomii i moleculele distribuite ntr-o reea

regulat, n care unitatea structural (cub, tetraedru, etc.) se repet periodic

Atomii situai n nodurile reelei cristaline sunt legai ntre ei prin electronii de valen
(legtur covalent).

Din punct de vedere electric, corpurile solide se mpart n trei mari grupe:

conductoare

semiconductoare
izolatoare
21.10.2014

SEMICONDUCTOARE
Sunt materiale care au conductivitatea electric undeva ntre cea a metalelor
i cea a materialelor izolatoare

Semiconductoarele cel mai frecvent utilizate la realizarea dispozitivelor

electronice sunt cristalele elementelor tetravalente de Ge i Si.
21.10.2014

SEMICONDUCTOARE
Aranjamentul atomilor de siliciu i legturile covalente pentru fiecare pereche
de atomi

Vedere in spaiu

Vedere in plan
21.10.2014

SEMICONDUCTOARE
La temperaturi sczute (tinznd spre 0oK) toi electronii de valen sunt prini n legturi covalente,
semiconductorul se comport ca un izolator perfect (nu are purttori de sarcin mobili).

La temperaturi mai mari de 300oK, n cristal apare posibilitatea ca un numr foarte mic de electroni de
valen s capete energii suficiente (0,6 eV la Ge i 1,11 eV la Si) i s se desprind din legturile covalente
devenind electroni liberi - electroni de conducie.

Prin prsirea legturii las un loc liber n ea, denumit gol, n care poate veni foarte uor un alt electron dintro alt legtur covalent, lsnd acolo un loc liber, .a.m.d.

n consecin, ntr-un cristal semiconductor se pot considera c exist dou tipuri de purttori mobili:
electronul de conducie cu sarcina (-e) notat n;
golul cu sarcina (+e) notat p

21.10.2014

SEMICONDUCTOARE
http://www.halbleiter.org/en/fundamentals/print/

21.10.2014

NIVELE ENERGETICE I BENZI ENERGETICE

Repartizarea electronilor pe orbite sau straturi are loc innd seama c:
electronii unui atom pot s aib numai anumite nivele discrete de energie numite nivele
energetice permise;

att timp ct un electron se afl pe un nivel energetic permis, el nu absoarbe i nu

cedeaz energie;

dac un electron trece de pe o orbit pe alta (de pe un nivel energetic permis pe altul)
el absoarbe sau cedeaz sub form radiant o cuant de energie egal cu diferenele
de energie W1 W2 corespunztoare celor dou nivele energetice
21.10.2014

NIVELE ENERGETICE I BENZI ENERGETICE

La formarea cristalului, nivelele electronice ale atomilor exteriori, se regsesc in benzi
energetice, acestea se numesc benzi energetice permise

Sunt delimitate de benzi interzise (nepermise)

Ultima banda de stri energetice ocupate de electronii legati de atomi, se numete
banda de valen

Electronii cu energii mai mari decat cele din banda de valenta, devin liberi, se
pot mica dnd natere unui curent electric; aceste stri se gsesc in banda de conducie
a cristalului

Cele dou benzi de stri permise sunt separate de un interval de energii nepermise
pentru electroni, numit banda interzis.

Lrgimea benzii interzise exprim energia necesar unui electron din banda de
valen pentru a deveni liber.
21.10.2014

NIVELE ENERGETICE I BENZI ENERGETICE

Solidele pentru care banda interzisa nu exista, pot genera
un curent electric la aplicarea unui camp electric foarte slab
sau incalzandu-l foarte putin. Aceste solide se numesc conductori.

Solidele pentru care banda interzisa are largime apreciabila,

nu pot genera curent electric pentru valori uzuale de
si/sau de temperatura. Aceste solide se numesc izolatori.

camp

Solidele pentru care banda interzisa are o largime comparabil

cu energia ctigat de un electron sub actiunea unui camp
electric, prin incalzire sau prin iluminare, pot deveni din
izolatori (in conditii de echilibru), conductori in conditii
externe de cmp, temperatur sau radiaie. Aceste solide se
numesc semiconductori.
21.10.2014

10

SEMICONDUCTOARE INTRINSECI I EXTRINSECI

semiconductoare intrinseci (fr impuriti), a cror conducie electric se
datoreaz doar trecerii electronilor din BV n BC

semiconductoare extrinseci (cu impuriti), la care conducia electric se

datoreaz, n plus, i unui numr foarte mic de atomi strini

21.10.2014

11

SEMICONDUCTOARE INTRINSECI

Un semiconductor intrinsec este un semiconductor la care reeaua

cristalin este considerat ca avnd n noduri numai atomi ai
semiconductorului de baz

La un astfel de semiconductor, prin ruperea unei legturi covalente pe

cale termic se formeaz o pereche electron-gol, conductibilitatea fiind
asigurat de goluri i electroni, numrul golurilor fiind egal cu numrul
electronilor.

generare a golurilor, prin trecerea unui electron din BV n BC;

recombinare a electronilor cu golurile, prin trecerea electronilor din BC n BV.

21.10.2014

12

SEMICONDUCTOARE EXTRINSECI

Dac ntr-un semiconductor pur se introduce o impuritate se obine un semiconductor

de tip extrinsec

Procesul de introducere a impuritilor ntr-un semiconductor se numete dopare

Prezena impuritilor ntr-un semiconductor duce la apariia unor nivele permise n
banda interzis

n funcie de raportul dintre valena dopantului i valena semiconductorului de baz

se pot deosebi:
Semiconductori de tip n, dac v v , de tip donor.
Semiconductori de tip p, dac vdop vbaza , de tip acceptor.
dop

baza

21.10.2014

13

SEMICONDUCTORI DE TIP N
Se consider c se dopeaz reeaua cristalin a Si cu un atom
pentavalent de Sb (stibiu)

La T=0K cel de-al cincelea electron al Sb nu particip la

legtura covalent, el situndu-se pe un nivel permis n banda
interzis denumit nivel donor (ND), situat mai aproape de banda
de conducie

La T0K acest electron capt o anumit energie i trece n

banda de conducie devenind electron liber. Acest semiconductor
se numete semiconductor extrinsec de tip "n", iar impuritatea se
numete impuritate donoare

Electronii de conducie se numesc purttori de sarcin majoritari.

Golurile formate prin generarea de perechi electron-gol se
numesc purttori de sarcin minoritari

21.10.2014

14

SEMICONDUCTORI DE TIP P
Se consider c se dopeaz reeaua cristalin a Si cu un atom
trivalent de In (indiu)

La T=0K n banda interzis se formeaz un nivel denumit nivel

donor (ND), situat mai aproape de banda de valen

La T0K un electron din banda de valen trece pe acest nivel

lsnd n banda de valen un gol. Electronii de pe nivelul
acceptor sunt imobili. Acest semiconductor se numete
semiconductor extrinsec de tip "p" iar impuritatea se numete
impuritate acceptoare

Golurile sunt n numr mare i se numesc purttori de sarcin

majoritari. Electronii formai prin generarea de perechi electrongol sunt n numr mic i se numesc purttori de sarcin minoritari
21.10.2014

15

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

N SEMICONDUCTOARE

ntr-un semiconductor aflat la echilibrul termic, electronii i golurile au o micare de

agitaie termic.

Aceast micare are un caracter haotic i este nsoit de ciocniri cu reeaua.

Deoarece ntr-un timp finit nu exist o deplasare net de sarcin pe o direcie i ntrun anumit sens, nu va exista curent electric n semiconductor.

Transportul dirijat al purttorilor de sarcin n semiconductoare genereaz curentul

electric i se realizeaz prin:

aplicarea unui cmp electric extern

difuzie
21.10.2014

16

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

N CMP ELECTRIC
Prin aplicarea unui cmp electric , micarea purttorilor de sarcin rmne
o micare de agitaie termic, dar se deplaseaz n direcia cmpului electric

Antrenarea purttorilor de sarcin n sensul cmpului electric se numete drift

Iar curentul rezultat se numete curent de drift
21.10.2014

17

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

N CMP ELECTRIC
Viteza medie a purttorilor de sarcin n cazul electronilor este:
Viteza medie a purttorilor de sarcin n cazul golurilor este:
Mrimea se numete mobilitate i se exprim n
.
Difer de la un semiconductor la altul i depinde de:
timpul de purttor mobil
concentraia de impuriti
temperatur
21.10.2014

18

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

N CMP ELECTRIC
Rezult pentru densitile curenilor de cmp de electroni i goluri, expresiile:

Densitatea total este:

21.10.2014

19

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

N CMP ELECTRIC
Rezistivitatea electric a semiconductorului:
Rezistivitatea este una dintre cele mai importante caracteristici ale semiconductoarelor.
Deoarece, concentraiile de purttori de sarcin (n i p) sunt (puternic) dependente de
temperatur, la fel se va comporta i rezistivitatea, prezentnd un coeficient de variaie
termic negativ (se micoreaz cu creterea temperaturii).

La creterea temperaturii, semiconductoarele i pierd caracterul (n sau p), apropiindu-se de

comportarea unui material intrinsec (caracterizat de n = p = ni ).

Acesta este motivul pentru care, la proiectarea oricrui circuit cu dispozitive semiconductoare,
insensibilizarea termic este una din problemele fundamentale ce trebuie analizat i (dac
este cazul) rezolvat.
21.10.2014

20

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

PRIN DIFUZIE
Difuzia purttorilor de sarcin este determinat de distribuia neuniform a acestora ntr-un
semiconductor

Reprezint deplasarea purttorilor de sarcin din zone cu concentraii mai mari spre zone cu
concentraii mai mici. Ca urmare, prin semiconductor va circula un curent de difuzie.

Considernd c concentraia purttorilor de sarcin variaz dup o singur direcie x, atunci

densitile de curent de difuzie de goluri i electroni au expresiile:

21.10.2014

21

TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN

PRIN DIFUZIE
Curentul total de difuzie prin semiconductor are expresia:

Se observ c densitatea de curent de difuzie depinde de gradientul

concentraiei, nu de valoarea sa absolut

21.10.2014

22

ECUAIILE DE BAZ ALE ELECTRONICII

SEMICONDUCTOARELE

Procesele principale care pot aprea ntr-un semiconductor sunt:

transportul purttorilor de sarcin prin difuzie i drift, descris prin grupul ecuaiilor de
transport:

i ecuaia

generarea i recombinarea purttorilor de sarcin, descrise prin grupul ecuaiilor de

continuitate
21.10.2014

23

ECUAIILE DE BAZ ALE ELECTRONICII

SEMICONDUCTOARELE
Ecuaiile proceselor principale care pot aprea ntr-un semiconductor:
transportul purttorilor de sarcin prin difuzie i drift, descris prin grupul ecuaiilor de
transport:

Ecuaia densitii totale de curent n semiconductor

generarea i recombinarea purttorilor de sarcin, descrise prin grupul ecuaiilor

de continuitate

mpreun cu ecuaia lui Poisson, care stabilete potenialul electrostatic dintr-un

semiconductor

constituie ecuaiile de baz ale electronicii semiconductoarelor

21.10.2014

24

BIBLIOGRAFIE CURS 2
1. https://www.youtube.com/watch?v=MCe1JXaLEwQ
2. O. Olaru, Dispozitive electronice, Editura Universitaria Craiova, Craiova, 2003
3. Gheorghe PAN, Dispozitive electronice i circuite 1, Universitatea Transilvania Brasov
4. http://physics.phys.tuiasi.ro/~ajeflea/Fizica
5. http://solid.fizica.unibuc.ro/cursuri/solid_ro/C12_2011.pdf
6. www.slideboom.com/presentations/download/767730/semiconductori
7. www_RegieLive_ro_DISPOZITIVE_SI_CIRCUITE_ELECTRONICE_1

8. C.G. Constantinescu, Componente i dispozitive electronice, Academia Forelor Aeriene Henri Coand

21.10.2014

25

V MULUMESC !
ntrebri ? (Rspunsuri)
Sugestii !!!
Comentarii !!!

21.10.2014

26