TRANZISTOARE BIPOLARE

taranzistoare bipolare se numesc dispozitive semiconductoare cu dou sau mai mai

multe jonciuni p-n care interacioneaz ntre ele i cu trei sau mai multe terminale omice,
proprietile de amplificare a cruia se datoreaz prin injecia i extragerea purttorilot de
sarcin.
Structura simplificat a VT p-n-p este artat n fig.1. iar simbolurile VT p-n-p i n-p-n
sunt artate n fig.2., i direcia curenilor la funcionarea n regim activ.
j2
j1
E

P
n
Fig.1.

P
n

n
p
B

VT are trei regiuni: emitor(E), baz(B) i colector(C). Jonciunea ce se formeaz la

frontiera E-B este numit jonciunea emitorului, iar la frontiera C-B jonciunea colectorului.
Principiul de funcionare a VT de tip p-n-p i n-p-n este aceea, deosebirea const n
aceea c VT de tip p-n-p curentul ce curge prin baz este creat de goluri injectate din emitor,iar
VT de tip n-p-n de electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este
polarizat direct, iar a colectorului indirect.
Dac jonciunile colectorului i
-IE
emitorului se afl la distan mare (mai
-IC
+IC
+IE
mare ca
lungimea de difuzie), atunci purttorii
C
E
C
injectai din emitor nu vor ajunge nu
E
vor
ajunge la colector, ci vor recombina n
B
IB
B
IB
regiunea bazei.
VT se comport la fel ca dou diode
p-n-p
n-p-n
semiconductoare cuplate n serie. C.VFig. 2.
A
a
jonciunii emitorului prezint ramura
direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii colectorului cea invers. Proprietile VT const
n interaciunea acestor jonciuni.

n fig.3. este reprezentat distribuia curenilor n structura VT bipolar(a), repartizarea

potenialului dea lungul structurii VT (b) i repartizarea purttorilor de sarcin neechilibrai n B
pentru diferite valori ale curentului E.
La cuplarea tensiunii UCB are loc decalarea invers a jonciunii C i n circuitul
E
IE
p

EEB

B
n
IEp
-

IC

ICp

IEn I
p
Co

ECB

p
x
Fig.3.
colectorului curge un curent cu valoarea redus. Acest curent este numit curent de scurgere al
jonciuni colectorului i se noteaz ICBo . Curentul invers al colectorului prezint curentul n
jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd circuitul este decuplat. Cplarea tensiunii la E
UBEo duce la decalarea direct a jonciunii E i apriia curentului E I E , care este determinat de
curentul de difuzie IE = IEn +IEp unde IEn este curentul electronilor, iar IEp curentul golurilor.
La VT este srac n purttori de sarcin majoritari(electroni), iar regiunea emitorului
posed o concenrtraie nalt de purttori de sarcin majoritari(goluri), componena golurilor n
curentul E este de multe ori mai mare dect componena electronuilor, IEp >>IEn .
Componenta electronic se scurtcircuiteaz n circuitul B i nu particip la formarea
curentului colectorului. Difuzia electronilor din B n E se compensez cu parvenirea unui flux
de noi goluri. Acest lucru determin mrimea i direcia componente electronilor a curentului E.
Pentru circuitul bazei IEn este componenta principal a curentului B. Relaia IEp /IE = IEp/( IEp+
IEn)= =0,98...0,99 i este numit eficacitatea emitorului.
Componena golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor emitor
n baz. Golurile injectate n baz sub aciunea difuziei ce tinde s egaleze concentraia pe
ntreg volum al bazei, se deplaseaz n direcia colectorului. Din cauza c cmpul electric n
baz este relativ mic, se poate considera c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc
exclusiv din contul difuziei. La injectare necontenit (IE=const) n baz se stabilete o
distribuie corespunztoare concentraiei golurilor , ceea ce determin trecerea lor prin baz.
Apropiindu-se de jonciunea C, polarizarea indirect, golurile, fiind fiind purttori de sarcin
minoritari, trec din baz n colector, mrind ca rezultat curentul C. Deoarece trecerea golurilor
din baz n colector este fr obstacole concentraia lor la frontiera BC este nul.
Dac mrim valoarea decalajului direct al emitorului, concentraia golurilor la E va
crete, iar la C va rmne aceea(nul). O cantitate de goluri traversnd baza combineaz cu
electronii de conductibilitate, ce duce l mrirea numrului de electroni, provenii n baz din

exterior. Curentul golurilor se mparte n dou pri: I E P I E.rec I C P , unde IE.rec componenta de
recombinare a curentului emitorului, ce coencide dup direcie cu IEp, ICp componenta
curentului E, cecurge n circuitul colectorului.
La confecionarea VT baza se face subire i srac in purttori majoritari, iar suprafaa
jonciunii colectorului de vreo cteva ori mai mare dect cea a emitorului ( I E.rec I Cp ).
Coeficientul de transfer este: I Cp I Ep I Cp (I Cp I E.rec ) 0.98...0.99
Coeficientul static integrat de transfer al curentului emitor:
I Cp I E

I Cp I Ep
I Ep I E

0.95...0.99

i arat a cta parte din curentul emitor curge n

circuitul colectorului.
I E I C I B (1) 1 lege a lui Kirghhoff., unde I E I En I E.rec I Cp ; I B I En I E.rec I CB 0 ;
I C I Cp I CBo .
Utilizarea regulii (1) I C I E I CBo
Coeficientul static integral de transfer al curentului bazei :

I Cp
I En I E.rec

I C I CBo
I B I CBo

diagramele energetice sunt date n fig.4.

Proprietile principale ale tranzistorului sunt caracterizate
de influena reciproc a curenilor i tensiunilor din diferite
circuite.
n regiunea 1 a bazei purttorii de sarcin liberi sunt
N
frnai, iar n regiunea 2 ei sunt accelerai de cmpul electric interior,
aprut n baz n rezultatul diferenei de concentraii, ceea ce provoac
Nd
diferena de potenial.
Deci, din punct de vedere al circuitului emitor-colector,
Na.in
tranzistorul polarizat normal se comport ca un generator de curent
continuu, a crui intensitate nu depinde de rezistenele exterioare
din circuit, ci doar de mrimea UBE.
1 2
Caracteristicile statice ale VT bipolar n schema de cuplare EC i BC.
n fig.5 este reprezentat schema de
conectare a VT cu E comun.
p VT
Fig.4
RS Orice VT are doua circuite, deci
n
schema
va fi caracterizat prin dou
U~
familii de caracteristice : de intrare i de
p

ieire care vor fi :

+
I int f ( U int ) Uies const ;
+
ECB
EEB
I ies f ( U ies ) U int const , deci pentru cazul
Fig.5
nostru primim urmtoarele relaii:
I B f ( U BE ) U CE const ; I C f ( U CE ) I B const .
n fig.6. precutm caracteristicile C.V.A. statice de intrare i ieire pentru VT cuplat EC.
Caracteristicile de intrare la tensiunea colectorului egal cu zero, trece prin punctual zero
ce difer de caracteristica diodei semiconductoare duar prin mrimea curentului, deoarece
curentul B e mai mic dect curentul prin jonciunea (IE). la tensiuni negative UCE, caracteristicile
au un decalaj la dreapta i n jos. Aceasta se explic n felul urmtor fie c tensiunea pe
jonciunea emitorului este constant. La fel constant va fi i concentraia golurilor n apropierea
emitorului.UCE provoac micorarea limii benzii, adic micorarea numrului de goluri ce se
p
n
p
Emitor Baz Colecto
r

gsesc n B tranzistorului. De aceea procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n B este

redus, deoarece electronii care iau parte la procesul de recombinare trece prin borna bazei,
curentului B se micreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
IB

UBE=0

IC

UBE0

II

II

I
IBn

IB1

UBE

IB=0

a)
UCE
b)
Caracteristicile de
ieire: creterea curentului
colectorului cu mrirea valorii UCE este dirijat de micorarea limii bazei. Coeficientul de
tranziie i coeficientul de transfer al curentului E crete. n schemele cu conectarea VT n
cshema EC i ce este comod de utilizat n locul coeficientului de transfer E ( ), coeficientul
de transfer a curentului B ( ), aceasta este condiionat din cauza c de obicei se variaz cu
curentul B. vom arta legtura ntre si .
U
tim c I C N I E I CBo U CB rc.dif , unde rc.dif CB I -rezistena diferenial a
C
colectorului.
I E I C I B , nlocuind n formula de mai sus se primete urmtoarea relaie:
I C (I B I C ) I CBo U CB rc.dif ,

I B I CEo U CB r c.dif
1
(1 ) ; I CEo I CBo (1 ) ; r c .dif r
c .dif (1 ) ,

unde

IC

din care urmtoarele sunt:

unde ICeo
curentul invers al colectorului cnd IB=0.
Caracteristicile statice ale VT n conesiunea BC: schema de conectareeste reprezentat
n fig.7.a), iar relaii care descriu caracteristicile statice de intrare
VT
p
i ieire sunt urmtoarele:
I E f ( U EB ) U CB const ; I C f ( U CB ) I E const
p

RS
n
cacteristicile de intrare i de ieire sunt reprezentate n
+
fig.7.(b,c). n fig.7.b)sunt artate caracteristicile de intrare, deci
UEB
vedem c cnd UCB=0, caracteristica este asemntoare cu a
UCB
diodei cuplate direct.
Fig. 7, a)
La alimentarea jonciunii colectorului cu tens. Negativ, caracteristica de intrare
III care apare din cauza
decaleaz n dreapta. Aceasta prezint n VTI prezenaIIlegturii inverse
IC
rezistenei bazei.
IE>0

UCB>0
UCB<0

c)

IEo=0
UCBo

UEB

IB
Cur. B

IE

UEB=0
t

UEB>0

UEB<0

b)

UBEo

UEB
t

UBE

Uint
Semnal
real
UBE

Fig. 7
Caracteristicile de ieire prezint dependena I C f (U CB ) I E const , unde ele se impart n trei
regiuni: I negativ (regim activ) ; II regim de saturaie; III strpungere. Caracteristica nul
reprezint o caracteristic simpl a diodei semiconductoare polarizat indirect. La mrirea I E
caracteristicile se schimb.
La apariia curentului IE, IC se mrete cu valoare
- Ec++
ICp,unde I0=ICp i creterea C.V.A de ieire a VT cuplat BC
R2
RC
reprezint caracteristica VD semiconductoare cu decalaj
ICp, adic I p n I 0 {exp[eU kT] 1} , unde avem I e I C ,
C2
pentru poriunea a doaua a caracteristicilor lucreaz
C1
relaia I E I B I C I Co , i ICo, IB 0, de unde IE ~IC.
R
U
G
IC
S
ies
Coeficientul k tr .I I 1 - ne arat ci purttori de
E
RE
Uin
R1
RG
sarcin am pierdut n baz i amplificare dup current nu
CE
t
avem.
U
k tr .U CB 1 - avem amplificare dup tensiune i
U EB

putere, ne d posibilitatea de o translare dup tensiune major. i avem c R int .EC R int r .BC
Principiul de amplificare a semnalelor cu ajutorul VT bipolare. Pentru nceput
descriem schema cu cuplarea VT dup conexiunea EC, care este reprezentat n fig.8. n
contiunuare se analizeaz caracteristicile statice de ntrare i ieire i alegerea punctului de
lucru pe aceste caracteristici.
Fig. 8

A punctual de funcionare pe caracteristicile de intrare fig.9 UBE este n regim static (dup
R1

U R1

current continuu) cu ajutorul devizorului de tensiune R1 i R2. R U

2
R2

U BE U BEo U int r , Uintr variaz , n acela mod variaz i cur bazei, dar nu-i schimb
polaritatea, altfel VT se blocheaz.
IC

Cur. B
IB3
IB2

ICo

IB1
IBo

t
UCEo

Fig.9
t
C1 condesator de devizare, care permite legtura galvanic i nu d voie s treac
componenta continu de la generator la baz. Caracteristicile de ieire sunt prezentate n fig.10.
se traseaz dreapta de sarcin, scrim ecuaia jonciunii emitorului:
EC I C R C U CE - aceasta este relaia de baz, dac VT e nchis I C 0 i E C U CE , primim
primul punct al dreptei de sarcin, al doilea punct UCE=0 i din relaia de mai sus aflm al doilea
punct.
La sarcin o s avem curent amplificat. Dac curentul bazei crete atunci VT se deschide,
tensiunea UCE scade, iar curentul IC se mrete.
Circuitul RE,CE prezint un circuit de reacie pentru corecia punctului de funcionare la
tranzistorului n curent continuu.
U int r U BE I E R E n VT real caracteristicile de intrare sunt reprezentate n fig10: A
punctul de funcionare la temperatura (T=TC= 230C)
IC

IB
IBo(2)

IC

A1

IBo1
A

IBo(1)
UBEo

UBE

Fig.10

Aceasta nltur devierea caracteristicilor cu circuitul R ECE U int r U BEo I E R E , crete

punctul de sarcin crete curentul emitor, tensiunea crete I ERE, Uintr rmne la fel, iar tensiunea
UBE scade.
La majorarea tenperaturii mediului ambiant, crete concentraia purttorilor de sarcin,
ceea ce provoac micorarea curentului emitorului. Aceast majorare IE provoac descreterea

tensiunii UBeo i tranzistorul revine n punctul iniial IBo. CE prezint element de blocaj n curent
alternativ a rezistoruli RE. Deci circuitul RE,CE prezint un circuit de corecie la temperatur.
Pentru a caracteriza funcionarea tranzistorului ca amplificator, se face apel la parametrii
hibrizi (sau parametrii h), care se introduc considernd tranzistorul ca un cuadripol.
La intrarea cuadripolului (ntre baza i emitorul tranzistorului) s-au notat tensiunile i
curentul alternativ cu indicele 1,iar la ie. (ntre colec. si baz) s-au notat cu indicele 2.
Prin definiie, para-metrii h se introduc cu
urmtoarele relatii:

Cnd U2=0 h11 =U1/I1 rezistena de intrare a

tranzistorului dup curent alternativ, cnd la ieire este scurtcircuit (cu ajutorul
condensatorului).
Cnd I1=0 h12=U1/U2 coeficientul de transfer dup tensiune, cnd la intrare este mers in
gol dup curent alternativ.
Cnd U2=0 h21=I2/I1 coeficientul de transfer dup curent, cnd la ieire avem scurtcircuit
dup curent alternativ.
Cnd I1=0 h22=I2/U2 admitana de ie., intrarea fiind in gol.
h21E= emitor comun
h21B= baz comun
h21C= colector comun
Trebuie precizat, c ntruct toi parametrii hibrizi sunt la curent alternativ, condiia
de scurtcircuit se refer doar la regimul variabil i se realizeaz prin conectarea la bornele
respective a unui condensator de valoare foarte mare.