Studiul modelului de semnal mic

al unui tranzistor bipolar

1.Introducere
Tranzistorul este o component electronic a crei rezisten electric poate fi
controlat cu ajutorul unui semnal electric numit semnal de comand. Cea mai
important meniune referitoare la aceast definiie este faptul c tranzistorul ne permite
s controlm un curent electric mare cu ajutorul unei cantiti foarte mici de energie
electric. Cteva din cele mai importante clase de circuite electronice analogice n care
tranzistoarele sunt utilizate sunt:
amplificatoare de semnal
generatoare de semnal (oscilatoare)
stabilizatoare de tensiune
Lucrarea ii propune analiza unui etaj de amplificare cu rezisten n emitor i tranzistor
bipolar reprezentat.
2.Noiuni generale

Tranzistorul bipolar
Tranzistorul este un dispozitiv electronic activ, cu trei zone (terminale) care
realizeaz o amplificare a semnalelor electrice.
Cele trei zone se numesc emitor (E), baz (B), colector (C).
Exist dou tipuri de tranzistoare bipolare:

Din punct de vedere funcional un tranzistor este in electronic ceea ce un robinet

este in instalaii. Permite inchiderea sau deschiderea unui circuit electric, acest regim
numindu-se "in comutaie", sau parial, atunci cnd se folosete regimul liniar de
functionare.
Tranzistorul se numete bipolar deoarece conducia este realizat de dou tipuri
de purttori de sarcin electric, de semn diferit: electronii, respectiv golurile.

Mrimi electrice caracteristice:

Tranzistorul bipolar este caracterizat de 6 marimi electrice: iE (curentul de emitor),
iB (curentul de baz), iC (curentul de colector), vBE (tensiunea baz-emitor), vBC (tensiunea
baz-colector) vCE (tensiunea colector-emitor).

Sensul curenilor este acelai cu sensul sgeii care indic n simbolul electronic
al tranzistorului bipolar, EMITORUL. Referinele tensiunilor depind de tipul tranzistorului
bipolar. Sensul curenilor, respectiv referinele tensiunilor sunt prezentate astfel:

ntre mrimile electrice ale tranzistorului bipolar exist urmtoarele relaii

generale:
relaia ntre curenii prin terminalele tranzistorului:
i E i B iC
relaia ntre tensiunile dintre terminalele tranzistorului:
v BE v BC vCE NPN

v EB vCB v EC PNP
relaia ntre curentul de colector i tensiunea baz emitor:
v
iC I S exp BE
VT
IS - curent de saturaie;
VT - tensiunea termic;

(1)
(2)

(3)

Funcionarea tranzistorului bipolar

n funcie de modul de combinare al polarizrilor jonciunilor baz-emitor i bazcolector ale unui tranzistor bipolar, pot fi stabilite patru regimuri de funcionare, dup cum
urmeaz:
REGIUNEA ACTIV NORMAL (RAN):
o condiia de funcionare: vBE > 0V i vBC < 0V
o atunci cnd jBE este polarizat direct i jBC este polarizat invers;
REGIUNEA ACTIV INVERS (RAI):
o condiia de funcionare: vBE < 0V i vBC > 0V
o atunci cnd jBE este polarizat invers i jBC este polarizat direct;
REGIUNEA DE SATURAIE (RS):
1. condiia de funcionare: vBE > 0V i vBC > 0V
2. n aceast regiune de funcionare vCE < 0,1V
3. atunci cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct;
REGIUNEA DE BLOCARE (RB):
1. condiia de funcionare: vBE < 0V i vBC < 0V
2. n aceast regiune de funcionare toi curenii tranzistorului sunt zero ;
3. atunci cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate invers.

3. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar:

3.1 Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n RAN
Tranzistorul bipolar este un element de circuit neliniar. Din acest motiv este util s
se dezvolte modele liniare, valabile n anumite condiii precis specificate de funcionare.
Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n RAN se bazeaz pe urmtoarea
relaie ntre curentul de colector i cel din baz:
iC iB
(4)
factorul de amplificare n curent al tranzistorului
Tranzistorul bipolar genereaz n colector un curent iC a crui valoare depinde de
curentul de baz iB. Acest comportament poate fi modelat prin intermediul unui generator
de curent comandat n curent.
iB depinde exponenial de tensiunea vBE de aceea ntre baz i emitor, un
tranzistor bipolar se comport ca o diod semiconductoare i n consecin poate fi
modelat prin intermediul modelelor diodei.
Astfel, circuitul echivalent care modeleaz comportamentul tranzistorului bipolar
n RAN poate fi inlocuit in analiza circuitelor de circuitul echivalent liniar (figurile a. si b.):

Un tranzistor bipolar care funcioneaz n RAN amplific puternic n curent (iB este
crescut de sute de ori i furnizat ca iC), iar amplificarea este liniar (ntre iC i iB este o
relaie liniar).
3.2 Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n variabil de semnal mic
Comportamentul tranzistorului bipolar poate fi considerat ca fiind LINIAR i n
consecin poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.
Intre baza si emitor, un tranzistor bipolar se modeleaz prin intermediul unei
rezistene de semnal mic, notat r.
Deoarece iC variaz n funcie de vBE, este util s se determine modul n care se
manifest aceast variaie, calculnd derivata curentului iC n funcie de tensiunea vBE
pentru cazul n care valoarea curentului de COLECTOR este meninut la o valoare
constant IC. Valoarea derivatei respective se noteaz cu gm i se numete panta
tranzistorului bipolar:

gm

diC
dv BE i I
C C

I
gm C
VT

g m Siemens

Amper
Volt

(5)

IC - curentul continuu prin colectorul tranzistorului

Rezistena r se calculeaz cu ajutorul formulelor:

V
r T
IB

gm

(6)

VT - tensiunea termic;
IB - curentul continuu prin baza tranzistorului.
Pentru frecvene mai mici dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor joase i
medii), modelul este caracterizat de circuitul echivalent prezentat n Figura 1. n acest
circuit, mrimile electrice Ib, Ie i Ic reprezint amplitudinile curenilor de baz, emitor,
respectiv colector, iar Vbe reprezint amplitudinea tensiunii baz-emitor i nu trebuie
confundat cu tensiunea continu VBE care, pentru cazul n care tranzistorul bipolar
funcioneaz n RAN.

Figura 1. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil

de semnal mic, pentru frecvene joase i medii.

4. Etaj de amplificare cu rezisten n emitor i tranzistor bipolar NPN.

S se calculeze punctul static de funcionare Q (Uc, Ic).
Caracteristicile tranzistorului din catalog: =100, Ube=0.6V, R1=90K, R2=12K,
Rc=4,7K, Rc =0.5K, E=10V.