CAPITOLUL II

2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

2.1. Benzile energetice a corpului solid
Conducia ntr-un corp solid are loc ca urmare a deplasrii unor particule ncrcate cu
sarcin electric. Pentru a se putea deci realiza conducia este necesar prezena unor particule
purtnd sarcin electric i capabile s se deplaseze, astfel spus prezena unor purttori mobili
de sarcin.
Pentru evidenierea mecanismului conduciei se are n vedere structura atomului. ntrun atom electronii pot ocupa doar nivele energetice discrete deoarece numai pentru astfel de
energii ecuaia Schrdinger, ecuaia de micare din fizica cuantic admite soluii fizice
acceptabile. n plus electronii se supun principiului lui Pauli, conform cruia ntr-un sistem
fizic (cum poate fi considerat atomul izolat), doi electroni nu pot avea aceeai stare cuantic,
ocupnd n consecin nivele energetice permise succesiv, de la energii joase spre cele
ridicate. Calitativ diagrama energetic a atomului izolat, poate fi reprezentat conform
figurii 2.1.
Ultimul nivel energetic (Wv) pe
W
care n condiii normale de presiune i
wb
temperatur se mai afl electroni poart
zona interzisa
denumirea de nivel de valen. n structura
wv
solidului electronii de pe acest nivel
particip la legturi covalente. Nivelul Wc
w2
reprezint nivelul de conducie pe care
trebuie s ajung un electron pentru a putea
w1
realiza conducia. Nivelele energetice sunt
separate ntre ele prin zone interzise n care
nu pot exista electroni. ntr-un sistem
Fig. 2.1. Diagrama energetica a atomului izolat
format din doi sau mai muli atomi, dac
nivelele ar rmne ca la atomii izolai, ar
trebui ca un electron de la fiecare atom s aib aceeai stare ceea ce ar contrazice principiul
lui Pauli. n acest caz nivelele energetice se despic multiplu, nivelele despicate grupndu-se
n benzi.
Deci n cazul corpului solid cu atomii distribuiii periodic n spaiu, nivelele energetice
permise vor forma benzi de energie permise separate prin benzi energetice interzise, calitativ
diagrama energetic a corpului solid putnd fi prezentat conform figurii 2.1.
Convenia de semne cu
w
privire la energia electronului
0

este:
banda permisa
- W< 0 pentru electronii

din interiorul materialului

banda interzisa
(electroni legai);

- W>0 pentru electronii

liberi (extrai din material).
Pentru
studiul
conduciei n corpul solid
prezint interes doar spectrul
energiilor negative (electronii
liberi extrai din material nu
Fig.2.2. Diagrama energetica a corpului solid
pot participa la realizarea
conduciei).

Nivelele energetice ale unei benzi sunt foarte dense astfel nct caracterul lor discret
este puternic estompat.
Ocuparea nivelelor energetice de electroni se face succesiv ncepnd cu nivelele
inferioare. Pe msura ocuprii nivelelor unei benzi se trece spre banda de deasupra. (n spiritul
fig. 2.2). Electronii de valen sunt cel mai slabi legai de atomi datorit poziiei lor periferice
i ocup ultimele benzi.
Electronii au posibilitatea s-i modifice energia (sa treac de pe un nivel energetic pe
altul) n anumite condiii. Astfel dac electronului i se comunic energie el poate trece pe un
nivel energetic superior cu condiia ca acest nivel energetic s fie neocupat iar energia
furnizat s fie suficient pentru saltul energetic considerat Saltul energetic invers ns este un
proces spontan, natural fiind condiionat doar de existena unui nivel energetic inferior
neocupat. Salturile energetice se pot realiza i ntre nivele ocupnd benzi permise diferite cu
condiia ca energia furnizat s depeasc energia benzii interzise. Aceast energie poate fi
furnizat fie de ageni fizici externi, cmp electric, flux luminos, sau chiar de reeaua intern
(reeaua avnd energia de vibraie direct proporional cu temperatura materialului).
Pentru ca un corp solid s permit fenomene de conducie electric, este necesar s
existe cel puin o band permis incomplet ocupat de electroni.
Dac o band permis este ocupat integral, cmpul electric nu poate comunica o
energie net ansamblului de electroni i ca urmare nu poate aprea curent electric. Evident pot
aprea situaii de excepie n cazul unor cmpuri electrice intense cnd pot aprea treceri ale
electronilor dintr-o band permis, iniial total ocupat, n alt band permis, ceea ce
reprezint strpungerea materialului.
Pentru studiul conduciei
n corpul solid intereseaz doar
dou din benzile permise (fig.
w
2.3).
0

-banda de conducie - format din

Band de conductie
Wc
nivelele de conducie a atomilor

uniform distribuii ai solidului.

Wi
-banda de valen - format din

nivelele de valen a atomilor

Wv
Band de valena
uniform distribuii ai solidului.

Fig.2.3. Benzile de valenta si conductie a corpului solid

Energia superioar a benzii de valen se noteaz cu Wv.

Deasupra acesteia se afl banda de conducie a crei energie inferioar se noteaz Wc.
Cele dou energii constituie nivelul de valen respectiv de conducie a corpului solid. ntre
cele dou benzi se afl banda interzis de dimensiune energetic.
W i = Wc W v

(2.1.)

n funcie de dimensiunile benzii interzise materialele pot fi mprite n trei categorii:

- metale - unde electronii de valen nu ocup complet o banda de valen, o mare
parte ocupnd i banda de conducie (practic Wj=0) ceea ce face ca acetia s realizeze uor
condiia indiferent de temperatur. Rezistivitatea acestora este sub 10-3 cm fiind din acest
considerent bune conductoare de electricitate.
- izolatoare - la care limea zonei interzise este mai mare de Wi>4 eV ceea ce face
puin probabil ruperea legturii covalente. Rezistivitatea acestora este 1014 cm ceea ce face
ca acestea sa nu realizeze conducia.
-semiconductoare - la care limea zonei interzise este de circa 1 eV

Semiconductoarele prezint important deosebit n electronic, dispozitivele

electronice actuale fiind realizate n marea majoritate din aceste materiale motiv pentru care
vor fi studiate n paragrafele urmtoare.
2.2. Semiconductoarele intrinseci i extrinseci
Cele mai utilizate materiale semiconductoare sunt siliciul (Si) care are i cea mai mare
pondere n realizarea dispozitivelor electronice, germaniul (Ge), galiu-arsen (GaAs), indiufosfor (InP) etc.
Rezistivitatea electric a semiconductoarelor este n gama 10-1 - 103 cm mai mare ca
a metalelor dar mai mic ca a izolatoarelor. Proprietile remarcabile ale materialelor
semiconductoare se obin numai pentru o ordonare ct mai perfect a atomilor n tot volumul
materialului, ordine cunoscut sub numele de monocristal.
Defectele reelei cristaline, acceptate de monocristale, sunt numai
cele punctuale sau liniare (dislocaii) dar i acestea n numr redus. Dintre defectele punctuale
admise, cele mai ntlnite sunt legate de prezena atomilor de impuritate introdui voit.
Densitatea acestor defecte (punctuale) este de un atom de impuritate la 104-108 atomi de
semiconductor.
Semiconductorul pur din punct de vedere chimic poart denumirea de semiconductor
intrinsec. Reeaua cristalin a principalelor materiale semiconductoare este de tip diamant.
n aceast reea fiecare atom se nvecineaz la distan minim cu patru atomi uniform
distribuii n spaiul, reprezentat simbolic (bidimensional) n figura 2.4.
Siliciul i germaniul sunt elemente din grupa a
patra avnd pe nivelul de valen patru electroni care
+4
+4
+4
vor participa la legturi covalente. Legtura covalent
se face cu o pereche de electroni cte unul de fiecare
atom. Deci fiecare atom de Si sau Ge va stabili
+4
+4
+4
legturi covalente cu patru atomi nvecinai. Pentru a
studia conducia n semiconductoare se nelege
+4
+4
+4
funcionarea dispozitivelor semiconductoare este
studiul comportrii electronilor de valen ei fiind
purttorii de sarcin n mecanismul conduciei. Acest
Fig.2.4. Structura retelei
studiu se va face n dou ipoteze:
-la echilibru termodinamic (sau echilibru termic) cnd nu acioneaz nici un agent
extern iar temperatura este uniform n tot volumul materialului;
-n starea de neechilibru cnd asupra semiconductorului acioneaz cmpuri electrice,
magnetice, radiaii nucleare, flux luminos, etc.
Pentru evidenierea mecanismului conduciei n semiconductorul intrinsec se va avea
n vedere diagrama energetic (fig. 2.3) tiind c lrgimea zonei interzise este:

p e n tr u S i
1, 1 2 e V
(2.2.)
Wi =
p e n tr u G e
0, 67 eV
La temperatura de 0K electronii de valen ocup integral banda de valen, ceea ce
face ca n acest context semiconductorul sa se comporte ca un izolator perfect.
La temperaturi diferite de 0K unii electroni din banda de valen pot trece n banda de
conducie datorit energiei primite de la reea (energia furnizat electronului fiind superioar
energiei Wi). n felul acesta apar dou benzi permise parial ocupate, banda de valen i
banda de conducie i ca urmare prin material pot circula cureni electrici de conducie.
Fenomenul fizic ce st la baza acestei situaii energetice este ruperea unei legturi
covalente (fig. 2.5). Electronul prsind legtura covalent nu mai este legat de atomul de la
care provine i se poate deplasa liber n interiorul reelei cristaline.

Acest electron se numete electron de conducie i va ocupa un nivel n banda de

conducie. Locul rmas liber poart denumirea de gol, care poate fi ocupat de un alt electron
din alt legtur covalent. Apar astfel n structura semiconductorului perechi electron gol, iar
mecanismul producerii este cunoscut sub denumirea de procedeu de formare a perechilor
electron gol.
La aplicarea unui cmp electric apar cureni
datorit a dou mecanisme de conducie diferite
corespunztoare celor dou benzi permise parial
+4
+4
ocupate.
- deplasarea dirijat a electronilor de
gol
conducie (din banda de conducie)
- deplasarea dirijat a electronilor din legturile
+4
+4
covalente spre locurile libere (goluri) din legturile
covalente incomplete (evident aceasta este ilustrat
de o deplasare a locurilor libere, golurile, n sens
Fig.2.5. Generarea perechilor electron gol
invers).
Micarea electronilor n interiorul cristalului este descris de legile mecanicii cuantice.
Pentru a putea descrie fenomenele macroscopice de conducie s-au realizat modele care
permit utilizarea legilor clasice. Aceste modele folosesc particule fictive:
- micarea electronului din banda de conducie este descris de o particul fictiv
numit tot electron cu aceeai sarcin ca particula real (-q), dar cu o mas efectiv mn;
-micarea electronului din banda de valen care se desprinde dintr-o legtur de
covalen spre a ocupa un loc liber din alt legtur covalent rupt este descris de o
particul fictiv, numit gol, cu sarcina electric egal cu a electronului dar de sens opus (+q)
i cu masa efectiv mp;
Deci n semiconductoare conducia curentului electric este asigurat de dou tipuri de
purttori de sarcin mobili electroni i goluri.
Notnd cu n conducia de electroni i p concentraia de goluri i avnd n vedere c n
semiconductorul intrinsec apar prin ruperea legturilor covalente generndu-se astfel perechi
electron gol, valoarea lor este comun numindu-se concentraie intrinsec ni;
Se va putea scrie deci:
n = p = ni
(2.3.)
Concentraia intrinsec depinde de temperatura (T) i de lrgimea zonei interzise
(Wi)conform relaiei:
3

ni = A T e
2

Wi
2KT

(2.4.)

unde: A-constant; K- constanta lui Boltzmann.

Deoarece concentraiile de purttori n i p sunt egale n conductorul intrinsec acesta i
gsete puine aplicaii. Realizarea dispozitivelor electronice impune obinerea unor
semiconductoare care s aib n exces fie goluri (p) fie electroni (n). Pentru obinerea acestora
se utilizeaz procedeul impurificrii controlate a semiconductorilor cu atomi de impuriti, fie
pentavaleni, fie trivaleni. Semiconductoarele astfel
obinute poart denumirea de semiconductoare
+4
+4
+4
extrinseci. n funcie de valena atomilor de
impurificare se obin semiconductoare de tip n i
+5
semiconductoare de tip p.
+4
+4
Semiconductorul de tip n - se obine prin
impurificarea cu elemente pentavalente (fosfor,
+4
+4
+4
arseniu. stibiu) numite i donoare. Atomul
impuritate substituie din reea atomul de
semiconductor
stabilind cu atomii nvecinai legturi
Fig.2.6. Retea cu impuritate pentavalenta

covalente (fig 2.6).

Patru din electronii de valen particip la legturi covalente, iar cel de-al cincilea
fiind slab legat va primi o energie suficient chiar i la temperatura camerei pentru a se
desprinde de atomul donor i a deveni electron de conducie. Apariia electronului de
conducie nu este nsoit ns de apariia unui gol. Apare ns un ion pozitiv al atomului de
impuritate ( fiind n reeaua cristalin, deci nu particip la conducie). Electronul suplimentar
al atomului de impuritate ocup n banda interzis un nivel energetic Wd apropiat de banda de
conducie (Fig.2.7).
w
Wc

WD

Wv

+
+

+
+

Fig.2.8. Structura semiconductorului n

Fig.2.7. Diagrama energetica a

semiconductorului n

Acest nivel nu aparine ntregului cristal fiind localizat doar n vecintatea atomilor de
impuritate, motiv pentru care a fost reprezentat cu linie discontinu. n structura
semiconductorului apar i perechi electron gol prin procedeul analizat la semiconductorul
intrinsec. La temperatura camerei practic electronii de pe nivelul Wd trec n totalitate n banda
de conducie
n baza celor menionate structura semiconductorului n poate fi reprezentat conform
figurii 2.8 i conine electroni de conducie (-) rezultai prin impurificare i prin perechi,
goluri (+) rezultai prin perechi, ioni pozitivi (+) ai atomului de impuritate fici n reeaua
cristalin. Avnd n vedere concentraia de purttori rezultai se poate scrie relaia:

n> p

2.5

Numrul electronilor fiind superior acetia poart denumirea de purttori majoritari iar
golurile de purttori minoritari.
Semiconductorul de tip p - se obine prin
impurificarea cu elemente trivalente (bor, indiu,
galiu, aluminiu) numite i acceptoare. Atomul de
+4
+4
+4
impuritate trivalent va substitui din reeaua
atomului de semiconductor stabilind cu atomi
+3
+4
+4
nvecinai legturi covalente (fig. 2.9).
Atomul de impuritate satisface numai trei
+4
+4
legturi covalente, o legtur covalent rmnnd
+4
nesatisfcut. Aceast legtur se poate completa cu
un electron dintr-o legtur covalent vecin care
Fig.2.9. Retea cu impuritate trivalenta
las n urma lui un gol. Acest mecanism de lansare a
golului nu a fost nsoit de apariia a unui electron de
conducie. Atomul de impuritate acceptnd un electron se transform n ion negativ fix n
reeaua cristalin (deci nu poate participa la conducie). Electronii de conducie n numr mai
mic dect golurile apar prin mecanismul cunoscut de la semiconductorul intrinsec. Legtura
covalent nesatisfcut a atomului acceptor induce un nivel energetic WA n banda de valen
(Fig. 2.10) fiind la fel ca si WD localizat doar n vecintatea atomilor de impuritate.

+ -- + - +

+
- + - +

Wc

WA
Wv

Fig.2.11. Structura semiconductorului p

Fig.2.10. Diagrama energetica a
semiconductorului p

La temperatura camerei, practic nivelele acceptoare ale tuturor atomilor acceptori sunt
ocupate de electroni din banda de valen. Descompletarea benzii de valen va permite astfel
conducia curentului electric prin mecanismul specific acestei benzi. Se poate spune conform
celor analizate c banda de valen s-a ocupat cu goluri pe nivelele energetice superioare n
locul electronilor care au ocupat nivelele acceptoare.
n baza celor prezentate structura semiconductorului n extrinsec de tip p poate fi
reprezentat conform figurii 2.11 i conine goluri (+) rezultate prin impurificare i perechi,
electroni (-) rezultai prin perechi electron gol, ioni (R) negativi ai atomilor acceptori.
Se va putea scrie relaia:
p>n
(2.6.)
La semiconductorul de tip p golurile vor fi purttori majoritari i electronii purttori
minoritari.
2.3. Statistica purttorilor de sarcin
Statistica are ca scop determinarea concentraiilor de electroni i goluri n
semiconductoare aflate la echilibru termic.
Purttorii de sarcin din semiconductoare se supun statisticii Fermi - Dirac, conform
creia probabilitatea ca un electron s ocupe un nivel energetic W este:
1
f (W) =
(2.7)
W Wf
KT
1+ e
unde WF reprezint energia (nivelul) Fermi, constant la echilibru termic n tot volumul
considerat.
Energia Fermi depinde de temperatura i modul de dopare, putnd fi situat att n
interiorul benzilor permise ct i n interiorul benzilor interzise. Probabilitatea ocuprii
nivelului Fermi de un electron este 0.5 indiferent de temperatur. Golurile se supun aceleai
statistici probabilitatea ocuprii nivelului WF de un gol fiind dat de funcia 1 - f (W).
Calculul concentraiilor de electroni i goluri la echilibru termic n0,Po se face pe baza
unor expresii date de mecanica cuantic:

WC WF
kT

WF WV
kT

n 0 = NC e

(2.8.)

(2.9.)
p0 = N v e
unde Nc, Nv constante ce depind de temperatur dup legea T3/2.
Pentru un semiconductor intrinsec, nivelul Fermi se poate nota W/Fi valoarea
rezultnd prin substituirea n (2.3) a relaiilor (2.8) si (2.9):

WFi =

WC + WV kT NC
ln
+
2
2
NV

(2.10.)

Deoarece Nc Nv rezult c n acest caz:

WC + WV
WFi =
2

(2.11)

adic nivelul Fermi este practic n mijlocul benzii interzise.

Concentraiile de electroni i de goluri se pot exprima utiliznd WFi expresiile:

n0 = ni e
p 0 = ni e

WFWFi
KT

(2.12)

WFi WF
KT

(2.13)

Conform acestor relaii un semiconductor de tip n are nivelul Fermi situat deasupra
mijlocului benzii interzise, iar un semiconductor de tip p are nivelul Fermi situat sub mijlocul
benzi interzise.
Relaiile prezentate sunt valabile n condiii de echilibru termic. Pentru a pstra
formalismul acestora i n condiiile de neechilibru se introduc dou nivele fictive de calcul
numite cvasinivele Fermi WFn pentru electroni i WFp pentru goluri. Concentraiile n aceste
condiii pot fi exprimate prin relaiile:
W W
(2.14)
KT
Fn

Fi

n = ni e

WFi WFp
KT

p = ni e
unde WFi reprezint la fel mijlocul benzii interzise.

(2.15)

2.4. Transportul purttorilor de sarcin n semiconductoare

ntr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii i golurile sufer
doar o micare de agitaie termic, haotic, ce determin ciocniri cu reeaua. Practic deci nu
are loc o deplasare net a purttorilor de sarcin deci nu apar cureni electrici macroscopici de
conducie.
Apariia curenilor electrici de conducie n semiconductoare (ca urmare a
transportului purttorilor de sarcin ) este determinat de cmpul electric i gradientul
purttorilor de sarcin.
Curenii determinai de cmpul electric sunt denumii cureni de cmp sau de drift iar
cei determinai de gradientul concentraiilor de impuriti cureni de difuzie.
Pentru
determinarea curenilor de cmp se are n vedere faptul c aplicarea unui cmp
JG
electric E asupra unui semiconductor va avea ca efect imprimarea unei viteze medii
purttorilor de sarcin.
Aceast vitez este pe direcia cmpului i proporional cu intensitatea cmpului:
G
JG
(2.16)
vn = n E
G
JG
vp = p E
(2.17)
JG JG
unde vn, vp reprezint vitezele de cmp (drift) ale electronilor, respectiv golurilor.
Factorii de proporionalitate n, p reprezint mobilitatea electronului respectiv
golului, factori care depind att de concentraia de impuriti ct i de temperatur.
Cunoscnd vitezele purttorilor de sarcin se pot exprima densitile curenilor de
cmp date de cele dou tipuri de purttori:
JJG
JG
jnc = qn vn
(2.18)

JJG
JG
jpc = qp vp

(2.19)

Din cele dou relaii 2.18 i 2.19 poate fi exprimat densitatea curentului de cmp
total:

JG JJG JJG
JG
JG
JG 1 JG
jc = jnc + jpc = qnvn + qpvp = q ( n n + p p ) E = E

(2.20)

Expresia rezultat exprim proporionalitatea curentului de cmp cu intensitatea

cmpului electric.
Factorul de proporionalitate l reprezint rezistivitatea semiconductorului dat de
expresia:
1
=
(2.21)
q ( n n + p p )
Rezistivitatea reprezint una din cele mai importante caracteristici ale materialelor
semiconductoare, controlul tehnologic al acesteia realizndu-se prin intermediul impurificrii.
Rezistivitatea este puternic influenat i de temperatur fiind teoretic infinit la 0K,
constant aproape la temperaturi uzuale de lucru, iar la temperaturi mari are o scdere foarte
pronunat ceea ce face ca n aceste condiii comportarea semiconductoarelor n sau p s se
apropie de cea a unui semiconductor intrinsec.
Curenii de difuzie apar ca urmare a unor concentraii neuniforme de electroni i
goluri, care n scopul uniformizrii determin transportul acestor purttori.
Cantitativ fenomenul de difuzie, datorat gradientului concentraiei de impuriti (C)
poate fi exprimat prin relaia:
JG
F = D C

(2.22)

JG
F reprezint fluxul de particule, definit ca numrul de particule care traverseaz o suprafa
unitar, aezat perpendicular pe direcia de transport, n unitatea de timp.
Factorul de proporionalitate D este denumit coeficient de difuzie. Dac se consider
relaia (2.22) pentru electroni (c=n) respectiv goluri (c=p) se pot exprima expresiile densitii
curenilor de difuzie pentru cele dou tipuri de purttori.
G
JJG
j nd = ( q ) Fn = qDn n

G
JJG
j pd = ( + q ) Fp = qDpp

(2.23)
(2.24)

Coeficienii de difuzie pentru electroni ( Dn ) i goluri ( Dp ) pot fi exprimai n funcie

de mobiliti prin relaiile lui Einstein:

KT

Dn = q n

Dp = kT p

(2.25)

Densitatea de curent ntr-un semiconductor (j) este realizat att de electroni cat i de
goluri putnd fi exprimat printr-o relaie:
G JG JG
(2.26)
j = jn + jp
Avnd n vedere c fiecare termen al relaiei (2.26) este determinat att de efectul de
cmp ct i de difuzie aceti termeni pot fi exprimai avnd n vedere relaiile (2.18), (2.19),
(2.20),(2.23), (2.24) obinndu-se:
JG JJG JJG
JG
(2.27)
jn = jnc + jnd = qn n E + qDnn

JJG JJG JJG

JG
jp = jpc + jpd = qp p E qDpp

(2.28)
n
cazul
unor
cmpuri electrice variabile n relaia (2.26) va apare un termen corespunztor densitii de
curent de deplasare:
JG
G JG JJG
E
(2.29)
j = jn + jp +
t
Formularea naturii tuturor componentelor curenilor n semiconductoare d
posibilitatea analizei calitative a mecanismului conduciei n semiconductoare facilitnd astfel
nelegerea funcionrii dispozitivelor electronice realizate avnd la baz aceste materiale.
Analiza efectuat privind fizica semiconductoarelor evideniaz faptul c electronii i
modific permanent i n mod natural nivelul energetic, aprnd astfel la nivelul
semiconductorului dou fenomene de generare respectiv recombinare a purttorilor de sarcin
electroni (n) sau goluri (p). Generarea reprezint fenomenul de trecere a unui electron al
reelei n banda de conducie (generarea de electroni de conducie), fie de prsire a benzii de
valen (generarea de goluri).
Deci n procesul de generare a electronilor electronul pleac de pe un nivel energetic
din banda de valen sau din banda interzis de pe nivelul creat de impuritile reelei
cristaline (fig 2.7) introduse special de constructor. Pentru procesul de generare a golurilor,
electronii din banda de valen pleac pe nivelele energetice din banda de conducie sau din
banda interzis, nivel creat de impuritile acceptoare.
Recombinarea reprezint procesul prin care un electron al reelei cristaline prsete
banda de conducie sau trece n banda de valen. n primul caz dispare un electron de
conducie iar n al doilea dispare un gol. Trebuie menionat c n acest proces nu dispar
particule fizice ci doar particule viabile ale procesului de conducie.
Ratele de desfurare a celor patru mecanisme amintite sunt denumite viteze de
generare/recombinare reprezentnd numrul de particule (electroni sau goluri) care se
genereaz/ recombin n unitatea de timp i se noteaz cu gn, gp respectiv rn, rp.
Vitezele de recombinare nete Rn, Rp se pot defini prin relaiile

Rn = rn gn
Rp = rp gp

(2.30)
(2.31)

Cantitativ considernd generarea / recombinarea fr nivele energetice de captur cnd

Rn=Rp=R, viteza de recombinare poate fi exprimat prin relaia:

pn n i2
R=
n 0 (p + pt ) + p0 (n + nt )

(2.32)

unde no, po - constante reprezentnd timpul de via al electronului respectiv golului, nt, pt concentraii fictive de electroni respectiv goluri considernd n semiconductor nivelul Fermi
suprapus peste un nivel energetic intermediar.
Din relaiile (2.32) rezult cteva concluzii importante:
- la echilibru termic ( pn = p0 n0 = ni2 ) viteza net de recombinare este nul (gn=rn,
gp=rp) fr ca cele patru viteze sa fie nule;
- la neechilibru n condiii de exces de purttori ( pn > n i2 ) se obine
R > 0 (rn > gn, rp > gp) adic predomin recombinarea;
- la neechilibru n condiii de lips de purttori ( pn > ni2 )se obine R<0 (rn <gn,rp <gp)
adic predomin generarea.

n concluzie, un semiconductor la neechilibru i dezvolt mecanisme care tind s-l

readuc la echilibru.
n baza acestei analize vitezele nete de recombinare pot fi exprimate prin expresii mai
simple:
n n0
(2.33)
Rn =

Rp =

p p0

(2.34)

unde n, p reprezint timpi de viteza ai purttorilor n exces, dar care nu sunt constante, deci
doar formal expresiile au o reprezentare mai simpl.
Generarea de purttori poate fi datorata i unor ageni externi radiaii luminoase sau
ali factori n acest caz vitezele de generare notndu-se cu GLn,GLp (pentru electroni respectiv
goluri).
2.5. Ecuaiile generale ale semiconductoarelor

Din analiza efectuat cu privire la variaia n timp a concentraiei de purttori,

principalele cauze care determin aceast variaie sunt:
- ageni externi;
- generarea recombinrii externe;
- fenomene de transport a purttorilor.
Ecuaiile ce descriu cantitativ variaia n timp a concentraiei de purttori ca urmare a
aciunii acestor factori sunt de forma:
n
1 JG
= GL R n + jn
t
q

p
1 JG
= GL Rp jp
t
q

(2.35)

(2.36)

fiind denumite i ecuaii de continuitate.

Considernd GL=0, modelul unidimensional i considernd relaiile 2.33 si 2.34 pentru
vitezele nete de recombinare, ecuaiile de continuitate devin:
JG
n
n n0 1 jn
(2.37)
=
+
q n
t
n

JJG
p
p p 0 1 jp
=

q n
t
p

(2.38)

Pe lng ecuaiile de continuitate reprezentate prin cele dou relaii, funcionarea

semiconductorilor mai este caracterizat prin alte patru relaii importante:
- ecuaii de curent (deduse anterior):
JG
JG
jn = qn n E + qDnn
JJG
JG
jp = qp p E qDpJGp
G JG JJG
E
j = jn + jp +
t
- ecuaia lui Poisson:
q
= ( p n + ND NA)

unde reprezint potenialul electric ND, NA concentraia de ioni furnizai de atomii de

impuritate, donori respectiv acceptori.
Ecuaiile prezentate constituie ecuaiile de baz ce descriu macroscopic funcionarea
dispozitivelor semiconductoare.
Ecuaiile enunate nu caracterizeaz dispozitivele semiconductoare cu dimensiuni
submicronice care exist n prezent, acestea funcionnd cu un numr redus de particule.