Lucrarea nr.

STUDIUL PARAMETRILOR DE EMISIE AI DIODEI LASER

1. Scopul lucrrii
Lucrarea are scopul de a prezenta cteva aspecte de baz ale emisiei
diodelor laser i de a iniia studenii n investigarea proprietilor fasciculelor
acestor surse optice de mare importan tiinific i tehnologic.
2. Teoria lucrrii
Laserii cu semiconductori, n varianta constructiv de diode laser,
reprezint sursele de radiaie laser produse astzi n cantitatea cea mai mare,
pentru utilizri din cele mai diverse, de la citirea de compact-disc-uri, pn la
telecomunicaii
2.1. Principii fizice ale realizrii inversiei de populaie
n semiconductori
ntr-un cristal semiconductor, nivelele energetice posibile ale electronilor
n cristal sunt distribuite n banda de valen (BV) i banda de conducie (BC),
benzi energetice separate printr-o band interzis de pn la ~ 3 eV. Pentru
creterea artficial a conductivitii electrice la temperatura camerei,
semiconductorul poate fi dopat cu impuriti donoare de electroni (electronii sunt
purttori de sarcin majoritari), sau cu impuriti acceptoare de electroni,
(golurile sunt purttori majoritari). Considerm cazul unui dopaj peste o
anumit limit a concentraiei de impuriti, att donoare ct i acceptoare, astfel
nct, att n BC ct i n BV, electronii nu pot avea energii dect pn la anumite
valori, denumite cvasi-nivele Fermi: EFC n BC i, respectiv, EFV n BV. Acesta
este cazul unui aa-numit semiconductor extrinsec degenerat. Probabilitile de
ocupare a nivelelor energetice E ale electronilor n BC i BV sunt caracterizte prin
funciile de distribuie Fermi-Dirac, particularizate pentru fiecare band
energetic n parte:
1
fc =
,
(1)
E E FC
k BT

e
n banda de conducie i:

+1

42

Lucrarea nr. 4

fv =

1
E E FV
k BT

(2)

+1
e
n banda de valen; T este temperatura termodinamic a cristalului
semiconductor, iar kB este constanta Boltzmann.
Absorbia de radiaie electromagnetic ntr-un astfel de semiconductor are
loc la tranziia unui electron de la un nivel energetic E1 din BV la un nivel E2 din
BC, sub influena radiaiei; probabilitatea unei astfel de tranziii este, n virtutea
principiului de excluziune al lui Pauli, proporional cu produsul
fv(E1) [1fc(E2)] dintre probabiltatea de a avea un electron pe nivelul iniial E1
i probabilitatea de a avea o lips de electron pe nivelul final E2. n mod analog,
emisia de radiaie electromagnetic poate avea loc, respectnd legile conservrii
energiei, la o tranziie invers a electronului ntre aceleai dou nivele, sau, altfel
spus, la recombinarea electronului cu golul, cu probabilitatea fc(E1)[1fv(E2)].
Condiia de obinere a regimului de emisie stimulat ntr-un semiconductor degenerat, la interacia cu radiaia electromagnetic, este ca
probabilitatea de producere a unei emisii la tranziia ntre nivelele energetice din
BC i, respectiv, BV, s fie mai mare dect probabilitatea de absorbie ntre
aceleai dou nivele [1]:
fc(1fv) fv(1fc),
(3)
adic:
fc fv
(4)
ceea ce nseamn realizarea unei inversii de populaie ntre electronii din BC i
golurile din BV. Conform realaiilor (1), (2) i (4), inversia de populaie ntre
nivelele considerate ale materialului semiconductor se realizeaz cnd:
E2 E FC
k BT

E1 E FV
k BT

(5)
e
.
ntruct h = E2 E1 este expresia cuantei de energie electromagnetic emis
prin aceast tranziie (unde h este constanta Planck, iar este frecvena radiaiei),
atunci condiia (5) se poate scrie sub forma:
EFC EFV h.
(6)
e

2.2. Realizarea practic a inversiei de populaie n semiconductori

Dioda laser
O configuraie practic pentru obinerea inversiei de populaie ntr-un
mediu activ semiconductor este aceea a unei diode cu jonciune p-n n care
regiunile p i n sunt obinute prin doparea pn la degenerare a aceluiai cristal
semiconductor. Cvasi-nivelul Fermi al materialului de tip p se afl n BV, iar
acela al materialului de tip n - n BC. n absena unei diferene de potenial
electric la bornele diodei, cele dou cvasi-nivele Fermi devin coliniare, dac ar fi

Studiul parametrilor de emisie ai diodei laser

43

imaginate ntr-o diagram de reprezentare a benzilor energetice. La aplicarea unei

diferene de potenial V, cele dou cvasi-nivele Fermi se separ printr-un interval
energetic eV (unde e este sarcina electric elementar). n zona de sarcin spaial
a jonciunii se produce o inversie de populaie ntre electroni i goluri. Acest
fenomen face posibil amplificarea radiaiei prin emisie stimulat, la recobinarea
radiativ dintre un electron i un gol.
Indicele de refracie al majoritii materialelor semiconductoare, pentru
lungimile de und ale emisiei acestora, este suficient de mare astfel nct, la
interfaa semiconductor/aer, coeficientul de reflexie pentru radiaia emis s aib
valori ridicate, pentru a determina formarea unei caviti Fabry-Prot la feele
cristalului perpendiculare pe direcia emisiei. n multe tipuri de diode laser (DL)
de mic putere, nu este necesar nici lefuirea sau depunerea de straturi
reflectoare pe capetele mediului activ, ntruct clivajul cristalului dup planuri
atomice determin fee cu suprafee foarte netede. Acestui tip de configuraie de
cavitate rezonant laser i se aplic teoria general a rezonatorilor optici [2].
O mbuntire a performanelor DL s-a realizat prin fabricarea de medii
active din material semiconductor cu dubl heterostructur (DH). Heterostructura reprezint o jonciune ntre dou cristale semiconductoare cu compoziie
chimic diferit i cu dopaje de tip diferit. DH este o structur format din trei
straturi de material semiconductor, cele de la extremiti avnd formul chimic i
conductivitate electric (dopaj) diferite fa de cel din mijloc, care conine
regiunea cu jonciunea activ (fig. 1).

Fig. 1: Reprezentare schematic a structurii mediului activ al diodei laser cu DH de

GaAlInP/GaInP; cavitatea rezonant laser este format din feele cristalului semiconductor
perpendiculare la planul jonciunii



 
  
 

   

 
-

 ! !"#$

## # ##  %!&'  (  ! # "   "# #  !)
*($

  *(# # ( #"  "## *(

+(  
,( - ( #. (

       /(0  - 1"   #  

#(!*#. ( ( *      ( . ( -# ##0 *(#  /(
 *(#     &# ( -   '.  * 2 1"   #  #(!*
( -#  /(##0 *(#&' (   ("  .   3*
# - 1"   ( 4
#' ,(*## - (1"  # #(!* ( -###0 *(#
/( *(#    4# * 2 (  #/( " (0###0 2*# #
( (0 1"     (*  
  . # #   * 2  #
30(  #  ( -   .1"   (*  
 
3' ,(  #  5# # # -  ( (  1"   #  #(!* ( -#
 /(##0 5
 
    2 


 
 
   !"# #(!* ( -#*(# /( ( -   .
(#(#* ( #"#&6
78'
  3#1/(#  1"   # #
 - ( #   #(3#0( ###0   *#-(  
9( #0   
#( *(  *(#. )3# ##(  ( "# (0
&# ##!*# # -"# ( ' "(  ( (0 &3 
/(( #' (1.## #(10 #  ((3#(#
"# (0& '/(3#(# (0 &':&" 1* 3 (1 ( -   
/(# #;  *(# # ( -    #"#  # (  *( (( <'. #
(*# # ( -# !( #33   *# *#   / ( -# # #"#
&-* # 3 (1 ( 1 '. =
6> *#(. /( # ##    -

73

( #!.(*-.#   #(   1" #  #   #1#

(0#  
    (* 2   
   
 . 2 # *#  # 
(3# #   2 .#! (* ( (* 2 
 

(##0#(  ((  (  #((*#- ( # # .

2 ## ## #. 3 # # !  *(# 4
' - ( # #( (!* $
' ) (0#(/*  ( ($
' (-# (#* "#0# #($
'  1 (0#(/**#-( 
,( #1    !#0   1# ( /*   ( (.  #   
?(0( (.#    "*!# /(   * #1

 0     #   *( ((     =*3# (

  
 #*! 0 # ## !* #1 0 ###(,(
!(0  (###* *# .("    ( -  #   ( "# (0
# #  #* # 10 !   /( #  3 (1  ( -   #
 *( (-#14
#' 

 
#(#* - *#((5(# - *#(#!/((
#* (#"# (&.3.
'.#(( (  ( "# (0##*
*# (*(  
 &!-#
#'




















a)

















b)

Figura 1
 ( /( )    #3  -#   #*. /( ! 2  2 #(!*# /(
 ( 3 . #  #  ## # (0   *(  *0
(#    (*   
 



.  #   /(5( #(* * ( 
 * #  ((*#?#
3' 
  
#(#* @ &#(##*#( *(!*#(#*
"# (0##'  /((#*"# (&.(..@#'.#( -#
*0 *(  ( #! &!-#
3'
(   * # 67A   # #
 - #     (  (      -  #!  #  #*   3#1.
- ( /(5  #!  - /( 1(#   "# (0  *(  *0
74

# # . (# /(5(#(** (  * #- (

*#?#. (*  
 



&# * #*## #" #2
- ( # #   =.(#(10#   (( /('

(

/(0  - *1(# (#( ( *( (
2 (  *(     -* # ?(0( 5(     (
7 5
7 *





*   "( .( (#0 *#?#.  "*(#.(



1(#       # * ( #. (*  (  2   ( (#0   *#?#.


  " *(# ( 1(# ( ,(  #   ** )  #0 4  66( . ( 66


,(  -( #    (.   ) *. (  *#?#   /(0  -  #  (
 #0 #*(.2  (#   ( /(#?
(  )#0&(0 (( '.#*(#"!(*#- (
  #   # #  ( )#0,(*#(#-./( -( #.
*#?#(# -  #  *0 # # 2/(
# !  (0  *#   ( (#0  #    #(   # #2
/(    -(4 ( 66(  2  66  ##  (   



     (


/(5(  ( 2   - /(  (  # !1 . /( #  # #! 0  
(## ! (* (  *3(# #  (- .#! /( )
 1(  /(  *3. #/(  #( #0# ( -#" /( 1(#  2
Regiune tip p

Ei

1"/(1(#(.# (#2  (

regiune tip n


  
  E i  &!-# +'
 (1 *   (
?(0(  )!  (0  (0#
 .   ( 1 *   "

Figura 2

* ( ( E i    "# (  ((     !1  # 
*#?#. # !#"1 #1    #  *(#  .   (-  (0

  ( (1# !1 *#?#& jp.dif . jn.dif '.##2 (0

   ( # *

 .  (1#   *(#

& jp.cimp . jn.cimp ' # =3&( (#*'.#" * 


(;#

 3##?< # *   E i 

 
 

 &   -( # .#*(  -( #

(' *  1#( ( (    *2 #1 # * )  E ex  #

     ( (#  E i . E total
E i  E ex  ,( #  #1  1 =3 5#  #1#.

75

 (   !1   2 . #   #  *(# # . #!  /( (
?(0(  "* #" #   (#     (     ( (0# ( (0  (
(?(0(   (( ###  #  #0#4
VU

I  I 0  e T
1 





&
'

(  %AB  (* 2  

 #   
 


 


  


 
 
 &   -( # (.#*(  -( #

'*( ( 1#( 2 . E total
E i  E ex  *2 #1 ( !1 2
/( # #2 *  2   (    *(# &? '  .  (# #



 ( ( ?(0(    j
jcamp  jdif  #   ?  2 ?  # "# ## .



 1?# "#*.#/( (("  ( 

,( (   #  (   ?(0( # (  /(5( (-  (. #
# 
 

   1 (# #%!&' (* 2   
 
   &!-# 9. %7'   3 "  #  (( ("       *#.  (
*( 

#

# #2

"## . (*  
I

=0

1

 
& '


2>
1
U

VCD

# *(# #
?(0( 5(   "
 #   =  (5
- /( )  #(

ISC

   *( (# " !

 ## 

Figura 3

 

/*

( (4  ( 

 -( # (.#-   -( # # #! #(1"
!#0#2(#( -#" !#0#(. !  (0  (0#/(   1( 
30( #!   
# ( /(5?(0( #. (#
##    (* 2   


    &  ( #1 1# (  ' 2 " ( 


0(#  !)   ##0  ( (   ?(0( 

#1/( ?(0( #.
## # (5 (( .   #0#&
'/(#3 (0#*(.  #
 #0#

76

 VU

I  I 0  e T
1
I L





&+'

(# # #0  3 "#&%7' %5 .# (( # 


 =&%7'   % (&
5 B '



#1 !(0( /( ##(   # ##   (  !(0( /(
 -*    
 . #  ( !(0(# # /( ##( .  -*   



C1" ) * (#2* 
1" ) * (#.  1 (# /(

A
V

!-#C  !*#(4
-

     ((  "##3.  "1 

( ("  A & ( ## # #/ #

 (( /2# ("  '.
-

    *(    10  !#0 

?(0( # !*!#. (#*!#

!)*(# #?(-  ?(0( $

E

("*  2(*#* * 

 #!"#

Figura 4
 # 1###  (!  *(4
-

 # #1  

 . (%7.(*!# # ((
#* (# 2 #(#0"* 2#* * $

 #* ( #1# *(2*!/(10#!#0 ?(0(  # #1

#  ##  (!  *($

  *  #1 #3    #  ) * (# 2   # #1 -#!     
## $

(-#!    *(  (! # !)*(



77

 

& '

&'

&'

&'

&'

&%7'

+
9
C
D
E
F
G
H

7




+

78