Ministerul Educaiei i Tineretului al Republicii

Moldova
Universitatea Tehnic a Moldovei
Facultatea de Radioelectronic i Telecomunicaii

Referat
La disciplina: Materiale i
componente n electronic
Lucrare de laborator nr.3
Tema: Tranzistor cu efect de cmp

A elaborat
Studentul gr.SER-101

Golban Mihail

A verificat:

Borldean O.

Chiinu2011

Scurt istoric:
Tranzistorul cu efect de cmp a fost propus de Julius Liliendfel n 1926 i 1933
sub form de patent. Shockley, Brattain i Bardeen au investigat i ei
tranzistorul cu efect de cmp n 1947, dar dificultile ntmpinate n realizarea
acestuia i-au dus n schimb la dezvoltarea tranzistorului bipolar. Teoria
tranzistorului cu efect de cmp a lui Shockley a fost publicat n 1952, dar
tehnologia de procesare a materialelor nu era suficient de bine dezvoltat, astfel
c doar n anul 1960 s-a reuit fabricarea unui dispozitiv funcional de ctre
John Atalla.
Definiia tranzistorului cu efect de cmp:

fig.1
Un tranzistor cu efect de cmp (FET - field effect transistor), este un dispozitiv
unipolar, ceea ce nseamn c existena curentului depinde de un singur tip de
CPAE 525.1 010 03
Mod. Coala

docum.

Elaborat

Golban M.
.
Borldean
O.

Verificat

Semnat

Data

Tranzistor cu effect
de cmp

Lit.

Coala
2

Coli
11

UTM FRT
SER-101

purttori de sarcin. Dac dispozitivul se bazeaz pe un material semiconductor

de tip N, purttorii de sarcin sunt electronii. Invers, pentru unul de tip P,
purttorii de sarcin sunt golurile.

Modul de funcionare:
La nivelul circuitului, funcionarea tranzistorilor cu efect de cmp este simpl.
O tensiune aplicat pe poart, elementul de intrare, controleaz rezistena unei
regiuni unipolare dintre surs i dren denumit canal; ntr-un dispozitiv de tip
N, aceast regiune este reprezentat de un material semiconductor dopat de tip
N-, cu terminale la ambele capete. Sursa i drena sunt terminale echivalente cu
emitorul i colectorul ntr-un tranzistor bipolar. Cu alte cuvinte, sursa este
locul de plecare al purttorilor de sarcin, iar drena este locul nspre care
acetia se deplaseaz. Poarta este echivalent bazei tranzistorului bipolar, iar n
cadrul unui dispozitiv de tip N, este reprezentat de o regiune de tip P + (dopat
puternic) prezent pe ambele laturi i n jurul canalului din centrul
semiconductorului.
n figura de mai sus(fig.1), este prezentat un tranzistor cu efect de cmp cu
jonciune (JFET). Poarta constituie o jonciune, i este polarizat invers pentru
funcionarea corect a dispozitivului. Curentul dintre surs i dren poate exista
n ambele direcii.

Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

fig.
2

n figura alturat este reprezentat zona de golire a jonciunii porii, datorit

difuziei golurilor din regiunea de tip P (poart) n regiunea de tip N (canal).
Aceast difuzie duce la separarea purttorilor de sarcin n zona jonciunii i o
zon de golire non-conductiv la jonciune.
Grosimea zonei de golire poate fi crescut prin aplicarea unei tensiuni
moderate de polarizare invers (figura de mai sus(b)). Acest lucru duce la
creterea rezistenei canalului surs-dren prin ngustarea acestuia. Creterea n
continuare a tensiunii de polarizare invers duce la creterea zonei de golire,
scderea grosimii canalului i creterea rezistenei acestuia (c). Peste un anumit
nivel (d), tensiunea de polarizare invers, VGS va bloca curentul prin canal,
rezistena acestuia fiind foarte mare. Tensiunea de blocare, VP este de civa
voli n majoritatea cazurilor. Pe scurt, rezistena canalului surs-dren poate fi
controlat cu ajutorul valorii de polarizarea invers a porii.
Sursa i drena sunt interschimbabile, ceea ce nseamn c exist posibilitatea
deplasrii electronilor n oricare dintre direcii pentru o tensiune mic a bateriei
drenei (0,6 V). Cu alte cuvinte, bateria drenei poate fi nlocuit cu o surs de
tensiune sczut n curent alternativ.

Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

fig.3
Pentru valori mai mari ale tensiunii drenei, de ordinul zecilor de voli pentru
dispozitive mici, polaritatea alimentrii este cea prezentat n figura alturat
(a). Atenie, n unele cri de specialitate, poarta (P) mai este denumit i gril
(G), sau cele dou notaii sunt folosite chiar concomitent. Am ales n aceast
carte s rmnem la denumirea de poart, iar aceasta este notat corespunztor
pe desene cu P. n orice caz, cele dou exprimri sunt echivalente.
Aceast surs de tensiune a drenei, ce nu este prezent n figurile precedente,
distorsioneaz zona de golire, mrind-o nspre partea drenei. Aceasta este o
reprezentare mult mai corect o tensiunilor de curent continuu ale drenei, de la
civa voli la zeci de voli. Pe msur ce tensiunea dren-surs (U DS) crete,
zona de golire dinspre dren crete spre aceast. Acest lucru duce i la creterea
lungimii canalului, cu efecte asupra rezistenei (crete) acestuia. Totui, aceast
cretere a rezistenei datorat creterii lungimii canalului este foarte mic n
comparaie cu rezistena datorat polarizrii inverse a porii. n figura de mai
sus (b) este prezentat i simbolul schematic al unui tranzistor cu efect de cmp
cu canal de tip N. Sgeata porii indic aceeai direcie ca i jonciunea diodei,
i corespunde regiunii de tip P. Celelalte dou extremiti (S i D), ce nu conin
nicio direcie, corespund materialului semiconductor de tip N.
n figura de mai sus este reprezentat i direcia curentului de la terminalul (-) a
bateriei spre surs (S), apoi spre dren (D) i nspre terminalul (+) al bateriei.
Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

Acest curent poate fi controlat prin variaia tensiunii de polarizare invers a

porii (P). O sarcin conectat n serie cu bateria vede o versiune amplificat
a variaiei tensiunii de pe poart.
Tranzistorul cu efect de cmp cu canal de tip P:

fig.4
Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi realizate i cu canal de tip P, ceea ce
nseamn c poarta este realizat dintr-un material semiconductor dopat de tip
N+ (dopat puternic). Toate sursele de tensiune sunt inversate ntr-un circuit cu
JFET de tip P faa de cel cu canal de tip N (figura alturat (a)). Sgeata n
acest caz este ndreptat dinspre poart nspre sursa de polarizare invers
(figura alturat (b)).
Modul de funcionare este asemntor tranzistorului cu efect de cmp cu canal
de tip N prezentat mai sus.
Confecionarea tranzistoarelor cu efect de cmp:

Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

fig.5
Dispozitivele discrete sunt confecionate conform figurii alturate (a), iar
circuitele integrate cu tranzistoare cu efect de cmp, sunt confecionate
conform figurii alturat (b). Poarta este dopat puternic, P +, pentru obinerea
unei zone de golire ct mai mari. Sursa i drena acestui dispozitiv de tip N sunt
i ele dopate puternic, N+, pentru obinerea unei rezistene de conexiune ct mai
mici. Totui, canalul din jurul porii este dopat uor, N -, pentru a permite
trecerea golurilor dinspre poart nspre canal.
Observaie
Curenia este absolut necesar n cazul producerii tranzistorilor cu efect de
cmp. Dei este posibil producerea tranzistorilor bipolari n afara unui spaiu
perfect curat, nu acelai lucru se poate spune i despre cei cu efect de cmp.
Tranzistorul cu efect de cmp este mult mai simplu din punct de vedere
conceptual dect cel bipolar, dar este foarte greu de produs.
Definiie
Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (IGFET), cunoscut i sub

numele de tranzistor cu efect de cmp cu metal oxid (MOSFET), este un
dispozitiv derivat al tranzistorului cu efect de cmp (FET). n prezent,
majoritatea tranzistorilor folosii n circuitele integrate sunt de acest tip, cu
toate c tranzistorii bipolari cu jonciune (BJT) discrei sunt mult mai numeroi
dect dispozitivele discrete de tip MOSFET. Numrul de tranzistori MOSFET
dintr-un circuit integrat poate ajunge la cteva sute de milioane. Dimensiunea
unui MOSFET individual este sub un micron.
Structura i modul de funcionare:

fig.6
Sursa, poarta i drena sunt asemntoare cu cele de la FET-uri. Totui,
contactul porii nu realizeaz o conexiune direct cu materialul semiconductor,
cum era cazul FET-urilor. Poarta unui MOSFET reprezint un strat metalic sau
de poli-siliciu aezat peste un strat de dioxid de siliciu (SiO 2) izolator. Poarta
seamn foarte mult cu un condensator de tip MOS.
La polarizare, polaritatea armturilor condensatorului va deveni cea a
terminalilor bateriei. Armtura inferioar, de tip P formeaz un canal inversat
datorit excesului de electroni din apropierea oxidului format prin respingerea
electronilor terminalului negativ al bateriei nspre oxid i atragerea acestora
spre armtura pozitiv. Acest canal duce i la formare unei zone de golire ce
izoleaz canalul de restul substratului de siliciu.
Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

Polarizarea direct:

fig.7
n figura alturat, un condensator de tip MOS este plasat ntre o pereche de
material semiconductor de tip N aflat ntr-un substrat de tip P. Cnd nu exist
sarcin pe condensator (a), poarta nu este polarizat, iar sursa, drena i cele
dou regiuni de tip N rmn izolate din punct de vedere electric.
Aplicarea unei polarizri directe duce la ncrcarea condensatorului (porii)
(figura de mai sus (b)). Poarta de deasupra stratului de oxid se ncarc pozitiv
de la baterie. Substratul de tip P de sub poart se ncarc negativ. Sub poarta
oxidului se va forma o regiune inversat cu un exces de electroni. Aceast
regiune conecteaz sursa i drena de tip N, formnd o regiune continu de tip N
ntre cele dou. astfel, MOSFET-ul, ca i FET-ul, este un dispozitiv unipolar.
Doar un singur tip de purttor de sarcin este responsabil pentru conducie.
Exemplul de mai sus este un MOSFET cu canat de tip N. Conducia unui
curent mare este posibil prin aplicarea unei tensiuni ntre surs i dren. Un
circuit practic ar avea conectat o sarcin n serie cu bateria drenei.
MOSFET-ul, ca i FET-ul, este un dispozitiv controlat n tensiune. O tensiune
aplicat porii controleaz curentul dinspre surs spre dren. Poarta nu necesit

un curent permanent, ci are nevoie doar de un curent iniial pentru ncrcarea

condensatorului porii.
Modul de confecionare:

fig.8
Seciunea transversal a unui MOSFET de tip N este prezentat n figura
alturat (a). Sursa i drena sunt dopate puternic, N +, pentru reducerea
pierderilor rezistive datorit curenilor dinspre surs spre dren. N - indic o
regiune cu dopaj sczut. Regiunea P de sub poart, aflat ntre surs i dren,
poate fi inversat prin aplicarea unei tensiuni de polarizare direct. Simbolul
MOSFET-ului este reprezentat n figura alturat (b).
MOSFET-urile sunt dispozitive cu patru terminale: surs, poart, dren i
substrat. Substratul este conectat la surs n cazul MOSFET-urilor discrete,
astfel nct dispozitivul final are doar trei terminale. MOSFET-urile realizate
ntr-un circuit integrat au un substrat comun tuturor dispozitivelor. Aceast
conexiune comun se regsete de obicei la ieirea cipului i se conecteaz la
mpmntare sau la o surs de tensiune.
Alte variante ale MOSFET-ului
Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

10
9

fig.9
O alt variant a MOSFET-ului, V-MOS, este de fapt un MOSFET de putere
mbuntit, i este prezentat n figura alturat. O alt variant, similar, UMOS, este mult mai uor de produs.

Concluzii:
n raport cu tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cmp au avantajul
unei impedane de intrare mari, ntruct curentul de gril (de comand) este
mult mai mic. n plus, tehnologia de fabricaie este mai simpl i n circuitele
integrate de pe cip ocup o arie mai mic.

Coala

CPAE 525.1 010 03

Mod Coala

document

Semnat

Data

11