TERMISTORUL

1. Scopul lucrrii
a. Verificarea legii dependenei rezistenei electrice cu temperatura la materialele
semiconductoare.
b. Determinarea lrgimii benzii interzise E.
2. Teoria lucrrii
Structura corect a diagramei energetice a unui corp solid depinde de natura atomilor
i de distana dintre atomi. Largimea benzilor de energie permis i interzis constituie
proprieti caracteristice pentru fiecare tip de cristal n parte.Electronii corpului solid vor ocupa
la temperatura de 0 K nivelele energetice cele mai coborate. Prin completarea benzilor de
energie cu electroni pot ocupa parial sau complet o ultima band
energetic.
Semiconductorii sunt materiale care posed o band de valen, complet ocupat, separat
de banda de conducie, complet libar, printr-o band de energie interzis E. O astfel de
structur a benzilor energetice se ntlnete att la semiconductori ct
i la izolatori; deosebirea const n faptul c pentru izolatori E= 4 11 eV , n timp ce la
semiconductori intervalul energetic este mult mai mic.
Semiconductorii pot proveni dintr-un singur element chimic (Si, Ge, Se Te), sau sunt
compui formai din elemente ale coloanei a III-a i a V-a a sistemului periodic (AIIIBV) sau
formai din elemente ale coloanei a II-a i a VI-a a sistemului periodic (AIIBVI).
La 0 K se spune c sunt ocupate toate strile cu energie minim i deci umplnd strile
cu electroni se va ajunge la o ultim stare ocupat, adic la un ultim nivel energetic ocupat cu
electroni numit nivel Fermi. Pentru materiale semiconductoare intrinseci sau slab dopate, la
temperaturi pn la cteva sute de grade Celsius, energia Fermi se afl n banda interzis.
Sub aciunea temperaturii, datorit energiei termice pe care o primesc unii electroni
pot trece din ultima band ocupat, banda de valen n banda de conducie. Atunci n
semicondictor vor exista concentraii egale de electroni i goluri: n = p = ni. Concentraia
electronilor egal cu a golurilor poart numele de concentraie intrinsec i este notat cu ni.
Concentraia intrinsec la un semiconductor poate fi calculat dac se cunoate distribuia
electronilor de conducie cu energia.
Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult expresiile celor
dou concentraii de sarcini electrice:
3/2 3
n=2 (2 me kT ) h exp[ (Ec
E F ) / kT]

p = 2 2 m g kT

3/2

exp[ (E F Ev

) / kT ]
unde: - me este masa efectiv a electronilor;
- m g este masa efectiv a golurilor;
- k este constanta Boltzman;
- T este temperatura semiconductorului;
- h este constanta Planck;
- E c este energia corespunztoare minimului benzii de conducie;
- E v este energia corespunztoare plafonului benzii de valen,
1

(1)
(2)

- E F este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor intrinseci, la

jumtatea "distanei" dintre E c i Ev .
Rezistivitatea este:
(3)

E
2 KT
=

1
=const exp
e (n n + p p)

]
unde: n i p sunt
mobilitile.
Rezistena unei probe semiconductoare va fi:
R = C exp(+ E / 2kT )

(4)

unde E = E E i poart numele de lrgimea benzii

c
v
(zonei) interzise i dependena ei de temperatur e
reprezentat n fig. 1.
Logaritmnd expresia (4) se obine:
lnR =

Fig. 1

E
2 KT

3. Dispozitivul experimental
Termistorul este un element semiconductor de circuit care utilizeaz dependena
rezistenei electrice a unui semiconductor intrinsec de temperatura. Dispozitivul este realizat
din materiale semiconductoare la care rezistivitatea scade repede cu temperatura, precum
amestecuri de oxizi metalici ( oxid de mangan, oxid de cupru, oxid de zinc, etc ) care sunt
mcinai i apoi presai mpreun cu un liant organic, iar apoi sinterizai.
Dispozitivul experimental este prezentat n figura 2 i cuprinde un cuptor electric (1)
pentru nclzirea termistorului, un ohmmetru (2), care servete la msurarea rezistenei
termistorului i un transformator (3) pentru alimentarea ohmetrului. Cuptorul are inerie
termic mare astfel nct, dei nu este alimentat printr-un reostat ci direct de la reea, creterea
temperaturii este foarte lent. Acest fapt nltur necesitatea unui termostat, permindu-ne s
presupunem c fiecare msurare de rezisten se face ntr-un regim staionar. Pe capacul
cuptorului sunt fixate termometrul (4) pentru indicarea temperaturii i termistorul (5) cu cele
2 borne care sunt legate prin conductori izolai la ohmetru.

Fig. 2

Ohmetrul este construit dup schema punii Wheastone. El cuprinde un galvanometru (6) ca
instrument de zero, un comutator (7) (rotativ sau cu fi) care schimb intervalele de valori
indicnd de fiecare dat factorul multiplicator, i o rezisten variabil (8) cu cursor gradat i
prevzut cu indicator. Un ntreruptor (9) intercalat n circuitul acumulatorului permite ca
alimentarea ohmetrului s se fac doar n timpul citirilor. La unele ohmetre ntreruptorul intr n
construcia lor sub forma unui buton.
4. Modul de lucru
- Se verific legturile de la termistor la ohmetru i la transformator.
- Sub ndrumarea cadrului didactic se face prima msurare a rezistenei termistorului.
- Cursorul rezistenei variabile se pune pe poziia minim iar comutatorul factorului
multiplicator pe poziia maxim. Se apas scurt pe buton (ntreruptor) i se observ sensul
deviaiei acului galvanometrului. Se trece la factorul multiplicator inferior observnd din nou
sensul deviaiei acului. Operaiunea se repet pn cnd sensul deviaiei acului se schimb.
Din acest moment se apas permanent pe buton i rotind cursorul, se aduce acul
galvanometrului la zero, dup care se ridic degetul de pe buton. Rezistena termistorului este
egal cu valoarea indicat la cursor nmulit cu factorul multiplicator. n acest moment se
citete i temperatura.
- Valorile se trec ntr-un tabel de forma:
o

t [ C]

R []

T [K]

-1

1/T [K ]

ln R

Se pornete nclzirea cuptorului punndu-l la priza de 380 V curent

alternativ. Pe msur ce temperatura crete se fac noi msurtori ale rezistenei,
nemaifiind necesare ncercrile cu diferii factori multiplicatori. Temperatura se
citete imediat dup aducerea acului la zero. Intervalul de temperatur dintre
dou citiri se alege astfel nct de la temperatura iniial (care eventual este mai
mare dect temperatura camerei) i pn la
temperatura final (care nu trebuie s depeasc 100oC) s se fac un numr de
aproximativ
10 citiri. Este preferabil ca intervalele de temperatur dintre citirile succesive s fie
egale, ns rezultatele experienei nu vor fi viciate dac din neatenie a fost depit
vreuna dintre temperaturile propuse. Important este ca citirea temperaturii s se fac
practic concomitent cu
determinarea rezistenei. La terminarea msurtorilor se scoate cuptorul din
priz.
3

5. Prelucrarea rezultatelor experimentale

Folosind datele din tabel se traseaz un grafic R = f (t ) .
Pentru calcularea largimii benzii interzise se reprezinta grafic lnR= 1/T . Prin
punctele experimentale se traseaza dreapta de interpolare. Se deduce panta m a acestei
drepte.
Conform relatiei (5) m E /2 K
Se va calcula E exprimat n electroni voli. (k = 8,6.10

-5

eV / K)

6. ntrebri
1. Ce este un termistor?
2. De ce un termistor este mult mai sensibil la variaia temperaturii dect un metal?
3. Care este starea de umplere a nivelelor din banda de conducie, respectiv valen, la
un semiconductor la T = 0 K i T 0 K?
4. Cum variaz rezistenta termistorului cu temperatura?

ANEX
Conform distributiei Fermi-Dirac, probabilitatea ca o stare electronic de energie W s
fie ocupat de un electron la echilibru termic este dat de expresia:

FD=
e
f

E EF
KT

+1

Se observ c o stare avnd energia nivelului Fermi are o probabilitate de ocupare

egal cu 1 / 2, indiferent de valoarea temperaturii. Pentru energii care depasesc nivelul Fermi
functia poate fi aproximat cu o exponenial:

1
(E EF )/ KT

+1

E EF / KT

(A2)

Intrucat nivelele energetice ale electronilor se gsesc la distante relativ mari de

nivelul
Fermi, satisfac cu sigurant relatia (A2).
Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult
expresiile celor dou concentraii de sarcini electrice:
me kT
exp[-( ECE F /kT
2 /3 h3
m kT
n = 2(2 2 /3 g 3 exp[-( ECE V /kT
h

n = 2(2

unde: - me este masa efectiv a electronilor;

- mg este masa efectiv a golurilor;
- k este constanta Boltzman;
- T este temperatura semiconductorului;
- h este constanta Planck;

(A3)
(A4)

- E c este energia corespunztoare minimului benzii de conducie;

- E v este energia corespunztoare plafonului benzii de valen,
- E F este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor
intrinseci, la
jumtatea "distanei" dintre E c i E v . Din expresiilor (1) i
(2) rezult:

np= AT 2 exp[-( ECE V /kT

A(5)

innd seama c:

n=p= ni A(
6)

se deduce concentraia purttorilor n semiconductorii intrinseci ni :

ni BT 3 / 2 exp Ec E v / 2kT

A(7)

Marimea E = Ec - Ev reprezinta mrimea benzii interzise. Conducia purttorilor de

sarcin mobili este cu att mai mare cu ct banda interzis este mai ingust.
Termenul exponential este decisiv deoarece creste mult mai repede cu temperatura
decat termenul T3/2.
Conductibilitatea electrica a unui semiconductor este:
=e (n n + p p )
A(8)
Mobilitile

nsi

p fiind practic independente de temperatur rezult rezistivitatea:

1
E
= =const exp [
]

2 KT
Deci variatia rezistentei unui semiconductor cu temperature va fi data de relatia:
R= const exp [ E/2 KT ]