Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Introducere 3 PDF
Introducere 3 PDF
Kuphaldt
Introducerencircuiteelectricei
electronice
Vol.3Electronicanalogic
V 1.0
www.circuiteelectrice.ro
Prefa
Cartea de fa reprezint varianta romneasc a volumului de Electronic analogic, al treilea din seria
lucrrilor Lessons in Electric Circuits scrise de Tony R. Kuphaldt sub licena DESIGN SCIENCE
LICENSE.
Prezenta versiune se distribuie gratuit prin intermediul site-ului oficial. Ultimele nouti i varianta online se gsesc la adresa www.circuiteelectrice.ro. Orice comentarii sau sugestii de mbuntire sunt
binevenite i pot fi trimise pe adresa contact@circuiteelectrice.ro. Putei utiliza coninutul de fa n orice
scop dorii respectnd condiiile impuse de licena DSL, n principal, menionarea sursei originale.
Atenie, pe tot parcusul crii se va folosi notaia real de deplasare a electronilor prin circuit, i anume,
dinspre borna negativ (-) spre borna pozitiv (+) !
01.03.2010
01 - INTRODUCERE ................................................................................................................................................................. 1
1. CIRCUITE ELECTRICE I CIRCUITE ELECTRONICE ................................................................................................................................... 1
2. ELEMENTE ACTIVE I ELEMENTE PASIVE ............................................................................................................................................ 2
3. AMPLIFICATORUL ........................................................................................................................................................................ 2
4. FACTORUL DE AMPLIFICARE ........................................................................................................................................................... 5
5. DECIBELUL ................................................................................................................................................................................. 6
02 - FIZICA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE .................................................................................................................. 8
01. FIZICA CUANTIC ....................................................................................................................................................................... 8
02. VALENA I STRUCTURA CRISTALIN ............................................................................................................................................ 17
03. BENZI DE ENERGIE ................................................................................................................................................................... 19
04. ELECTRONI I GOLURI ............................................................................................................................................................... 22
05. JONCIUNEA P-N .................................................................................................................................................................... 25
06. DIODA .................................................................................................................................................................................. 27
07. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNE (BJT) ............................................................................................................................... 28
08. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (FET) ..................................................................................................................................... 33
09. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU POART IZOLAT (MOSFET) ................................................................................................. 36
10. TIRISTORUL ............................................................................................................................................................................ 39
03 - DIODA I REDRESORUL .................................................................................................................................................. 41
1. PRINCIPIUL DE FUNCIONARE AL DIODEI ......................................................................................................................................... 41
2. VERIFICAREA DIODEI CU OHMMETRUL ........................................................................................................................................... 45
3. PARAMETRII CARACTERISTICI AI DIODEI .......................................................................................................................................... 47
4. CIRCUITE REDRESOARE ............................................................................................................................................................... 49
5. DIODA ZENER - PRINCIPII I APLICAII ............................................................................................................................................ 54
04 - TRANZISTORUL .............................................................................................................................................................. 61
01. TRANZISTORUL - INTRODUCERE .................................................................................................................................................. 61
02. TRANZISTORULUI CA I NTRERUPTOR ........................................................................................................................................ 62
03. VERIFICAREA TRANZISTORULUI CU OHMMETRUL ............................................................................................................................ 64
04. ZONA ACTIV DE FUNCIONARE A TRANZISTORULUI ........................................................................................................................ 67
05. PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE AL TRANZISTORULUI .................................................................................................................. 71
06. CONEXIUNEA EMITOR COMUN ................................................................................................................................................... 75
07. CONEXIUNEA COLECTOR COMUN ................................................................................................................................................ 83
08. CONEXIUNEA BAZ COMUN ..................................................................................................................................................... 88
09. AMPLIFICATOARE CLASA A, B, AB, C I D .................................................................................................................................... 91
10. METODE DE POLARIZARE ALE TRANZISTORULUI .............................................................................................................................. 95
11. CUPLAJUL DE INTRARE I DE IEIRE .............................................................................................................................................. 99
12. AMPLIFICATOARE CU REACIE .................................................................................................................................................. 102
05 - AMPLIFICATORUL OPERAIONAL ................................................................................................................................ 109
02. AMPLIFICATORUL CU POTENIAL DE REFERIN I AMPLIFICATORUL DIFERENIAL ............................................................................... 109
03. AMPLIFICATORUL OPERAIONAL ............................................................................................................................................... 112
04. REACIA NEGATIV ................................................................................................................................................................ 116
05. REACIA NEGATIV PRIN DIVIZOR DE TENSIUNE............................................................................................................................ 119
06. AMPLIFICATORUL TENSIUNE-CURENT......................................................................................................................................... 121
07. CIRCUITE SUMATOARE I DE MEDIERE ........................................................................................................................................ 123
08. REALIZAREA UNUI AMPLIFICATOR DIFERENIAL ............................................................................................................................ 124
09. AMPLIFICATORUL DE INSTRUMENTAIE ...................................................................................................................................... 125
10. CIRCUITE DE DERIVARE I INTEGRARE ......................................................................................................................................... 127
11. REACIA POZITIV ................................................................................................................................................................. 129
01 - Introducere
Efectul Edison
Din punct de vedere istoric, precursorul
electronicii moderne a fost inventat de
Thomas Edison n 1880, pe cnd acesta
lucra
la
dezvoltarea
becului
cu
incandescen. Edison a descoperit c exist
un curent electric ntre filamentul becului
i o plac metalic instalat n interiorul
nveliului vidat (figura alturat (b)).
Astzi, acest comportament este cunoscut
sub numele de efectul Edison. De
menionat c bateria este necesar doar pentru nclzirea filamentului. Dac am folosi orice alt modalitate de
nclzire a filamentului, efectul ar fi acelai.
curent continuu. Adugarea celui de al treilea electrod de ctre Lee De Forest (figura de mai sus (c)), a fcut posibil
controlul curentului de la filament la plac cu ajutorul unui semnal mai mic. Invenia triodei cu vid de ctre De
Forest a marcat practic nceputul erei electronice.
Tranzistorul
Tehnologia electronici a cunoscut o revoluie n anul 1948, odat cu invenia tranzistorului. Acest component
electronic minuscul joac acelai rol ca i un tub cu vid, dar ocup un loc mult mai mic i este mult mai ieftin.
Tranzistorii realizeaz controlul curentului cu ajutorul materialelor semiconductoare i nu prin vid.
Elementele active de circuit sunt acele dispozitive ce pot controla curentul prin intermediul curentului
Elementele pasive de circuit nu pot controla curentul la bornele lor cu ajutorul unui alt curent
Elemente active
Un element de circuit activ este orice tip de component ce poate controla deplasarea electronilor (curentul) pe
cale electric. Pentru ca un circuit s poarte numele de circuit electronic, acesta trebuie s conin cel puin un
astfel de element activ.
Elementele active includ, printre altele, tuburile cu vid, tranzistoarele, redresoarele cu semiconductoare, i
triacurile.
Toate dispozitivele active controleaz curentul prin ele. Unele dispozitive active realizeaz acest lucru prin
intermediul unei tensiuni, iar altele prin intermediul curentului. Cele care utilizeaz o tensiune static ca i semnal
de control, sunt denumite dispozitive controlate n tensiune. Cele care folosesc un alt curent pentru controlul
curentului n cauz sunt cunoscute sub numele de dispozitive controlate n curent. Tuburile cu vid sunt dispozitive
controlate n tensiune iar tranzistoarele pot fi de ambele tipuri.
Elemente pasive
Componentele ce nu pot controla curentul prin intermediul unui alt semnal electric, sunt denumite elemente
de circuit pasive. Rezistorii, condensatoarele, bobinele, transformatoarele i chiar i diodele, toate sunt considerate
elemente de circuit pasive.
3. Amplificatorul
Comanda unei cantiti mari de putere prin intermediul unei alte puteri, mai mici, poart numele de
amplificare
Dispozitivul ce realizeaz o asemenea amplificare de putere, poart numele de amplificator
Definiia amplificrii
Practic, elementele active sunt folosite pentru proprietatea lor de amplificare. Indiferent dac dispozitivul n cauz
este controlat n tensiune sau n curent, puterea necesar pentru semnalul de control este de obicei mult mai mic
dect puterea disponibil n curentul controlat. Cu alte cuvinte, un element activ nu permite pur i simplu controlul
curentului de ctre curent, ci, face posibil controlul unui curent mare de ctre un curent mic.
Datorit acestei diferene dintre puterea controlat i puterea de control, elementele active de circuit pot fi folosite
pentru comanda unei cantiti mari de putere (putere controlat) de ctre o cantitate mic de putere (putere
de control). Acest comportament poart numele de amplificare.
Maina perfect
O lege fundamental a fizicii, cea a conservrii energiei, spune c energia nu poate fi creat dar nici distrus.
Dac aceast lege este adevrat, atunci construirea unui dispozitiv care s ia o cantitate mic de energie i s o
transforme ntr-o cantitate mare de energie, pe cale magic, nu este posibil.
Toate mainile, incluznd circuitele electrice
i electronice, au o eficien maxim de 100%.
n cele mai fericite cazuri, puterea de intrare
este egal cu puterea de ieire.
Maina real
n realitate ns, de cele mai multe ori,
mainile nu ating nici mcar aceast limit
superioar, deoarece o parte din energia de
intrare se pierde sub form de cldur
radiat n spaiul din jur, iar aceast energie
pierdut nu se regsete n valoarea energiei
de ieire.
Perpetuum mobile
Amplificatorul
Totui, exist o gam de maini denumite amplificatoare, n cadrul crora, semnalele de putere mic de la intrare
sunt transformate (cu ajutorul unei surse externe de putere) n semnale de ieire de o putere mult mai
mare. Pentru a nelege cum pot amplificatoarele s existe fr a viola legea conservrii energiei, trebuie s
nelegem modul de funcionare al dispozitivelor active.
Eficiena amplificatoarelor
Eficiena amplificatoarelor, precum este cazul tuturor mainilor, este limitat la un maxim de 100%. De obicei,
amplificatoarele electronice au o eficien mult sub acest nivel, datorit pierderilor considerabile de energie sub
form de cldur.
4. Factorul de amplificare
Raportul dintre valoarea de ieire i cea de intrarea a amplificatoarelor poart numele de factor de
amplificare
Definiie
Deoarece amplificatoarele pot s mreasc amplitudinea semnalului de intrare, ar fi foarte util dac am descrie
aceast proprietatea a lor printr-un raport ieire/intrare, raport ce poart numele de factor de amplificare, sau
amplificare. Acest factor nu are unitate de msur, fiind un raport dintre dou mrimi cu aceeai unitate de msur.
Matematic, simbolul amplificrii este A.
Exemplu
De exemplu, dac la intrarea unui amplificator avem un semnal de tensiune alternativ efectiv de 2 V, iar la ieire
avem o tensiune alternativ efectiv de 30 V, spunem c factorul de amplificare n tensiune al amplificatorului
este de 15, adic 30 mprit la 2.
Prin aceeai metod, dac tim factorul de amplificare i amplitudinea semnalului de intrare, putem calcula
amplitudinea semnalului de ieire. De exemplu, dac un amplificator cu un factor de amplificare n curent
alternativ de 3,5, are la intrare un semnal de 28 mA efectiv, semnalul de ieire va fi 98 mA efectiv, sau 3,5 * 28
mA:
n exemplele de mai sus, toate semnalele i amplificrile au fost considerate n curent alternativ. Trebuie menionat
un principiu important: amplificatoarele electronice rspund diferit semnalelor de intrare n curent alternativ i
curent continuu, iar amplificarea celor dou poate s fie diferit. nainte de a putea face calculele amplificrilor,
trebuie s nelegem cu ce semnale avem de a face n primul rnd, alternative sau de curent continuu.
n figura alturat, un semnal de 1 V este aplicat intrrii unui amplificator cu factorul de amplificare 3. Ieirea
acestuia, de 3 V, este introdus la intrarea unui amplificator cu factorul de amplificare 5, semnalul de la ieire fiind
15 V.
5. Decibelul
Definiie
n cea mai simpl form, factorul de amplificare al amplificatorului este un raport dintre semnalul de ieire i cel de
intrare, fiind o mrime fr unitate de msur. Totui, exist o unitate de msur pentru reprezentarea amplificrii,
i anume, bel-ul.
Ca i unitate, bel-ul a fost folosit pentru reprezentarea pierderilor de putere din liniile telefonice, i nu pentru
reprezentarea amplificrilor. Unitatea poart numele inventatorului scoian, Alexander Graham Bell, a crui munc
fundamental a dus la dezvoltarea sistemelor telefonice. Sub forma sa original, bel-ul reprezenta cantitatea de
semnal pierdut datorit rezistenei pe o anumit lungime de conductor electric. Acum, acesta este definit ca
logaritm din baza zece a raportului dintre semnalul de ieire i cel de intrare:
Comparaie
Deoarece bel-ul este o unitate logaritmic, acesta este ne-liniar. S considerm urmtorul tabel, ca i o comparaie
ntre pierderile de putere exprimate sub form de raport i aceleai pierderi exprimate sub form de bel:
Mai trziu a fost realizat faptul c bel-ul este o unitate de msur prea mare pentru a fi utilizat direct; prin urmare,
a nceput s fie folosit tot mai des prefixul metric deci (1/10, sau 10-1), i anume decibel-ul, sau dB. Astzi, expresia
dB este att de rspndit nct majoritatea nu realizeaz c aceasta este o combinaie dintre deci i bel, sau
c mcar exist o unitate de msur numit bel. Urmtorul tabel este asemntor celui precedent, dar de data
aceasta valorile sunt exprimate n dB:
Electronii exist n atomi sub form de nori ai probabilitilor distribuite, i nu sub forma unor corpuri
discrete ce orbiteaz n jurul nucleului precum sateliii n jurul planetelor
Fiecare electron din jurul nucleului atomului are o stare unic descris de patru numere cuantice: numrul
cuantic principal, cunoscut sub numele de strat; numrul cuantic orbital, cunoscut sub numele de substrat;
numrul cuantic magnetic, ce descrie orbitalul (orientarea stratului); numrul cuantic de spin, sau pur i
simplu spin. Aceste stri sunt cuantificate, adic electronul nu poate exista ntre aceste stri ce sunt
definite de numerotaia cuantic
Numrul cuantic principal (n) descrie stratul pe care se afl electronul. Cu ct acest numr este mai mare,
cu att raza norului electronic este mai mare fa de nucleul atomului, i cu att este mai mare energia
electronului. Aceste numere sunt numere ntregi pozitive
Numrul cuantic orbital (l) descrie forma norului electronic dintr-un anumit strat i este cunoscut adesea
sub numele de substrat. Numrul substraturilor (formelor norilor electronici) din oricare strat este egal cu
numrul cuantic orbital. Acestea sunt numere ntregi pozitive ce ncep de la zero i se termin la n-1 (n numrul cuantic principal)
Numrul cuantic magnetic m l descrie orientarea substratului (forma norului electronic). Numrul
orientrilor substraturilor este de 2l + 1 (l - numrul cuantic orbital). Fiecare orientare unic poart numele
de orbital. Aceste numere sunt ntregi, cu valori ntre -l i l
Numrul cuantic de spin m s descrie o alt proprietate a electronului, iar valoarea acestuia poate s fie
+1/2 sau -1/2
Principiul de excluziune al lui Pauli spune c, ntr-un atom, nu exist doi electroni cu acelai set de
numere cuantice. Prin urmare, numrul maxim de electroni pe fiecare orbital este de 2 (spin=1/2 i spin=1/2), de exemplu
Notaia spectroscopic este o convenie folosit pentru descrierea configuraiei electronilor dintr-un atom.
Straturile sunt descrise de numere ntregi, urmate de substraturi, descrise cu ajutorul literelor (s, p, d, f), iar
un indice superior este folosit pentru indicarea numrului total de electroni de pe fiecare substrat n parte
Comportamentul chimic al unui atom este complet determinat de electronii din straturile neocupate
complet. Straturile inferioare ocupate complet nu au aproape niciun efect asupra formrii legturilor
chimice ale elementelor
baz a fizicii cuantice, sau cel puin o nelegere a descoperirilor tiinifice ce au dus la formularea acesteia, este
imposibil nelegerea funcionrii dispozitivelor electronice semiconductoare. Majoritatea textelor de electronic
ncearc s explice semiconductorii cu ajutorul fizicii clasice, lucru ce duce la o confuzie i mai mare, nu la
nelegerea subiectului.
Orbitalii
Niels Bohr a ncercat s mbunteasc modelului lui Rutherford dup ce a studiat o perioad de cteva luni n
laboratorul acestuia n 1912. ncercnd s armonizeze i descoperirile celorlali fizicieni, precum Max Plank i
Albert Einstein, Bohr a sugerat c fiecare electron posed o anumit energie specific, iar orbitele lor sunt
10
cuantificate, astfel c fiecare dintre electroni poate ocupa doar anumite locuri n jurul nucleului. Pentru a scpa de
implicaiile micrii electronilor datorit legilor electromagnetismului i a particulelor accelerate, Bohr a considerat
aceste orbite (orbitali) ca fiind staionare.
Cu toate c ncercarea lui Bohr de reconstruire a structurii atomului n termeni ct mai apropiai de rezultatele
experimentale, a constituit un pas foarte important pentru fizic, acesta nu a fost totui complet. Analizele sale
matematice au condus la predicii mult mai bune a evenimentelor experimentale dect modelele precedente ale
atomului, dar cteva ntrebri despre modul ciudat al comportamentului electronilor nc nu i gsiser rspunsul.
Susinerea faptului c electronii existau n stri staionare i cuantificate n jurul nucleului era un pas nainte, dar
motivul pentru care electronii se comportau astfel nu era nc cunoscut. Rspunsul acestor ntrebri avea s-l dea un
alt fizician, Louis de Broglie, cu aproximativ zece ani mai trziu.
Dualismul corpuscul-und
De Broglie a propus c electronii, precum fotonii (particule de lumin), manifest att proprieti ale
particulelor ct i proprieti ale undelor. Bazndu-se pe aceast interpretare, acesta a sugerat c o analiz a
orbitalilor electronilor din punct de vedere al undelor i nu al particulelor, ar rspunde mai multor ntrebri legate
de natura lor. ntr-adevr, acesta a reprezentat un nou pas n dezvoltarea unui model al atomului.
Ipoteza lui de Broglie a fcut posibil introducerea suportului matematic i analogiilor fizice pentru strile
cuantificate ale electronilor dintr-un atom, dar nici modelul acestuia nu era complet. n decurs de civa ani ns,
fizicienii Werner Heisenberg i Erwin Schrdinger, fiecare lucrnd individual, au creat un model matematic mult
mai riguros pentru particulele subatomice, plecnd de la conceptul dualitii und-particul a lui de Broglie.
Norii electronici
Valoarea minim a incertitudinii poziiei i momentului unei particule, exprimat de Heisenberg i Schrdinger, nu
are nimic de a face cu aparatele de msur neperformante, ci este o proprietate intrinsec a dualitii undparticul. Prin urmare, electronii nu exist n orbitele lor ca i buci de materie precis delimitate, i nici
11
mcar sub form de unde bine delimitate, ci sub form de nori cu o distribuie de probabiliti, ca i cum fiecare
electron ar fi mprtiat pe o suprafa mare de poziii i momente.
Numerele cuantice
Poziia radical conform creia, electronii existau sub form de nori, prea s vin n contradicie cu principiile
originale ale strilor cuantificate ale electronilor: faptul c electronii exist sub forma orbitelor discrete i bine
definite n jurul nucleului atomului. Aceast din urm explicaie a fost cea care a constituit, pn la urm, punctul
de plecare al mecanicii cuantice. Totui, comportamentul cuantic al electronilor nu depinde de o anumit poziie
i moment, ci depinde de cu totul alt proprietate, numerele cuantice. Pe scurt, mecanica cuantic nltur noiunile
clasice de poziie i moment absolut nlocuindu-le pe acestea cu noiuni ce nu au nicio analogie n viaa real.
Cu toate c electronii exist sub form de nori cu probabiliti distribuite i nu sub form de materie discret,
aceti nori au unele caracteristicei ce sunt discrete. Oricare electron dintr-un atom poate fi descris de patru
numere cuantice, i anume: numr cuantic principal, orbital, magnetic i de spin. Toate aceste numere luate
mpreun determin starea unui electron la un moment dat.
Astfel, primul strat (n=1) poate fi ocupat de doar 2 electroni, cel de al doilea strat (n=2) de 8 electroni, al treilea
(n=3) de 18 electroni.
12
13
Astfel, primul strat (n=1) are un substrat, numerotat cu 0; al doilea strat (n=2) are dou substraturi, 0 i 1; al treilea
strat (n=3) are trei substraturi, 0,1 i 2. O alt convenie, foarte des ntlnit, este numerotarea substraturilor prin s
(l=0), p (l=1), d (l=2) i f (l=3)
De exemplu, primul substrat (l=0) al oricrui strat, conine un singur orbital, numerotat cu 0; al doilea substrat (l=1)
al oricrui strat conine trei orbitali, -1, 0, 1; al treilea substrat (l=2) conine cinci orbitali, numerotai cu -2, -1, 0, 1
i 2; etc.
Notaia spectroscopic
O metod practic i des ntlnit de descriere a acestui aranjament const n scrierea electronilor n funcie de
straturile i substraturile ocupate; aceast convenie port numele de notaia spectroscopic. Sub aceast notaie,
14
numrul stratului este un numr ntreg pozitiv, substratul este o liter (s, p, d, f), iar numrul total de electroni dintrun substrat (toi orbitalii i spinii inclui) este reprezentat printr-un indice superior.
15
Observaii
Adesea, atunci cnd se folosete notaia spectroscopic a unui atom, toate straturile ce sunt ocupate complet sunt
ignorate, fiind scrise doar straturile neocupate sau stratul ocupat superior. De exemplu, neonul (prezentat mai sus),
ce are dou straturi complet ocupate, poate fi descris pur i simplu prin 2p6 n loc de 1s22s22p6. Litiul, avnd stratul
K complet ocupat, i doar un singur electron n stratul L, poate fi descris prin notaia 2s1 n loc de 1s22s1.
16
Ignorarea straturilor inferioare, complet ocupate, nu este doar o convenie de scriere, ci ilustreaz foarte bine un
principiu de baz al chimiei: comportamentul chimic al unui element este determinat n primul rnd de
straturile sale neocupate. Att hidrogenul ct i litiul posed un singur electron n straturile superioare (1s1 i 2s1),
iar acest lucru se traduce printr-un comportament similar al celor dou elemente. Ambele elemente sunt reactive, i
au o reactivitate similar. Conteaz mai puin faptul c litiul posed un strat complet (K) n plus fa de hidrogen.
Comportamentul su chimic este determinat de stratul su neocupat, L.
Elemente nobile
Elementele a cror straturi superioare sunt ocupate complet, sunt clasificate ca elemente nobile, fiind aproape
non-reactive fa de celelalte elemente. Aceste elemente au fost clasificate n trecut ca inerte, crezndu-se c sunt
complet non-reactive, dar acestea pot forma compui cu alte elemente n condiii specifice.
Atomii ncearc s-i completeze stratul exterior, de valen, cu toi cei 8 electroni (2 electroni pentru
stratul inferior). Atomii pot dona, accepta sau mpri electroni pentru a completa un strat
Atomii formeaz adesea structuri ordonate i rigide denumite cristale
Un ion pozitiv se formeaz prin cedarea unui electron de ctre un atom neutru
Un ion negativ se formeaz prin acceptarea unui electron de ctre un atom neutru
Elementele semiconductoare din grupa IVA, C, Si i Ge au o structur cristalin de tip diamant. Fiecare
atom al cristalului este parte a unei molecule gigantice, formnd legturi cu ali patru atomi
Majoritatea dispozitivelor semiconductoare sunt confecionate din monocristale
Electronii de valen
Electronii din stratul exterior, sau stratul de valen, sunt cunoscui sub numele de electroni de valen. Aceti
electroni sunt responsabil de proprietile chimice ale elementelor. Acetia sunt electronii ce particip la reaciile
chimice cu celelalte elemente.
17
Ioni pozitivi
De exemplu, elementele din grupa
I din tabelul periodic, Li, Na, K,
Cu, Ag i Au au doar un singur
electron de valen (numrul de
electroni de pe ultimul strat). Toate
aceste elemente posed proprieti
chimice similare. Aceti atomi
cedeaz un electron pentru a reaciona cu alte elemente, iar aceast proprietate face ca aceste elemente s fie
conductoare excelente de electricitate. Cedarea electronilor de ctre atomi duce la formarea ionilor pozitivi
Ioni negativi
Elementele din grupa VIIA, Fl, Cl
i BR, au toate cte 7 electroni n
stratul exterior (stratul de valen).
Aceste elemente accept un
electron
pentru
completarea
stratului de valen la 8 electroni.
n cazul n care aceste elemente
accept un electron, ele formeaz ioni negativi. Din moment ce nu cedeaz electroni, aceste elemente sunt foarte
buni izolatori electrici.
Definiia ionului
De exemplu, un atom de Cl accept un
electron al unui atom de Na devenind ion
negativ Cl-, iar atomul de Na devine ion
pozitiv, Na+. Un ion este un atom, molecul
sau grupare de atomi care are un exces de
sarcin electric pozitiv sau negativ. Acesta este modul n care Na i Cl se combin pentru formarea NaCl,
sarea de mas, care este de fapt o pereche de ioni, Na+Cl-. Fiindc sarcinile celor doi ioni sunt de semn contrar, cei
doi se atrag reciproc.
Exemple
Elementele din grupa a VIIIA, He, Ne, Ar, Kr
i Xe au toate cte 8 electroni pe stratul de
valen. Acest lucru nseamn c aceste
elemente nici nu doneaz dar nici nu accept
electroni, ne-participnd la reacii chimice cu
alte elemente. Toate sunt izolatori electrici i
se gsesc sub form de gaz la temperatura camerei.
18
Structura cristalin
Majoritatea substanelor anorganice formeaz o structur ordonat denumit cristal atunci cnd se
formeaz legturi ntre atomii sau ionii acestora. Chiar i metalele sunt compuse din cristale, la nivel
microscopic. Practic ns, toate metalele industriale au o structur policristalin, n afar de materialele
semiconductoare ce sunt monocristaline.
Majoritatea metalelor sunt moi i uor deformabile pe cale industrial. n timpul prelucrrii, microcristalele sunt
deformate, iar electronii de valen sunt liberi s se deplaseze prin reeaua cristalin, i de la cristal la cristal.
Electronii de valen nu aparin unui atom anume, ci tuturor atomilor.
Structura cristalin rigid a NaCl prezentat n figura alturat, este compus dintro structur regulat repetitiv format din ioni pozitivi de Na i ioni negativ de Cl.
Odat ce atomii de Na i Cl formeaz ionii de Na+ i Cl- prin transferul unui
electron de la Na la Cl, fr existena electronilor liberi, electronii nu sunt liberi s
se deplaseze prin reeaua cristalin, o diferena mare fa de metale. Nici ionii nu
sunt liberi. Ionii sunt liberi s se deplaseze doar dac NaCl este dizolvata n ap,
dar n acest caz, cristalul nu mai exist. Materialele ionice formeaz structuri
cristaline datorit atraciei electrostatice puternice dintre ionii ncrcai cu
sarcini opuse.
Materialele semiconductoare
Materialele semiconductoare din grupa IV (C, Si, Ge), formeaz de asemenea cristale. Fiecare atom formeaz o
legtur chimic covalent cu ali patru atomi. Cristalul format este practic o singur molecul. Structura cristalin
este relativ rigid i rezist deformaiilor. Exist un numr relativ mic de electroni liberi prin cristal.
19
Pentru ndeprtarea unui electron din banda de valen spre o band neocupat, superioar, denumit band
de conducie, este nevoie de o anumit energie exterioar. Pentru deplasarea electronilor ntre straturi este
nevoie de o energie mai mare dect pentru deplasarea lor ntre substraturi.
Datorit faptului c banda de valen i cea de conducie se suprapun n cazul metalelor, energia necesar
pentru deplasarea unui electron este mic. Prin urmare, metalele sunt conductori de electricitate foarte buni
Spaiul foarte mare existent ntre banda de valen i cea de conducie n cazul materialelor izolatoare,
necesit o energie foarte mare pentru deplasarea electronilor ntre aceste benzi. Din aceast cauz, aceste
materiale sunt bune izolatoare i nu conduc electricitate
Materialele semiconductoare au un spaiu relativ mic ntre banda de valen i banda de conducie.
Semiconductorii puri nu sunt nici buni izolatori, nici buni conductori
Nivelele energetice
Fizica cuantic descrie starea electronilor dintr-un atom cu ajutorul celor patru numere cuantice. Aceste numere
descriu strile permise ale electronilor dintr-un atom.
La fel ca spectatorii dintr-un amfiteatru, ce se pot deplasa liberi ntre scaune i rnduri, i electronii i pot modifica
starea n cazul existenei unei energii suficiente i loc pentru deplasarea acestora. Din moment ce nivelul stratului
este strns legat de cantitatea de energie a unui electron, salturile ntre straturi (i chiar substraturi) necesit un
transfer de energie. Pentru ca un electron s se poat deplasa pe strat mai nalt, acesta are nevoie de energie
adiional dintr-o surs extern. Folosind analogia amfiteatrului, pentru a ajunge ntr-un rnd de scaune superior,
este nevoie de o energie din ce n ce mai mare, deoarece persoana trebuie s urce la o nlime tot mai mare ce
necesit nvingerea forei gravitaionale. De asemenea, dac un electron coboar pe un strat inferior, acesta cedeaz
energie. Aceste nivele poart numele de nivele energetice
Nu toate salturile sunt ns egale, cele dintre straturi necesit cel mai mare schimb de energie, pe cnd salturile
dintre substraturi sau dintre orbitali necesit un schimb de energie mai mic.
Benzile de energie
Cnd atomii se combin pentru
formarea substanelor, straturile,
substraturile i orbitalii exteriori
se combin ntre ei, ducnd la
creterea energiei disponibile
pentru electroni. Cnd un numr
foarte mare de atomi sunt foarte
aproape unul de cellalt, aceste
nivele de energie disponibile
formeaz o band de electroni
aproape continu, band pe care
20
E
Electronii
liiberi
Limea acestoor benzi i distana dintre ele determin mobilitatea electronilor n cazul apliccrii unui cm
mp electric
assupra lor. n substanele metalice,
m
benzzile libere se suprapun cu benzile ce coonin electronni, ceea ce nnseamn c
ellectronii unuii singur atom
m se pot deplaasa la un niveel energetic mai
m mare neceesitnd foartee puin energgie extern
saau chiar delooc. Astfel, eleectronii din stratul exterrior sunt cunnoscui sub numele
n
de ellectroni liberii i se pot
deeplasa foarte uor dac sun
nt supui unuii cmp electriic exterior.
C
Cazul
materrialelor izo
olatoare
Suprapunereea benzilor nu are loc nss n toate
substanele, indiferent de numrul atom
milor ce se
afl n proxximitate. n cazul unor substane,
exist o disstana considerabil ntre banda de
valen (nivvelul energettic cel mai mare) i
urmtoarea band goal, denumit banda de
conducie. Prin urmare,, electronii de
d valen
sunt legai de atomii lor i nu pot
p deveni
mobili n caadrul substanelor fr ajuutorul unei
energii exterrne consideraabile. Acestee substane
formeaz maaterialele izolatoare (dielecctrice).
C
Cazul
materrialelor sem
miconductooare
ns, maaterialele dinn categoria
semicondductorilor au o distan
energeticc ngust nntre benzile
de valen i cele de conducie.
Astfel, cantitatea de energie
pentru
trecerea
necesar
electronillor de valen n banda
de condducie, de unnd devin
mobili, esste destul de modest.
m
La temperaturii joase, energ
gia termic disponibil peentru mpinggerea electroonilor de valeen peste spaaiul dintre
baanda de valenn i cea cond
ducie este fooarte mic, iarr materialul seemiconductorr se comport precum un izzolator. La
teemperaturi nnalte ns, en
nergia termicc devine suuficient de mare
m
pentru a fora electronii pestee distana
ennergetic, iarr materialul se va comportta precum un material condductor.
21
Scop
Materialele semiconductoare pure sunt izolatori relativ buni, n comparaie cu metalele, dar nu sunt la fel de bune
precum sticla, de exemplu. Pentru a putea fi folosit n aplicaii cu semiconductori, materialul semiconductor pur,
nedopat, nu trebuie s conin mai mult de o impuritatea la 10 miliarde de atomi semiconductori. Acest lucru este
analog unei impuriti sub form de un fir de praf ntr-un sac de zahr. Materialele semiconductoare impure sunt
conductoare mult mai bune, dar nu la fel de bune precum metalele. De ce se ntmpl acest lucru? Pentru a putea
rspunde acestei ntrebri, trebuie s ne uitm la structura electronic a acestor materiale.
22
Materialele semiconductoare pure nu sunt foarte folositoare. Acestea trebuie s prezinte un nivel nalt de puritate
nainte de adugarea impuritilor specifice.
Materialele semiconductoare pure (1 parte la 10 miliarde), pot fi murdrite cu aproximativ 1 parte la 10 milioane
pentru creterea numrului de purttori de sarcin. Adugarea unei impuriti precise unui material
semiconductor este cunoscut sub numele de dopare. Doparea crete conductivitatea semiconductorului, pentru ca
acesta s se comporta mai mult ca un metal dect ca un izolator.
23
electron de la un atom de siliciu adiacent (sau distant) pentru formarea celor patru legturi covalente. Dar acest
lucru nseamn ca atomul de siliciu are un deficit de un electron. Cu alte cuvinte, golul s-a deplasat pe un atom de
siliciu vecin. Golurile se regsesc n banda de valen, cu un nivel mai jos dect banda de conducie. Doparea cu un
acceptor - un atom ce poate accepta un electron - creaz o deficien de electroni n structura materialului, sau
un exces de goluri (cele dou exprimri sunt echivalente). Din moment ce golurile sunt purttori de sarcin
pozitiv, un dopant acceptor de electroni poart numele de dopant de tip P. Elementele dopante de tip P includ
elementele din grupa IIIA a tabelului periodic: B (bor), Al (aluminiu), Ga (galiu) i In (indiu). Borul este folosit pe
post de dopant pentru siliciu i diamant, iar indiul pentru germaniu.
Deplasarea electronilor (curent) ntr-un semiconductor de tip N este similar deplasrii electronilor dintr-un
conductor metalic. Atomii materialului dopant de tip N furnizeaz electroni pentru conducie. Aceti electroni
poart numele de purttori de sarcin majoritari. Dac aplicm un cmp electric ntre dou puncte ale unui
material semiconductor, electronii intr prin partea negativ (-) a materialului, traverseaz structura acestuia i ies
prin partea dreapt (+), terminalul pozitiv al bateriei.
24
Jonciunile PN sunt fabricate dintr-o bucat mono-cristalin de material semiconductor i conin att
regiuni dopate cu materiale de tip P ct i regiuni dopate cu materiale de tip N, regiuni separate printr-o
jonciune
Transferul electronilor de la materialul de tip N spre golurile materialului de tip P, produce o barier de
potenial n jurul jonciuni. Valoarea acesteia este de 0,6-0,7 V pentru siliciu, dar poate varia n cazul altor
semiconductoare
Jonciunea PN polarizat direct, conduce curent electric
Jonciunea PN polarizat invers, nu conduce aproape deloc curent
Formarea jonciunii PN
Dou blocuri distincte de material semiconductor
Dac un bloc de material semiconductor de tip P este adus n
contact cu un bloc de material semiconductor de tip N (figura
alturat), rezultatul este nesatisfctor. Vom avea dou blocuri
conductoare aflate n contact unul cu cellalt, dar fr
proprieti unice. Problema const n existen a dou corpuri
cristaline distincte i separate. Numrul de electroni este
echilibrat de numrul de goluri n ambele blocuri. Astfel,
niciunul dintre cele dou blocuri nu are o sarcin net.
Bariera de potenial
Aceast separare de sarcini n jurul jonciunii P-N (zona de golire) constituie n fapt o barier de potenial.
Aceast barier de potenial trebuie s fie nvins de o surs de tensiune extern pentru a se putea comporta
precum un material conductor. Formarea jonciunii i a barierei de potenial are loc n timpul procesului de
fabricaie. nlimea barierei de potenial depinde de materialele folosite pentru fabricarea acestuia. Jonciunile
PN din siliciu au o barier de potenial mai ridicat dect jonciunile fabricate din germaniu.
polarizat invers.
Ceea ce am creat mai sus prin doparea aceluiai cristal att cu material de tip N ct i cu material de tip P, este o
diod.
26
06. Dioda
Definiia i simbolul diodei
Dup cum am precizat i n seciunea precedent, dioda este realizat
prin introducerea de impuriti de tip N i P n acelai cristal
semiconductor. Simbolul schematic al diodei este prezentat n figura
alturat (b), i corespunde semiconductorului dopat de la (a). Dioda
este un dispozitiv unidirecional (vezi jonciunea PN). Deplasarea
electronilor se poate realiza doar ntr-o singur direcie, invers fa de
direcia sgeii, atunci cnd dioda (jonciunea PN) este polarizat direct.
Catodul, din reprezentarea diodei, reprezint semiconductorului de tip
N, iar anodul corespunde materialului dopat de tip P.
27
Curentul de dispersie
Am menionat mai sus c exist un curent de dispersie de sub un A, pentru diodele de siliciu, la polarizarea
invers. Explicaia const n faptul c energia termic produce cteva perechi de electroni-guri, ce duc la apariia
unui curent de dispersie pn la recombinare. Practic, acest curent previzibil este doar o parte a curentului de
dispersie total. O mare parte a acestui curent se datoreaz conduciei de suprafa datorit impuritilor de la
suprafaa conductorului. Ambele tipuri de cureni de dispersie cresc odat cu creterea temperaturii. n cazul
germaniului, curentul de dispersie este de cteva ori mai mare dect n cazul siliciului.
Dioda cu jonciune
Dei la nceput, cea mai folosit diod a fost
dioda cu contact punctiform (figura alturat
(a)), majoritatea diodelor folosite astzi sunt
diode cu jonciune (figura alturat (b)). Dei
jonciunea PN din figur este puin mai
complex dect o jonciune normal, aceasta
este tot o jonciune PN. Pornind de la catod,
N+ indic faptul c aceast regiune este dopat
puternic, i nu are legtur cu polaritatea.
Acest lucru reduce rezistena serie a diodei.
Regiunea N din nou, nu are nicio legtur cu polaritatea, ci indic faptul c aceast regiune este mai puin dopat,
ceea ce duce la o diod a crei tensiune de strpungere invers este mult mai mare, lucru important pentru diodele
de putere folosite n redresare.
Observaii
Diodele de puteri mai mici, chiar i redresoarele de putere de tensiuni mai mici, vor avea pierderi de polarizare
direct mult mai mici datorit dopajului mai puternic. Cel mai mare nivel de dopaj este folosit pentru diodele Zener,
proiectate pentru tensiuni de strpungeri mici. Totui, un dopaj puternic duce la creterea curentului invers de
dispersie. Regiunea P+ de la anod, reprezint un material semiconductor, puternic dopat, de tip P, o foarte bun
strategie pentru realizarea contactului. Diodele de jonciune mici, ncapsulate n sticl, pot conduce cureni de
ordinul zecilor sau sutelor de mA. Diodele de putere redresoare, ncapsulate n plastic sau ceramic, pot conduce
cureni de ordinul miilor de amperi.
Tranzistorii bipolari conduc curentul folosind ca purttori de sarcin att electroni ct i goluri n cadrul
aceluiai circuit. De aici i denumirea de bipolar
Funcionarea corect a unui tranzistor bipolar ca i amplificator de curent necesit polarizarea invers a
jonciunii colector-baz i polarizarea direct e jonciunii emitor-baz
28
Amplificarea n curent a tranzistorului este exprimat prin relaia =I C / I B , iar valoarea ei este de la 100 la
300 pentru tranzistorii mici
Scurt istoric
Primul tranzistor bipolar a fost inventat la Bell Labs de ctre William Shockley, Walter Brattain, i John Bardeen
n 1948 (de fapt, 1947, dar invenia a fost publicat doar n 1948). Pentru aceast descoperire, cei trei au fost
recompensai cu premiul Nobel pentru fizic n anul 1956.
Definiia tranzistorului
Tranzistorul bipolar cu jonciune este un semiconductor format din trei straturi, dou de tip N i unul de tip P
(NPN). Contactele celor trei straturi poart numele de emitor i colector pentru semiconductorii de tip N, i baz
pentru semiconductorul de tip P. Configuraia este asemntoare unei diode, doar c mai exist un strat N n plus.
Stratul din mijloc ns, baza, trebuie s fie ct mai subire cu putin, fr a afecta suprafeele celorlalte dou
straturi, emitorul i colectorul.
Structura tranzistorului
Dispozitivul din figura alturat este format din dou jonciuni, una ntre emitor i baz, iar cealalt ntre baz i
colector, aceste jonciuni formnd dou zone de golire.
29
Explicaie
30
S privim ns mai ndeaproape la acest mecanism de amplificare al curentului. Considerm o jonciune NPN
mrit, cu accentul pus pe baz. Chiar dac nu sunt prezentate n figur, presupunem c jonciunea emitor-baz este
polarizat direct de o surs de tensiune, iar jonciunea baz-colector este polarizat invers. Electronii, purttorii de
sarcin majoritari, intr n emitor de la borna negativ a bateriei. Deplasarea electronilor dinspre baz corespunde
cu deplasarea acestor dinspre baz spre borna pozitiv a bateriei. Acesta este un curent foarte mic fa de curentul
din emitor.
Majoritatea purttorilor de sarcin n emitorul de tip N sunt electronii, ce devin purttori de sarcin minoritar la
intrarea n baza de tip P. Aceti electroni au patru posibiliti dup ce intr n baza de tip P. O mic parte cad n
goluri (figura de sus (a)), lucru ce contribuie la curentul nspre terminalul pozitiv al bateriei. Dei nu este
reprezentat pe figur, golurile pot trece din baz spre emitor, unde se recombin cu electronii, contribuind i acetia
la curentul bazei. O alt mic parte din electroni (b) trec direct prin baz nspre terminalul pozitiv al bateriei, ca i
cum baza ar fi un rezistor. Att (a) ct i (b) contribuie curentului foarte mic al bazei. Curentul bazei este
aproximativ 1% din curentul emitor-colector, pentru tranzistoarele mici. Majoritatea electronilor din emitor ns (c),
trec direct prin zona ngust de golire, nspre colector. Putem observa polaritatea zonei de golire ce nconjoar
electronul (d). Cmpul electric intens trage electronul rapid n colector. Puterea cmpului electric este direct
proporional cu tensiunea de alimentare a bateriei. astfel, 99% din curentul emitorului trece n colector. Aceast
trecere este ns controlat de curentul bazei, ce reprezint aproximativ 1% din curentul emitorului. Acest lucru
reprezint o amplificare de curent de 99, reprezentat de raportul dintre curentul colectorului i curentul bazei
(I C /I B ), cunoscut i ca .
Difuzia electronilor emitorului prin baz i nspre colector este posibil doar dac baza este foarte subire. Ce s-ar
ntmpla cu aceti purttori de sarcin dac baza ar fi de 100 de ori mai groas? Este foarte posibil ca majoritatea
dintre ei, 99% n loc de 1%, s cad n goluri, nemaiajungnd la colector. Prin urmare, curentul de baz poate
controla 99% din curentul emitorului, doar dac 99% din curentul emitorului trece nspre colector. Dac ntreg
curentul iese pe la baz, controlul nu este posibil.
Un alt motiv pentru care 99% dintre electroni trec din emitor, peste bariera de potenial i n colector, este c
jonciunile bipolare reale folosesc un emitor mic dopat puternic. Concentraia mare a electronilor din emitor
foreaz trecerea acestora n baz. Concentraia mic a dopajului din baz nseamn c exist mult mai puine goluri
ce trec n emitor (lucru ce doar ar crete curentul bazei). Difuzia purttorilor de sarcin dintre emitor spre baz, este
puternic favorizat.
Eficiena emitorului
Faptul c baza este subire iar emitorul puternic dopat, in foarte sus eficiena emitorului, 99% de exemplu. Acest
lucru corespunde ramificaiei curentului emitorului de 100% n 1% baz i 99% colector. Eficien emitorului se
exprim astfel:
Jonciunea PNP
31
Tranzistoarele bipolare pot fi confecionate i sub forma PNP. Diferena dintre PNP i NPN poate fi vzut n figura
alturat.
Diferena const n polaritatea jonciunilor baz-emitor, polaritate semnalat cu ajutorul sgeii emitorului n
simbolul tranzistorului. Direcia sgeii este asemenea direciei anodului jonciunii unei diode, mpotriva sensului
real de deplasare al electronilor. Pentru tranzistorii NPN, direcia sgeii este dinspre baz spre emitor, iar n cazul
tranzistorilor PNP, direcia este dinspre emitor spre baz. Colectorul nu este reprezentat n niciunul dintre cazuri cu
ajutorul vreunei sgei. Totui, polaritatea jonciunii baz-colector este aceeai cu polaritatea jonciunii baz-emitor
n comparaie cu o diod.
Structura
Emitorul tranzistorului bipolar
cu jonciune de mai jos este
puternic dopat, dup cum
indic i notaia N+. Baza are
un nivel de dopaj P normal, dar
aceasta este mult mai subire n
realitate dect este prezentat n
aceast figur (a).
Procentul
de
dopaj
al
colectorului este sczut, dup
cum indic notaia N-, pentru ca tensiunea de strpungere a jonciunii colector-baz s fie ct mai mare, ceea ce
nseamn c sursa de tensiune poate alimenta tranzistorul la tensiuni mai mari. Tranzistoarele de siliciu mici, au o
tensiune de strpungere de 60-80 V, dar aceasta poate ajunge la sute de voli pentru tranzistoarele de tensiune
nalt. Dar, colectorul trebuie s fie n acelai timp dopat puternic pentru minimizarea pierderilor ohmice (datorit
rezistenelor), n cazul n care tranzistorul trebuie s conduc cureni mari. ndeplinirea acestor cerine
contradictorii se realizeaz prin doparea mai puternic a colectorului spre partea de contact metalic, i doparea mai
uoar a colectorului n apropierea bazei n comparaie cu emitorul. Tensiunea de strpungere a jonciunii emitorbaz scade pn la aproximativ 7 V datorit doprii puternice a emitorului, n cazul tranzistorilor mici. i tot
datorit acestei dopri puternice, jonciunea emitor-baz se comport precum o diod Zener polarizat invers.
32
Fabricarea mai multor tranzistoare pe acelai cip d natere unui circuit integrat, o reprezentare aproximativ a
acestuia este dat n figura de mai sus (c).
Observaie
Calitatea tranzistorilor discrei de tip PNP este aproape la fel de bun precum cea a tranzistorilor NPN. Totui,
tranzistorii PNP integrai nu sunt la fel de buni precum cei de tipul NPN, prin urmare, circuitele integrate folosesc
tranzistori de tipul NPN n marea lor majoritate.
Conducia canalului unui tranzistor (unipolar) cu efect de cmp (FET sau JFET) se datoreaz unui singur
tip de purttor de sarcin
Sursa, poarta i drena unui JFET corespund emitorului, bazei i colectorului unui tranzistor bipolar
Polarizarea invers a porii duce la variaia rezistenei canalului prin extinderea zonei de golire
Scurt istoric
Tranzistorul cu efect de cmp a fost propus de Julius Liliendfel n 1926 i 1933 sub form de patent. Shockley,
Brattain i Bardeen au investigat i ei tranzistorul cu efect de cmp n 1947, dar dificultile ntmpinate n
realizarea acestuia i-au dus n schimb la dezvoltarea tranzistorului bipolar. Teoria tranzistorului cu efect de cmp a
lui Shockley a fost publicat n 1952, dar tehnologia de procesare a materialelor nu era suficient de bine dezvoltat,
astfel c doar n anul 1960 s-a reuit fabricarea unui dispozitiv funcional de ctre John Atalla.
Definiie
Un tranzistor cu efect de cmp (FET - field effect
transistor), este un dispozitiv unipolar, ceea ce
nseamn c existena curentului depinde de un singur
tip de purttori de sarcin. Dac dispozitivul se
bazeaz pe un material semiconductor de tip N,
purttorii de sarcin sunt electronii. Invers, pentru
unul de tip P, purttorii de sarcin sunt golurile.
33
Modul de funcionare
La nivelul circuitului, funcionarea tranzistorilor cu efect de cmp este simpl. O tensiune aplicat pe poart,
elementul de intrare, controleaz rezistena unei regiuni unipolare dintre surs i dren denumit canal; ntr-un
dispozitiv de tip N, aceast regiune este reprezentat de un material semiconductor dopat de tip N-, cu terminale la
ambele capete. Sursa i drena sunt terminale echivalente cu emitorul i colectorul ntr-un tranzistor bipolar. Cu alte
cuvinte, sursa este locul de plecare al purttorilor de sarcin, iar drena este locul nspre care acetia se deplaseaz.
Poarta este echivalent bazei tranzistorului bipolar, iar n cadrul unui dispozitiv de tip N, este reprezentat de o
regiune de tip P+ (dopat puternic) prezent pe ambele laturi i n jurul canalului din centrul semiconductorului.
n figura de mai sus, este prezentat un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune (JFET). Poarta constituie o
jonciune, i este polarizat invers pentru funcionarea corect a dispozitivului. Curentul dintre surs i dren poate
exista n ambele direcii.
n figura alturat este reprezentat zona de golire a jonciunii porii, datorit difuziei golurilor din regiunea de tip P
(poart) n regiunea de tip N (canal). Aceast difuzie duce la separarea purttorilor de sarcin n zona jonciunii i o
zon de golire non-conductiv la jonciune.
Grosimea zonei de golire poate fi crescut prin aplicarea unei tensiuni moderate de polarizare invers (figura de mai
sus(b)). Acest lucru duce la creterea rezistenei canalului surs-dren prin ngustarea acestuia. Creterea n
continuare a tensiunii de polarizare invers duce la creterea zonei de golire, scderea grosimii canalului i creterea
rezistenei acestuia (c). Peste un anumit nivel (d), tensiunea de polarizare invers, V GS va bloca curentul prin canal,
rezistena acestuia fiind foarte mare. Tensiunea de blocare, V P este de civa voli n majoritatea cazurilor. Pe scurt,
rezistena canalului surs-dren poate fi controlat cu ajutorul valorii de polarizarea invers a porii.
Sursa i drena sunt interschimbabile, ceea ce nseamn c exist posibilitatea deplasrii electronilor n oricare dintre
direcii pentru o tensiune mic a bateriei drenei (0,6 V). Cu alte cuvinte, bateria drenei poate fi nlocuit cu o surs
de tensiune sczut n curent alternativ.
34
Pentru valori mai mari ale tensiunii drenei, de ordinul zecilor de voli pentru dispozitive mici, polaritatea
alimentrii este cea prezentat n figura alturat (a). Atenie, n unele cri de specialitate, poarta (P) mai este
denumit i gril (G), sau cele dou notaii sunt folosite chiar concomitent. Am ales n aceast carte s rmnem la
denumirea de poart, iar aceasta este notat corespunztor pe desene cu P. n orice caz, cele dou exprimri sunt
echivalente.
Aceast surs de tensiune a drenei, ce nu este prezent n figurile precedente, distorsioneaz zona de golire, mrindo nspre partea drenei. Aceasta este o reprezentare mult mai corect o tensiunilor de curent continuu ale drenei, de
la civa voli la zeci de voli. Pe msur ce tensiunea dren-surs (U DS ) crete, zona de golire dinspre dren crete
spre aceast. Acest lucru duce i la creterea lungimii canalului, cu efecte asupra rezistenei (crete) acestuia.
Totui, aceast cretere a rezistenei datorat creterii lungimii canalului este foarte mic n comparaie cu rezistena
datorat polarizrii inverse a porii. n figura de mai sus (b) este prezentat i simbolul schematic al unui tranzistor
cu efect de cmp cu canal de tip N. Sgeata porii indic aceeai direcie ca i jonciunea diodei, i corespunde
regiunii de tip P. Celelalte dou extremiti (S i D), ce nu conin nicio direcie, corespund materialului
semiconductor de tip N.
n figura de mai sus este reprezentat i direcia curentului de la terminalul (-) a bateriei spre surs (S), apoi spre
dren (D) i nspre terminalul (+) al bateriei. Acest curent poate fi controlat prin variaia tensiunii de polarizare
invers a porii (P). O sarcin conectat n serie cu bateria vede o versiune amplificat a variaiei tensiunii de pe
poart.
Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi realizate i cu canal de tip P, ceea ce nseamn c poarta este realizat dintrun material semiconductor dopat de tip N+ (dopat puternic). Toate sursele de tensiune sunt inversate ntr-un circuit
cu JFET de tip P faa de cel cu canal de tip N (figura alturat (a)). Sgeata n acest caz este ndreptat dinspre
poart nspre sursa de polarizare invers (figura alturat (b)).
35
Modul de funcionare este asemntor tranzistorului cu efect de cmp cu canal de tip N prezentat mai sus.
Observaie
Curenia este absolut necesar n cazul producerii tranzistorilor cu efect de cmp. Dei este posibil producerea
tranzistorilor bipolari n afara unui spaiu perfect curat, nu acelai lucru se poate spune i despre cei cu efect de
cmp. Tranzistorul cu efect de cmp este mult mai simplu din punct de vedere conceptual dect cel bipolar, dar este
foarte greu de produs.
Definiie
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (IGFET), cunoscut i sub numele de tranzistor cu efect de cmp cu
metal oxid (MOSFET), este un dispozitiv derivat al tranzistorului cu efect de cmp (FET). n prezent, majoritatea
tranzistorilor folosii n circuitele integrate sunt de acest tip, cu toate c tranzistorii bipolari cu jonciune (BJT)
discrei sunt mult mai numeroi dect dispozitivele discrete de tip MOSFET. Numrul de tranzistori MOSFET
dintr-un circuit integrat poate ajunge la cteva sute de milioane. Dimensiunea unui MOSFET individual este sub un
micron.
36
Sursa, poarta i drena sunt asemntoare cu cele de la FET-uri. Totui, contactul porii nu realizeaz o conexiune
direct cu materialul semiconductor, cum era cazul FET-urilor. Poarta unui MOSFET reprezint un strat metalic
sau de poli-siliciu aezat peste un strat de dioxid de siliciu (SiO 2 ) izolator. Poarta seamn foarte mult cu un
condensator de tip MOS.
La polarizare, polaritatea armturilor condensatorului va deveni cea a terminalilor bateriei. Armtura inferioar, de
tip P formeaz un canal inversat datorit excesului de electroni din apropierea oxidului format prin respingerea
electronilor terminalului negativ al bateriei nspre oxid i atragerea acestora spre armtura pozitiv. Acest canal
duce i la formare unei zone de golire ce izoleaz canalul de restul substratului de siliciu.
Polarizarea direct
n figura alturat, un condensator de tip MOS este plasat ntre o pereche de material semiconductor de tip N aflat
ntr-un substrat de tip P. Cnd nu exist sarcin pe condensator (a), poarta nu este polarizat, iar sursa, drena i cele
dou regiuni de tip N rmn izolate din punct de vedere electric.
Aplicarea unei polarizri directe duce la ncrcarea condensatorului (porii) (figura de mai sus (b)). Poarta de
deasupra stratului de oxid se ncarc pozitiv de la baterie. Substratul de tip P de sub poart se ncarc negativ. Sub
poarta oxidului se va forma o regiune inversat cu un exces de electroni. Aceast regiune conecteaz sursa i drena
de tip N, formnd o regiune continu de tip N ntre cele dou. astfel, MOSFET-ul, ca i FET-ul, este un dispozitiv
unipolar. Doar un singur tip de purttor de sarcin este responsabil pentru conducie. Exemplul de mai sus este un
MOSFET cu canat de tip N. Conducia unui curent mare este posibil prin aplicarea unei tensiuni ntre surs i
dren. Un circuit practic ar avea conectat o sarcin n serie cu bateria drenei.
37
MOSFET-ul, ca i FET-ul, este un dispozitiv controlat n tensiune. O tensiune aplicat porii controleaz curentul
dinspre surs spre dren. Poarta nu necesit un curent permanent, ci are nevoie doar de un curent iniial pentru
ncrcarea condensatorului porii.
Modul de confecionare
Seciunea
transversal
a
unui
MOSFET de tip N este prezentat n
figura alturat (a). Sursa i drena sunt
dopate puternic, N+, pentru reducerea
pierderilor rezistive datorit curenilor
dinspre surs spre dren. N- indic o
regiune cu dopaj sczut. Regiunea P
de sub poart, aflat ntre surs i
dren, poate fi inversat prin aplicarea
unei tensiuni de polarizare direct.
Simbolul
MOSFET-ului
este
reprezentat n figura alturat (b).
MOSFET-urile sunt dispozitive cu patru terminale: surs, poart, dren i substrat. Substratul este conectat la surs
n cazul MOSFET-urilor discrete, astfel nct dispozitivul final are doar trei terminale. MOSFET-urile realizate
ntr-un circuit integrat au un substrat comun tuturor dispozitivelor. Aceast conexiune comun se regsete de
obicei la ieirea cipului i se conecteaz la mpmntare sau la o surs de tensiune.
38
10. Tiristorul
Redresoarele controlate pe baz de siliciu (SCR) sunt cele mai des ntlnite dispozitive din familia
tiristoarelor
Pornirea conduciei SCR-ului se realizeaz prin aplicarea unui impuls pozitiv porii. Conducia continu
chiar i dup ce impulsul asupra porii nceteaz. Conducia poate fi oprit doar dac tensiunea dintre anod
i catod atinge valoarea zero
SCR sunt folosite de obicei cu surse de tensiune de curent alternativ (sau de curent continuu pulsatorii)
datorit conduciei continue
Un dispozitiv GTO poate fi oprit prin aplicarea unui puls negativ asupra porii
Definiie i clasificare
Tiristoarele reprezint o plaj larg de dispozitive semiconductoare bipolare folosind patru (sau mai multe) straturi
alternante N-P-N-P. n categoria tiristoarelor intr: redresoare controlate pe baz de siliciu (SCR), TRIAC-uri,
DIAC-uri, tiristoare tip GTO, tranzistoare uni-jonciune (UJT), tranzistoare uni-jonciune programabile (PUT).
Vom analiza aici doar SCR-ul, dei vom meniona i GTO-ul.
Tiristorul cu patru straturi a fost propus de Shockley n 1950, dei practic, acesta a fost construi muli ani mai trziu
de ctre General Electric. Puterile suportate de SCR ajung pn la ordinul MW.
Modul de confecionare
39
40
03 - Dioda i redresorul
Definiia diodei
Dioda este un dispozitiv electronic ce permite trecerea curentului doar ntr-o singur direcie. Cea mai folosit
diod n circuitele electronice este cea semiconductoare, dei exist i alte tehnologii.
Simbolul diodei
Simbolul diodelor semiconductoare este prezentat n figura alturat; sgeile
indic deplasarea real a electronilor prin diod.
Conectarea n circuit
La conectarea ntr-un circuit simplu, format dintr-o
baterie i o lamp, dioda fie va permite trecerea
curentului spre lamp, fie o va bloca, n funcie de
polaritatea tensiunii aplicate.
Polarizarea direct
Atunci cnd polaritatea bateriei este astfel nct este permis trecerea electronilor prin diod, spunem c
dioda este polarizat direct.
Polarizarea invers
Invers, cnd trecerea electronilor este blocat datorit inversrii bateriei, spunem c dioda este polarizat
invers.
41
Putem s ne gndim la diod ca la un ntreruptor: nchis, cnd este polarizat i deschis cnd este polarizat
invers.
Explicaie
S relum circuitul de mai sus, dar folosind de aceast dat un aparat de msur pentru determinarea cderilor de
tensiune pe diferite componente ale circuitului.
O diod polarizat direct conduce curent i prezint o cdere mic de tensiune la bornele sale, astfel nct
majoritatea tensiunii disponibile la bornele sursei de alimentare se regsete pe lamp (sarcin). Dac polaritatea
bateriei este inversat, dioda devine polarizat invers, i toat tensiunea disponibil la bornele sursei de alimentare
se regsete pe diod, iar cderea de tensiune pe sarcin va fi egal cu zero. Putem considera dioda ca fiind un
ntreruptor automat (se nchide cnd este polarizat direct i se deschide cnd este polarizat invers). Singura
diferen notabil este cderea de tensiune mult mai mare la bornele diodei (0,7 V), faa de cderea de tensiune pe
un ntreruptor mecanic (civa mV).
42
Ecuaia diodei
1
43
unde,
= curentul diodei (A)
= curentul de saturaie (aproximativ
A)
e = constanta lui Euler (2,718)
q = sarcina electronului (1,6
C)
= tensiunea aplicat la bornele diodei (V)
N = factor de idealitate sau coeficient de emisie (ntre 1 i 2)
k = constanta lui Boltzmann (
T = temperatura jonciunii (K)
Ecuaia exact ce descrie curentul printr-o diod poart numele de ecuaia diodei.
Termenul q/KT descrie tensiunea produs n jonciunea P-N datorit aciunii temperaturii, i poart numele de
tensiune termic, sau V t . La temperatura camerei, aceast temperatur este de aproximativ 26 mV.
unde,
= curentul diodei (A)
= curentul de saturaie (aproximativ
e = constanta lui euler (2,718)
= tensiunea aplicat la bornele diodei (V)
Cunoscnd acest fapt, i considernd factorul de idealitate ca fiind 1, putem simplifica ecuaia de mai sus i s
ajungem la urmtoarea relaie.
Aceste ecuaii nu trebuie neaprat luat n considerare la analiza circuitelor simple cu diode, ci este menionat aici
doar pentru a nelege faptul c exist o variaie a cderii de tensiune la bornele diodei pentru diferite valori ale
curenilor prin diod. Aceast variaie este foarte mic, aceasta fiind i motivul pentru care se consider c, la
bornele diodei, cderea de tensiune rmne constant la 0,7 (siliciu) sau 0,3 V (germaniu). Totui, unele circuite
folosesc n mod intenionat relaia curent/tensiune a jonciunii P-N, i ele pot fi nelese doar n contextul acestei
ecuaii. De asemenea, din moment ce temperatura este un factor n ecuaia diodei, o jonciune P-N polarizat direct
poate fi folosit ca un dispozitiv de determinare a temperaturii, iar aceast utilizarea poate fi neleas doar dac
nelegem n primul rnd ecuaia diodei de mai sus.
Curentul invers
44
Dei o diod polarizat invers, nu permite curentului s treac prin ea datorit extinderii zonei de golire, n realitate
exist un mic curent de scurgere ce trece prin diod chiar i la polarizarea invers, iar acest curent poart
numele de curent invers. Curentul invers poate fi ns ignorat pentru majoritatea aplicaiilor.
Tensiunea de strpungere
Dioda nu poate suporta o tensiune de polarizare invers infinit de mare. Dac aceast tensiune devine prea mare,
dioda va fi distrus datorit unei condiii denumit strpungere. Aceast tensiune invers maxim poart numele de
tensiune de strpungere (invers), notat cu V s . Tensiunea de strpungerea crete odat cu creterea temperaturii
i scade cu scderea temperaturii - exact invers fa de tensiunea de polarizare direct.
45
conectarea invers, aparatul ar trebui s indice o rezisten foarte mare (figura alturat (b)). (OL reprezint o
valoarea prea mare ce nu poate fi indicat de aparatul de msur (din engl. Over-Limit); n acest caz, putem
considera rezistena ca fiind infinit).
Neajunsuri
Problema folosirii unui ohmmetru pentru verificarea unei diode, este c indicaia afiajului are doar valoare
calitativ, nu i cantitativ. Cu alte cuvinte, un ohmmetru poate doar s ne spun dac dioda funcioneaz (dac
aceasta conduce curent), dar valoarea rezistenei obinute din msurtoare nu ne este de niciun folos. Dac un
ohmmetru indic o valoare de 1,73 la polarizarea direct, aceast valoarea nu este folositoare unui tehnician sau
proiectantului circuitului. Aceast valoare nu reprezint nici cderea de tensiune la polarizarea direct i nici
rezistena materialului semiconductor din diod, ci este o mrime dependent de ambele cantiti i variaz
substanial n funcie de ohmmetrul folosit pentru efectuarea citirii.
46
Lista parametrilor
Principalele caracteristici ale diodelor, trecute n cataloage, sunt urmtoarele:
V RRM - tensiunea invers repetitiv maxim, este tensiunea maxim invers la care poate rezista dioda, atunci
cnd aceast tensiune este atins n mod repetat. Ideal, aceast valoare ar fi infinit.
V R sau V DC - tensiunea maxim invers de curent continuu, este valoarea maxim a tensiunii la care dioda
poate funciona nentrerupt, fr distrugerea acesteia. Ideal, aceast valoare a fi infinit.
V F - tensiunea (de polarizare) direct maxim, de obicei este specificat mpreun cu valoarea curentului direct.
Ideal, aceast valoare ar fi zero: ideal, dioda nu ar prezenta niciun fel de opoziie n faa deplasrii electronilor. n
realitate, tensiunea direct este descris de ecuaia diodei.
I F(AV) - valoarea maxim (medie) a curentului direct, valoarea maxim medie a curentului pe care bobina o poate
suport la polarizarea direct. Aceast limitarea este practic o limitare termic: ct cldur poate suporta
jonciunea P-N, avnd n vedere c puterea disipat reprezint produsul dintre curent i tensiune, iar tensiunea de
polarizare direct depinde att de curent ct i de temperatura jonciunii. Ideal, aceast valoare ar fi infinit.
47
I FSM sau i f(vrf) - curentul de polarizare direct maxim, reprezint curentul de vrf maxim pe care dioda l poate
conduce la polarizare direct, fr ca acest curent s duc la distrugerea diodei. Din nou, aceast valoare este
limitat de capacitatea termic a jonciunii diodei, i este de obicei mult mai mare dect valoarea curentului mediu
datorit ineriei termice. Ideal, aceast valoare ar fi infinit.
P D - puterea maxim disipat total, reprezint valoarea puterii (n Watt) pe care dioda o poate disipa fr ca
aceast putere s duc la distrugerea diodei. Aceast valoare este limitat de capacitatea termic a diodei. Ideal,
aceast valoare ar fi infinit.
T J - temperatura de funcionare a jonciunii, reprezint temperatura maxim admis a jonciunii P-N a diodei,
valoare dat de obicei n oC. Cldura reprezint punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie
meninute la o temperatur ct mai apropiat de temperatura camerei pentru funcionarea lor corect i o durat de
funcionare ct mai lung.
T STG - temperatura de depozitare, reprezint valoarea temperaturii de stocare a diodelor (nepolarizate).
R() - rezistena termic, reprezint diferena dintre temperatura jonciunii i temperatura aerului exterior diodei
) JL ), pentru o anumit putere disipat. Valoarea este exprimat n
(R() JA ), sau dintre jonciune i contacte (R(
o
C/W. Ideal, aceast valoare ar fi zero, ceea ce ar nseamna c nveliul (carcasa) diodei ar fi un conductor i
radiator termic perfect, fiind capabil s transfere energie sub form de cldur dinspre jonciune spre mediul
exterior (sau spre contacte) fr nicio diferen de temperatur existent n grosimea carcasei. O rezisten termic
ridicat se traduce prin faptul c dioda va stoca o temperatur excesiv n jurul jonciunii (punctul critic), n ciuda
eforturilor susinute de rcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate.
I R - curentul maxim de polarizare invers, reprezint valoarea curentului prin diod la polarizarea invers i
aplicarea tensiunii de polarizare invers maxim de curent continuu(V DC ). Mai este cunoscut i sub numele de
curent de scpri. Ideal, aceast valoare ar fi zero, deoarece o diod perfect ar bloca toi curenii atunci cnd este
polarizat invers. n realitate, aceast valoarea este mic n comparaie cu valoarea curentului maxim de polarizare
direct.
C J - capacitatea tipic a jonciunii, reprezint capacitatea intrinsec jonciunii, datorit comportrii zonei de
golire precum un dielectric ntre anod i catod. Aceast valoare este de obicei foarte mic, de ordinul picofarazilor
(pF).
t rr - timpul de revenire invers, reprezint durata de timp necesar stingerii diodei atunci cnd tensiunea la
bornele sale alterneaz ntre polarizare direct i polarizare invers. Ideal, aceast valoare ar fi zero: dioda se
stinge imediat dup inversarea polaritii. Pentru o diod redresoare tipic, timpul de revenire este de ordinul
zecilor de microsecunde (ms); pentru o diod de comutaie rapid, acest timp poate ajunge la doar cteva
nanosecunde (ns).
Observaie
Majoritatea acestor parametrii variaz cu temperatura sau alte condiii de operare, prin urmare, o singur valoarea
nu poate descrie complet niciun parametru. Prin urmare, productorii pun la dispoziie grafice ale variaiilor
parametrilor cu temperatura (sau alte variabile).
48
4. Circuite redresoare
Definiia redresrii
Cea mai popular aplicaia e diodelor este redresarea. Pe scurt, redresarea reprezint transformarea curentului
alternativ n curent continuu. Acest lucru implic folosirea unui dispozitiv ce permite trecerea electronilor doar
ntr-o singur direcie, iar dioda realizeaz tocmai acest lucru.
Redresorul mono-alternan
Cel mai simplu circuit de redresare l
reprezint
redresorul
monoalternan. Acesta permite trecerea
doar a unei jumti a formei de
und de curent alternativ dinspre
surs nspre sarcin.
Neajunsuri
Pentru majoritatea aplicaiilor de putere ns, redresarea mono-alternan nu este suficient. Coninutul armonic al
undei de ieire este foarte mare i prin urmare dificil de filtrat. Mai mult, sursa de tensiune alternativ este
vzut de sarcin doar odat la fiecare jumtate de perioad, ceea ce nseamn c mare parte din capacitatea
sursei nu este folosit.
Utilizare
Redresarea mono-alternan este totui o modalitatea foarte uoar de reducere
a puterii generate pe o sarcin rezistiv. Unele comutatoare cu rezisten
reglabil folosite la lmpi, aplic ntreaga tensiune de curent continuu pe
filamentul lmpii n poziia maxim, i doar o jumtate (folosind un
redresor mono-alternan) din tensiunea maxim disponibil pe cealalt poziie,
pentru o intensitate luminoas mai sczut.
49
Cnd ntreruptorul este n poziie mediu, lampa incandescent primete aproximativ jumtate din puterea
disponibil la sursa de curent alternativ. Datorit faptului c forma de und mono-alternana pulseaz mult mai
rapid dect timpul necesar pentru nclzirea i rcirea filamentului, lampa nu clipete, ci, filamentul ei pur i
simplu opereaz la o temperatur mai mic dect temperatura normal de funcionare.
Prima semi-perioad
S considerm de exemplu prima jumtate a
perioadei, cnd polaritatea tensiunii de
alimentare este pozitiv (+) sus i negativ () jos. n aceast situaie, doar dioda de sus va
conduce, iar dioda de jos este blocat.
Sarcina vede prima jumtate a formei de
und sinusoidale, pozitiv sus i negativ jos.
Doar partea de sus a nfurrii secundare a transformatorului conduce curent n acest caz.
A doua semi-perioad
n a doua parte a perioadei, polaritatea
tensiunii alternative se inverseaz. n acest
caz, cealalt diod, cea de jos, i cealalt
jumtate a secundarului transformatorului,
vor conduce curent, iar celelalte poriuni ale
circuitului ce au fost active la pasul
precedent, nu vor conduce curent. Sarcina
vede i n acest caz o jumtate de form de und sinusoidal, de aceeai polaritate ca i n cazul precedent:
pozitiv n partea de sus i negativ n partea de jos.
50
Dezavantaje
Un mare dezavantaj al acestei configuraii este necesitatea folosirii unui transformator cu priz median pe
nfurarea secundar. Dac circuitul n cauz este un circuit de putere mare, mrimea i costul unui astfel de
transformator pot fi suficient de mari. Prin urmare, redresorul dublu alternana cu punct median este folosit doar n
aplicaiile de putere mic.
Semi-perioadele pozitive
Direcia curentului pentru semi-perioadele
pozitive este prezentat n figura alturat.
Semi-perioadele negative
51
Avantaje i dezavantaje
Indiferent de polaritatea intrrii, curentul prin sarcin are aceeai direcie de curgere. Cu alte cuvinte, o
semi-perioad negativ la surs este o semi-perioad pozitiv pe sarcin. Curgerea curentului are loc prin dou
diode serie, pentru ambele polariti. Astfel, cderea de tensiune pierdut dinspre surs spre sarcin datorit
diodelor este dubl (0,7 2 = 1,4 V pentru Si) faa de redresorul dub alternan cu punct median. Acest dezavantaj
reprezint ns o problem doar pentru sursele cu o tensiune de alimentarea foarte sczut.
Reprezentarea echivalent
Modul corect de aezare n punte al
diodelor poate prezenta pentru nceptori
unele dificulti. O reprezentare alternativa,
dar echivalent, a acestui circuit este mult
mai uor de inut minte i de neles. Este
exact acelai circuit, doar c toate diodele
sunt poziionate orizontal, i toate indic n
aceeai direcie.
Configuraie trifazat
Un avantaj al acestei notaii este c poate fi uor
aplicat unei versiuni trifazate a redresorului.
Configuraie polifazat
52
Tensiunea de riplu
Indiferent de tipul redresrii - monofazat sau polifazat - cantitatea de tensiunea alternativ amestecat cu
tensiunea de curent continuu de ieire a redresorului, poart numele de tensiune de riplu, sau simplu riplu. n
majoritatea cazurilor, din moment ce la ieire dorim o tensiune de curent continuu pur, riplul reprezint o tensiune
nedorit. Dac puterile implicate nu sunt foarte mari, se pot folosi reele de filtrare pentru reducerea riplului
tensiunii de ieire.
53
Diodele Zener sunt proiectate s funcioneze polarizate invers. Tensiunea la care aceste diode ncep s
conduc este denumit tensiune Zener
Dioda Zener poate funciona pe post de stabilizator de tensiune
55
Tensiunea Zener
La polarizarea direct, diodele Zener se comport precum diodele redresoare standard: tensiunea direct are
valoarea de 0,7 V, conform ecuaiei diodei. La polarizarea invers ns, acestea nu conduc curentul dect peste o
anumit valoare a tensiunii de alimentare, valoare denumit tensiune Zener; dup atingerea acestei valori, dioda
Zener va putea s conduc un curent substanial, dar va limita cderea de tensiune la bornele sale la acea tensiune
Zener. Atta timp cnd puterea disipat sub form de cldur nu depete limita termic a diodei, aceasta nu va fi
afectat n niciun fel.
Diodele Zener sunt confecionate cu tensiuni Zener de civa
voli pn la sute de voli. Tensiunea Zener variaz uor cu
temperatura, dar acestea pot fi folosite cu succes ca
dispozitive de stabilizare a tensiunii datorit stabilitii i
56
Minim
mizarea putterii disipatee
Dac puterea excesiv
D
e
disip
pat este att de
d important, de ce nu am
m proiecta un circuit astfell nct s existe o putere
diisipat minim
m? De ce nu
u am introducce un rezistorr cu o valoare foarte maree a rezisteneei, limitnd prrin urmare
cuurentul i menninnd putereea disipat la valori foarte sczute?
mplu circuitul alturat, cu un
u rezistor
S luum de exem
de 100 k n locc de rezistoruul de 1 k diin circuitul
preceedent. Att tensiunea de
d alimentarrea ct i
tensiiunea Zener suunt cele din exemplul
e
preccedent.
Avnnd un curent de 100 de orri mai mic deect nainte
(324 A n loc de 32,4 mA
A), ambele valori ale
puterrilor disipate ar trebui s fie de 100 de
d ori mai
m
mici:
Modifficarea sarccinii
57
ndep
prtarea tem
mporar a diodei
d
Zenerr
Putem nellege mai uor situaia de
mai sus dacc ndeprtm
m temporar
dioda Zenerr din circuit i
analizm
doar compportamentul celor doi
rezistori.
58
Realizarea calculelor
Mrime R serie R sarcin Total Unitate
E
12,6 45
V
I
R
100k
32,4 12,6
45
I
R
100k
Putem calcula curentul prin rezistorul serie folosind legea lui Ohm (I = E /
R).
324
100k
32,4 12,6
45
V
A
100k 38,89 k
Putem acum calcula rezistena sarcinii folosind legea lui Ohm (R = E / I).
Concluzii
Prin urmare, dac rezistena sarcini este exact 38,89 k, vom avea o cdere de tensiune de 12,6 V la bornele sale,
cu sau fr diod. Orice rezistena de sarcin mai mic dect aceast valoare va duce la o cdere de tensiune mai
mic de 12,6 V, cu sau fr diod. Dac inserm i dioda Zener conform configuraiei iniiale, cderea de tensiune
maxim pe sarcin va fi stabilizat la o valoare maxim de 12,6 V pentru oricare sarcin mai mare dect 38,89 k .
Cu valoarea iniial a rezistorului serie de 1 ,
k circuitul putea s stabilizeze tensiunea chiar i pentru o sarcin
mult mai mic, de 500 . Ceea ce vedem este un compromis ntre puterea disipat i valoarea acceptabil a sarcinii.
Cu ct rezistorul serie este mai mare i puterea disipat este mai mic, cu att valoarea minim a rezistenei sarcinii
trebuie s fie mai mare. Dac vrem s stabilizm tensiunea pentru o sarcin mic (rezisten mic), circuitul trebuie
astfel conceput nct s suporte puteri mari de disipaie.
59
60
04 - Tranzistorul
Utilizarea tranzistorilor
Tranzistorii sunt regulatori de curent controlai n
curent. Cu alte cuvinte, tranzistorii limiteaz valoarea
curentului prin ei cu ajutorul unui curent de control mai
mic. Curentul principal, cel controlat, pleac dinspre
emitor spre colector (tipul NPN), iar curentul mai mic, de
control, pleac dinspre emitor spre baz (tipul NPN).
Pentru tranzistorul de tip PNP, direcia curenilor este
exact invers. Atenie, folosim sensul real de deplasare al
electronilor, prin urmare, sgeile indicate pe simbolurile elementelor semiconductoare vor indicat tot timpul
mpotriva direciei de deplasare al electronilor.
Observaii
Denumirea tranzistoarelor bipolare vine de la faptul c deplasarea electronilor prin ele are loc prin dou tipuri de
material semiconductor: P i N. Cu alte cuvinte, exist dou tipuri de purttori de sarcin, electroni i goluri.
61
Dup cum se poate observa, curentul de control i curentul controlat se nsumeaz tot timpul pe emitor, iar
deplasarea electronilor are loc tot timpul mpotriva direciei sgeii. Aceasta este prima i cea mai important regul
a tranzistoarelor: toi curenii trebuie s mearg n direciile corecte pentru ca dispozitivul s funcioneze ca i
regulator de curent. De obicei, curentul de control este denumit curent de baz, iar curentul controlat este denumit
curent de colector, deoarece sunt singurii curenii ce trec pe la aceste terminale. Curentul pe emitor este suma
curenilor de baz i colector, n conformitatea cu legea lui Kirchhoff pentru curent.
Atunci cnd nu exist niciun curent prin baz, tranzistorul se comport precum un ntreruptor deschis, iar trecerea
curentului prin colector nu este posibil. Un curent de baz pornete tranzistorul, acesta comportndu-se precum un
ntreruptor nchis i permind trecerea unui curent proporional prin colector. Curentul de colector este limitat de
curentul bazei, indiferent de valoarea cderii de tensiune pe colector.
Tranzistoarele pot fi folosite ca i ntreruptoare pentru controlul puterii de curent continuu asupra sarcinii.
Curentul controlat trece prin emitor-colector; curentul de control trece prin emitor-baz
Cnd curentul printr-un tranzistor este zero, spunem c acesta este blocat
Cnd curentul printr-un tranzistor este maxim, spunem c acesta este saturat
Scop
Deoarece curentul colectorului tranzistorului este limitat proporional de curentul bazei, acesta poate fi folosit pe
post de ntreruptor controlat n curent. O cantitate relativ mic de electroni, prin baz, poate exercita un
control asupra unei cantiti mult mai mari de electroni prin colector.
Tranzistor NPN
Pentru exemplificare, s inserm acum un tranzistor n locul ntreruptorului. inei
minte, curentul controlat trebuie s treac prin tranzistor de la colector spre emitor. Din
moment ce curentul controlat este cel prin lamp, trebuie s poziionm colectorul i
emitorul tranzistorului n locul contactelor ntreruptorului. Trebuie de asemenea s ne
62
asigurm c direcia curentului prin tranzistor este mpotriva sgeii emitorului, pentru a ne asigura c jonciunea
tranzistorului este polarizat corect.
Tranzistor PNP
Putem de asemenea s folosim i un tranzistor PNP pentru realizarea acestui circuit. Alegerea
fcut ntre PNP i NPN este complet arbitrar, dei, pentru exemplificarea funcionrii
tranzistoarelor, vom folosi n continuare cele de tipul NPN.
63
i pornirea tranzistorului.
Sau putem folosi mai multe termocuple conectate n
serie pentru generarea curentului bazei necesar
pornirii tranzistorului.
Observaii
Ceea ce vrem s demonstrm, este c orice surs de tensiune n curent continuu, capabil s porneasc tranzistorul,
poate fi folosit pentru controlul lmpii, iar puterea acestei surse de tensiune trebuie s fie doar o fraciune din
puterea circuitului controlat. Tranzistorul n acest caz nu se comport doar ca un ntreruptor, ci i ca un
amplificator: folosind un semnal de putere relativ mic pentru controlul unui semnal de putere relativ mare. Atenie,
puterea necesar aprinderii lmpii este furnizat de bateria din circuitul principal, i nu de celula solar,
termocupl sau microfon. Acestea din urm doar controleaz puterea bateriei pentru aprinderea lmpii.
Tranzistorul se comport precum o pereche de diode conectate spate-n-spate atunci cnd este verificat cu
ajutorul unui multimetru pe post de ohmmetru sau cu funcia verificare diod
Jonciunea emitor-baz de tip P-N, are o tensiune direct puin mai mare dect jonciunea colector-baz de
tip P-N, datorit dopajului mai puternic al emitorului. Acest lucru poate fi exploatat pentru identificarea
tranzistorilor
Comportamentul tranzistorului
Tranzistorii se comport precum dou diode puse spate-n-spate atunci cnd sunt verificai cu ajutorul
multimetrului pe post de ohmmetru sau cu funcia verificare diod, datorit celor trei straturi PNP sau NPN.
64
65
Putem acuum cuta conttactul comun ambelor seturri de msurttori conductiive. Acest
contact treebuie s fie baza tranzisstorului, deoaarece acesta este singuruul strat, al
dispozitivuului format din
d trei straturri, ce este com
mun ambelorr seturi de jonnciuni PN
(emitor-baaz i colectoor-baz). n acest
a
exempllu, contactul cutat este numrul
n
3,
fiind com
mun combinaiilor 1-3 i 2-3.
2
n ambeele msurtori, sonda neaagr (-) a
aparatului de msur a venit n coontact cu conntactul 3, ceea ce ne spunne c baza
s
or de tip N. Prrin urmare,
acestui trannzistor este reealizat dintr--un material semiconducto
tranzistoruul n cauz este
e
un tranziistor bipolar de tip PNP, cu baza - coontactul 3,
emitor - coontactul 1 i colector
c
- conntactul 2.
Dup cum puttem observa, baza tranzistoorului n acesst caz nu> esste contactul din
D
d mijloc al tranzistoruluui, aa cum
nee-am atepta.. Acest lucru se ntmpl foarte des nn practic. Siingura modallitate prin carre ne putem asigura de
coorectitudinea contactelor este prin verificarea
v
cuu ajutorului unui multim
metru, sau cu
c ajutorul catalogului
c
prroductoruluii.
D
Determinar
rea integrittii unui trranzistor
ttiind faptul c un tranzisto
or se comport precum douu diode aezate spate-n-sspate la testarrea conductiviitii cu un
apparat de msuur, dac n urma
u
msurtoorilor descopperim c existt continuitatee n mai multt sau mai puin de dou
diintre cele asee combinaii de contate, puutem spune cu siguran c tranzistorull este defect, sau
s ca dispozzitivul aflat
suub inspecie nu
n este un tran
nzistor i un cu
c totul alt disspozitiv!.
M
Modul
de fu
uncionare al tranzisttorului
Totui, modeluul celor dou
u diode nu poate explicaa funcionareea tranzistorullui ca i disppozitiv de am
mplificare a
seemnalului.
Pentru ilustrarea acestui
a
paraddox, putem examina
circuitull alturat, foloosind diagram
ma fizic a tranzistorului
pentru uurarea
u
expliccaiilor.
Sgeata diagonal grri are direciaa deplasrii electronilor
e
prin jonnciunea emittor-baz. Aceest lucru estee clar, din
moment ce electroni se
s deplaseaz dinspre emittorul de tip
b
de tip N:
N jonciuneaa este polarizzat direct.
N spre baza
Totui, jonciunea
j
baaz-colector se
s comport mai
m ciudat.
Sgeata ngroat vertical indic direcia de deplasaare a electronnilor dinspre baz spre coolector. Din moment
m
ce
baaza este realizzat dintr-un material de tip
t P iar colecctorul dintr-unn semiconducctor de tip N,, direcia de deplasare
d
a
ellectronilor estte invers fa de direcia normal
n
de deeplasare printtr-o jonciunee P-N! n modd normal, o joonciune PN nu ar permiite deplasareaa invers a ellectronilor, ceel puin nu fr a oferi o opoziie
o
extreem de mare. Totui, un
trranzistor satuurat prezint o opoziie fooarte mic faa de deplasarea electronnilor de la em
mitor la colector, lucru
deemonstrat i prin
p faptul c lampa este apprins!
66
Prin urmare, modelul celor dou diode puse spate-nspate poate fi folosit doar pentru nelegerea modului de
verificare al tranzistorilor cu ajutorul aparatului de
msur, nu i pentru nelegerea funcionrii acestora n
circuitele practice.
Tranzistorul se afl n zona activ de funcionare, atunci cnd funcioneaz ntre starea de blocare i cea
de saturaie
Curentul bazei reguleaz curentul colectorului. Acest lucru nseamn c prin colector nu poate trece un
curent mai mare dect valoarea permis de ctre curentul bazei
Raportul dintre curentul colectorului i curentul bazei poart numele de factor beta sau factor de
amplificare n curent al tranzistorului, i se noteaz cu sau hfe
variaz pentru fiecare tranzistor n parte
variaz pentru diferite condiii de operare
Definiii
Tranzistor blocat
Cnd baza nu este polarizat, i prin urmare nu exist curent ntre emitor i colector, spunem c tranzistorul este
blocat.
Tranzistor saturat
Invers, cnd ntre emitor i colector trece cantitatea maxim de curent permis de colector i de sursa de putere,
spunem c tranzistorul este saturat.
Exemplu
67
Variaia curent-tensiune
n aceast simulare, vom seta valoarea sursei de curent la 20
A i vom varia tensiunea sursei (V 1 ) ntre 0 V i 2 V; vom
observa apoi curentul ce trece prin surs.
Un curent de baz constant de 20 A controleaz un curent
maxim de 2 mA prin colector, de exact 100 de ori mai mare.
Pentru aceast valoare a curentului de baz, curentul prin
colector nu poate crete mai mult. Putem observa de pe grafic
c forma curbei este plat n afar de prima poriune, poriune
unde tensiunea bateriei (V 1 ) crete de la 0 V la 0,25 V. n
acest interval, curentul prin colector crete rapid de la 0 A la 2
mA.
68
Curbe caracteristice
Aceast relaie dintre curent i tensiune este fundamental diferit fa de relaia curent-tensiune a rezistorului. n
cazul rezistorului, curentul crete liniar pe msur ce cderea de tensiune la bornele sale crete. n cazul
tranzistorului, curentul dinspre emitor spre colector are o valoare limit fix, valoare peste care nu poate crete,
indiferent de cderea de tensiune dintre emitor i colector.
O reprezentare a tuturor acestor curbe (variaii) curent-tensiune pe un singur grafic, pentru un anumit tranzistor,
poart numele de curbe caracteristice.
69
Pentru funcionarea corect a tranzistorului, acesta trebuie s se afle tot timpul n zona activ de funcionare
(pentru amplificatoare clasa A), nu n cea de blocare i nici n cea de saturaie. inei minte c tranzistorul este un
dispozitiv controlat n curent, prin urmare, dac ar funciona n zona de saturaie, acesta nu ar mai putea fi controlat
prin intermediul curentului bazei; o cretere a curentului bazei, atunci cnd tranzistorul se afl n zona de saturaie,
nu duce la o cretere a curentului colector-emitor, aa cum era de ateptat. n schimb, dac tranzistorul se afl n
zona activ de funcionare, o cretere/scdere a curentului bazei duce la o cretere/scdere a curentului prin colector
Observaie
Trebuie neles faptul foarte important, c n graficul de mai sus, avem trei variabile: tensiunea colector emitor
(E colector-emitor ), curentul de la emitor la colector (I colector ) i curentul bazei (I baz ). Pentru fiecare variaie a curentului
de baz, de la 5 A la 20 A la 40 pn la 75 A, vom avea o alt curb caracteristic, i practic, pot exista o
infinitate de curbe ntre aceste valori.
Din moment ce tranzistorul se comport precum un regulator de curent, limitnd curentul colectorului printr-o
proporie fix fa de curentul bazei, putem exprima aceast caracteristic standard a tranzistoarelor printr-un
raport, cunoscut sub numele de factor beta sau factor de amplificare n curent, i simbolizat prin litera greceasc ,
sau prin h fe :
Factorul al oricrui tranzistor este determinat de modul su de fabricare, i este o mrime ce nu poate fi
modificat dup confecionarea acestuia. Este foarte greu s gsim doi tranzistori, de acelai tip, care s posede un
factor identic, datorit variabilelor fizice ce afecteaz valoarea acestuia. Dac vrem s construim un circuit n care
avem nevoie de tranzistori cu egali, acetia se pot cumpra n seturi, la un pre mai mare. Dar, construirea unor
circuite electronice cu astfel de dependine nu este indicat.
nu rmne constant pentru toate condiiile de operare. Pentru un tranzistor fizic, raportul
poate varia cu un
factor mai mare dect trei ntre limitele curentului de operare. De exemplu, un tranzistor marcat cu = 50, poate n
realitate s prezinte un raport I c / I b de 30 sau chiar de 100, n funcie de valoarea curentului prin colector,
temperatura tranzistorului, frecvena semnalului amplificat, plus alte variabile. Dei teoretic vom considera
ca
fiind constant pentru oricare tranzistor, n realitate acest lucru nu este valabil!
70
Un model mult mai precis ns, este cel din figura alturat.
Conform acestui model, tranzistorul este o combinaie dintre o diod i
o surs de curent, ieirea sursei de curent fiind un multiplu (raportul
beta) al curentului de baz. Acest model descrie mult mai precis
caracteristica intrare/ieire a tranzistorului: curentul de baz stabilete
o un anumit curent n colector, i nu o anumit rezisten colectoremitor, precum n cazul precedent. Din pcate, folosirea unei surse de curent i poate induce pe cei mai neexperimentai n eroare; un tranzistor nu este n niciun caz o surs de energie electric, dar pe model, faptul c sursa
de energie este extern tranzistorului, nu este aparent.
Punctul static de funcionare reprezint valoarea curentului bazei pentru care tranzistorul funcioneaz
corect
Pentru amplificatorul de clas A, punctul static de funcionare se afl la jumtatea distanei dintre punctul
de blocare i zona de saturaie a dreptei de sarcin
Definiie
Punctul static de funcionare al unui tranzistor reprezint coordonatele de funcionare ale tranzistorului n
zona activ de funcionare.
polarizare direct (curent continuu) foreaz un nivel diferit al curentului colector-emitor prin tranzistor pentru un
semnal de intrare zero, fa de cazul n care tensiunea de polarizare direct nu ar exista. Prin urmare, valoarea
tensiunii de polarizare ntr-un circuit de amplificare, determin valorile de repaus ale acestuia.
Pentru un amplificator de clasa A, curentul de repaus trebuie s fie exact ntre valoarea sa de saturaie i valoarea sa
de blocare. Amplificatoarele de clasa B i C au un curent de repaos zero, din moment ce acestea sunt proiectate
pentru funcionarea n zona de blocare, atunci cnd nu este aplicat niciun semnal la intrare. Amplificatoarele de
clasa AB, au un curent de repaus foarte mic, puin peste zona de blocare.
Pentru a ilustra grafic acest lucru, se traseaz o dreapt de sarcin peste curbele caracteristice ale tranzistorului,
pentru ilustrarea modului de funcionare atunci cnd tranzistorul este conectat la o sarcin de o anumit valoare.
O dreapt de sarcin reprezint graficul tensiunii colector-emitor pentru un anumit domeniu al curenilor de
colector. n partea din dreapta jos, tensiunea este maxim i curentul este zero, reprezentnd o condiie de blocare.
n stnga sus, tensiunea este zero, iar curentul este maxim, reprezentnd o condiie de saturaie. Punctele de
intersecie ale dreptei cu, curbele caracteristice, reprezint condiii de operare reale al tranzistorului pentru acei
cureni de baz.
72
Puunctul static de funcionaare poate fi reeprezentat pee acest grafic printr-un sim
mplu punct laa intersecia unei
u
curbe
caaracteristice cu
c dreapta dee sarcin. Penntru un amplifficator de claasa A, punctul static de funncionare se va
v situa pe
m
mijlocul
drepteei de sarcin.
nn acest caz paarticular, puncctul static de funcionare
f
see afl pe curba de 40 A a curentului dee baz.
Dac schimbm
D
m ns rezisteena sarcinii acestui
a
circuiit cu o rezisteen mai maree, acest lucru va afecta pannta dreptei
dee sarcin, ntrruct o rezistten de sarcinn mai mare va limita currentul maxim
m prin colectorr la saturaie,, dar nu va
m
modifica
tensiuunea de blocaare colector-eemitor. Graficc, rezultatul este
e o dreapt de sarcin cu
c un punct de
d saturaie
(sstnga sus) diferit, dar cu un
u punct de bllocare (dreaptta jos) identicc.
Puutem observaa c n aceasst situaie, dreapta
d
de sarrcin nu maii intersecteazz curba caraacteristic de 75 A pe
pooriunea sa orizontal.
o
Accest lucru estte foarte impportant de reaalizat, deoareece poriuneaa ne-orizontall a curbei
73
caaracteristice reprezint,
r
du
up cum am mai menionnat, o condiiee de saturaiee a tranzistoruului (curentuul colectorem
mitor nu mai poate fi contrrolat prin inteermediul cureentului bazei).. Prin urmare, pentru un cuurent al bazei de 75 A,
trranzistorul (am
mplificatorul)) va fi saturat..
A
Adugarea
de noi curb
be caracterristice
Peentru menineerea funcionrii liniare (fr distorsiuni), amplificatoarele cu trannzistori nu ar trebui s funccioneze n
zoona de saturaie, adic, acolo
a
unde dreapta
d
de saarcin nu inttersecteaz curbele de saarcin pe porriunea lor
orrizontal. Voom mai adu
uga cteva cuurbe caracterristice pe graafic, pentru a putea obseerva pn unnde putem
mpinge trannzistorul prin creterea cureentului bazei fr ca acestaa s intre n zona
z
de saturaaie.
See poate vedeaa de pe graficc c cel mai nalt
A
Alegerea
un
nui nou pun
nct static de
d funcionare
74
De asemenea, tot pentru funcionarea corect a amplificatorului de clas A, tensiunea de polarizare ar trebui s fie
astfel nct punctul static de funcionare s se regseasc la mijlocul drumului ntre punctul maxim de funcionare i
punctul de blocare:
Astfel, noul punct static de funcionare, ales pe cale grafic, ne spune c, pentru funcionarea corect a
amplificatorului de clas A, pentru sarcina n cauz, curentul bazei trebuie s aib o valoare de aproximativ 25 A.
Cunoscnd aceast valoare, putem determina mai apoi i tensiune de polarizare direct n curent continuu.
Definiie
S relum exemplu studiat n seciunile precedente, unde
tranzistorul a fost folosit pe post de ntreruptor.
acest circuit n funcie de expunerea celulei solare la lumin. Cnd intensitatea luminoas ce cade pe celula solar
este minim, lampa va lumina foarte slab. Pe msur ce intensitatea luminoas ce cade pe celula solar crete, va
crete i intensitatea luminoas a lmpii.
76
Amplificator inversor
Pentru intensiti luminoase ce se regsesc ntre aceste valori (minim/maxim), tranzistorul va funciona n zona
activ, iar tensiunea de ieire va fi undeva ntre zero voli i tensiunea bateriei. De menionat c tensiunea de ieire
a tranzistorului n configuraie emitor comun este invers proporional cu intensitatea semnalului de intrare.
Cu alte cuvinte, tensiunea de ieire scade cu creterea semnalului de intrare. Din acest motiv, amplificatorul (cu
tranzistor) n configuraie emitor comun poart numele de amplificator inversor.
Exemplu
S considerm circuitul alturat.
Variaia curent-tensiune
77
A
Amplificare
ea semnalelor alternaative
Circu
uitul origina
al
Adesea avem nevoie ns de un ampplificator n
curent altternativ. O aplicaia praactic este
utilizarea acestui tipp de ampliificare n
sistemele audio. S relum cirrcuitul cu
microfon, dar s ncerccm de data aceasta
a
s-l
modificm
m astfel ncct s alimeenteze un
difuzor n loc de lamp.
nn circuitul orriginal, am folosit o punnte redresoarre pentru traansformarea semnalului de
d curent altternativ al
m
microfonului
nn tensiune de curent continnuu pentru poolarizarea bazzei tranzistoruului. n acel caaz ne-a intereesat doar s
poornim lampa cu un semnaal venit din partea
p
microfoonului, iar aceast configuuraie i-a nddeplinit scopuul. De data
acceasta ns, vrrem s reprod
ducem un sem
mnal de curennt alternativ pe
p difuzor. Accest lucru nseeamn ca nu mai putem
reedresa semnallul de ieire al
a microfonull, deoarece avvem nevoie de
d semnalul de
d curent alteernativ nedistorsionat la
inntrarea tranzisstorului.
ndep
prtarea pun
nii redresooare
78
Circuitul final
Fiindc microfonul poate produce tensiuni
mai mari dect tensiunea de polarizare
direct a jonciunii baz-emitor, vom
conecta i un rezistor n serie cu
microfonul. Circuitul practic pe care l
vom analiza este cel din figura alturat.
Explicaia comportamentului
Ce s-a ntmplat cu circuitul n acest caz? De ce nu reproduce n totalitate
semnalul de tensiune n curent alternativ de la intrare? S revenim la
modelul diod-surs-de-curent al tranzistorului pentru a ncerca elucidarea
problemei.
79
Curentul prin colector este regulat, sau controlat, printr-un mecanism de curent constant ce depinde de curentul prin
dioda baz-emitor. Observai c ambele direcii ale curentului sunt uni-direcionale! n ciuda faptului c se ncearc
o amplificare de semnal n curent alternativ, acesta este de fapt un dispozitiv de curent continuu, fiind capabil s
conduc cureni doar ntr-o singur direcie. Chiar dac aplicm o tensiune alternativ ntre baz i emitor,
electronii nu se pot deplasa prin circuit n semi-perioada negativ a semnalului ce polarizeaz invers jonciunea
baz-emitor (dioda). Prin urmare, tranzistorul va fi blocat n acea poriune a perioadei, i va intra n conducie doar
cnd polaritatea tensiunii de intrare este corect, astfel nct s polarizeze direct dioda baz-emitor, i doar dac
acea tensiune este suficient de mare pentru a depi tensiune de polarizare direct a diodei. Reinei, tranzistorii
sunt dispozitive controlate n curent: acetia controleaz curentul prin colector n funcie de existena curentului
ntre baz i emitor (curentul de baz), i nu n funcie de tensiunea baz-emitor.
80
81
Deoarece amplificarea n curent a amplificatorului emitor comun este fixat de factorul , iar tensiunile de intrare i
ieire vor fi egale cu produsul dintre curenii de intrare i ieire i rezistenele rezistorilor respectivi, putem scrie
urmtoarea ecuaie pentru aproximarea amplificrii n tensiune:
Diferena dintre amplificarea real (2,94) i cea ideal (3), se datoreaz imperfeciunilor tranzistorilor n general.
amplificare n curent i tensiune sunt aceeai i pentru amplificatorul cu tranzistor PNP, doar polaritile bateriilor
sunt diferite.
Denumirea de colector comun vine de la faptul c tensiunea de intrare i cea de ieire au ca i punct comun
terminalul colectorului tranzistorului, ne-lund n considerare sursele de putere din circuit
Amplificator colector comun mai este cunoscut i sub numele de repetor pe emitor
Tensiunea de ieire a unui amplificator n configuraie colector comun este n faz cu tensiunea de intrare,
ceea ce nseamn c acest tip de amplificator este ne-inversor
Factorul de amplificare n curent (A I ) al amplificatorului colector comun este egal cu plus 1, iar factorul
de amplificare n tensiune (A V este foarte aproape de 1
Conectarea n serie a mai multor tranzistori n configuraie colector comun, poart numele de configuraie
Darlington. Factorul de amplificare n curent rezultat este produsul dintre factorii de amplificare al fiecrui
tranzistor din configuraie
Definiie
Configuraia amplificatorului colector comun arat astfel.
bazei i al colectorului.
Exemplu
Configuraia circuitului
83
Variaia curent-tensiune
Graficul variaiei cderii de tensiune de ieire - cdere de
tensiune de intrare, este cel alturat.
Faa de conexiunea emitor comun, amplificatorul colector
comun produce la ieire o cdere de tensiune de aceeai
polaritate cu tensiunea de intrare. Pe msur ce tensiunea
de intrare crete, crete i cea de ieire. Mai mult, tensiunea de
ieire, este aproape identic cu tensiunea de intrare, minus
cderea de 0,7 V a jonciunii P-N. Indiferent de factorul beta
al tranzistorului, sau de valoarea sarcinii, amplificatorul
colector comun are un factor de amplificare n tensiune (A V )
extrem de apropiat de valoarea 1. Din aceast cauz,
conexiunea colector comun mai este denumit i repetor pe
emitor.
Explicaie
Este relativ uor de neles motivul pentru care cderea de tensiune pe sarcina amplificatorului n colector comun
este aproximativ egal cu tensiunea de intrare.
Dac ne referim la modelul diod-surs-de-curent al
tranzistorului, putem vedea c, curentul bazei trebuie s treac
prin jonciunea P-N baz-emitor, jonciune echivalent unei
diode redresoare. Dac aceast jonciune este polarizat
direct, va exista o cdere de tensiune de aproximativ 0,7 V
(siliciu) ntre terminalele acesteia. Aceast cdere de tensiune
de 0,7 V nu depinde de amplitudinea curentului de baz,
astfel c putem considera aceast cdere de tensiune ca fiind
constant.
84
T
Tensiunea
d polariza
de
are n curen
nt continuu
u
Pentru amplifficarea semnaalelor de curennt alternativ cu
P
c ajutorul
c
configuraiei
colector com
mun, este nevvoie de utilizzarea unei
s
surse
de tensiuune n curent continuu (tennsiune de polarizare), la
f cum a fost cazul conffiguraiei em
fel
mitor comun. Rezultatul
e ns de acceast dat unn amplificatorr ne-inversor.
este
mele de und
n ntreg ciircuitul
Form
D
Dac
ar fi s coonectm mai multe oscilosscoape n circcuit, vom vedeea c formelee de und ale tensiunilor
t
arrat astfel:
85
Din moment ce aceast configuraie nu ofer nicio amplificare n tensiune, singura amplificare realizat este n
curent. Configuraia anterioar, emitor comun, oferea un factorul de amplificare n curent egal cu factorul
al
tranzistorului, datorit faptului c, curentul de intrare trecea prin baz, iar curentul de ieire (sarcin) trecea prin
colector, iar este prin definiie raportul dintre curentul de colector i curentul de baz. n configuraia colector
comun ns, sarcina este conectat n serie cu emitorul, prin urmare, curentul de ieire este egal cu acest curent al
emitorului. Dar curentul prin emitor este curentul colectorului plus curentul bazei. Acest lucru nseamn o
amplificare n curent (A I ) egal cu plus 1.
86
Tranzzistor n con
nexiune coleector comun
n
O metod de rezolvarre a acesteii probleme const n
utilizarea unnui tranzistor n conexiunee colector com
mun pentru
amplificareaa curentului prin
p sarcin, astfel
a
ca diodda Zener s
nu fie nevvoit s condduc dect curentul
c
neceesar bazei
tranzistoruluui.
Singura prooblem este c tensiuneaa pe sarcin va fi cu
aproximativv 0,7 V mai mic dect cderea
c
de teensiune pe
dioda Zenerr. Acest lucruu poate fi ns corectat prinn utilizarea
unnei diode Zenner cu o tensiu
une Zener maai mare cu 0,77 V dect tenssiunea necesaar pentru apliicaia n cauz.
T
Tranzistori
n configuraie Darliington
Modu
ul de conectare
n unelee aplicaii, faactorul de am
mplificare n curent al unnui singur traanzistor n coonfiguraie
colectorr comun nu esste suficient. n acest caz, se pot coneccta (etaja) maii muli tranzistori ntr-o
configurraie Darlingtton.
87
unde:
1 - factorul beta al primului tranzistor
2 - factorul beta al celui de al doilea tranzistor
Factorul de amplificare n tensiune
Amplificarea n tensiune va fi i de aceast dat apropiat de 1, cu
toate c tensiunea de ieire va fi mai mic cu 1,4 V dect tensiunea
de intrare:
Observaii
Tranzistorii n configuraie Darlington pot fi cumprai ca i dispozitive discrete, sau pot fi construii din tranzistori
individuali. Desigur, dac se dorete obinerea unor cureni i mai mari, se pot conecta chiar i trei sau patru
tranzistori n configuraie Darlington.
Denumirea de baz comun vine de la faptul c tensiunile de intrare i de ieire ale amplificatorului au ca i
punct comun baza tranzistorului, ne-lund n considerare sursele de putere
Factorul de amplificare n curent al amplificatorului baz comun este tot timpul mai mic dect 1
Factorul de amplificare n tensiune depinde de rezistenele de intrare i de ieire, ct i de rezistena intern
a jonciunii emitor-baz a tranzistorului, rezistena ce variaz cu variaia tensiunii de polarizare n curent
continuu. Aceast amplificare este ns foarte mare
Raportul dintre curentul colectorului i curentul emitorului unui tranzistor, poart numele de factor alfa
(). Pentru orice tranzistor, factorul alfa este subunitar (mai mic dect 1)
88
Definiie
Aceast configuraie este mai complex dect celelalte dou, emitor
comun i colector comun, i este mai puin folosit datorit
caracteristicilor ciudate de funcionare.
Exemplu
Circuitul
Circuitul practic pe care l vom studia, este cel alturat.
89
90
Tranzistor PNP
Acelai lucru este valabil i
pentru un tranzistor PNP.
Observaie
Prin urmare, un factor de amplificare n curent subunitar i un factor de amplificare n tensiune imprevizibil, fac ca
aceast configuraie s ofere puine aplicaii practice.
91
Amplificatorul clasa A se afl n zona activ de funcionare pe ntreaga perioad a formei de und de la
intrare, prin urmare, aceasta este reprodus n totalitate la ieire
Amplificatorul clasa B reproduce la ieire doar o jumtate din forma de und de la intrare: fie jumtatea
pozitiv, fie pe cea negativ. Tranzistorul se afl doar o jumtate din timp n zona activ de funcionarea,
iar n rest este blocat
Amplificatorul clasa AB este o configuraie ce se afl ntre amplificatorul de clasa A i cel de clas B n
ceea ce privete timpul petrecut de acesta n zona activ de funcionare
Clasa D presupune (re)-proiectarea amplificatorului, i nu se bazeaz doar pe tensiunea de polarizare n
curent continuu, aa cum este cazul claselor precedente. Forma semnalului de ieire este dreptunghiular,
iar factorul de umplere al acestuia depinde de amplitudinea instantanee a semnalului de intrare. Tranzistorii
unui astfel de amplificator nu se afl niciodat n zona activ de funcionare, ei sunt fie blocai fie saturai.
Eficiena acestui tip de amplificator este mare datorit puterii disipate sub form de cldur foarte sczut
Definiie
Dup modul de reproducere la ieire a formei de und de la intrare, amplificatoarele pot fi mprite pe clase.
Aceste clase sunt desemnate cu literele A, B, AB, C i D.
Amplificator clasa A
n cazul amplificatoarelor de clas A, ntreg
semnalul de intrare este reprodus la
ieire. Acest mod de operare al
tranzistorului poate fi atins doar atunci cnd
acest funcioneaz tot timpul n zona activ,
ne-atingnd niciodat punctul de saturaie
sau de blocare. Pentru realizarea acestui
lucru, este nevoie de o tensiune de polarizare de curent continuu suficient de mare pentru funcionarea tranzistorului
ntre zona de blocare i cea de saturaie. n acest fel, semnalul de intrare n curent alternativ va fi perfect centrat
ntre limita superioar i cea inferioar a nivelului de semnal al amplificatorului.
Amplificator clasa B
Amplificatorul de clas B este ceea ce am
obinut n cazul amplificatorului emitor
comun, cu semnal de intrare n curent
alternativ dar fr nicio tensiune de
polarizare n curent continuu conectat la
intrare. n acest caz, tranzistorul petrece doar
o jumtate de timp n zona activ de
funcionare, iar n cealalt jumtate de timp
este blocat, datorit faptului c tensiunea de intrare este prea mic, sau chiar de polaritate invers, pentru a putea
polariza direct jonciunea baz-emitor.
92
Configuraia contratimp
Folosit individual, amplificatorul de clas B nu este foarte folositor.
De cele mai multe ori, distorsiunile foarte mari introduse n forme
de und, prin eliminarea unei semi-alternane, nu sunt acceptabile.
Totui, aceast modalitate de polarizare a amplificatoarelor este
folositoare dac se folosesc dou amplificatoare de clas B n
configuraie contratimp (push-pull), fiecare amplificator
reproducnd doar o jumtate a formei de und.
Avantaje
Un avantaj al amplificatorului de clas B (contratimp) fa de cel de clas A, const ntr-o capacitate mai mare a
puterii de ieire. n clasa A, tranzistorul disip o putere considerabil sub form de cldur datorit faptului c
acesta se afl tot timpul n zona activ de funcionare. n clasa B, fiecare tranzistor conduce doar jumtate din timp,
iar n cealalt jumtate este blocat, nu conduce curent electric, i prin urmare, puterea disipat sub form de cldur
este zero. Astfel, fiecare tranzistor are timp de odihn i de rcire, atunci cnd cellalt tranzistor se afl n
conducie. Amplificatoarele de clas A sunt mai simplu de construit, dar sunt limitate doar la aplicaiile de putere
joas datorit cldurii generate.
Amplificator clasa AB
Amplificatoarele de clas AB sunt undeva ntre clasa A i clasa B; tranzistorul conduce mai mult de 50% din timp,
dar mai puin de 100%.
Amplificator clasa C
Dac semnalul de intrare al amplificatorului
este uor negativ (sursa de tensiune n curent
alternativ inversat), semnalul de ieire va fi
tiat i mai mult fa de semnalul de ieire al
amplificatorului de clasa B. Tranzistorul va
petrece majoritatea timpului n stare
blocat.
93
Observaii
Datorit faptului c tranzistorul este n mare parte a timpului blocat, puterea la bornele sale poate fi mult mai mare
dect n cazul celorlalte dou configuraii vzute mai sus. Datorit dependenei de circuitul rezonante de la ieire,
acest amplificator poate fi folosit doar pentru semnale de o anumit frecven fix.
Factorul de umplere
Factorul de umplere reprezint raportul dintre durata n care semnalul este maxim i durata n care semnalul
este zero. Cu alte cuvinte, reprezint durata de funcionare al unui dispozitiv, n general. Factorul de umplere
variaz odat cu amplitudinea instantanee a semnalului de intrare.
Amplificator clasa D
Acest tip de amplificator este total diferit fa de amplificatoarele de clas A, B, AB sau C. Acesta nu este obinut
prin aplicarea unei anumite tensiuni de polarizare, precum este cazul celorlalte clase, ci necesit o modificare a
circuitului de amplificare. Nu vom intra pentru moment n detaliile construirii unui astfel de amplificator, dar vom
discuta n schimb principiul su de funcionare.
Un amplificator clasa D reproduce profilul
formei de und a tensiunii de la intrare prin
generarea unui semnal de ieire dreptunghiular
cu o rat de pulsaie mar.
Cu ct amplitudinea instantanee a semnalului de
intrare este mai mare, cu att factorul de umplere
al formei de und dreptunghiulare este mai mare.
Singurul motiv pentru folosirea amplificatorului
de clas D, este evitarea funcionrii tranzistorului
n zona activ de funcionare; tranzistorul va fi tot timpul fie blocat fie saturat. Puterea disipat de tranzistor va fi
foarte mic n acest caz.
Dezavantaje
Dezavantajul metodei const n prezena armonicilor la ieire. Din fericire, din moment ce frecvena acestor
armonici este mult mai mare dect frecvena semnalului de intrare, acestea pot fi filtrate relativ uor cu ajutorul
unui filtru trece-jos, rezultnd un semnal de ieire mult mai asemntor cu semnalul de intrare original.
94
Aplicaii
Amplificatoarele de clas D sunt folosite de obicei n locurile unde este nevoie de puteri mari la frecvene relativ
joase, precum invertoarele industriale (dispozitive ce transform curentul continuu n curent alternativ) i
amplificatoarele audio de nalt performan.
Scop
Pn n acest moment, am folosit o surs de tensiune de curent continuu (baterie) conectat n serie cu semnalul de
intrare n curent alternativ pentru polarizarea tranzistorului, indiferent de clasa de funcionare din care fcea parte.
n realitate, conectarea unei baterii cu o tensiune precis la intrarea amplificatorului nu este o soluie deloc
practic. Chiar dac am putea gsi o baterie care s produc exact cantitatea de tensiune necesar pentru o anumit
polarizare, acea tensiune nu poate fi meninut pe toat durata de funcionare a bateriei. Cnd aceasta ncepe s se
descarce, tensiunea sa de ieire scade, iar amplificatorul se va ndrepta spre clasa de funcionare B.
Exemplu
Circuitul iniial
S considerm circuitul alturat.
Includerea unei baterii cu o tensiune de polarizare
(V polarizare ) ntr-un circuit de amplificare, nu este
practic n realitate.
95
96
97
Dac n circuit avem doar condensatorul i divizorul de tensiune format din R 2 --R 3 , acesta va furniza o tensiune de
polarizare de exact 2,3 V. Totui, dup ce conectm tranzistorul la acest circuit, lucrurile se schimb. Curentul
existent prin baza tranzistorului se va aduna la curentul deja existent prin divizor i va reduce tensiunea de
polarizare disponibil pentru tranzistor. Folosind modelul diod-surs-de-curent al tranzistorului, problema
polarizrii devine mai clar.
98
99
condensatorul va rspunde diferit la fiecare dintre armonicele sale constituente. Un exemplu extrem ar fi un semnal
dreptunghiular de frecvena joas.
Cuplaj direct
n situaiile n care problemele ridicate de
cuplajul capacitiv nu pot fi tolerate, se poate
folosi un cuplaj direct. Cuplajul direct
folosete rezistori n locul condensatoarelor.
Aceast configuraie nu este dependent de
frecvena, fiindc nu avem niciun condensator
pentru filtrarea semnalului de intrare.
Dac un cuplaj direct amplific att semnale de curent continuu ct i semnale de curent alternativ, de ce s folosim
cuplaje capacitive n primul rnd? Unul dintre motive ar fi evitarea tensiunii naturale de polarizare n curent
continuu prezent n semnalul de amplificat. Unele semnale de curent alternativ conin i o component de curent
continuu direct de la surs, ce nu poate fi controlat, iar aceast tensiune necontrolat nseamn c polarizarea
tranzistorului este imposibil.
Un alt motiv pentru utilizarea unui cuplaj capacitiv este lipsa atenurii semnalului de la intrare. n cazul cuplajului
direct printr-un rezistor, atenuarea semnalului de intrare, astfel c doar o parte din acesta mai ajunge la baza
tranzistorului, este un dezavantaj demn de luat n considerare. Unele aplicaii necesit atenuarea semnalului de
intrare ntr-o oarecare msur, pentru prevenirea intrrii tranzistorului n zona de saturaie sau de blocare, astfel c o
atenuare existent pe cuplajul de intrare este oricum folositoare. n alte situaii ns, nu este permis atenuarea
semnalului de intrare sub nicio form, pentru obinerea unei amplificrii n tensiunea ct mai bune; n acest caz, un
cuplaj direct nu este o soluie foarte bun.
Cuplaj de ieire
n circuitul din exemplu, sarcina este reprezentat de un difuzor. Majoritatea difuzoarelor sunt electromagnetice:
acestea folosesc fora generat de un electromagnet uor, suspendat ntr-un cmp magnetic permanent, pentru
deplasarea unui con de plastic sau hrtie, deplasare ce produce vibraii n aer, care mai apoi sunt interpretate de
sistemul auditiv ca fiind sunete.
Aplicnd o tensiune de o singur polaritate, conul se deplaseaz spre exterior; dac inversm polaritatea tensiunii,
conul se deplaseaz spre interior. Pentru a putea utiliza ntreaga libertate de micare a conului, difuzorul trebuie s
primeasc o tensiune de curent alternativ pur (s nu conin curent continuu). O component de curent continuu va
tinde s deplaseze permanent conul de la poziia sa natural din centru, iar deplasarea sa nainte-napoi va fi limitat
la aplicarea unei tensiuni de curent alternativ ca urmare a acestui fapt.
Dar n circuitul nostru de mai sus, tensiunea aplicat la bornele difuzorului este de o singur polaritate (tensiune
alternativ + component de curent continuu), deoarece difuzorul este conectat n serie cu tranzistorul, iar
tranzistorul nu poate conduce curent dect ntr-o singur direcie. Acest lucru nu este acceptabil pentru niciun
amplificator audio.
100
Transformator de cuplaj
Prin urmare, trebuie s izolm difuzorul
fa de componenta de curent continuu a
curentului de colector, astfel nct acesta
s primeasc doar tensiune de curent
alternativ. O modalitate de realizare a
acestui lucru, este cuplarea circuitului de
colector al tranzistorului la difuzor prin
intermediul unui transformator.
Tensiunea
indus
n
secundarul
transformatorului (legat la difuzor) se va datora strict variaiilor curentului de colector, datorita faptului c
inductana mutual a unui transformator funcioneaz doar la variaiile curentului prin nfurare. Cu alte
cuvinte, doar componenta de curent alternativ al curentul de colector va fi cuplat la secundar pentru alimentarea
difuzorului.
Aceast metod funcioneaz foarte bine, dar, transformatoarele sunt de obicei mari i grele, mai ales n aplicaiile
de putere mare. De asemenea, este dificil de proiectat nu transformator care s fie folosit ntr-o plaj larg de
frecvene, ceea ce este i cazul amplificatoarelor audio. Mai ru dect att, curentul continuu prin nfurarea
primar duce la magnetizarea miezului doar ntr-o singur polaritate, ceea ce nseamn ca transformatorul se va
satura mult mai uor ntr-una dintre polaritile semnalului de curent alternativ dect n cealalt.
Cuplaj capacitiv
O alt metod de izolare a
componentei de curent continuu din
semnalul de ieire, este utilizarea
unui condensator de cuplaj pe ieire,
ntr-o manier similar cuplajului
capacitiv de intrare:
Circuitul de mai sus seamn foarte
bine cu un amplificator n conexiune
emitor comun, avnd colectorul tranzistorului conectat la baterie printr-un rezistor. Condensatorul se comport
precum un filtru trece-sus; majoritatea semnalului de curent alternativ se va regsi pe difuzor, dar tensiunea de
curent continuu va fi blocat de ctre filtru. Din nou, valoarea acestui condensator de cuplaj este aleas astfel nct
impedana la frecvena semnalului s fie ct mai mic.
101
Cuplaj direct
Trebuie menionat c este posibil cuplarea direct a amplificatoarelor. n cazurile n care circuitul trebuie s
amplifice i semnale de c.c., aceasta este singura alternativ.
102
Reacia negativ tinde s stabilizeze amplificatorul, astfel nct variaia semnalului de ieire este mai mic
pentru o anumit variaie a semnalului de intrare
Definiii
Dac un anumit procent din semnalul de ieire al amplificatorului este conectat la intrarea acestuia, astfel nct
amplificatorul amplific o parte din propriul su semnal de ieire, rezultatul va fi un amplificator cu reacie.
Prin reacie pozitiv se nelege creterea amplitudinii semnalului de intrare
Prin reacie negativ se nelege o scdere a amplitudinii semnalului de intrare
103
104
Deriva termic
n circuitele emitor comun practice, reacia negativ nu este doar un lux, ci o necesitate pentru funcionarea stabil
a circuitului. ntr-o lume perfect, am putea construi i utiliza un amplificator emitor comun fr reacie negativ,
iar acest lucru ne-ar furniza o amplificare mare n tensiune. Din pcate ns, relaia dintre tensiunea baz-emitor
i curentul baz-emitor variaz cu temperatura, acest lucru fiind descris de ecuaia diodei. Pe msur ce
tranzistorul se nclzete, cderea de tensiune pe jonciunea baz-emitor necesar pentru aceeai valoare a
curentului va fi tot mai mic. Acest lucru nu este de dorit, ntruct divizorul de tensiune R 1 --R 2 este proiectat s
furnizeze curentul corect pentru funcionarea tranzistorului la punctul static de funcionare. Dac relaia
curent/tensiune a tranzistorului variaz cu temperatura, valoarea tensiunii de polarizare n c.c, necesar pentru
operarea tranzistorului n clasa dorit, se va modifica. Un tranzistor nclzit va conduce un curent i mai mare
pentru aceeai valoare a tensiunii de polarizare, ducnd la o nclzire i mai mare a acestuia i la un curent i
mai mare de polarizare. Efectul este cunoscut sub numele de deriv termic.
105
Condensatorul de decuplare
Faptul c trebuie s introducem o reacie negativ ntr-un amplificator emitor comun pentru evitarea derivei termice
nu este o soluie satisfctoare. Putem evita deriva termic fr a fi nevoii a suprima factorul de amplificare n
tensiune ridicat al acestui tip de amplificator?
Putem gsi o soluie dac analizm ndeaproape aceast problem: tensiunea amplificat care trebuie minimizat
pentru evitarea derivei termice, este cea de c.c., nu cea de c.a. Nu semnalul de intrare n c.a. este cel care duce la
apariia derivei termice, ci tensiunea de polarizare n c.c., tensiune necesar pentru o anumit clas de funcionare;
este acea tensiune de c.c. folosit pentru a pcli tranzistorul (un dispozitiv de c.c.) s amplifice i semnale de c.a.
106
Putem suprima amplificarea n c.c. fr ca acest lucru s afecteze amplificare n c.a., dac putem gsi o cale prin
care reacia negativ s funcioneze doar n c.c. Cu alte cuvinte, dac semnalul reintrodus de la ieire la intrare este
un semnal de c.c., nu de c.a.
Dac vrem ca reacia negativ s conin doar semnale de c.c., dar nu i semnale de c.a., avem nevoie de o
impedana mare pentru c.c. dar mic pentru c.a. Ce tip de circuit prezint o impedana mare la c.c. dar o impedan
mic la c.a.? Desigur, un filtru trece-sus.
Prin conectarea unui condensator n
paralel cu rezistorul de reacie,
putem crea exact situaia de care
avem nevoie: o cale dinspre emitor
spre mpmntare ce este mai uor
de parcurs pentru semnalele de c.a.
dect cele de c.c.
Noul
condensator
decupleaz
semnalele de c.a. dinspre emitor spre
mpmntare, astfel nct s nu
existe o cdere de tensiune apreciabil (impedan mic, cdere de tensiune mic) ntre emitor i mpmntare,
tensiunea care ar putea duce la suprimarea amplificrii n tensiune a circuitului.
Curentul continuu, pe de alt parte, nu poate trece prin condensatorul de decuplare (impedan mare n c.c.) i
trebuie s treac prin rezistorul de reacie; acest lucru duce la apariia unei cderi de tensiune ntre emitor i
mpmntare ce afecteaz amplificarea n tensiune a circuitului i stabilizeaz rspunsul amplificatorului n c.c.
prevenind astfel deriva termic. Deoarece vrem ca reactana (X C ) acestui condensator s fie ct mai mic posibil,
acesta ar trebui s fie ct mai mare. Deoarece polaritatea acestui condensator nu se va modifica niciodat, putem
folosi un condensator polarizat (electrolitic) n aceast situaie.
107
Reacia negativ de la etajul final nspre intrare se realizeaz prin intermediul unui singur rezistor, R reacie . Din
moment ce fiecare etaj este un amplificator emitor comun (inversor), numrul impar de etaje dinspre intrare spre
ieire va inversa semnalul de ieire, iar reacia va fi negativ. Se pot folosi valori relativ mari de reacie fr a
sacrifica amplificarea n tensiune, deoarece aceast amplificare este foarte mare de la bun nceput.
Avantaje
La o privire de ansamblu, poate prea c aceast filozofie nu este elegant i este chiar contra-productiv. Nu este
adugarea de etaje unul dup altul o metod cam grosolan de evitare a pierderilor de amplificare n tensiune,
datorit utilizrii reaciei negative? Ce rost are s crem o amplificare n tensiune foarte mare, folosind trei etaje de
amplificare, dac vom atenua oricum aceast amplificare prin intermediul reaciei negative? Rostul acestei
configuraii este creterea stabilitii i a predictabilitii circuitului, luat ca ntreg. Dac cele trei etaje de
amplificare sunt proiectate pentru furnizarea unei amplificri n tensiune foarte mari (zeci de mii, sau chiar mai
mult), fr reacie, vom descoperi c adugarea reaciei negative n circuit se traduce printr-o dependen mult mai
mic a amplificrii n tensiune fa de amplificrile fiecrui etaj n parte; amplificarea n tensiune va fi aproximativ
egal cu raportul R reacie /R intrare . Cu ct circuitul prezint o amplificare n tensiune mai mare (fr reacie), cu att
amplificarea n tensiune va fi mai apropiat de R reacie /R intrare odat ce este introdus i reacia n circuit. Cu alte
cuvinte, amplificarea n tensiune a acestui circuit depinde doar de valorile celor doi rezistori, i de nimic
altceva.
Acest lucru este un avantaj imens pentru producia de serie a circuitelor electronice: dac se pot construi
amplificatoare cu o amplificare previzibil folosind tranzistori cu factori beta diferii ntre ei, selecia i nlocuirea
componentelor este foarte uoar. nseamn de asemenea c amplificarea variaz foarte puin cu temperatura. Acest
principiu de stabilizare a amplificrii este dus la extrem n cazul amplificatoarelor operaionale.
108
05 - Amplificatorul operaional
Simbolul amplificatorului electronic este un triunghi, unde baza semnific intrarea iar vrful semnific
ieirea acestuia. Alimentarea amplificatorului este adesea omis pentru simplificarea desenului
Pentru amplificarea semnalelor de c.a. se poate folosi o surs de tensiune dual, constnd din dou surse de
c.c. conectate n serie cu punctul median conectat la mas
Majoritatea amplificatoarelor au o singur intrare i o singur ieire. Amplificatoarele difereniale au
dou intrri i o singur ieire, semnalul de ieire fiind direct proporional cu diferena dintre cele dou
semnale de intrare
Tensiunea
de
ieire
a
unui
amplificator
diferenial
este
dat
de
ecuaia:
V ieire = A V (V (+) - V (-) )
Simbolul amplificatorului
Pentru uurina expunerii teoretice (desenrii) a circuitelor electronice,
amplificatoarele sunt adesea simbolizate printr-un simplu triunghi , iar
componentele interne sunt ascunse. Aceast simplificare este foarte
folositoare pentru cazurile n care construcia amplificatorului este
irelevant pentru funcionarea general a circuitului.
Conexiunile +V i -V simbolizeaz borna pozitiv, respectiv negativ, a
sursei de alimentare n c.c. Tensiunile de intrare i de ieire sunt reprezentate doar ca i conductoare individuale,
deoarece se presupune c toate semnalele au ca i referin o conexiune comun din circuit, denumit mas.
Adesea (dar nu tot timpul!), acest punct de referin l reprezint una dintre bornele sursei de alimentare n c.c., fie
cea pozitiv, fie cea negativ.
109
Amplificatorul diferenial
Prin simbolizarea unui circuit complex printr-un singur triunghi, putem
studia mult mai uor amplificatoare i circuite mult mai complexe.
Unul dintre aceste amplificatoare mai complexe pe care le vom studia,
poart numele de amplificator diferenial. Fa de amplificatoarele
normale ce amplific un singur semnal de intrare (amplificatoare cu
potenial de referin), cele difereniale amplific diferena de
tensiune dintre dou semnale de intrare.
Ca i n circuitul precedent, toate tensiunile au ca i referin masa circuitului. Se poate observa c un terminal
de intrare este marcat cu minus (-) iar cellalt cu plus (+). ntruct un amplificator diferenial amplific diferena
dintre cele dou semnale de la intrare, fiecare intrare influeneaz tensiunea de la ieire n mod diferit (opus).
(-) Intrare 1 0 0 0 0 1 2,5 7 3 -3 -2
(-) Intrare 2 0 1 2,5 7 0 0 0 3 3 -7
Ieire
110
Ieireea a unui am
mplificator diferenial
d
Cu tooate aceste poolariti, este foarte uor s greim i
s nu
n ne dm seama caree va fi ieirea unui
ampliificator difeerenial. Penntru evitarea acestor
situaii, putem obsserva urmtoaarea regul.
Cndd polaritatea teensiunii difereeniale de la intrare
i
este
aceeaai cu polariitatea intrrilor (inversoaare i neinversoare) amplifficatorului, teensiunea de ieire
i
va fi
pozitiiv. Cnd poolaritatea tennsiunii diferenniale este
invers fa de ceaa a intrrilor, ieirea ampliificatorului
vaa fi negativ.
U
Utilizarea
p
practic
a amplificato
a
oarelor difeereniale
Dac tensiunile de intrare ale
D
a amplificatoorului diferennial reprezintt cantiti maatematice (cuum este cazul circuitelor
annalogice ale calculatoareelor), sau mrimi
m
fizicee de process (cum estee cazul circuitelor electtronice de
innstrumentaie)), putem vedeea utilitatea unui
u
astfel de dispozitiv. Am putea folossi amplificatooare operaionnale pentru
a compara douu cantiti i a vedea care este mai mare (prin interm
mediul polaritii tensiunii de ieire), sauu am putea
faace o comparaaie a diferen
nei dintre douu cantiti (pprecum niveluul apei din doou bazine) ii acionarea unei
u
alarme
luuminoase i/saau sonore dacc diferena esste prea maree (n funcie de valoarea abbsolut a semnnalului de ieiire).
nn circuitele dee control auto
omat, cantitattea controlat poart numeele de variabil de proces i este compparat cu o
vaaloare fix deenumit punctt de referin;; deciziile sisttemului autom
mat sunt luatee n funcie dee diferena dintre aceste
doou valori. Prrimul pas ntr-o astfel de scchem const n amplificarrea difereneii dintre variabbila de process i punctul
dee referin cuu ajutorul unu
ui amplificatoor diferenial. n circuitele simple, ieirrea amplificattorului poate fi utilizat
peentru acionaarea unui elem
ment final dee control (precum o valvv) i menineerea procesullui ct mai aproape
a
de
puunctul de refeerin.
111
Dac nu este specificat altcumva, toate tensiunile din circuitele folosind amplificatoare au ca i referina un
punct comun, denumit mas. Acest punct este de obicei conectat la unul dintre terminalele sursei de
alimentare. n acest fel, putem vorbi despre o anumit tensiune ca fiind pe un singur fir, dar neuitnd
faptul c tensiunea se msoar tot timpul ntre dou puncte
Un amplificator diferenial este un dispozitiv ce amplific diferena dintre dou semnale de intrare. Una
dintre intrri poart numele de intrare inversoare(-), iar cealalt de intrare ne-inversoare(+)
Un amplificator operaional (AO) este un amplificator diferenial cu o amplificare n tensiune foarte mare
(A V = 200.000, sau mai mult)
AO au de obicei impedane de intrare i de ieire foarte mari, respectiv foarte mici
AO pot fi folosite pe post de comparatoare, funcionnd saturate sau blocate n funcie de care dintre
intrri are o tensiune mai mare
Una dintre aplicaiile comparatorului este modularea n durat a pulsurilor (PWM), i const n
compararea unui semnal de c.a. cu o tensiune de referin de c.c. Factorul de umplere a formei de und de
la ieire poate fi controlat prin ajustarea tensiunii de c.c. de referin, ce controleaz, sau moduleaz durata
(limea) pulsului semnalului de ieire
Scurt istoric
Cu mult nainte de apariia tehnologiei digitale, calculatoarele erau construite electronic pentru efectuarea
calculelor, folosind cureni i tensiuni pentru reprezentarea cantitilor numerice. Acest lucru a fost folositor n
special pentru simularea proceselor fizice. O tensiune variabil, de exemplu, ar putea reprezenta viteza, sau fora,
ntr-un sistem fizic. Prin utilizarea divizorilor de tensiune rezistivi i a amplificatoarelor de tensiune, operaiile
matematice de nmulire i mprire putea s fie foarte uor efectuate pe aceste semnale.
Proprietile reactive ale condensatoarelor i bobinelor au fost utilizate pentru simularea variabilelor folosite n
funcii ce necesitau utilizarea analizei matematice. Curentul printr-un condensator depinde de rata de variaie a
tensiunii, variaie desemnat prin intermediul unei derivate. Prin urmare, dac tensiunea la bornele unui
condensator ar reprezenta viteza de deplasare a unui obiect, curentul prin acesta ar reprezenta fora necesar pentru
accelerarea sau decelerarea acelui obiect, capacitatea condensatorului reprezentnd n acest caz masa obiectului
respectiv.
unde,
i C = curentul instantaneu prin condensator
C = capacitatea condensatorului(F)
dv / dt = variaia curentului cu timpul
unde,
F = fora aplicat obiectului
112
m = masa obiectului
113
Unele circuite integrate conin dou AO ntr-un singur pachet, incluznd modelele
populare TL082 i 1458. Aceste uniti duale sunt mpachetate tot ntr-un integrat
DIP cu 8 pini.
Factorul de amplificare
AO practice au un factor de amplificare n tensiune n jurul a 200.000 sau chiar mai mult, ceea ce nseamn c sunt
inutile ca i amplificatoare difereniale n sine. Pentru un AO cu o amplificare n tensiune, A V = 200.000, i o
tensiune maxim de ieire ntre +15V i -15V, o diferen de tensiune de doar 75 V ntre cele dou intrri este
suficient pentru intrarea amplificatorului n saturaie sau blocare!
nainte de a examina utilizarea componentelor externe pentru reducerea amplificrii la un nivel rezonabil, putem
investiga mai nti aplicaiile AO pur.
Comparatorul
Una dintre aceste aplicaii o reprezint comparatorul. Practic,
putem spune c ieirea unui AO va fi saturat pozitiv dac
intrarea pozitiv (+) este mai pozitiv dect cea negativ (-), i
saturat negativ dac intrarea (+) este mai puin pozitiv dect
intrarea (-). Cu alte cuvinte, amplificarea foarte mare n
tensiune a unui AO, nseamn c acesta poate fi folosit pentru
a compara dou tensiuni (una reprezentnd o mrime de stare
i alta un punct de referina), i folosirea semnalului de la
ieire pentru semnalizarea cazului n care exist o diferen ntre cele dou semnale de intrare.
Comparatorul cu AO de mai sus, compar tensiunea de la intrare cu o tensiune de referin stabilit printr-un
poteniometru (R 1 ). Dac V intrare scade sub tensiunea stabilit de R 1 , ieirea AO se va satura la +V, iar LED-ul se va
aprinde. Invers, dac V intrare se afl sub valoarea tensiunii de referin, LED-ul va fi polarizat invers, cu -V, i nu se
va aprinde. Dac V intrare este un semnal de tensiune produs de un instrument de msur, acest circuit comparator ar
putea funciona precum o alarm de nivel, nivel stabilit de R 1 . n loc de LED, am putea conecta un releu, un
tranzistor sau orice alt dispozitiv capabil s pun n funciune un mecanism de aciune n cazul unei alarme.
114
Ajustarea poteniometrului
Ajustarea
poteniometrului
modific
tensiunea de referin aplicat la intrarea neinversoare (+), iar acest lucru modific
punctele de intersecie ale undei sinusoidale;
rezultatul este o form de und
dreptunghiular cu un factor de umplere
diferit.
Semnalul de c.a. de la intrare nu trebuie s
fie neaprat un semnal sinusoidal pentru ca
acest circuit s-i ndeplineasc funcia.
Semnalul de intrare ar putea la fel de bine s
fie triunghiular, dinte de fierstru, sau orice
alt semnal periodic cu semi-alternane pozitive i negative. Acest circuit comparator este foarte folositor pentru
formarea undelor dreptunghiulare cu factori de umplere diferii. Aceast tehnic mai este denumit i modularea n
durat a pulsurilor sau PWM, adic variaia, sau modularea unei forme de und n funcie de un semnal de
control, n acest caz, semnalul produs de poteniometru.
Bargraph-ul
115
Conectarea ieiri unui AO la intrarea sa inversoare (-) poart numele de reacie negativ
Cnd ieirea unui AO este conectat direct la intrarea inversoare (-), configuraia creat poart numele de
repetor de tensiune. Oricare ar fi semnalul de tensiune aplicat pe intrarea ne-inversoare (+), valoarea
semnalului de ieire va fi egal cu acesta
Un AO cu reacie negativ tinde s aduc tensiunea sa de ieire la nivelul necesar pentru ca diferena de
tensiune dintre cele dou intrri ale sale s fie practic zero. Cu ct amplificarea AO este mai mare, cu att
mai apropiat de zero va fi valoarea diferenei de tensiune
Unele AO nu pot produce la ieire o tensiune egal cu tensiunea de alimentare atunci cnd sunt saturate.
Limita superioar i inferioar a tensiunii de saturaie poart numele de tensiunea pozitiv de saturaie,
respectiv tensiunea negativ de saturaie
116
117
Un mare avantaj al utilizrii AO cu reacie negativ este c valoarea amplificrii n tensiune nu este important,
atta timp ct este foarte mare. Dac amplificarea diferenial ar fi fost 250.000 n loc de 200.000, atunci
tensiunea de ieire ar fi i mai apropiat de valoarea V intrare . n circuitul prezentat ns, tensiunea de ieire ar fi (din
punct de vedere practic) i n acest caz egal cu tensiunea de la intrarea ne-inversoare. Amplificrile AO, prin
urmare, nu trebuie s fie foarte precise din fabricaie pentru a putea fi folosite cu succes n circuitele electronice.
Circuitul de mai sus va urma pur i simplu semnalul la intrare, cu o amplificare stabil de 1.
Repetor de tensiune
Acest lucru este valabil pentru ntregul domeniu de tensiuni pe care AO l poate susine la ieire. Cu o surs de
putere de +15V/-15V, i un amplificator ideal ce poate amplifica tensiunea de la intrare ntre aceste limite maxime,
ieirea AO va urmri tot timpul intrarea sa ntre -15 V i + 15 V. Din acest motiv, circuitul de mai sus poart
numele de repetor de tensiune. Amplificarea n tensiune este 1 pentru aceast configuraie, impedana de intrare
mare, cea de ieire mic i un factor de amplificare n curent mare.
118
Prin conectarea reaciei negative a unui AO prin intermediul unui divizor de tensiune, tensiune de ieire
devine un multiplu al tensiunii de intrare
Un AO cu reacie negativ, a crui semnal de intrare este conectat la intrarea non-inversoare (+), poart
numele de amplificator ne-inversor. Polaritatea tensiunii de ieire va fi aceeai cu a tensiunii de intrare.
Amplificarea
n
tensiune
a
circuitului
este
dat
de
urmtoarea
formula:
A V = (R 2 / R 1 ) + 1
Analiza circuitului
O alt metod de analiz a acestui circuit const n calcularea amplitudinii i direciei curentului prin R 1 , cunoscnd
tensiunea pe fiecare parte (i prin urmare pe R 1 ), i rezistena rezistorului R 1 . Din moment ce partea stng a
rezistorului R 1 este conectat la mas (0 V), iar partea dreapt are un potenial de 6 V (datorit reaciei negative ce
menine tensiunea acelui punct egal cu V intrare ), putem vedea c avem 6 V la bornele lui R 1 . Acest lucru nseamn
un curent de 6 mA prin R 1 , de la stnga la dreapta. Deoarece tim c ambele intrri ale AO au impedane foarte
mari, putem afirma c, curentul prin acestea este zero, i nu se comport precum un divizor de curent n punctul de
conectare cu divizorul de tensiune. Cu alte cuvinte, putem considera c R 1 i R 2 sunt conectate n serie: toi
electronii ce trec prin R 1 ajung n R 2 . Cunoscnd curentul prin R 2 i rezistena lui R 2 , putem calcula cderea de
tensiune la bornele acestui rezistor (6 V) i polaritatea acestuia. Calculnd tensiunea total dintre punctul de mas
(0 V) la dreapta rezistorului R 2 , ajungem la o valoarea de 12 V.
Factorul de amplificare
Putem modifica factorul de amplificare n tensiune al acestui circuit, prin simpla modificare a valorilor celor doi
rezistori. Amplificarea poate fi calculat cu formula alturat.
Amplificator ne-inversor
Se poate observa c amplificarea unui astfel de amplificator nu poate s scad sub valoarea 1. Dac ar fi s coborm
valoarea lui R 2 la zero ohmi, circuitul rezultat ar fi identic cu repetorul de tensiune, unde ieirea este conectat
direct la intrarea inversoare. Aceast amplificare poate fi mrit mult peste 1, prin creterea valorii rezistorului R 2
faa de R 1 .
Polaritatea tensiunii de ieire este aceeai cu cea a tensiunii de intrare. O tensiune pozitiv de intrare nseamn o
tensiune pozitiv de ieire, i invers (fa de mas). Din acest motiv, acest circuit poart numele de amplificator neinversor.
Tensiunea de intrare este aplicat de aceast dat din stnga divizorului de tensiune R 1 --R 2 (= 1 k). Prin urmare,
tensiune de ieire trebuie s ia valoarea de -6 V pentru echilibrarea punctului de mijloc la potenialul masei (0 V).
Folosind metodele amplificatorului ne-inversor, putem analiza funcionarea circuitului prin determinarea
amplitudinilor i direciilor curenilor.
Factorul de amplificare
Din nou, putem modifica amplificarea n tensiune a circuitului prin modificarea valorilor rezistorilor R 1 i R 2 .
Amplificarea poate fi calculat cu formula alturat.
Amplificator inversor
De aceast dat, amplificarea n tensiune a circuitului poate fi sub 1, depinznd doar de raportul valorilor celor doi
rezistori. Polaritatea ieirii este tot timpul opus polaritii tensiunii de intrare. O tensiune de intrare pozitiv
nseamn o tensiune de ieire negativ, i invers (fa de mas). Din acest motiv, acest circuit este cunoscut sub
numele de amplificator inversor. Semnul - din formula de mai sus scoate n eviden aceast inversare a
polaritilor.
Observaie
Astfel de circuite studiate mai sus sunt folosite pentru efectuarea operaiilor matematice de nmulire i mprire n
circuitele analogice ale calculatoarelor.
n industrie, semnalele de curent n c.c. sunt adesea folosite n dauna semnalelor de tensiune n c.c., pentru
reprezentarea mrimilor fizice
Semnalele de tensiune se pot produce relativ uor direct de la dispozitivele traductoare, pe cnd semnalele
de curent nu.
AO pot fi folosite pentru realizarea conversiei unui semnal de tensiune ntr-un semnal de curent. n acest
mod de funcionare, AO vor genera la ieire o cdere de tensiune necesar pentru meninerea curentului
prin circuitul de semnal la o valoarea bine stabilit
121
(aparatul de msur) pn la sarcin (indicator, controler), pe cnd semnalele de tensiune n circuitele paralel pot
varia de la un capt la cellalt datorit pierderilor rezistive din lungul conductoarelor. Mai mult, instrumentele de
msur ale curentului posed n general o impedana mic de intrare, pe cnd instrumentele de msur ale tensiunii
au impedane mari de intrare; acest lucru nseamn c cele de curent au o imunitate crescut fa de zgomotul
electric.
Explicaie
Se presupune c tensiunea de intrare a acestui circuit este generat de un circuit traductor/amplificator, calibrat
pentru producerea valorii de 1 V pentru 0% din mrimea de msurat i 5 V pentru 100% din valoarea mrimii de
msurat. Semnalul de curent analog standard este ntre 4 mA (0%) i 20 mA (100%). Pentru o tensiune de intrare de
5 V, rezistorul (de precizie) de 250 va avea o cdere de tensiune de 5 V la bornele sale, rezultnd un curent de 20
mA prin bucla circuitului (incluznd rezistorul de sarcin, R sarcin ). Nu conteaz rezistena rezistorului R sarcin , sau
valoarea rezistenei adiionale prezent n circuit datorit conductorilor, atta timp ct AO are o surs de putere
suficient de mare pentru generarea celor 20 mA prin R sarcin . Rezistorul de 250 stabilete relaia dintre tensiunea
de intrare i curentul de ieire, ducnd n acest caz la echivalena 1-5 V intrare / 4-20 mA ieire.
Amplificator de transconductan
Acest circuit mai este cunoscut i sub numele de amplificator de transconductan. n electronic,
transconductana este raportul dintre variaia curentului i variaia tensiunii (I / V),i se msoar n
Siemens, aceeai unitate de msur pentru exprimarea conductanei, reciproca matematic a rezistenei. n acest
circuit, valoarea raportului de transconductan este fixat de ctre valoarea de 250
a rezistorului, asigurnd o
relaie liniar curent-ieire/tensiune-intrare.
122
Circuit de mediere
Dac lum trei rezistori egali i conectm
unul din capetele fiecruia dintre ei la un
punct comun i aplicm apoi trei tensiuni
de intrare, cte o tensiune pe fiecare din
capetele libere ale rezistorilor, tensiunea
vzut la punctul comun reprezint
media aritmetic a celor trei tensiuni de
intrare.
123
Cu un divizor de tensiune a crui raport este 2 k / 1 k, circuitul amplificator ne-inversor va avea o amplificare n
tensiune de 3. Avnd ca i intrare media celor trei tensiuni ((V 1 + V 2 + V 3 ) / 3), prin circuitul de mediere pasiv, i
nmulind aceast medie cu 3, ajungem la o tensiune de ieire egal cu suma celor trei tensiuni de intrare (V 1 + V 2
+ V 3 ).
124
Cea mai mic amplificare posibil cu ajutorul configuraiei de mai sus este 1, atunci cnd R amplificare este deschis
(rezistena infinit).
Avantaje
Dei modul de realizare al acestui AO pare greoi, avantajul const n impedanele de intrare extrem de mari pentru
V 1 i V 2 , iar amplificarea se poate ajusta prin variaia valorii unui singur rezistor.
126
Un circuit derivator produce o tensiune constant la ieire pentru o tensiune variabil la intrare
Un circuit integrator produce o tensiune variabil la ieire pentru o tensiune de intrare constant
Ambele tipuri de dispozitive se construiesc uor, folosind componente reactive (de obicei condensatoare i
nu bobine) n bucla de reacia a circuitului amplificatorului operaional
Scop i definiii
Prin introducerea reactanei n buclele de reacie ale amplificatoarelor operaionale, ieirea acestora va depinde de
variaia tensiunii de intrare cu timpul. Folosind nomenclatura analizei matematice, integratorul produce o tensiune
de ieire proporional cu produsul dintre tensiunea de intrare i timp; derivatorul produce o tensiune de ieire
proporional cu variaia tensiunii de intrare (dv / dt).
Circuit de derivare
Putem construi un circuit cu AO ce msoar variaia de tensiune
prin determinarea curentului printr-un condensator; tensiunea de
ieire va fi proporional cu valoarea acelui curent.
Partea dreapt a condensatorului este meninut constant la o
tensiune de 0 V, datorit efectului masei virtuale. Prin urmare,
curentul prin condensator se datoreaz doar variaiei tensiunii
de intrare. O tensiune constant nu va duce la apariia unui
curent prin condensator, ci doar o tensiune de intrare variabil.
Curentul condensatorului va trece i prin rezistorul de reacie, producnd o cdere de tensiune la bornele sale,
tensiune ce este egal cu tensiunea de ieire. O variaie liniar i pozitiv a tensiunii de intrare va rezulta ntr-o
tensiune negativ la ieirea AO, i invers. Aceast inversare a polaritii se datoreaz faptului c semnalul de intrare
este trimis la intrarea inversoare a AO, iar acesta se comport precum un amplificator inversor. Cu ct variaia
tensiunii de la intrare este mai mare (negativ sau pozitiv), cu att tensiunea de la ieire va fi mai mare.
127
ce ar putea activa o alarm sau ar putea controla rata de variaie, dac aceasta depete o anumit valoare
prestabilit.
Circuit de integrare
n acest caz, AO va genera la ieire o tensiune proporional cu
amplitudinea i durata de timp n care semnalul a deviat de la
valoarea de 0 V. Altfel spus, un semnal de intrare constat va
genera o anumit variaie a tensiunii de ieire: inversul
derivatorului. Pentru a realiza acest lucru, trebuie doar s inversm
locul rezistorului cu cel al condensatorului din circuitul precedent.
Ca i n cazul precedent, AO asigur faptul c intrarea inversoare
va fi meninut la o tensiune de 0 V (masa virtual). Dac
tensiunea de intrare este exact 0 V, nu va exista curent prin rezistor, condensatorul nu se va ncrca, i prin urmare,
tensiunea de ieire nu se va modifica. Nu putem garanta valoarea tensiunii de la ieire fa de mas n aceast
situaie, dar putem afirma c aceasta va fi constant.
Totui, dac aplicm o tensiune constant i pozitiv la intrare, tensiunea de ieire va scdea spre negativ, ntr-un
mod liniar, n ncercarea de a produce o variaia de tensiune pe condensator necesar meninerii curentului stabilit
datorit diferenei de tensiune la bornele rezistorului. Invers, o tensiune constant i negativ va duce la apariia
unei variaii de tensiune liniar i pozitiv la ieire. Rata de variaie a tensiunii de ieire este proporional cu
valoarea tensiunii de intrare.
Formula de determinare a tensiunii de ieire a integratorului este urmtoarea:
unde,
c = tensiunea de ieire iniial (t = 0)
128
Reacia pozitiv creaz o condiie de histerez: tendina de agare ntr-una dintre cele dou situaii
extreme, saturaie pozitiv sau saturaie negativ
Definiie
Spre deosebire de reacia negativ, ce conecteaz ieirea amplificatorului la
intrarea sa inversoare (-), reacia pozitiv introduce semnalul de ieire al
AO la intrarea sa ne-inversoare (+), asfel.
Circuitul bistabil
Intrarea inversoare nu este conectat la bucla de reacie, prin urmare, se poate aplica o tensiune extern pe aceasta.
S vedem pentru nceput efectele conectrii intrrii inversoare la mas (0 V).
n acest caz, tensiunea de ieire va depinde de amplitudinea i de polaritatea
tensiunii intrrii ne-inversoare. Dac aceast tensiune este pozitiv, ieirea AO
va fi i ea pozitiv, ducnd la saturaia pozitiv a amplificatorului ca urmare a
reaciei pozitive pe intrarea ne-inversoare. Pe de alt parte, dac tensiunea
intrrii ne-invesoare pornete de la o valoare negativ, AO se va satura
negativ.
Ceea ce avem n cazul de fa poart numele de circuit bistabil, i anume stabil ntr-una dintre cele dou stri
(saturat pozitiv sau saturat negativ). Dup atingerea uneia dintre aceste stri, circuitul tinde s rmn n acea stare,
nemodificat. Pentru aducerea circuitului dintr-o stare n cealalt, este necesar aplicarea unei tensiuni de aceeai
polaritate pe intrarea inversoare (-), dar de o amplitudine mai mare. De exemplu, dac circuitul este saturat pozitiv
la +12 V, va fi necesar o tensiune pe intrarea inversoare de cel puin +12 V pentru ca AO s intre n saturaie
negativ.
Prin urmare, un AO cu reacie pozitiv tinde s rmn n starea n care se afl deja. Tehnic, acest lucru este
cunoscut sub numele de histerezis.
Comparatorul cu histerez
Dup cum am mai vzut, comparatoarele pot fi utilizate pentru producerea unei unde dreptunghiulare folosind orice
tip de und periodic (sinusoidal, triunghiular, dinte de fierstru, etc.) pe intrare.
Comparatorul cu AO simplu
129
Introd
ducerea histerezei prin
n reacia pozzitiv
Dac adugm
a
o mic reaciie pozitiv circuitului
comparator, vom inttroduce histerrez n circuiit. Aceast
histerezz va determinna rmnereaa circuitului n starea sa
actual, modificnduu-i starea doar
d
dac am
mplitudinea
tensiuniii de intrare nn c.a. sufer o modificareaa major.
Acest reezistor de reaacie creaz o referin duual pentru
circuituul comparatorr. Tensiunea aplicat la inntrarea neinversoaare (+) ca i referin
r
penttru comparaiia tensiunii
dee c.a, depindee de valoarea tensiunii de ieire
i
a AO. Cnd
C
ieirea AO
A este saturrat pozitiv, teensiunea de referina
r
pe
inntrarea ne-invversoare va fii mai pozitiv dect naintte. Invers, cnnd ieirea AO
O este saturatt negativ, tennsiunea de
reeferin a intrrii ne-inversoare va fi maai negativ dect nainte.
130
131