Comutarea

tranzistorului bipolar

Blaga Mihai-Emilian
Simion Ioana-Andreea
Grama Cristian

I.

Teoria lucrrii

1. Regimurile de funcionare ale tranzistorului

Regimul de comutare al unui tranzistor const n trecerea lui din starea de
blocare n starea de conducie i invers.
n starea de blocare
- Ambele jonciuni sunt polarizate invers
- Prin tranzistor circul Ib i Ic (n conexiunea EC) neglijabili
- Tensiunile de la bornele tranzistoarelor blocate sunt determinate doar
de elementele circuitului exterior
n starea de conducie
- Jonciunea baz-emitor este polarizat direc i cea baz-colector este
polarizat invers n RAN i direct n SAT
Avanaje ale funcionrii tranzistorului n saturaie
- Realizarea unui coeficient bun de utilizare a tensiunii de alimentare
- Putere disipat pe tranzistor
- Stabilitate a tensiunii de ieire
Dezavantaje ale funcionrii tranzistorului n saturaie
- Timpul de comutare invers mai mare datorit sarcinilor stocate
suplimentar n baz
2. Tipuri de comutri
a) Comutarea direct
Caracterizat de timpul de ntrziere i timpul de cretere.

RAN:

cr =2.3 n

SAT:

cr = n l n

1
0.9 Ibs
1
Ib1

b) Comutarea invers
Caracterisat de timpul de stocare i timpul de cdere
1

Ib 1+ Ib 2
RAN: t s= s ln Ibs+ib2

Ibs
SAT: t c = n ln 1+ Ib 2

c) Comutarea accelerat

Montaj laborator

II.

Desfurarea lucrrii

1.
a) Date experimentale
+
t

- cretere
100 ns

- scdere
1,5 s

b) Simulri
3

Timpul de cretere

Timpul de cdere

+
t

P
5 k

- cretere
70 ns

- scdere

1.76 s

2.
a) Date experimentale
I CSat

I BS

29 mA

Nu se poate msura 0

b) Simulri

I CSat

I BS

37 mA

3.
a) Date teoretice, experimentale i rezultate din simulri
V BB

Vg

t cr

ns
ns
ns

ts

tc

Metoda

Calculat
Msurat
Simulat

79
75
85.22

80
70
84.5

58
50
55.4

54
60
54.7

4.7
40
46.28

42
35
40.57

ns
Calculat
ns
Msurat
ns
Simulat
ns
Calculat
ns
Msurat
ns
Simulat
b) Simulri

5
7.5
4.2
35
50
34.65

10
20
8.72
21
25
18.5

3.5
5
2.65
64
50
58.37

5.2
5
4.66
28
30
26.14

2.7
2.5
2.11
72
80
73.85

4.8
5
4.59
31
50
28.67

V BB=0 V

V g =3 V

V BB=0 V

V g =5V

10

11

V BB=3 V

V g =3 V

12

13

V BB=3

V g =5V

14

15

V BB=6 V

V g =3 V

16

17

V BB=6

V g =5V

18

19

Observaii
Pentru determinarea teoretic a timpilor de cretere, de stocare i de cdere
am folosit urmtoarele formule:
t cr= n l n

t s= s ln

1
0.9 Ibs
1
Ib 1

Ib 1+Ib 2
Ibs +ib2

t c = n ln 1+

4.
RAN

20

Ibs
Ib 2

21

SAT

22

23

24

5.

25

26

27

6.

28

29

7.

Se constat c dac se mrete valoarea rezistenei din poteniometru timpul

de cretere scade, iar dac se micorez valoare rezistenei din poten iometru
timpul de cretere se mrete. Acelai lucru se observ i n cazul timpului de
cdere.
8.
ntruct placa din laborator nu a corespuns cu schema din ntrumar, aceast
aplicaie nu a putut fi experimentat n cadrul laboratorului.
Figura 2.5.a)

30

31

Figura 2.5.b)

32

33