2.

TRANZISTOARE BIPOLARE
2.1. Generaliti
Tranzistorul bipolar sau tranzistorul bipolar cu jonciuni (acronimul TB sau TBJ) este unul
dintre cele mai utilizate dispozitive semiconductoare n electronic. Numele de tranzistor pune n
eviden funcia de amplificare a semnalelor, realizat de dispozitiv, echivalent cu un transfer de
rezisten (transfer resistor). Denumirea bipolar provine din nsi funcionarea dispozitivului, bazat
pe deplasarea simultan a dou tipuri de purttori mobili de sarcin: electroni i goluri. Tranzistorul
bipolar poate juca rolul de surs comandat de curent sau de comutator.
E

N++ P+

emitor

baza

C E

P+

emitor

colector

baza

colector

B
C

a.

b.

Fig. 2.1.1. Structurile schematizate i simbolurile grafice pentru cele dou tipuri de TB:
a. TB de tip NPN; b. TB de tip PNP
Tranzistorul bipolar este constituit din trei straturi semiconductoare cu dopare alternant (NPN
sau PNP), care determin dou jonciuni PN. Prin urmare, dou configuraii sunt posibile: tranzistoare
bipolare NPN i tranzistoare bipolare PNP. Concentraia de impuriti difer n cele trei regiuni. Cele
dou straturi extreme de acelai tip sunt emitorul (E) - puternic dopat - i colectorul (C) - cu o dopare
mai slab cu impuriti, dar cu o lrgime mai mare. Stratul median, numit baz (B), este foarte ngust i
mai puin dopat dect emitorul. Electrozii metalici externi (terminalele TB) poart numele regiunilor
tranzistorului: emitor, baz i colector. Structurile schematizate i simbolurile grafice ale celor dou
tipuri de tranzistoare bipolare sunt date n fig. 2.1.1. n simbolul grafic al tranzistorului bipolar, sgeata
din emitor desemneaz jonciunea de comand a tranzistorului i este orientat n sensul curentului
direct al acesteia. Structura tranzistorului bipolar conine jonciunea baz-emitor, notat jBE i
denumit jonciune de comand, i jonciunea baz-colector, notat jBC .

Fig. 2.1.2. Sensurile normale ale curenilor TB.

Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un nod de circuit. Sensurile normale ale curenilor (fig.
2.1.2) corespund regimului activ normal de funcionare al TB i conduc la ecuaia
(2.1.1)
iE = iC + iB .
De asemenea, considernd ochiul de circuit care conine electrozii tranzistorului, se obine
(2.1.2)
u CE + u EB + u BC = 0 .
Ecuaiile (2.1.1) i (2.1.2) sunt valabile pentru ambele tipuri de tranzistoare bipolare.
a) Efectul de tranzistor
Utilizarea tranzistoarelor bipolare n aplicaii de tipul amplificatoarelor de semnal se bazeaz pe
efectul de tranzistor. Pentru ca apariia acestui efect s fie posibil, structura tranzistorului bipolar
trebuie s ndeplineasc urmtoarele dou condiii tehnologice:
- grosimea constructiv a bazei s fie foarte mic ;
- regiunea emitorului s fie mult mai dopat cu impuriti dect regiunea bazei.
Efectul de tranzistor apare ntr-un TB cu jonciunile polarizate n moduri diferite (una direct, iar
cealalt invers) i const n comanda unui curent invers important prin jonciunea polarizat invers,
prin intermediul curentului direct al celeilalte jonciuni.
Din cauza asimetriei tranzistorului n raport cu regiunea bazei, efectul de tranzistor este mult mai
pronunat n regim activ normal (jBE polarizat direct, iar jBC polarizat invers). n aceste condiii,
innd seama c UBC<0 i U BC U T , se obine
I C = N I E + I CB0 .
(2.1.3)
Coeficientul N (sau F ) reprezint factorul static de amplificare n curent, ntre emitorul i
colectorul tranzistorului bipolar n regim activ normal.
Dac se exprim curentul de colector n funcie de cel de baz, n regim activ normal, se obine
(2.1.4)
I C = N I B + (1 + N ) I CB0 = N I B + I CE 0 N I B .
Coeficientul N (sau F ), este numit factor static de amplificare n curent, ntre baza i colectorul
tranzistorului bipolar n regim activ normal. Cei doi parametri statici, care descriu comportarea TB n
regim activ normal, au valori mult diferite: N este subunitar, n timp ce N este mult mai mare dect
unitatea ( 10 100 ). Din aceast cauz I CE 0 >> I CB0 , dar ambii cureni pot fi neglijai.

b) Regimuri de funcionare. Modele de c.c.

n funcie de modul de combinare al polarizrilor jonciunilor baz-emitor i baz-colector ale
unui tranzistor bipolar, pot fi stabilite patru regimuri de funcionare, dup cum urmeaz:
- regimul activ normal (RAN), atunci cnd jBE este polarizat direct i jBC este polarizat invers;
- regimul activ invers (RAI), atunci cnd jBE este polarizat invers i jBC este polarizat direct;
- regimul de saturaie (RS), atunci cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct;
- regimul de blocare (RB), atunci cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate invers.
n tabelul 2.1.1, se prezint schematic aceste regimuri de funcionare, mpreun cu polaritile
tensiunilor U BE i U BC , pentru ambele tipuri de tranzistoare bipolare: NPN i PNP.
Considernd regimul activ normal al unui TB de tip NPN, pentru U CB U T se obine ecuaia
(2.1.3), n care ICB0 este curentul rezidual de colector al TB cu emitorul n gol i poate fi neglijat n
raport cu IC. Modelul (simplificat) de c.c. al TB funcionnd n RAN, este cel din fig. 2.1.3.a.
Dac se ine seama de valorile foarte mici ale curenilor reziduali, modelul simplificat al unui
tranzistor bipolar blocat se rezum la un ntreruptor deschis, ca n fig. 2.1.3.b. Frontiera dintre
regimurile activ normal i de blocare ale unui tranzistor bipolar este descris de ecuaia U BE = 0 .

Tabelul 2.1.1. Regimurile de funcionare ale unui TB

Regimul de
funcionare

Tipul TB

Regimul activ
normal
(RAN)

Polarizarea
jonciunii baz-emitor

jonciunii baz-colector

Direct

Invers

U BE 0

U BC 0

U EB 0

U CB 0

Invers

Direct

U BE 0
U EB 0

U BC 0
U CB 0

NPN
PNP

Regimul activ invers

(RAI)
Regimul de saturaie
(RS)
Regimul de blocare
(RB)

NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP

Direct

Direct

U BE 0
U EB 0

U BC 0
U CB 0

Invers

Invers

U BE 0
U EB 0

U BC 0
U CB 0

a.
b.
Fig. 2.1.3. Modelul simplificat de c.c. pentru un TB de tip NPN:
a. n RAN ; b. n RB.
IE(sat)

IC(sat)

UBE(sat)

IB(sat)
a.

UCE(sat) I
C(sat)

IE(sat)

IB(sat)
b.

Fig. 2.1.4. Modele simplificate de c.c., cu circuit echivalent, pentru un TB tip NPN, n RS:
a. modelul cu ntreruptor nchis; b. modelul cu surse de tensiune.
n regim de saturaie, TB are ambele jonciuni polarizate direct. Reprezentarea simplificat a
unui tranzistor bipolar saturat este aceea de ntreruptor nchis (fig. 2.1.4.a). Pentru tranzistoare de
mic putere, valorile uzuale ale U BE(sat ) sunt de 0,7V 0,8V , n timp ce U CE (sat ) are valori de

0,05V 0,3V . Un model frecvent utilizat pentru reprezentarea unui tranzistor bipolar saturat este acela
din fig. 2.1.4.b, n care sunt evideniate cele dou tensiuni: U BE(sat ) i U CE (sat ) .
3

2.2. Conexiuni. Caracteristici statice

a) Conexiunile tranzistorului bipolar
Unui TB i se poate asocia un cuadripol, prin apartenena unui electrod att la circuitul de
intrare, ct i la acela de ieire al cuadripolului. ntruct oricare dintre cei trei electrozi ai tranzistorului
poate s fie borna comun a circuitelor de intrare i de ieire ale cuadripolului, rezult trei moduri de
conectare ale dispozitivului, denumite conexiuni, i anume: conexiunea baz comun (BC) fig.
2.2.1.a, conexiunea emitor comun (EC) fig. 2.2.1.b i conexiunea colector comun (CC) fig. 2.2.1.c.
Pentru fiecare conexiune, electrodul din circuitul de intrare (CI) al cuadripolului i electrodul din
circuitul de ieire (CO) sunt cei precizai n fig. 2.2.1.
IC
E

UEB

IC C

IE

CI

CO

a.

UCB UBE
B

IE

IB

B
CI

CO

UCE UBC
E

b.

IB

CI

CO

UEC
C

c.

Fig. 2.2.1. Conexiunile TB: a. conexiunea baz comun (BC); b. conexiunea emitor comun (EC);
c. conexiunea colector comun (CC)
b) Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice exprim grafic dependena dintre curenii unui TB i tensiunile aplicate
la bornele acestuia, n regim static, la o temperatur precizat. Cuadripolul echivalent al tranzistorului
bipolar n regim static permite definirea a trei familii de caracteristici statice: de intrare, de ieire i de
transfer. Fiecare familie se reprezint n cadranul I i exprim grafic dependena dintre trei mrimi
(cureni sau tensiuni): una reprezentat pe ordonat, o alta reprezentat pe abscis, iar a treia mrime
este parametrul familiei. Frecvent, n foile de catalog, sunt date familiile de caracteristici statice ale
tranzistorului bipolar, pentru conexiunea EC.
Ca exemple, vor fi prezentate sumar cele trei familii de caracteristici statice ale unui TB de tip

NPN, de mic putere ( Pmax = 300mW ), la temperatur constant ( Ta = 25 o C ) i pentru conexiunea

EC. Mrimile de intrare ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC sunt curentul de baz i tensiunea
baz-emitor, iar cele de ieire sunt curentul de colector i tensiunea colector-emitor.
Familia caracteristicilor statice de intrare exprim grafic dependena dintre cele dou mrimi
de intrare ale TB n conexiune EC ( I B i U BE ), avnd ca parametru o mrime de ieire ( U CE ):
I B = f (U BE ) U

CE = ct ; Ta = ct

(2.2.1)

Caracteristicile statice de intrare (fig. 2.2.2.a) sunt foarte apropiate unele de altele, ceea ce arat o slab
influen a tensiunii colector-emitor asupra curentului de baz.
Familia caracteristicilor statice de transfer exprim grafic dependena dintre curentul de ieire
i tensiunea de intrare ale TB n conexiune EC, considernd ca parametru al familiei tensiunea U CE :
I C = f (U BE ) U

CE =ct ;Ta =ct

(2.2.2)

Valorile mrimilor electrice din (2.2.2) corespund regimului activ normal al TB. Reprezentarea grafic
a acestei familii de caracteristici este dat n fig. 2.2.2.b.

Familia caracteristicilor statice de ieire exprim grafic dependena dintre mrimile de ieire
ale TB n conexiune EC ( I C i U CE ), avnd ca parametru o mrime de intrare ( I B sau U BE ):

(2.2.3)
I C = f (U CE ) I = ct; T = ct .
B
a
n planul familiei caracteristicilor statice de ieire, avnd ca parametru curentul de baz (fig.
2.2.3), pot fi separate trei regiuni, care se numesc ca i regimurile de funcionare crora le corespund:
regiunea activ normal (RAN), regiunea de saturaie (RS) i regiunea de blocare (RB).
n majoritatea aplicaiilor de amplificare a semnalelor, punctul de funcionare al tranzistorului
bipolar nu prsete regiunea activ normal, situaie n care, puterea disipat pe cele dou jonciuni,
PD = I E U BE + I C U CB I C U CE ,
(2.2.4)
poate atinge valori mari.
IC[m A]
8

U CE=15 V

UCE=10 V

UCE=5 V

Ta=25O C

a.

0,5

1 UBE[V]

b.

Fig. 2.2.2. a. Familia caracteristicilor statice de intrare. b. Familia caracteristicilor statice de

transfer.

Fig. 2.2.3. Familia caracteristicilor statice de ieire

c) Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar

Efectul variaiei temperaturii asupra caracteristicilor statice se manifest prin creterea
curenilor dispozitivului, odat cu creterea temperaturii, ca n fig. 2.2.4, n care s-a presupus c
parametrul familiei este meninut constant i se modific numai temperatura.
IC
IC

T
UCE= ct
T > T0

T0

T0
T > T0

IC

UBE

a.

IB2

T
T0

IB1

T
T0

IB= 0
b.

UCE

Fig. 2.2.4. TB n conexiunea EC, n RAN. Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice:
a. de transfer; b. de ieire

Toi parametrii statici ai unui TB sunt funcii de temperatur. Curenii reziduali ai tranzistorului
bipolar cresc odat cu creterea temperaturii, ca i la dioda redresoare. n cazul particular al
funcionrii tranzistorului n regim activ normal, la un curent constant de colector ( IC ), tensiunea bazemitor scade liniar la creterea temperaturii, dup relaia
(2.2.5)
U BE (T ) I = U BE (T0 ) I + b T ,
C

n care b 2mV / C . n cazul factorilor statici de amplificare n curent, N i N , se constat

creterea valorii parametrului, la creterea temperaturii.
Modelele matematice ale TB n regim activ normal evideniaz dependena curentului de
colector de trei parametri statici,
(2.2.6)
I C = f (I CB0 , U BE , N ) .
Curentul de colector are un coeficient pozitiv de temperatur, iar variaia curentului de colector poate fi
exprimat n funcie de variaiile parametrilor statici.
d) Solicitri maxime n curent i n tensiune
Pentru evitarea deteriorrii tranzistorului bipolar prin nclzire excesiv i pentru asigurarea
unei funcionri a acestui dispozitiv la parametrii garantai de productor, se impune s nu se
depeasc valorile limit absolut (VLA) precizate n catalog, oricare ar fi regimul de lucru al
dispozitivului. Pentru tranzistoarele bipolare de uz general i de mic putere, productorul specific
principalele valori limit absolut termice i electrice. Dintre valorile limit absolut de natur termic,

specificate la Ta = 25 o C , cele mai importante sunt : puterea disipat maxim admisibil Pmax (sau
Ptot ), temperatura maxim a jonciunilor ( T j max ), valorile maxime ale rezistenelor termice jonciunemediu ambiant R thja i jonciune-capsul R thjc . Pentru starea de conducie a tranzistorului bipolar,
sunt stabilite valorile limit ale curenilor de colector ( I C max ) i de baz ( I B max ). Tensiunea la care
se produce creterea rapid a unui curent rezidual reprezint tensiunea de strpungere a jonciunii sau
a structurii. Din aceast categorie de tensiuni, productorul specific U EB0 , U CB0 , U CE 0 .

IC

IC max

Ta= 25oC

Aria

IB = ct

de functionare
in siguranta (AFS)

Pmax

UCE0

UCE

Fig. 2.2.5. Aria de funcionare n siguran n c.c. Fig. 2.3.1. Circuit de polarizare
cu rezisten n emitor

innd seama de toate limitrile care sunt impuse unui tranzistor bipolar n funcionare, n
planul caracteristicilor statice de ieire, se stabilete o zon de funcionare sigur a dispozitivului (fig.
2.2.5), numit arie de funcionare n siguran ; aceasta este delimitat de hiperbola de disipaie
maxim ( Pmax ), U CE 0 i I C max .
2.3. Circuite de polarizare
Circuitul de polarizare este un circuit electric de c.c., care permite fixarea punctului static de
funcionare (p.s.f.) al tranzistorului bipolar n regiunea activ normal a caracteristicilor statice i care
asigur meninerea poziiei (stabilizarea) punctului respectiv. Aceast problem este important n
practic, deoarece caracteristicile statice, ca i parametrii statici ai tranzistorului, au o mare dispersie de
fabricaie i, n plus, depind puternic de temperatur. Pentru toate circuitele cu tranzistoare bipolare,
p.s.f. al dispozitivului trebuie s se gseasc n interiorul ariei de funcionare n siguran (AFS).
Stabilizarea p.s.f. n raport cu condiiile de funcionare este asigurat n:

circuitele liniare de polarizare, prin utilizarea unei reacii negative n c.c., dup curentul de ieire
al tranzistorului sau dup tensiunea de ieire a acestuia;

circuitele neliniare de polarizare, prin alimentarea tranzistorului la curent constant.
n vederea comparrii diferitelor circuite de polarizare, din punctul de vedere al stabilizrii p.s.f., se
studiaz sensibilitatea mrimilor electrice IC i UCE, care caracterizeaz p.s.f., la variaiile principalilor
parametri statici ai TB i ale altor elemente de circuit (tensiuni continue de alimentare, rezistene).
Un circuit liniar de polarizare, frecvent ntlnit n aplicaii, este circuitul de polarizare cu
rezisten n emitor (fig. 2.3.1). O singur surs de tensiune continu stabilizat (+VCC) asigur
polarizarea corect a ambelor jonciuni ale tranzistorului (tensiunile UBEQ > 0 i UCBQ > 0 i de valori
impuse). Acest circuit permite meninerea p.s.f. ntr-o vecintate mic a poziiei iniiale. n circuitul de
polarizare din fig. 2.3.1, constituit din rezistorii RB, RC, RE i sursa de tensiune continu VCC, mrimile
electrice (IBQ, ICQ, IEQ, UBEQ, UCEQ, UCBQ) ce caracterizeaz p.s.f. Q al tranzistorului bipolar, fixat n
regiunea activ normal a caracteristicilor statice de ieire, satisfac ecuaiile:
VCC = R B I B + U BE + R E I E ,
(2.3.1)

VCC = R C I C + U CE + R E I E ,
R B I B = R C I C + U CB ,

(2.3.2)
(2.3.3)

I C = N I B + ( N + 1) I CB0 .
(2.3.4)
Considernd N >> 1 i REN >>RB, se obine expresia simplificat a curentului de colector de forma
V U BE + (R B + R E ) I CB0
I C CC
.
(2.3.5)
RE
n aceste condiii, curentul de colector devine independent de parametrul static N.
Rezistorul RE asigur o reacie negativ serie de curent, prin intermediul creia se stabilizeaz
p.s.f. al tranzistorului. Astfel, orice tendin de modificare a curentului de colector este imediat sesizat
la intrarea circuitului i determin modificarea n sens opus a curentului de baz i a tensiunii bazemitor; aceste dou mrimi comand revenirea curentului de colector la valoarea iniial.
2.4. Modele de semnal mic

n cele mai multe circuite de procesare a semnalelor analogice, tranzistoarele bipolare

funcioneaz n regim de variaii mici, n jurul unui punct Q de repaus, din regiunea activ normal.
Poate fi stabilit un model liniar al tranzistorului bipolar, valabil pentru variaii mici i lente ale
diferitelor mrimi electrice, n jurul valorilor de regim static.
Regimul variabil de semnal mic este regimul variabil al tranzistorului bipolar, n care este
ndeplinit condiia de semnal mic :
u be U T i u bc U T .
(2.4.1)
n inegalitile de mai sus, apar variaiile tensiunilor UBE i UBC ale tranzistorului. Condiia de semnal
mic este aceeai indiferent de conexiunea dispozitivului.
a) Modelul cu parametri hibrizi
Pentru descrierea comportrii tranzistorului bipolar la variaii mici, de frecvene joase, este
preferat modelul cu parametri hibrizi. La frecvene joase, toi parametrii hibrizi au valori independente
de frecven. Modelul cu parametri hibrizi este reprezentat n fig. 2.4.1.b i corespunde reprezentrii
dispozitivului ca un cuadripol (fig. 2.4.1.a).
1

1
u1
1'

i2

i1
TB

u1

u2

i1

i2
h11

h21i1

h22

2
u2

h12u2

2'

a.
b.
Fig. 2.4.1. a. Cuadripolul asociat TB n regim variabil de semnal mic i frecvene joase.
b. Modelul general cu circuit echivalent, cu parametri hibrizi
Relaiile care definesc acest model sunt urmtoarele :
u1 = h 11 i1 + h12 u 2 ,
(2.4.2)
(2.4.3)
i 2 = h 21 i1 + h 22 u 2 .
Curentul de intrare i tensiunea de ieire sunt variabilele independente, iar tensiunea de intrare i
curentul de ieire sunt variabilele dependente.
Mrimile h ij cu i, j = 1,2 reprezint parametrii dinamici de semnal mic ai tranzistorului bipolar,
numii parametri hibrizi, ntruct au semnificaii diferite (rezisten, conductan, adimensionali).
Valorile parametrilor hibrizi sunt diferite de la o conexiune la alta a TB, pentru acelai p.s.f. i la
aceeai temperatur. Pentru a distinge cele trei seturi de valori ale parametrilor hibrizi, ce

caracterizeaz acelai TB, n aceleai condiii de msurare, se ataeaz acestora un indice suplimentar:
h ije pentru conexiunea EC, h ijb conexiunea BC, h ijc pentru conexiunea CC. Parametrii hibrizi ai
tranzistorului bipolar, pentru o anumit conexiune, depind de datele tehnologice ale tranzistorului, de
p.s.f. ales i de temperatur. De exemplu, pentru un tranzistor bipolar tip NPN, cu codul BC 171C, n
p.s.f. I CQ = 2mA , U CEQ = 5V i la Ta = 25 o C , valorile parametrilor h ije sunt urmtoarele:
h11e = 8,7k ; h12e = 3 10 4 ; h 21e = 675 ; h 22e = 6 10 5 1 .

Dac h12e i h 22e au valori foarte mici i poate fi neglijat rezistena 1/h22e n raport cu
rezistena extern conectat ntre C i E, tranzistorul poate fi nlocuit cu modelul hibrid simplificat,
obinut considernd h12e = 0 i h 22e = 0 .

b) Modelul natural n
Elaborarea modelului natural n , denumit i modelul Giacoletto, s-a bazat pe analiza
proceselor fizice care se petrec ntr-un TB, n regim de variaii mici n jurul unui p.s.f. din regiunea
activ normal a caracteristicilor statice de ieire. Acest model de semnal mic, este prezentat n fig.
2.4.2, pentru TB n conexiunea EC. Aceeai structur poate fi utilizat i pentru descrierea comportrii
tranzistorului n conexiunile BC i CC, n orice domeniu de frecvene: joase, medii sau nalte.
Cbc
B

ib

rbb

ic

rbc
ube

ube

rbe

Cbe

gmube

rce

uce

Fig. 2.4.2. Modelul natural n al TB n conexiunea EC

La frecvene joase (domeniu n care poate fi neglijat efectul celor dou capaciti interne C be ,
C b c ), modelul Giacoletto va conine numai elementele de natur rezistiv ( rbb , rbe , rbc , rce ) i este
echivalent cu modelul cu parametri hibrizi, al TB n conexiune EC. Pe baza acestei echivalene, se pot
determina, prin calcul, rezistenele modelului Giacoletto n funcie de parametrii h ije cu i, j = 1,2 .
Pentru valorile parametrilor hibrizi menionate mai sus, s-au obinut rbe = 8,65k , rbb = 50 ,
rbc = 28,833M , rce = 27,32 k . n aceleai condiii, s-au obinut g m = 78mA / V , C be = 312pF i
C b c = 0,45pF . De cele mai multe ori, efectele rezistenelor rbc i rce se neglijeaz.

2.5. Caracteristici generale ale amplificatoarelor de semnal mic

ntr-un amplificator de semnal mic, se presupune ndeplinit condiia de semnal mic pentru
toate tranzistoarele. Performana funcional i rezistenele de intrare i de ieire reprezint
caracteristicile eseniale ale amplificatoarelor de semnal mic. Din caracteristicile de frecven ale
performanei funcionale, se extrag amplificarea n band i banda de trecere.

a) Caracteristici de regim armonic permanent

Amplificatoarele de semnal mic sunt circuite electronice liniare care nu modific forma
semnalului amplificat. n domeniul frecven, pentru descrierea comportrii amplificatorului n regim
9

armonic permanent, se folosete amplificarea complex ( A ), definit ca raportul amplitudinilor

complexe ale semnalelor de ieire i de intrare, sau funcia de transfer A(s) (cu s = j i =2f),
definit ca raportul transformatelor Laplace ale semnalelor de ieire i de intrare (condiii iniiale nule):
X
X (s )
A = o sau A(s ) = o .
(2.5.1)
Xi
X i (s )

Funcia de transfer n frecven poate fi exprimat prin modulul A() i faza ():
(2.5.2)
A = A( j) = P() + jQ() = A() e j() .
Amplificatoarele de semnal mic reale au caracteristici de frecven care difer de acelea ale
amplificatorului ideal: modulul amplificrii are o poriune de nivel maxim i aproape constant pe un
domeniu limitat de frecvene (fig. 2.5.1), iar faza amplificrii este o funcie neliniar de frecven.

Fig. 2.5.1. Caracteristica modul-frecven a amplificatorului real de c.a.

Pe caracteristica modulului amplificrii (fig. 2.5.1), sunt evideniai doi parametri importani
pentru caracterizarea comportrii amplificatoarelor de semnal mic n regim armonic permanent i
anume: amplificarea n band (A0), i banda de frecvene de trecere (B).

Amplificarea n band reprezint valoarea maxim a modulului amplificrii n banda de frecvene
de trecere (notaia general, A0).

Banda de frecvene de trecere, B, definit ca domeniul de frecvene cuprins ntre frecvena limit
inferioar (sau limit de jos) f j i frecvena limit superioar (sau limit de sus) f s . Cele dou
frecvene caracteristice sunt definite prin relaiile:
A j j
A( js )
(2.5.3)
= 0,707 i
= 0,707 .
A0
A0
Banda de frecvene de trecere a unui amplificator de c.c. este determinat de frecvena limit
superioar ( B = f s ntruct f j = 0 ), iar n cazul unui amplificator de c.a., B = f s f j .

( )

Produsul amplificare-band, P, este o caracteristic a amplificatorului, definit de produsul dintre

amplificarea n band i banda de trecere:
(2.5.4)
P = A 0 B = A 0 f s f j , pentru amplificatoarele de c.a.;

(2.5.5)
P = A 0 B = A 0 f s , pentru amplificatoarele de c.c.
Amplificatoarele pot fi de tip neinversor sau inversor, dup cum A0=A0 sau A0= A0. n banda de
trecere, semnalul de ieire va fi n faz cu semnalul de intrare n cazul amplificatoarelor
neinversoare, sau defazat cu 1800 n amplificatoarele inversoare.

10

b. Reprezentarea tip cuadripol a amplificatorului

Un amplificator poate fi reprezentat ca un cuadripol, la intrarea cruia se aplic un generator de
curent sau de tensiune, cu impedana intern Z s , iar la ieire se conecteaz o impedan de sarcin
( Z L ), ca n fig. 2.5.2.a sau b. Amplificatorul se comport fa de sarcin ca o surs echivalent de
tensiune sau de curent (comandat de semnalul de intrare), cu impedana intern Z o . n banda de
frecvene de trecere a amplificatorului, impedanele devin rezistene, curenii i tensiunile se noteaz ca
valori instantanee ( u s , u i , u o , i i , i o etc.) iar performana funcional a circuitului (amplificarea de
tensiune, amplificarea de curent, rezistena de transfer sau conductana de transfer) este un numr real.

Fig. 2.5.2. Reprezentarea tip cuadripol a amplificatorului cu: a. surs de tensiune la intrare;
b. surs de curent la intrare

n banda de trecere, principalele performane ale unui amplificator sunt urmtoarele:

rezistena de intrare,
u
Ri = i ;
(2.5.6)
ii
rezistena de ieire,
u
u
sau R o = o
;
(2.5.7)
Ro = o
i o u =0
i o i =0
s

amplificarea de tensiune,
u
A U0 = o ;
ui

amplificarea de curent,
i
A I0 = o .
ii
Pentru performanele funcionale AU i AI se mai definesc

amplificarea de tensiune cu ieirea n gol,
u
,
A u0 = o
u i R
L

amplificarea de curent cu ieirea n scurtcircuit,

11

(2.5.8)

(2.5.9)

(2.5.10)

i
.
(2.5.11)
A i0 = o
i i R =0
L
Ctigul unui amplificator este amplificarea exprimat n uniti logaritmice (decibeli). De
exemplu, ctigul n tensiune, GU, exprim amplificarea de tensiune n uniti logaritmice, prin relaia
G U [dB] = 20 lg A U .
(2.5.12)
Dac pentru un amplificator se cunosc rezistena de intrare, rezistena de ieire i performana
funcional cu ieirea n gol sau n scurtcircuit, se poate deduce circuitul echivalent al amplificatorului.
n cele ce urmeaz vor fi prezentate circuitele echivalente ale amplificatorului de tensiune i
amplificatorului de curent.
 Circuitul echivalent al unui amplificator de tensiune
Mrimile reprezentative ale unui amplificator de tensiune sunt u i i u o , iar la intrarea circuitului
se conecteaz un generator de tensiune. Amplificatorul se comport fa de sarcin tot ca un
generator de tensiune, cu tensiunea de ieire de mers n gol A u 0 u i i cu rezistena intern R o .
Circuitul echivalent al amplificatorului este dat n figura 2.5.3. Amplificarea global de tensiune a
circuitului are expresia
u
RL
Ri
.
(2.5.14)
A u 0s = o = A u 0

us
RL + Ro Ri + Rs
Pentru a avea un transfer optim (maxim) n tensiune de la generatorul de semnal la amplificator
trebuie ca R i >> R s . Pentru ca transferul n tensiune de la amplificator la rezistena de sarcin s
fie optim trebuie ca R o << R L . n concluzie, rezistenele de intrare i de ieire ale unui
amplificator de tensiune trebuie s satisfac aceste dou inegaliti.

2
RO

Rs

ui

uo

A u0ui

RI

RL

us
2

Fig. 2.5.3. Circuitul echivalent al amplificatorului de tensiune

1 ii
is

Rs

2
io
Ai0ii

RI

RO

RL

2
1
Fig. 2.5.4. Circuitul echivalent al amplificatorului de curent

 Circuitul echivalent al unui amplificator de curent

Mrimile reprezentative ale unui amplificator de curent sunt i i i i o , iar la intrarea circuitului
se conecteaz un generator de curent. Amplificatorul se comport fa de sarcin tot ca un

12

generator de curent, cu curentul de ieire de scurtcircuit A i0 i i i cu rezistena intern R o .

Circuitul echivalent este dat n fig. 2.5.4. Amplificarea global de curent a circuitului are
expresia
i
Ro
Rs
A i 0s = o = A i 0

.
(2.5.15)
is
RL + Ro Ri + Rs
Pentru a avea un transfer optim n curent de la generatorul de semnal la amplificator trebuie ca
R i << R s . Pentru ca transferul n curent de la amplificator la rezistena de sarcin s fie maxim
trebuie ca R o >> R L . n concluzie, rezistenele de intrare i de ieire ale unui amplificator de
curent trebuie s satisfac ultimele dou inegaliti.

2.6. Circuite cu tranzistoare bipolare

2.6.1. Amplificatoare de semnal mic
Caracteristica general a tuturor amplificatoarelor de semnal mic este nivelul mic al semnalului
de ieire (n comparaie cu valoarea absolut maxim pe care ar putea s-o ating) i ndeplinirea
condiiei de semnal mic pentru toate dispozitivele active din structur.
n circuitele echivalente ale acestor amplificatoare intervin dou categorii de capaciti: cele de
cuplare i de decuplare (cu valori F... 100F ), respectiv capacitile interne ale dispozitivelor
active i capacitile parazite (cu valori pF... 100 pF ). Valorile mult diferite ale acestor dou
catagorii de capaciti fac ca ele s nu influeneze simultan rspunsul n frecven al amplificatorului.
Comportarea n frecven a circuitului este de tip filtru trece band. La frecvene joase, rspunsul
amplificatorului este dictat de capacitile sale de cuplare sau de decuplare (cele interne sau parazite se
comport ca nite ntreruperi de circuit), iar rspunsul la frecvene nalte este determinat de capacitile
interne ale dispozitivelor active (capacitile de cuplare sau decuplare se comport ca nite
scurtcircuite). Circuitul echivalent pentru domeniul frecvenelor medii nu conine capaciti (cele de
cuplare sau decuplare sunt nlocuite cu scurtcircuite, iar cele interne - cu ntreruperi de circuit). Ca
urmare, studiul comportrii n frecven se va realiza pe trei circuite echivalente diferite, pentru
frecvene joase, medii, respectiv nalte.
Se va analiza comportarea la frecvene medii a unui amplificator de semnal mic, realizat cu un
tranzistor bipolar n conexiune emitor comun (semnalul de intrare se aplic pe baz, iar cel de ieire se
culege din colector). Schema de principiu a circuitului este dat n fig. 2.6.1. Tensiunea sinusoidal
aplicat de la generator provoac variaii sinusoidale ale potenialului bazei i curentului de baz, n
jurul nivelurilor de c.c. Datorit amplificrii n curent a TB, variaia curentului de baz are ca efect o
variaie mai mare a curentului de colector, n acelai sens. Variaia curentului de colector provoac
variaia n sens opus a tensiunii colector-emitor. TB este polarizat n regim activ normal, iar din
circuitul echivalent n curent continuu se poate determina punctul static de funcionare. Rezistena din
emitor asigur o reacie negativ n curent continuu, stabilizndu-se astfel p.s.f. al tranzistorului.
Prin capacitatea C1 se cupleaz generatorul de semnal la intrarea amplificatorului, iar prin
capacitatea C 3 se cupleaz rezistena de sarcin R 5 la ieirea circuitului. La frecvene medii i nalte,
capacitatea C 2 decupleaz (scurtcircuiteaz) rezistena R 4 , eliminnd efectul reaciei negative. n
regim dinamic, punctul +VCC de potenial constant este conectat la masa montajului.
Circuitul echivalent la frecvene medii (fig. 2.6.2) se obine nlocuind capacitile de cuplare
(C1, C3) i de decuplare (C2) cu scurtcircuite i tranzistorul cu modelul su (simplificat) pentru
frecvene medii. S-a folosit notaia RB = R1//R2. Pe baza acestui circuit se calculeaz urmtoarele
performane ale amplificatorului:
13

Ri =

Ro =

Ui
Ii

U be
Ib

Uo
Ic

A US0 =

= R 12 // (rbb + rbe ) ,

(2.6.1)

= R 3 // rce ,

(2.6.2)

Uo Ui
g (r // R 3 // R 5 ) rbe U i
Ri
,

= m ce

= A U0
Ui Us
rbb + rbe
Us
Rs + Ri

(2.6.3)

Us =0

Uo
Us

g (r // R 3 // R 5 ) rbe
(r // R 3 // R 5 )
A U 0 = m ce
g m (R 3 // R 5 ) . (2.6.4)
= 0 ce
rbb + rbe
rbb + rbe

Fig. 2.6.1. Schema de principiu a unui amplificator de semnal mic cu TB n conexiunea EC

Fig. 2.6.2. Circuitul echivalent simplificat al amplificatorului pentru frecvene medii

Discuie
Pentru aceeai valoare a rezistenei de sarcin i considernd generatorul de semnal de la intrare
ideal, performanele amplificatoarelor realizate cu acelai tranzistor bipolar n conexiune EC, BC sau
CC sunt diferite. Dintre concluziile unei analize comparative, pot fi menionate urmtoarele:
 rezistena Ri are valoarea cea mai mic (zeci de ohmi) pentru conexiunea BC, valoarea cea mai
mare (sute de k) pentru conexiunea CC i o valoare moderat (k) pentru conexiunea EC.
 rezistena Ro are cea mai mic valoare (ohmi) pentru conexiunea CC, o valoare foarte mare (sute de
k) pentru conexiunea EC i cea mai mare valoarea (M) pentru conexiunea BC.
 amplificatoarele cu TB n conexiune BC i CC sunt neinversoare, iar cel cu TB n conexiune EC
este inversor.
 etajele cu tranzistoare n conexiunile EC i CC realizeaz amplificri de curent (n modul), de
valori mari (150200). La conexiunea BC, A I0 este subunitar i apropiat de 1.

14

 amplificri de tensiune (n modul) de valori mari (150200) pot fi obinute n etajele realizate cu
tranzistoare n conexiunile EC i BC. La conexiunea CC, A U 0 este subunitar i apropiat de 1,
motiv pentru care etajul de amplificare se numete repetor pe emitor.
2.6.2. Amplificatoare de putere

n principiu, structura intern a unui amplificator integrat conine etajul de intrare, etaje
intermediare i etajul de ieire (final). Etajul de intrare asigur o bun adaptare n impedan la intrarea
amplificatorului i are adesea dou borne calde de intrare i o singur born cald de ieire. Etajele
intermediare au ca funcie principal amplificarea. Etajul de ieire (amplificator de semnal mare sau de
putere) trebuie s asigure puterea util n sarcin, n condiiile unui nivel acceptabil de distorsionare a
semnalului de ieire, dar trebuie s asigure i o adaptare optim n impedan la ieirea amplificatorului
(ceea ce presupune o impedan de intrare foarte mare i o impedan de ieire foarte mic, dac este
un amplificator de tensiune). Alte cerine impuse etajului de ieire al unui amplificator sunt band de
frecvene ct mai mare i consum redus de putere n absena semnalului de intrare.
Etajele de ieire sunt amplificatoare de semnal mare, motiv pentru care analiza i proiectarea se
realizeaz pe baza modelelor obinute prin liniarizarea pe poriuni a caracteristicilor statice ale
dispozitivelor active. Structura i performanele unui etaj de ieire sunt determinate de clasa de
funcionare a dispozitivelor active care asigur nivelul dorit al curentului prin sarcin. Dac se
consider un semnal de intrare sinusoidal, se pot defini mai multe clase de funcionare pentru
amplificatoarele de semnal mare (A, AB, B, C), n funcie de zona caracteristicilor statice n care se
plaseaz p.s.f. ale dispozitivelor active, pe durata T a unei perioade a semnalului de intrare.

La un amplificator de putere clas A, prin dispozitivul activ circul un curent diferit de zero pe
durata T; aceste circuite sunt caracterizate prin distorsiuni neliniare foarte mici i un randament
redus (15 20%), fiind recomandate pentru asigurarea unor puteri utile reduse.

Clasele AB i B de funcionare presupun utilizarea unor dispozitive active pereche, comandate n
contratimp. Amplificatoarele n aceste clase au un randament ridicat (60 75%) i distorsioneaz
puin semnalul, fiind utilizate n amplificatoare de putere medie i mare.

Clasa C de funcionare se folosete n amplificatoarele de radiofrecven, iar clasa D (cu randament
peste 95%) presupune funcionarea dispozitivelor active n regim de comutaie.
Amplificatorul de putere n clas B conine dou repetoare pe emitor, realizate cu dou
tranzistoare complementare, care funcioneaz n contratimp; aceasta determin o putere mic disipat
pe dispozitive n regim de repaus. Schema de principiu a circuitului este dat n fig. 2.6.3.a. Etajul are
alimentare simetric, asigurat de dou surse de tensiune continu: + VCC i VCC . Tranzistoare sunt
n conexiune CC i sunt cuplate cu bazele mpreun i cu emitorii mpreun. Cele dou dispozitive
active conduc alternativ, aproape cte o jumtate de perioad fiecare, iar n absena semnalului de
intrare u i sunt blocate. Tensiunea aplicat la intrare se distribuie pe jBE a fiecrui tranzistor i pe
rezistena de sarcin R L . Considernd tranzistoarele mperecheate, tensiunile de deschidere ale jBE
au aceeai valoare ( U BE1, on = U EB2, on = U BEon = 0,55...0.6V ) i tensiunile de saturaie de asemenea
( U CE1, sat = U EC2, sat = U CEsat 0,2V ). Cnd u i U BEon , ambele tranzistoare sunt blocate, ceea ce
determin o zon de insensibilitate (situat n jurul originii) pe caracteristica static de transfer a
circuitului (fig. 2.6.3.b). Tranzistoarele T1 i T2 funcioneaz n contratimp, astfel:
 n alternana pozitiv a tensiunii u i , T1 conduce pn la saturaie, n timp ce T2 este blocat;
 n alternana negativ a tensiunii u i , T2 conduce pn la saturaie, n timp ce T1 este blocat.

15

+VCC
o

UO

T1

UOmax
io
o

RL

ui

-UBEon
0

uo

UBEon

UI

T2
o

-UOmax

-VCC

a.

b.

Fig. 2.6.3. Amplificator de putere n clas B:

a. Schema de principiu; b. Caracteristica static de transfer

Dup intrarea n saturaie a oricruia dintre tranzistoare, tensiunea de ieire se limiteaz la o

valoare al crei modul este
(2.6.5)
U O max = VCC U CEsat VCC
i este mai mic dect tensiunea de intrare corespunztoare. Pe caracteristica static de transfer (fig.
2.6.3.b), U O = U O max ct timp T1 este saturat, respectiv U O = U O max cnd T2 este saturat. Dac
amplitudinea tensiunii sinusoidale de intrare nu depete nivelul ( U O max +UBE,on), curentul prin
rezistena de sarcin este tot sinusoidal, cu excepia zonei de trecere prin zero, n care apar distorsiunile
de trecere (determinate de zona de insensibilitate de pe caracteristica static de transfer). Eliminarea
distorsiunilor de trecere se asigur prin folosirea clasei AB de funcionare.
Randamentul maxim al amplificatorului se definete cu relaia
P
(2.6.6)
max [%] = 100 u max ,
Pabs
n care Pu max este puterea util maxim, iar Pabs este puterea absorbit de cele dou tranzistoare de la
sursele de alimentare. La amplificatorul n clas B, valoarea maxim a puterii utile n sarcin este
U
I
V I
(2.6.7)
Pu max = O max O max CC O max .
2
2
n timpul unei perioade a semnalului de intrare, fiecare tranzistor absoarbe putere de la una din surse,
curentul mediu prin dispozitiv fiind I O max / . Ca urmare,
2
(2.6.8)
Pabs = VCC I O max .

Valoarea maxim teoretic, rezultat pentru randament, este max = 100 / 4 = 78,5% .
2.6.3. Surse de curent

Circuitul echivalent al unei surse de curent constant este acelai cu al generatorului de curent din
fig. 2.5.4, mrimile caracteristice fiind curentul de ieire de scurtcircuit ( IS ) i rezistena intern sau
de ieire a sursei ( R o ); sunt de dorit valori ct mai mari ale acestei rezistene. Sursele de curent
constant (realizate cu tranzistoare bipolare sau unipolare) au o mare diversitate de configuraii i sunt

16

frecvent ntlnite n circuitele integrate analogice. Utilizarea surselor de curent pentru polarizarea
tranzistoarelor asigur stabilizarea p.s.f., prin reducerea sensibilitii curentului prin tranzistor la
variaiile tensiunilor surselor de alimentare i temperaturii. n regim dinamic, circuitul echivalent al
sursei de curent constant se reduce la rezistena de ieire, motiv pentru care aceste circuite se folosesc
ca sarcini active pentru etajele de amplificare de c.a., n care substituie rezistene convenionale de
valori ridicate. Procedndu-se astfel, se obin valori mari ale modulului amplificrii de tensiune, pentru
valori rezonabil de mici ale tensiunilor de alimentare.
Pentru aprecierea performanei unei surse de curent constant, ca subcircuit al unei structuri
analogice integrate, se folosesc trei parametri de performan, care permit evaluarea influenei
variaiilor sarcinii sursei, temperaturii i tensiunii de alimentare asupra curentului de ieire IO.

Fig. 2.6.4. Sursa standard de curent

De exemplu, configuraia sursei standard de cureni mari (ordinul mA, n circuitele integrate
analogice) este cea din fig. 2.6.4. P.s.f. al tranzistorului amplificator T2, n conexiune EC, plasat n
regiunea activ normal a caracteristicilor statice de ieire, este fixat de curentul IREF, care circul prin
ramura ce conine T1, conectat ca diod (jonciunea baz-colector scurtcircuitat):
V U BE1
VCC
.
(2.6.9)
I REF = CC

R1 + R 2
R1 + R 2
Expresia aproximativ se bazeaz pe satisfacerea condiiei VCC >> UBE1. n ipoteza diferenelor mici
dintre tensiunile baz-emitor ale celor dou TB, se poate scrie egalitatea
(2.6.10)
I REF R 2 = I C R 3 .
Factorul de transfer n curent al sursei este
I
I
R
KI = O = C = 2 .
(2.6.11)
I REF I REF R 3
Prin urmare, valoarea factorului KI este stabilit de raportul rezistenelor din emitorii tranzistoarelor T1
i T2. Pe baza relaiilor anterioare, se obine expresia curentului de ieire al sursei (curentul de colector
al tranzistorului T2):
R
R V U BE1
.
(2.6.12)
I C = 2 I REF = 2 CC
R3
R3
R1 + R 2

17

Acest curent fiind independent de rezistena de sarcin a sursei (RC) i de parametrii i caracteristicile
tranzistoarelor, nu i schimb valoarea la nlocuirea dispozitivelor semiconductoare cu altele de
acelai tip sau la schimbarea rezistenei de sarcin.
Rezistena de ieire a sursei de curent este definit de relaia
VCC
(2.6.13)
Ro =
,
I C V = ct , T = ct
CC

se determin dintr-un circuit echivalent n regim de variaii mici, iar valorile obinuite sunt de ordinul
sutelor de k.

-----*-----

18