TERMISTORUL

SLCIANU IONU 1

Cuvinte cheie: dependena rezistenei, lrgimea benzii interzise, semiconductor,

conductor, constanta Boltzman.
Lucrarea face referire la dependena rezistenei electrice in raport cu temperatura la
materialele semiconductoare i determinarea lrgimii benzii interzise E.

1. INTRODUCERE
Structura corect a diagramei energetice a unui corp solid depinde de natura
atomilor i de distana dintre atomi. Lrgimea benzilor de energie permis i
interzis constituie proprieti caracteristice pentru fiecare tip de cristal n parte.
Electronii corpului solid vor ocupa la temperatura de 0K nivelele energetice
cele mai coborate. Prin completarea benzilor de energie cu electroni pot ocupa
parial sau complet o ultim band energetic. Semiconductorii sunt materiale care
posed o band de valen, complet ocupat, separat de banda de conducie,
complet liber, printr-o band de energie interzis E. O astfel de structur a
benzilor energetice se ntlnete att la semiconductori ct i la izolatori;
deosebirea const n faptul c pentru izolatori E =411eV , n timp ce la
semiconductori intervalul energetic este mult mai mic.
La 0K se spune c sunt ocupate toate strile cu energie minim i deci
umplnd strile cu electroni se va ajunge la o ultim stare ocupat, adic la un
ultim nivel energetic ocupat cu electroni numit nivel Fermi. Pentru materiale
semiconductoare intrinseci sau slab dopate, la temperaturi pn la cteva sute de
grade Celsius, energia Fermi se afl n banda interzis.[2]
Sub aciunea temperaturii, datorit energiei termice pe care o primesc unii
electroni pot trece din ultima band ocupat, banda de valen n banda de
conducie. Atunci n semicondictor vor exista concentraii egale de electroni i
goluri: n = p = ni . Concentraia electronilor egal cu a golurilor poart numele de
concentraie intrinsec i este notat cu ni. Concentraia intrinsec la un
semiconductor poate fi calculat dac se cunoate distribuia electronilor de
conducie cu energia.
1 ) Grupa 311Ac,Facultatea de Automatic,email: salcianu.ionut@yahoo.coml
Rev. Roum. Sci. Techn. lectrotechn. et nerg., 54, 1, p.

, Bucarest, 2009

Termistorul

23

Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult

expresiile celor dou concentraii de sarcini electrice:

n 2(2me

3
k T) 2

h 3 exp[ ( Ec E F ) / kT]

p 2(2m g

3
k T) 2

(1)

h 3 exp[ ( E F Ev ) / kT]

(2)

unde:

me este masa efectiv electronilor;

mg este masa efectiv a a golurilor;
k este constanta Boltzman;
T este temperatura semiconductorului;
h este constanta Planck;
Ec este energia corespunztoare minimului benzii de conducie;
Ev este energia corespunztoare plafonului benzii de valen;
EF este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor
intrinseci, la jumtatea "distanei" dintre Ec i Ev;
2. REZISTIVITATEA

Rezistivitatea este:

1
E
const exp[
]
e( n n p p )
2 KT

(3)

unde:n i p sunt mobilitile.[1]

Rezistena unei probe semiconductoare va fi:

R C exp(

E
)
2k T

(4)

unde E=Ec-Ev i poart numele de lrgimea benzii (zonei) interzise i dependena

ei de temperatur e reprezentat n fig. 1.
Logaritmnd expresia (4) se obine:

Termistorul

ln R C

E
2k T

33

(5)

CONCLUZII
Se poate observa c odat cu creterea temperaturii cre te si rezisten a
electric a metalelor.
APENDICE 1. ...
Reamintim c rezistena electic a semiconductorilor nu se comport precum
rezistena electric a metalelor, aceasta scznd odat cu cre terea temperaturii.
Received on (month day, year)

BIBLIOGRAFIE
1. http://www.wikipedia.com/
2. http://www.physics.pub.ro/