Conversia fotovoltaic

Celule/module fotovoltaice

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

• Introducere
• Istoric
• Efectul fotovoltaic - legea Beer-Bouger-Lambert
• Modelul atomic Bohr
• Efectele fotoelectrice
– Efectul extern
– Efectul intern
• Principiul celulei solare
• Tipuri de celule solare
• Caracteristica extern a celulei solare
• Aplicaii
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
 Sistem fotovoltaic integrat - Georgetown University, Washington (SUA) -
instalat în 1984, 4464 module fotovoltaice, 337 kWp.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

 Istoric
• 1839: Henri Becquerel descoper c prin iluminarea unei soluii
chimice poate fi produs curent electric.
• 1877: Efectul este observat în legtur cu seleniul.
• Celulele solare funcionale au aprut in anii 1950.
• Einstein (1905) i Schottky (1930) - formuleaz principiul
conversiei.
• Chapin, Pearson si Fuller (1954) - produc celula solar, pe baz de
siliciu, care converteste 6% din lumina incident în electricitate
utilizat în aplicaii speciale, (ex. sateliii orbitali, 1958).
• Celulele contemporane au o eficien de conversie a luminii
incidente în electricitate de aprox. 18%, la o fraciune din preul de
acum 30 de ani.
• Exist o gam larg de tehnologii de producie a celulelor solare
din siliciu (amorfe, cristale, policristale), sau din alte materiale
(cupru-indiu diseleniu, cadmiu teluric, etc).
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
 Efectul fotovoltaic
• Într-un semiconductor omogen, iluminat de un fascicol luminos intensitatea
luminii scade, de la suprafa spre interior, conform legii Beer-Bouguer-
Lambert (
- coeficientul de absorb
ie)
J ( x ) = J (0)e
x
• Apariia unui câmp electric (imprimat) într-un semiconductor omogen, iluminat,
se numete efect fotovoltaic.
fotovoltaic
I1
Transmitanta = = e
lc
I0
I 
Absorbanta =
log10  1 = lc,  =  2.303
 I0 
c - concentra
ia de specii care absorb lumina.
• Absoria de lumin duce la producerea de purttori de sarcin, a cror rat de
generare scade exponenial cu distana de la suprafaa iluminat a materialului.
G( x) = G( 0) e
x G( 0) = 
q( 0)
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
 Modelul atomic Bohr
• În modelul atomic Bohr electronii cu masa de repaus mc = 9.109389710-31 kg se
rotesc în jurul nucleului pe o orbit de raz rn, cu viteza unghiular n. Acestei
micri orbitale îi corespunde fora centrifug 2
FZ = me  rn 
n
• Electronii, fiecare cu sarcina elementar e = 1.6021773310-19 As, sunt meninui
pe orbite în jurul nucleului (care conine Z protoni încrcai pozitiv, i neutroni
neîncrcai electric) de fora de atracie Coulomb 2
1 Ze
FC =  2
4
0 rn
• 0 = 8.8541878176210-12 As/Vm este permitivitatea, sau constanta dielectric.
• Forele Coulomb i centrifug sunt în echilibru, meninând electronii pe orbite.
• Conform teoremei Planck,
Planck electronii pot rmâne pe orbite doar dac momentul lor
unghiular orbital este un multiplu (întreg) de h = h 2
care este derivat din constan-
ta Planck, h = 6.626075510-34 Js.
• Cuantificarea momentului unghiular orbital conduce la n  h = me  rn2 
n
n 2  h 3  4 
 0
• Utilizând aceast expresie, din FZ = FC, rezult raza orbitei
rn =
Z  e 2  me
viteza unghiular

1 Z 2  e 4  me
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie. n = 2 
( 4 
 0 ) h3  n 3
• Indicele înteg n definete numrul orbitei. Un electron pe orbita n
are energia
1 2 1 2 2 1 Z 2  e 4  me
E n =  me  v e =  me  re   n = 2 
2 2 n 32 
2  20  h 2
• De exemplu, energia unui electron de pe prima orbit (n = 1) în
atomul de hidrogen, care are numrul de protoni Z = 1, este E1,Z=1 =
13.59 eV.
• Deplasarea unui electron de pe o orbit pe urmtoarea (spre
exterior) necesit energia E = En - En+1.
• Aceast energie trebuie furnizat din exteriorul atomului.
• Fiecare orbit poate conine un numr maxim limitat de electroni.
– Pe prima orbit (n = 1), 2
– Pe a doua orbit (n = 2), 8
– Pe a treia orbit (n = 3), 18; apoi 32, 50 …
• Energia descrete cu creterea indicelui n. Pentru n
, E
= 0.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
Efectele fotoelectrice extern i intern

• Energia unui foton cu lungimea de und
este (c = 2.99792458108 m/s)

h c
E=


• Fotonii posed suficient energie pentru a deplasa un electron de pe un nivel
energetic inferior pe un energetic nivel superior.
• Un foton cu o energie de 13.59 eV care ciocnete electronul de prima orbit a
unui atom de hidrogen, are suficient energie pentru a-l separa pe acesta de atom.
Aceast energie se numete energie de ionizare.
ionizare Un astfel de foton trebuie s
aibe o lungime de und mai mic de
= 90 μm, ceea ce îl situeaz în gama
razelor X.
• Eliberarea complet a electronului de nucleu (prin cioncnire cu fotoni) este
numit efect fotoelectric extern.
extern
• Deoarece conversia fotovoltaic se refer la interaciunile (ciocniri) electron-
foton cu fotonii din spectrul vizibil (ultraviolet - infrarou) în electricitate, efectul
fotoelectric extern nu este aplicabil celulelor fotovoltaice.
• Efectul fotovoltaic intern este caracteristic celulelor fotovoltaice.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Electronii moleculelor cu mai muli atomi prezint stri energetice diferite de cele ale
electronilor atomilor cu un singur electron.
• Interaciunile între electronii moleculelor cu mai muli atomi "distribuie" strile energetice
pe nivele energetice învecinate, mai înguste.
• Într-un corp solid cu k atomi aceste nivele sunt atât de apropiate încât nu mai este posibil
separarea lor. În aceste împrejurri, nivelele energetice singulare devin benzi de energie.
energie
• Totui, benzile de energie pot accepta doar un numr finit de electroni.
• În modelul benzilor de energie, electronii
populeaz benzile una dup alta, începând cu
prima band, de nivel minim.
• Banda de nivel maxim complet ocupat se
numete banda de valen (BV).
(BV)
• Urmtoare band, care poate fi parial ocupat
sau complet goal, se numete banda de
conducie (BC).
(BC)
• Intervalul dintre BV i BC este alctuit din
nivele de energie interzise, i este numit
band interzis (BI).
(BI)
• Ecartul de energie, corespunztor BI, este
notat Eg (energy gap).

Stri energetice ale electronilor în atomi,

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
molecule i corpuri solide.
 Benzi energetice în conductori, semiconductori i izolatori.

• conductori semiconductori i izolatori,

Materialele solide se subdivid în conductori, izolatori în funcie de dispunerea i
gradul de ocupare a benzilor de energie.
• În conductoare
– Electronii ocup doar parial BC.
– BC i BV se pot suprapune.
– Electronii pot circula în solid, contribuind la conducia electronic.
– Rezistivitatea electric a coductoarelor specific este foarte mic ( < 10-5
m).
– Cele mai multe conductoare sunt metalice.
• Corpurile izolatoare
– Au rezitivitate foarte mare ( > 107
m).
– BC este complet goal - este necesar o cantitate relativ mare de energie pentru a “ridica” electroni din BV în
BC, datorit ecartului, Eg, mare (Eg > 5 eV).

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

• Semiconductorii au cea mai mare relevan pentru elementele fotovoltaice
– Rezistivitatea electric este între 10-5
i 107
m.
– BC sunt goale (similar izolatorilor).
– Datorit unui Eg mic (Eg < 5 eV) electronii pot fi mai uor ridicai din BV în BC - efectul foto
interior.
interior
• Ciocnirea unui foton incident cu un semiconductor:
– Dac energia fotonului este mai mic decât Eg - nu “ridic” electronul din BV în BC.
– Dac energia fotonului este mai mare dcât Eg - “ridic” electronul din BV în BC, cu o parte din
aceast energie. Surplusul este pierdut, deoarece electronul revine la limita inferioar a BC.
• Fotorezistenele i celulele fotovoltaice sunt aplicaiile cele mai importante ale efectului
foto intern.

Ridicarea electronilor din BV la BC într-un semiconductor,

datorit aciunii luminii (efect foto interior).
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
Principiul celulei solare
• Semiconductorii sunt elemente din grupa IV a tabelului periodic - de ex. Si, Ge, Sn.
• Compui ai dou elemente - unul din grupa III i unul din grupa V (compui III-V), sau II-
VI - sau diferite alte combinaii pot prezenta patru electroni de valen: de ex., GaAs (III-
V), sau CdTe (II-VI).
• Celulele fotovoltaice sunt fabricate din Siliciu. Este materialul cel mai abundent din natur,
dar nu se gsete în stare pur.
• Siliciul are, în medie, patru electroni de valen. Pentru o configuraie electronic stabil
este necesar ca doi electroni aparinând la atomi vecini în laticea cristalin s formeze o
pereche legat - legtur covalent; cei doi atomi folosesc împreun perechea de electroni.

Structura cristalin a Si (stânga); conducia intrinsec în

laticea cristalin datorat unui electorn "defect" (dreapta).
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Legturile covalente între patru atomi vecini dau Siliciului o stabilitate electronic
similar cu aceea a gazului nobil Argon (Ar).
• În modelul benzilor de energie, banda de valen este complet ocupat, iar banda
de conducie este goal.
• Furnizarea unei cantiti suficiente de energie - de ex., iluminare, sau înclzire -
poate ridica electroni din banda de valen în banda de conducie, care devin liberi
s se mite în latice.
• Un electron defect, sau un gol, rmâne în banda de valen. Formarea
electronului defect sau a golului este responsabil de conducia intrinsec a
semiconductorilor.
semiconductorilor
• Electronii i golurile sunt generate în perechi - sunt tot atâtea goluri cât electroni,
n = p.
• Produsul dintre densitile de goluri i electroni este numit densitatea de purttori
de sarcin intrinseci;
intrinseci ea depinde de temperatur, T, i de ecartul de energie, Eg.
 Eg 
n p= ni2 = ni20 3
 T  exp

 k  T 
• Boltzmann k = 1.380658
10-23 J/K.
k este constanta Boltzmann,
15 -3 -3 2
• Pentru Si, ni0 = 4.62
10 cm K
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Dac se aplic o tensiune electric cristalului de Si, electronii (încrcai negativ) se mic
spre anod. Electronii aflai în vecintatea unui gol pot s ajung în golul creat de acest
curent. Astfel, golurile i electronii se mic în direcii opuse.
• Mobilitile μn i μp ale electronilor i golurilor pentru Siliciu, μ0n = 1350 cm2/(V s) i μ0p
= 480 cm2/(V s), la T0 = 300 K, sunt
 T 
3 2  T 
3 2
μ n = μ 0n    μ p = μ0 p  
 T0   T0 
• Conductivitatea electric este
1

= = e  (n μ n + p μ p ) = e  n  (μ n +μ p )

• Atomii din grupa V (de ex., P, Sb) prezint cinci electroni de valen. Dac aceti atomi
sunt înglobai într-o latice de Siliciu, al cincelea electron nu poate fi legat covalent. Este
necesar o cantitate mic de energie pentru a trece în banda de conducie electronul
nelegat.

Conducia defectelor în Siliciu dopat n i p.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Înglobarea atomilor din grupa V se numete dopare de tip n. n Atomii impuritii (P) se
numesc donori.
donori
• Densitatea de electroni liberi pentru dopare de tip n se determin prin
nD  N L  ED 
n=  exp

2  2 k T 
• nD este densitatea de atomi donori,
donori NL este densitatea strii efective în banda de conducie,
i ED este energia de ionizare necesar eliberrii electronilor din atom.
• Pentru cristalul de Siliciu, impurificat cu P, la T = 300 K, aceste valori pot fi estimate ca NL
= 3.22
1019 cm-3, ED = 0.044 eV.
• Deoarcere semiconductorii dopai n au semnificativ mai muli electroni decât goluri, în
aceste materiale electronii sunt purttorii majoritari.
• Înglobarea unor atomi din grupa III (de ex., B, Al), cu trei atomi de valen, în laticea de
Siliciu creaz un gol de valen, astfel încât golurile sunt purttorii majoritari. O canitate
mic de energie, EA, poate elibera un gol care devine mobil. Acest proces este numit dopare
p. Semiconductorul este dopat p, iar atomii de impuriti se numesc acceptori.
acceptori
• Densitatea de acceptori nA, densitatea strii efective în banda de valen, NV (NV = 1.83
1019
cm-3 pentru Siliciu la T = 300 K), i energia de ionizare EA a acceptorilor (EA = 0.045 eV
pentru B), dau densitatea de goluri libere pentru semiconductorul pe tip p
n A  NV  EA 
p=  exp

2  2 k T 
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Prin interfaarea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n se formeaz o
jonciune p-n.
p-n
• Electronii difuzeaz din regiunea n în regiunea p, iar golurile difuzeaz din
regiunea p în regiunea n.

Formarea regiunii de sarcin spaial la jonciunea p-n prin difuzia electronilor i golurilor.

• La nivelul interfeei se formeaz o regiune de sarcin liber.

• În regiunea (n), de unde electronii au difuzat în regiunea p, rmân atomi ionizai pozitiv,
constituind o sarcin spaial pozitiv.
• În regiunea (p), de unde golurile au difuzat în regiunea n, rmân atomi ionizai negativ,
constituind o sarcin spaial negativ.
• Între cele dou regiuni de sarcini spaiale din vecintatea interfeei apare un câmp electric,
care acioneaz împotriva deplasrii sarcinilor - difuzia nu mai poate continua.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie. k
T n
n
VD =
ln A 2 D
e ni
• Sarcinile spaiale localizate la nivelul interfeei formeaz un sistem complet (suma lor este
0). Dac dn i dp sunt lungimile de difuzie,
d n
nD = d p
n A
• Dimensiunea total a regiunii de sarcin spaial de la nivelul jonciunii este

2
 r
 0
U d n A + n D
d = dn + d p =

e nA
nD
• Pentru Siliciu dopat cu nD = 2
1016 cm-3, nA = 1
1016 cm-3, la T = 300 K, tensiunea electric
datorat difuziei este Vd = 0.73 V; r = 11.8, dn = 0.13 μm, dp = 0.25 μm.
• Dac electronii sunt ridicai din BV în BC, câmpul electric de barier îi atrage în regiunea
n. Similar, golurile generate se vor deplasa în regiunea p.

Principiul celulei solare, în modelul benzilor de energie.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Celula solar poate converti doar o parte din energia fotonilor în curent electric.
• Fotonii cu energii mai mici de Eg (
<
max) nu pot ridica electroni din BV în BC.
h  c 1.24μm eV

max = =
Eg Eg

• O parte din lumina solar incident este reflect de celu, iar o parte este
transmis de aceasta. Mai mult, electronii se pot recombina cu golurile.

Procesele care au loc într-o celul iradiat.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

• Cantitatea de energie folosit în conversia foto depinde de lungimea de und
i de Eg: celula solar folosete o parte (egal cu Eg) din energia fotonilor cu
energie mai ridicat i lungime de und mai mic. Energia în exces este
transferat cristalului sub form de cldur.
• Eficiena cuantic de colectare extern, ext(), este probabilitatea ca un foton
incident s genereaze o pereche gol-electron.
• Rspunsul spectral,
spectral S(), este o msur a acelei pri din energie care este
convertit în purttori de sarcin, e  A
S ( ) = 
ext ( ) = 
ext ( )
h c 1.24μm W
• Curentul fotovoltaic, Iph, este msurat în
absena unui câmp electric extern (de ex.,
celula este scurtcircuitat). Pentru o celul
cu aria A i rspunsul spectral S()
I ph =
S ( )  E ( )  A  d 
• Iradiana E absorbit de semiconductor este
o parte din iradiana incident, E0.
• E depinde de grosimea semiconductorului,
d, i de coeficientul de absorbie al mate-
rialului,

E = E0  [1
exp(
  d )]
Rspunsul spectral al celulei solare.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Difuzivitile electronilor i golurilor sunt diferite.
• Sub aciunea luminii are loc separarea spaial a
purttorilor de sarcin mobili, electronii, care (de
regul) au o mobilitate mare - ei ptrund în
semiconductor în mai mare masur decât golurile.
• Suprafaa iluminat se încarc pozitiv.
• Suprafaa neiluminat se incarc negativ.
• Apare un câmp electric orientat dupa raza de lumin.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

Tipuri de celule solare
• Celulele solare din siliciu sunt fcute din straturi monocristal, policristaline, sau
pelicule subiri.
• Monocristalele (ex., Czochralsky) sunt tiate dintr-un cristal mai mare, crescut
la aprox. 1400°C (1/3…1/2 mm grosime) - procesul este foarte costisitor. Siliciu
trebuie s aibe o puritate foarte mare i o structur aproape perfect.
• Celulele policristaline sunt obinute prin turnarea Si - sunt mult mai ieftine, dar
nu la fel de eficiente ca celulele monocristaline, datorit imperfeciunilor reelei
cristaline rezultat prin turnare.
• Aproape jumtate din siliciu este pierdut in aceste procese.

Procedeul Czochrlasky

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

• Siliciul amorf,
amorf una dintre tehnologiile de strat subire, este obinut
prin depunerea unui strat de siliciu pe o suprafa de sticl sau
plastic (vapor gas deposition)
deposition cu ajutorul unui gaz reactiv (SiH4).
• O alt tehnologie de strat subire include celule stratificate de
siliciu multicristalin, cupru indiu diseleniu/cadmiu sulfid i
arseniura de galiu. Aceast tehnologie prezint multe avantaje,
inclusiv o depunere i asamblare uoar în pelicule subiri pe
substraturi mai ieftine.
• În producia de celule solare siliciul este impurificat cu atomi
dopani pentru a crea o regiune de tip p i o regiune de tip n i
pentru a genera o jonciune p-n.
• Doparea se poate realiza prin difuzie termic: straturile sunt
depuse într-un cuptor unde materialul dopant este introdus sub
form de vapori. In tehnologia pelicular atomii dopani sunt
introdui în procesul de depunere a peliculei.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Energia furnizat de o celul fotovoltaic este determinat de:
• tipul i aria suprafeei materialului activ
• lungimea de und a luminii solare
• intensitatea luminii solare
• Celulele monocristal de Siliciu convertesc mai puin de 25% din
energia solar, deoarece radiaia în zona infrarou a spectrului
electromagnetic nu are destul energie pentru a separa sarcinile
pozitive i negative din material.
• Celulele policristaline de Siliciu au o eficien mai mic de 20%.
• Celule din siliciu amorf au o eficien de cca. 10%, datorit
pierderilor interne mai mari (fa de monocristalele de Siliciu).
• O celul de 100 cm2 Siliciu monocristal genereaz circa 1.5 Wh la
o tensiune de 0.5 V continu i 3 A, sub iluminare complet pe
timp de var (1000 Wm-2). Puterea debitat de celul este aproape
direct proporional cu intensitatea luminii solare.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Contactele electrice sunt aplicate pe cele dou fee ale celulei
prin evaporare sau prin imprimare.
• Spatele celulei poate fi metalizat în totalitate.
• Faa celulei este acoperit parial de o reea de linii subiri
metalice (fingers, grid, bars, bus-bars) - acoperirea complet ar
bloca lumina.
• Celula este acoperit cu un strat subire dielectric (ARC) pentru
a minimiza reflexia luminii.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

• Lumina de anumite lungimi de und
poate ioniza atomii de Si, iar câmpul
intern produs de jonciune separ
unele dintre sarcinile pozitive
(goluri) de cele negative (electroni)
în interiorul aparatului fotovoltaic.
• Golurile sunt trecute în partea
pozitiv (stratul p) iar electronii sunt
trecui în partea negativ (stratul n).
• Dei aceste sarcini spaiale se atrag,
majoritatea purttorilor se pot
recombina numai trecând printr-un
circuit extern celulei, datorit
barierei interne de poten
ial.
ial

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

Caracteristica extern a celulei solare
• Celula genereaz tensiunea de mers în gol, Voc, atunci când circuitul este
deschis.
• Celula genereaz curentul de scurtcircuit, ISC, atunci este scurtcircuit.
• Celula livreaz putere maxim, Pmax, atunc când funcioneaz la punctul de
maxim al caracteristicii externe (curent-tensiune).
• Randamentul este raportul dintre puterea maxim în condiii standard de testare
i puterea fluxului luminos incident: iradiana 100 mW/cm2, în spectrul standard
de referin, i temperatura de 25 0C.
• Eficiena celulei (în procente) este numeric egal cu puterea electric generat
de celul (mW/cm2).

Caracteristicile curent-tensiune Caracteristica extern a celulei solare.

ale celulei solare si diodei.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
• Tensiunea furnizat de celul nu depinde de mrimea ei i este
relativ constant la variaia luminii.
• Curentul este aproape direct proporional cu intensitatea luminii.
• Pentru compararea celulelor de diferite mrimi, se înregistreaz
densitatea de curent (amperi pe centimetru ptrat de celul).
• Puterea furnizat de celul poate fi crescut destul de mult dac se
folosete un mecanism de urmrire a Soarelui (solar tacker),
astfel încât celula s fie iluminat la maxim, sau prin
concentrarea luminii solare cu lentile sau oglinzi. Exist limitri
ale acestui proces, datorit complexitii mecanismelor i
necesitii rcirii celulelor.
• Curentul furnizat este relativ stabil la temperaturi mai mari, dar
tensiunea este redus, ceea ce conduce la scderea puterii odat cu
creterea temperaturii celulei.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

 Aplica
ii
• Celulele fotovoltaice, individual, funcioneaz la o tensiune de
0.5V. Sunt conectate în serie pentru a furniza tensiuni mai mari.
• Panourile solare sunt construite în diferite variante:
– Panouri de tensiune mic i, sau, putere mic rezult prin conectarea a
3…12 segmente Si amorf cu o suprafa total de câiva centimetri ptrai
pentru tensiuni de 1.5…6 V i puteri de O(mW). Desi aceste celule sunt mici,
producia total este mare. Sunt utilizate pentru ceasurile de mân, de camer,
camere de filmat, sau aparate care sesizeaz diferena de lumin zi-noapte.
– Panouri mici de 1-10 W i 3-12 V, cu suprafete de 100…1000 cm2 construite
fie prin tierea unor celule mono sau policristaline de 100 cm2 i conectarea
lor în serie, fie prin folosirea panourilor din Siliciu amorf. Sunt utilizate
pentru radiouri, jucrii, pompe mici, garduri electrificate, i pentru încrcarea
baterilor de capacitate mic.
– Panouri mari, de 10…60 W, si în general 6 sau 12 V, cu suprafee de
1000...5000 cm2, construite de obicei din 10…36 celule înseriate. Sunt
folosite separat (pompe mici), sau în reele electrice domestice.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
Sisteme mai mari pot fi construite prin legarea mai multor panouri.
Sistemele PV conin urmtoarele
componente:
a) Reea cu 2…102 panouri
fotovoltaice.
b) Panou de control pentru reglarea
puterii electrice furnizate.
c) Sistem de stocare a energiei
(acumulatori).
d) Convertor curent continuu - curent
alternativ.
e) Surse de energie pentru cazuri de
urgen (generator diesel).
f) Suport i loc de depozitare pentru
panouri.
g) Sisteme de urmrire sau focalizare
i senzori (opional).

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.

Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.
Noiembrie - Decembrie, 2007 IEM - A. Morega, Surse de energie.