Examen Circuite integrate analogice IIB 17 Iunie 2008

NUME: GRUPA:

1. S se calculeze rezistena echivalent n regim liniar a unui tranzistor MOS n condiiile n care Cox=75A/V2, W/L=10m/1, i Vod=500mV. 2. Transconductana de semnal mic a unui tranzistor MOS saturat este de 500S la un curent de dren de 60A. Calculai transconductana pentru un curent de 40A considernd Vod identic. 3. Determinai tensiunea minim admis la ieirea unei surse de curent cascod dac toate tranzistoarele au transconductana de semnal mic egal cu 500S, iar curentul furnizat este egal cu 25A. 4. Raportul de reflexie al unei oglinzi de curent simple cu tranzistoare MOS este de 2.5. Calculai rezistena de intrare a oglinzii dac tensiunile Vod ale tranzistoarelor sunt 250mV, iar curentul la ieire este 100A. 5. Considernd gm=500uS i rDS=150k, calculai rezistena de ieire a oglinzii de curent cascod. 6. Se d circuitul din figur. a). Dimensionai seciunea de amplificator operaional pentru urmtoarele specificaii: GBW=60MHz, CL=2pF, I19=1,5I14 i SR=65V/s. Calculai i tensiunile de polarizare Vcasp i Vbiasp; b). Determinai valoarea GBW dac raportul W/L al tranzistoarelor M13 i M14 se dubleaz; c). Calculai W/L pentru tranzistoarele M1M12 considernd rapoartele de reflexie din schem, asociate oglinzilor de curent; d). Dac rezistena R se consider independent de temperatur, calculai pentru ce variaie a temperaturii curentul furnizat de referin crete cu 20%.

NMOS PMOS

iD 50A 50A

W/L Vod VTh 5m/1m 240mV 450mV 15m/1m 257mV 450mV