Semiconductoare

Materialele semiconductoare au 4 electroni de valenta si au nevoie de o mica energie pentru a deveni liberi. Dintre acestea fac parte materialele pure cum ar fi:Ge,Si,Se ,Telur si compusi ale acestora. Conductivitatea la aceste materiale este de 2 feluri: -conductivitate intrinseca; -conductivitate extrinseca.

1.Materiale semiconductoare intrinseci

Materialele semiconductoare intrinseci sunt materiale semiconductoare pure, la care atomii din reeaua cristalin sunt de un singur tip, din grupa aIVa a tabelului periodic al elementelor i anume: Siliciul i Germaniul. n prezent, cel mai utilizat element pentru obinerea materialelor semiconductoare este siliciul. Revenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de 00K, electronii sunt plasai numai n banda de valen. Deoarece nu exist electroni de conducie (electroni liberi), n structura materialului semiconductor nu se genereaz curent electric. La temperaturi mai mari de 0 0 K, o parte a energiei termice este preluat de ctre electronii de valen, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece de nivelele energetice din banda interzis i ajunge pe nivelele energetice din banda de conducie, devenind liberi s se deplaseze prin structura materialului. Prin plecarea acestor electroni din Figura 4. banda de valen, locul ocupat iniial de ctre acetia pe nivelul energetic din banda de valen devine liber, altfel spus - gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt electron de valen, fr un aport energetic substanial. Acest al 2lea electron de valen, prin ocuparea nivelului energetic lsat liber de primul electron, las la rndul lui un nou loc liber, un nou gol, pe nivelul energetic ocupat n banda de valen. Se constat astfel, o deplasare a golurilor n banda de valen, motiv pentru care i golul este un purttor de sarcin mobil. Acest fenomen este prezentat n Figura 4. Acelai fenomen poate fi explicat pe baza structurii reelei cristaline a atomului de siliciu. La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin legturi covalente la care fiecare dintre acetia particip cu cte 4 electroni de

valen. La nivelul reelei cristaline, electronii de valen pot cpta suficient energie astfel nct s rup legturile covalente n care au fost fixai. Prin ruperea legturii covalente, electronii de valen devin liberi (devin electroni de conducie) i las n urm, la nivelul atomului de unde au plecat un gol, caracterizat printr-un un exces de sarcin pozitiv la nivelul atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere electric, cu o sarcin electric pozitiv fictiv. n continuare, dac un alt electron de valen rupe o legtur covalent, devenind liber, poate ocupa golul lsat de primul electron de valen.

2.Doparea materialelor semiconductoare.Materiale semiconductoare extrinseci

Fenomenul de dopare const n introducerea n materialul semiconductor intrinsec, prin diverse procedee controlate, a unor atomi diferii fa de cei din Si sau Ge, denumii i atomi de impuritate, n scopul modificrii proprietilor electrice ale materialului semiconductor. Un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate se numete material semiconductor extrinsec. Condiia necesar ca un material semiconductor s fie extrinsec este ca concentraia de atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec, notat Nimpuriti s fie mult mai mare dect concentraia intrinsec ni:

Nimpuritati ni

(2)

Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode. Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi din grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent utilizai sunt cei prezentai n Figura 7. n funcie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoare intrinseci, materialele semiconductoare extrinseci se mpart n 2 categorii: materiale semiconductoare de tip N materiale semiconductoare de tip P

Materiale semiconductoare de tip N

Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate pentavaleni, (din grupa a Va a tabelului periodic al elementelor chimice), care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru din cei cinci electroni de valen a atomului de impuritate formeaz 4 legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de Siliciu sau Germaniu nvecinai, n timp ce al 5lea electron de valen al atomului

de impuritate este slab legat, astfel c la temperatura camerei primete suficient energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de conducie, capabil s participe la fenomenele de conducie, aa cum este prezentat i n Figura 8.

Figura 8. Se constat c formarea electronului de conducie nu este nsoit de generarea unui gol. Electronii de conducie obinui n acest mod sunt generai prin doparea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a electronilor de conducie, acetia mai pot fi generai i prin mecanismul de generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui electron de conducie este nsoit de generarea unui gol. Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip N, concentraia de electroni de conducie este mult mai mare dect cea de goluri. Din acest motiv, electronii de conducie se numesc purttori de sarcin majoritari, iar golurile se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 5lea electron de valen, el se numete atom donor. n urma cedrii celui de al 5lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (se reamintete c un atom este neutru dpdv electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv, iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).

Materiale semiconductoare de tip P

Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivaleni, (din grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul, galiul, indiul, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Atomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valen ai si, la formarea numai a trei legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai, lsnd electronul de valen al celui de-al 4lea atom de siliciu

nvecinat fr legtur covalent, astfel crend un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv. Electronul de valen al celui de-al 4lea atom de siliciu nvecinat (n Figura 9, atomul de siliciu din dreapta) poate forma o legtur covalent cu un alt electron de valen al unui alt atom de siliciu nvecinat, care, prin completarea acestei legturi covalente, las la rndul su, n urma sa un gol.

Figura 9.

Se constat c formarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie. Golurile obinute n acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a golurilor, acestea mai pot fi generate i mecanismul prin generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie. Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip P, concentraia de goluri este mult mai mare dect cea a electronilor de conducie. Din acest motiv, golurile se numesc purttori de sarcin majoritari, iar electronii de conducie se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un atom de siliciu nvecinat, el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui electron, atomul acceptor devine ion negativ.