Cotref Sergiu

24 septembrie 2015

10:35

Subiectele
1. Semiconductori
2. Impuriti
3. Jonciuni electrice: clasificarea, procideele, de echilibru, strpungirile jonciunilor pn, fabricarea
4. Dispozitive:dioda semiconductoare, clasificarea, dioda impuls.....
5. Tranzistorul bipolar, schimbul de conectare, procedeele parametrii.
6. Tranzistorul cu efect de cmp, schema de conecatre.
7. Tiristor: tubul vidat,
8. Elemente pasive:dioda , condensatorul, tranzistorul () pentru acas
Elemente pasive
Rezistorul- este o pies component din circuite electrice i electronice a crei principal proprietate
este rezistena electric. Rezistorul obinuit are dou terminale; conform legii lui Ohm, curentul
electric care curge prin rezistor este proporional cu tensiunea aplicat pe terminalele rezistorului.
I=U/R. Cel mai imporntant parametru al unui rezistor este rezistena sa electric exprimat n .
Condensatorul- Un condensator este un dispozitiv electric pasiv ce nregistreaz energie sub forma
unui cmp electric ntr 2 armturi crcate cu o sarcin electric egal, dar de semn opus. Acesta mai
este cunoscut i sub denumirea de capacitor. Unitatea de msur, n sistemul internaional, pentru
capacitatea electric este faradul (notat F).
Condensatoarele pot fi numite de mai multe feluri (electrolitice, cu tantal, etc.), ele fiind realizate
att tehnologie SMD ct i tehnologie THD.
Bobina-este n electrotehnic un dispozitiv electric pasiv, care are 2 terminale(capete) i este folosit
n circuitele electrice pentru a nmagazina energia n cmp magnetic sau pentru detecia cmpurilor
magnetice. Parametrul specfic al unei bobine este inductana sa.
Dioda semiconductoare- este un dispozitiv electronic constituit dintr-o jonciune pn prevzut cu
contacte metalice le regiunile p i n i introdus ntr-o capsul din sticl sau metal.

Cri:Vasilescu Gabriel, erban lungu--Electronica ediia 1993

Gusev V.G. Gusev Iu.M. Electronica 728 pagini
Bcikov Iu.A Teoriticiskie I electrolitiki SPB-Piter 2003

Semiconductori
Noiuni generale clasificri:
Din punct de vedere al electrocunductibilitii toate materialae se mpart n 4 grupe:
1. Conductori- sunt materialele care practic nu mpiedic curentul s curg prin ele, datorit rezistenei
sale specifice joase(are valori nu mai mari 10-5Ohm*m.
2. Dielectrici-sunt materialele care mpiedic curgerea curentului prin ele, din cauza rezistene sale
specifice nalte (rezistena specific mai mult de 108 *m. Materialele date sunt utilizate n calitate
de izolatoare.
3. Semiconductori-sunt materialele cu rezistena specific a crora poate are valori de la 10-5 pn la
1010*m. Rezistena acestor materiale depind mult de variaa condiiilor exterioare. Cum ar fi
diferena de temperatur, schimbarea fluxului optic sub care sunt pui etc. Ca rezultat datorit
acestor factori exteriori un semiconductor poate fi numit conductor iar n anumite condiii dielectric.
Cele mai rspndite semiconductoare sunt Si (Siliciu),Ge (germaniu) GaAs(galiu arseniu) majoritatea
dispozitivelor se fabric cu ajutorul acestor elelmente.
dispozitive electronice Pagina 1

dispozitivelor se fabric cu ajutorul acestor elelmente.

4. Supraconductori-sunt materialele care la rcirea pn la o temperatur numit critic brusc
micoreaz rezistena sa specific pn la 0.
Un atom a unui semiconductor este alctuit din nucleu n jurul cruia la o anumit distan se rotesc
elelctronii. Electronii se mic n limitele unor straturi determinai de energia lor cu ct mai departe de
nucleu se afl elelctronul cu att mai nalt este nivelul su energetic. Electronii pot trece de pe un nivel pe
altul la trecerea electroniloir de pe un nivel mai ndeprtat pe unul mai apropiat are loc degajarea sau
absorbia are loc degajarea energiei la trecerea invers are loc absorbia ei. Degajarea i absorbia energiei
are loc n cantiti strict determinate numite cuante.
La analiza structurii atomurilor diferitor elemente se pot descoperi nivelel(interioare) completate cu
elelctroni i nivele (exterioare) necompletate cu electroni. Ultimile se mai numesc de valen, electronii de
pe aceste nivele se vor numi de valen au legtur mai slab cu nucleul i mai simplu pot face parte la
formarea legrurii cu ali atomi. Pentru semiconductori sunt specifice legturile covalente care se
formeaz datorit faptului c electronii de valen a 2 atomi vecini devin comuni. Se numete banda
energetic diapazonul energiei pe care o poate avea un electron. n structura unui corp solid poate fi
observate urmtoarele benzi energetice:
1. Banda permis - este banda ce este caracterizat ce toate nivelel ei la temperatura 0 k sunt
compleate cu electroni. Partea de sus a benzii se numete banda de valen.
2. Banda interzis-se caracterizeaz prin aceea c n limitelel ei nu exist nivelel energetice pe care se
pot afla electronii.
3. Banda de conducie- se caracterizeaz prin aceea c electronii ce se afl n limitelee acestei benzi nu
mai sunt legai cu nucleele aatomilor(sunt liberi).
La mijlocul benzii interzise se afl nivelul Fermi este un aa nivel energetic pe care cu probabilitatea de 1/2
se poate afla elelctronii acest niveel rmne constatn o dat cu varierea temperaturii/ cnd varietatea
electroconductibilitii este =0.
Electroconductibilitatea proprietatatea unui material de a conduce curentul elelctric.
__________Tabelul 1.

La un semiconductor pu i omogen la temperaturi diferite de 0 Kelectronii liberi i golurile se formeaz n

perechi adic numrul golurilor = cu nr. electronilor liberi. Eleectroconductibilitatea unui asemenea
conductor se va numi proprie. Electroconductibilitatea ce se datoreaz micrii electronilor liberi se vor
numi electroconductibilitatea electronilor. Iar eletroconductibiliatatea ce se datoreaz micrii golurilor se
va numi electroconductibilitatea golurilor.
Procedeul formrii perechilor electron i gol se numete generarea. Ca rezultat ca element de sarcin
aprut dup rupera legturilor covalente se mic haotic prin volumul semiconductorului. Pn n
momentul n care electronul din nou nu va face parte din careva legtur acest procedeu se va numi
recombinare. Intervalul de timp trecut de la generarea particulei pn la recombinarea se numete timpul
de via. Distana parcurs n acest interval de timp se numete lungime de disfuzie.
Ln=
p-coeficientul de disfuzie ;
dispozitive electronice Pagina 2

Ln=
p-coeficientul de disfuzie ;
Ln=
Rezisten specific -pentru acas
Se numete semiconductor intrensec semiconductor lipsit de impuriti cu o reea cristalin ideal ce se
nuteaz cu litera i semicnonductor de tipul i acest semiconductor la temperatura 0 absolut (-273 grade C)
devine dielectrc ...i nu poate conduce electronii
Se numesc purttor majoritari purttorii de sarcin urmtorilor de sarcin predomen n semiconductor.s
Se numesc purttori minoritari purttorii de sarcin concentraia crora este mai mic dect a celor
majoritari.
Electroconductibilitatea impuritii
Impuritile se mpart n 2 clase: donore- care doneaz electroni acelui semiconductor n aa mod numr
elelctronilor liberi va fi mai mare dect goluri
Acceptore ea va accepta electroni nseamn c valena ei va fi mai mic i vor rmne goluri de aici rezult
numrul golurilor vor fi mai multe dect electroni.

Proprietile electrice ale unui semiconductor depind de impuriti: exist 2 tipuri impuriti
a. Acceptori - atomii impuritilor acceptori sunt capabili s primeasc din exterior unul sau mai muli
electroni devenind ioni negativi. Spre exemplu Ge (valena 4) dac n Ge valena cruia este 4
adugm o careva cantitate de In valena cruia este 3 atunci fiecare atom de In v-a forma cte 4
legturi covalente cu atomii Germaniului al 4-lea electron fiecare atom de In l accept de la careva al
5-lea atom de Ge (desenul 2)
Dac n Ge fig 1.a. Adugm o oarecare cantitate de In atunci, n locul electronului acceptat de In pentru
formarea legturii numrul 4 va rmne un loc vacant, n aa mod numrul golurilor devine mai mare dect
cel al electronilor liberi. Iar semiconductorul dat devine de tipul p. Nivelele de valen a impuritii
acceptorii se afl n partea de jos a benzii interzise a materialului n care a fost introdus aceast
impuritate (fig 1.b.) n aa mod electronii de Ge primind o cantitate mic de energie pot uor trece pe
aceste nivele .
n fig.1.C. Este artat nivelul Fermi ntr-un semiconductor de tip p.
b. Donori-n impuritile donore electronii de valen sunt foarte slab legai cu nucleul lor obinnd o
cantitate mic de energie aceti electroni trec n banda de conducie a materialului n care
impuritate dat a fost introdus. (Desenul 3)
Fig 3.a ntr-o oarecare cantitate de Ge a fost introdus o oarecare cantitate de Sb cu valena 5 fiecare
atom a lui a format a cte 4 legturi cu atomii de Ge. Electronul de valen rmas al Sb nelund parte
la nici o legtur devine liber n aa mod numrul electronilor liberi devine mai mare dect cel al
golurilor, semiconductorul dat va fi de tipul n. Nivelele de valen a unei impuriti donore se afl n
partea de susa benzii interzise a materialului semiconductor n care aceast impuritate a fost
introdus. n aa mod elctronii de pe aceste nivele uor trec n banda de conducie a materialului
semiconductor fig 3.b. i dup cum se vede n fig 3.c. Nivelul Fermie se afl n partea de sus a benzii
interzise.
Electroconductibilitatea electronilor
Nivelul fermie
Vitezele cosmice
8km/s - pentru a iei din orbit
16km/s- pentru a
24km/sTema: Jonciunea electron-gol
Jonciunea electron-gol (pn) regiunea la hotarul a 2 semiconductoare cu diferit tip de electroconductibilitatea. Limea jonciunii pn de obicei atinge valori de la 100nm pn la 1m, jonciunile pot fi
nu numai ntre semiconductori cu diferit tip de electroconductibilitate, ci i ntre semiconductori cu acelai
tip de electroconductibilitate, ns concentraie diferit. n aa caz jonciunea se va numi electron-electron
(n-n+) sau gol-gol(p-p+). Semnul + vorbete despre faptul c concentraia purttorilor majoritari ntr-o
regiune e mai mare dect pentru cealalt jonciune pn concentraia purttorilor de sarcin majoritari n
regiunile semiconductoare= ca rezultat i a celor minoritari se numesc simetrice. n practic ns se
utilizeaz mai mult jonciunile asimetrice. Jonciunea pn nu se obine la un simplu contact a 2
semiconductoare, ci n anumite condiii dup anumite tehnologii cum ar fi disfuzia, alierea(topirea),
epitaxie, implantare ionic
dispozitive electronice Pagina 3

epitaxie, implantare ionic

Desenul caiet denis:1

dispozitive electronice Pagina 4

a) Jonciunea electron gol aflat n echilibru

dispozitive electronice Pagina 5

a) Jonciunea electron gol aflat n echilibru

Cazul cnd nu aplicm tensiunea electric
Desenul caiet denis: 2

O parte din goluri di regiunea p din apropierea conactului metalurgic difuzeaz n regiunea n. Iar o parte de
electroni din regiunea n difuzeaz n regiunea p. n aa mod, n apropierea contactului se acumuleaz o
sracin numit spaial. Acest fapt duce la apariia unui cmp electric numit difuzie. Acest cmp e orientat
din regiunea p deoarece potenialul regiunii n e pozitiv. Cmpul de disfuzie aprut stopeaz difuia. n
jonciune se stabilete un echilibru. Bariera de potenial aprut=q*, diferena de potenial ntre aceste
2 regiuni, q-particula elecmentar (Coloni). Cu ct mai departe de contact, cu att mai mic e acet cmp
electric. Din acest motiv i benzile energetice se reprezint orizontal. Nivelul Fermi e la acelai nivel n
ambele semiconductoare.
b) Jonciunea electron-gol polarizant direct
O jonciune pn va fi polarizat direct atunci cnd la regiunea p se va aplica plusul tensiunii exteriaoare iar la
regiunea n se va aplica minusul tensiunii exterioare.
Desenul caiet denis: 3

Atunci cnd la regiuneea p se va aplica t, iar la regiunea n se va aplica- atunci ambele cmpuri vor fi
orientate n aceeai direcie.
n aa caz va mai aprea un cmp electric exterior orientat de la + la -, adic n direcia opus celui interior.
Ca rezultat cmpul electric umar se va micora, bariera de potenial i va deveni:=q(-U).
Jonciunea ca regiune va exista att timp ct U va fi mai mic dect . Odat ce U devine , jonciunea ca
regiune dispune, iar difuzia purttorilor majoritari va crete. Prin jonciune va curge curent numit direct.
Trecerea purttorilor majoriari ntr-o regiune n care ei devi minoritari datorit micorrii barierei de
dispozitive electronice Pagina 6

Trecerea purttorilor majoriari ntr-o regiune n care ei devi minoritari datorit micorrii barierei de
potenial se numete injecie. Regiunea din care se injencteaz purttorii de sarcin se numete emitor.
Regiunea n care se injecteaz aceti purttori de sarcin se numete emitor. Regiunea n care se
injencteaz aceti purttori de sarcin se numete baz (concentraia e mic).
c) Jonciunea electron-gol polarizat indirect
(la p-, la n+).
Desenul caiet denis: 4

Dac la regiunea n se aplic + tensiunii exterioare iar la regiunea p se aplic - ei, atunci ambele
cmpuri(interior i exteriori) vor fi orientate n aceeai direcie. Bariera de potenial pentru purttorii
majoritari va crete. ns pentru cei minoritari sunt atrai de cmpul electric al jonciunii i transferai
n regiunea n care ei devin majoritari. Deci are loc extracia. Prin jonciunea pn va curge curentul
indirect ce se datoreaz micrii purttorilor minoritari. Valoarea lui e mic, din cauza concentraiilor
mici a purttorilor de sarcin minoritari.
Caracteristic volt-amperic
Strpungerea jonciunilo electron-volt:
Se numete strpungere procedeul micorrii considerabile a rezistenei indirecte nsoit de creterea
curentului indirect la mrirea tensiunii indirecte.
Strpungerea poate avea 2 mecanisme:
1. Mecanismul electric- n urma acestui mecanism dispozitivul i revine
2. Mecanismul termic- dispozitivul nu-i revine
Strpungirile sunt:
1. Tunel-caracter electric
Desenul 4

dispozitive electronice Pagina 7

La tensiuni indirecte mari, benzile energetice se deformeaz att nct energia electronilor din banda
de valen a unui semiconductor devine = cu energia electronilor din banda de conducie a celorlali
semiconductori, n aa mod prin bariera de potenial se formeaz un tunel. Desenul 4. a.

2.

3.

a.
b.

Strpungerea volt-amperic
La
Strpungerea curent apare la dispozitive semiconductoare cu jonciune ngust
n avalan- la tensiuni indirecte mari purttorii de sarcin minoritari sunt atrai de cmpul electric al
jonciunii i transferai n regiunea unde ei devin majoritari. n regiunea jonciunii aceste purttor de
sarcin se ciocnesc cu atomii ce fac parte din reeaua cristalin. i ionizeaz pe ei. n rezultat apare o
pereche de purttori de sarcin care la fel sunt accelerai de cmpul electric al jonciunii se ciocnesc
cu ali atomi ca rezultat apar noi purttori de sarcin. Deci numrul purttorilor de sarcin crete n
progresie geometric, exact dup aceeiai lege va crete i curentul indirect
n avalan - caracter electric
Termic-strpungerea termic apare atunci cnd cantitatea de cldur degajat de dispozitiv este
mai mare dect cantitatea de cldur evacuat de la el (teplovoi proboi). n rezultatul nclzirii se
intensific termogenerarea purttorilor de sarcin, acest fapt duce la creterea n continuare a
temperaturii. Pentru a nu admite strpngerea termic pe dispozitive se instaleaz radiatoare.
O strpungere poate aprea n rezultatul alteia. Un rol foarte important la funcionarea jonciunii la
anumite frecvenel au capacitile:
de difuzie- aceast capacitatea apare la polarizri directe, se datoreaz purttorilor de sarcin care la
rezultatul injeciei difuzeaz prin jonciune i nu reuesc s se recombineze.
de barier- aceast capacitate apare la polarizri indirecte atunci cnd toi purttorii de sarcin se
afl la hotarele jonciunii, iar n ea practic lipsesc

Heterojonciunii- diferite limi ntre benzile interzise

Homojoniuni- concetraii de sruri
Tema: dioda semiconductoare
Noiuni generale clasificri-se numetet diod semiconductoare dispozitivul alctuit dintr-o jociune i
care reguli cu 2 terminale(borne, picioare) pentru conectarea la circuitul exterior. n baza clasificrii pot fi
puse diferite criterii cum ar fi:
1. Dup construcii:
a. Construcii planare, - cun jonciunea ce are aria mai mare
dispozitive electronice Pagina 8

a. Construcii planare, - cun jonciunea ce are aria mai mare

Desenul 5 (a) impuls

1.cristalul de Germaniu
2.Acul de wolfram
3.corpul diodei
4.terminalele ei
(b) redresoare construcie planar

1.corpul ca regul metalic

2.semiconductorul(Ge)
3.jonciunea electron-Volt
4.Izolator
5.Suportul semiconductorului
6.terminalele
b. Punctiform- jonciunea este n form de un punct
1. Material a crui conductibilitate electric este mai slab dect cea a conductoarelor (metalelor) i
mai bun dect cea a izolatoarelor
2. Atunci cnd avem Indiu cu valena 3 i germaniu cu valena 4 are loc procesul de atracie a unui
electron de pe ultimul strat de la Germaniu ca s aib legtura ionic
3. Intervalul de timp trecut de la generarea particulei pn la recombinarea se numete timpul de via
4. Jonciunea electron-gol (pn) regiunea la hotarul a 2 semiconductoare cu diferit tip de electrodispozitive electronice Pagina 9

4. Jonciunea electron-gol (pn) regiunea la hotarul a 2 semiconductoare cu diferit tip de electroconductibilitatea. Limea jonciunii pn de obicei atinge valori de la 100nm pn la 1m, jonciunile
pot fi nu numai ntre semiconductori cu diferit tip de electroconductibilitate, ci i ntre
semiconductori cu acelai tip de electroconductibilitate, ns concentraie diferit.
5. n aa caz jonciunea se va numi electron-electron (n-n+) sau gol-gol(p-p+). Semnul + vorbete
despre faptul c concentraia purttorilor majoritari ntr-o regiune e mai mare dect pentru cealalt
jonciune pn concentraia purttorilor de sarcin majoritari n regiunile semiconductoare= ca rezultat
i a celor minoritari se numesc simetrice. n practic ns se utilizeaz mai mult jonciunile
asimetrice.
6.
Trecerea purttorilor majoriari ntr-o regiune n care ei devi minoritari datorit micorrii barierei
de potenial se numete injecie.
Bariera de potenial pentru purttorii majoritari va crete. ns pentru cei minoritari sunt atrai
de cmpul electric al jonciunii i transferai n regiunea n care ei devin majoritari. Deci are loc. Prin
jonciunea pn va curge curentul indirect ce se datoreaz micrii purttorilor minoritari. Valoarea lui
e mic, din cauza concentraiilor mici a purttorilor de sarcin minoritari.
7. O jonciune pn va fi polarizat direct atunci cnd la regiunea p se va aplica plusul tensiunii exteriaoare
iar la regiunea n se va aplica minusul tensiunii exterioare.
8. Dac la regiunea n se aplic + tensiunii exterioare iar la regiunea p se aplic - ei, atunci ambele
cmpuri(interior i exteriori) vor fi orientate n aceeai direcie. Bariera de potenial pentru purttorii
majoritari va crete. ns pentru cei minoritari sunt atrai de cmpul electric al jonciunii i transferai
n regiunea n care ei devin majoritari. Deci are loc extracia. Prin jonciunea pn va curge curentul
indirect ce se datoreaz micrii purttorilor minoritari. Valoarea lui e mic, din cauza concentraiilor
mici a purttorilor de sarcin minoritari.
Purttori majoritari de sarcin Deosebirile de jonciunile simetrice i asimetrice- Prin concetraia purttorilor de sarcin
Dioda stabilizatoare
Desenul 7 s

Schema celui mai simplu stabilizator parametric este prezentat n desenul 7/

La tensiuni indirecte n jonciunea electron-volt apare un cmp electric de intensitate mare ce duce la
apariia strpungerii n acest regim n acest regim dioda stabilizatoare nu se nclzete n continu deci
strpungerea nu trece n termic. Dup cum se vede din circuitul prezentat din desenul 7 n serie cu dioda
este conectat un rezistor deseori numit de balast, paralele cu dioda stabilizatoare este conectat sarcina
datorit formei caracteristicei volt-amperice (ramura indirect) sale. Pe diod va cdea doar tensiunea de
stabilizare UVD/Ust , restul tensiunii va cdea pe rezistorul R. Cderea de tensiune pe dioda stabilizatoare va
fi egal cu cderea de tensiune pe sarcin, deoarece elementele date sunt conectate n paralel. Deci la
micorarea tensiunii de intrare curentul prin dioda stabilizatoare i cderea de tensiune prin rezistorul R se
vor micora iar cderea de tensiune pe dioda stabilizatoare i respectiv pe sarcin rmn neschimbate. La
mrirea tensiunii de intrare curentul prin dioda stabilizatoare i cderea de tensiune pe rezistorul R vor
crete, tensiunea pe sarcin oricum va rmnea neschimbat i va fi egal cu stabilizare va fi egal cu
dispozitive electronice Pagina 10

crete, tensiunea pe sarcin oricum va rmnea neschimbat i va fi egal cu stabilizare va fi egal cu

stabilizare, rezult c dioda stabilizatoare menine aceiai tensiune (Ustabilizare) la variaiiel curentului de
la Istabilizare min pn la Istabilizare max. parametrii de baz pe lmng taote celelelate sunt: Tensiunea de
stabilizare dup curentul minim i maxim (Ust, Imin, Imax). Procesul fizic n dioda stabilizatoare este
strpungerea n avalan care poate s aib loc n strpungerea termic.
Dioda impuls
Construcia unei diode impuls este prezentat n desenul 5 a). Dup cum se vede aria jonciunii la o diod
impuls este foarte mic, acest lucru este foarte important deoarece datorit acestui fapt capacitatea
jonciunii are valoare mic ceea ce duce la micorarea duratelor de timp a proceselor de tranziie (din
starea nchis n cea nchis). Diodele impuls se utilizeaz n circuitele impuls unde lungimea unui impuls
poate avea valori foarte mici de ordinul milisecundelor. Datorit faptului micorrii ariilor jonciunii
puterea de disipare a unei diode impuls este foarte mic
Desenul 8 .
n perioada de timp 0-t1 tensiunea este nchis, momentul de timp t1 dioda se deschide ns curentul prin
ea i atinge valoarea sa maxim nu momentan i n perioada te timp tstabilire necesar pentru ncrcarea
capacitii de barier a jonciunii. n momentul de timp t2jinciunea se nchide regiunea P a diodei ns
rmne saturat cu purttori minoritari de sarcin, adic electroni. Aceti electroni fiind purttori
minoritari de sarcin se ntorc sub aciunea cmpului electric al jonciunii pn polarizate indirect n regiunea
n (se ntorc doar electronii ce nu au reuit s recombineze), datorit acestui fapt curentul indirect brusc
crete.
O dat cu prsirea electronului din regiunea p curentul indirect se micoreaz. Perioada de timp n care
curentul indirect sa atins valoarea sa minim se numete timpul de restabilire.
Adic timpul necesar pentru ca jonciunea electron-volt s-i restabileasc proprietile sale la polarizarea
indirect. Este foarte important ca aceti parametri tstabilire i trestabilire s aib o valoare ct mai mic, anume
din acet motiv diodele impuls au construcie punctiform iar limea bazei se face minimal.
Dioda capacitate variabil (varicap)
Este o diod parametrul de baz al cruia este capacitatea de barier valoarea creia este dirijat
schimbnd tesniunea indirect.
Dreapta de sarcin i punctul de funcionare a valorii semiconductoare
Desenul 9 s

Pentru analiza am considerat un circuit dintr-un rezistor, diod semiconductoare, surs pentru circuitul dat
sunt valabile sistema de excuaie. Egalnd curentul ce curge prin diod i cderea de tensiune pe ea cu 0
(regimul mers n gol i scurt circuit) obinem 2 puncte M i N ce obinem o dreapt. Dreapta obinut MN
se numete dreapta de sarcin, la intersecia dreptei pe sarcin cu curba caracteristicii obinem punctul P
ce se numete punctul de funcionare. Cobornd dreptele n acest punct obinem cderea de tensiune pe
diod dar i valoarea curentului ce curge prin ea.
Marcarea diodelor semiconductoare. K C-133 A, 507
Primul element nseamn materialul K -siliciu
a 2-a liter este destinaia dispozitivului - nseamn dioda redresoare sau impuls, frecven nalt
dispozitive electronice Pagina 11

a 2-a liter este destinaia dispozitivului - nseamn dioda redresoare sau impuls, frecven nalt
A 3-a este cele 3 cifre sunt cifrele care arat ce se ascunde dac e pe baz de Si ultimile 2 cifrene arat
tensiunea
a-4-a pentru acas
Impuritatea, timpul de via, generarea, recombinarea, tehnologiile de fabricare a jonciunii electron volt,
ce nseamn, electron gol, polarizat direct indirect, injecia extracia i cum se obin aceste jonciuni.
Tehnoligiile de fabricare, planar, epitaxia, alierea, implantarea ionic. Dioda semiconductoare, clasificri.
Dioda redresoare i dioda stabilizatoare.

Tranzistorul bipolar
Noiuni genereal. Clasificri
Transistor este numit dispozitivul semiconductor de conversie ce are cel puin 3 terminale i este capabil s
amplifice puterea. n baza clasificrii pot fi puse diferite criterii:
1. Tipul materialului semiconductor- deosebim tranzistoare construite din Ge i Si (cele mai rspndite).
2. Principiul de funcionare- deosebim tranzistoare bipolare i cu efect de cmp (unipolare). ntr-un
tranzistor bipolar toate procedeele fizice se datoreaz purttorilor majoritari i minoritari, iar ntr-un
tranzistor cu efect de cmp se datoreaz purttorilor de sarcin de un singur purttor (pol) ce se
numesc tranzistor cu efect de cmp.
3. Tipul electroconductibilitii - exist tranzistoare pnp i npn
Desenul 10

s
4. Frecvena deosebim transitoare de frecven joas sunt considerate cele care se utilizeaz cu
frecvena mai jos de 3 MHZ, medii 3-30 MHz, i nalt/ supranalt sunt cele care au mai mare de 30
MHz.
5. Puterea- n acest punct de vedere deosebim tranzistoare putere mic (puterea mai mic de 0.3W)
putere medie (de la 0.3 pn la 3W) i tranzistoarele de putere (puterea mai mare de 3 W)
Construcia tranzistorului bipolar
Se numete bipolar deoarece proprietaile fizice
Rezistena specific este mai mare ca acea a emitorului
Tranzistorul bipolar poate funciona n mai multe regimuri dac

Problem: cu ce este egal curentul care curge prin rezistena sarcinii R=120 a redresorului n punte dac
se tie c la intrarea transformatorului este aplicat o tensiune de U=140V iar coeficientul de transformare
este = cu 0,1 i rezistena fiecrei diode Rd=10. Calculm intensitatea
Cu ct a variat rezistorul ..parametric dac se tie c curentul de stabilizarea a crescut cu 3mA. Rezistena
dispozitive electronice Pagina 12

Cu ct a variat rezistorul ..parametric dac se tie c curentul de stabilizarea a crescut cu 3mA. Rezistena
diodei =10, rezistena de balast=400. Rs. Determinm Uint=?.
Distribuirea concentraiei ntr0un tranzistor bipolar desenul 11

s
Se observ c n emitor concentraia impuritilor n emitor este cea mai mare ca rezultat lui fa de cele
terminale este cea mai mic. Concentraia impuritilor n colector este ceva mai mic dect n emitor. Ca
rezultat rezistena colectorului este ceva mai mare dect cea a emitorului. Concentraia impuritilor n
baz este cea mai mic, respectiv rezistena ei este cea mai nalt.
construcia desenul 12

Dup cum se poate obseva din desenul 12 tranzistorul bipolar are 2 jonciuni(jonciunea emitor i
jonciunea colector, terminalele se numesc emitor, colector i baz). n dependen de faptul cum sunt
polarizate jonciunile tranzistorului deosebim urmtoarele regimuri de funcionare ale lui:
- Regimul activ- se caracterizeaz prin faptul c o jonciune este polarizat direct cealalt jonciune
este polarizat indirect.
Regimul activ are 2 conexiuni
Normal - jonciunea emitor este polarizat
direct, iar jonciunea colector este polarizat
indirect
Invers - jonciunea emitor este polarizat
indirect, jonciunea colector este polarizat
direct.
dispozitive electronice Pagina 13

direct.
- Regimul de saturaie - se caracterizeaz prin aceea c ambele jonciuni sunt polarizate direct.
- Regimul de blocare - ambele jonciuni sunt polarizate indirect.
Procedeele fizice ntr-un tranzistor bipolar
Desenul 13

W<<0,2L
IB' >IB''
Considerm un tranzistor bipolar de tip p-n-p polarizat cu ajutorul tensiunilor exterioare (Ucb, Ueb) s
funcioneze n aa mod nct s funcioneze n regim activ conectare normal (emitorul este polarizat
direct, iar colectorul indirect), n rezultatul micorrii barierei de potenial, golurile din regiunea emitorului
prin jonciunea pn difuzeaz n regiunea bazei iar electronii din regiunea bazei difuzeaz n regiunea
emitorului, deoarece rezistena bazei este mult mai nalt dect cea a emitorului, rezult c fluxul golurilor
va fi mult mai mare dect cel al electronilor. Care a rndul su poate fi neglijat din cauza valorii mici. Pentru
aprecierea cantitativ a injeciei prin jonciunea emitor introducem aa numitul coeficientul de injecie
=Iep/Ie; Iep-fluzul purttorilor
Ca rezultat golurile injectate n baz duc la apariia unei sarcini pozitive n apropierea jonciunii pn. Aceast
sarcin este compensat de ctre electroni ce vin de la minusul sursei UEB. Trecerea electronilor de la surs
n baz duce la apariie primii componente a curenilor bazei IBI, orientate din baz.
Electronii mpreun cu golurile mpreun cu golurile se mic prin baz spre colector, deoarece limea
bazei n toate tranzistoarele este foarte mic W<<0,2L doar o parte a acestor purttori de sarcin reuesc
s recombineze (L- lungimea de difuzie). Majoritatea golurilor injectate n baz nu reuesc s recombineze
i nimerind n apropierea jonciunii colectorului n cmpul ei electric sunt transferai n regiuni clectivului,
adic n regiunea n care ei devin minoritari (extracia golurilor). Electronii numrul crora este egal cu
numrul golurilor trecut prin joniunea colector prin jonciunea colector n regiunea colector pleac spre
dispozitive electronice Pagina 14

numrul golurilor trecut prin joniunea colector prin jonciunea colector n regiunea colector pleac spre
plusul(+) sursei UCB. n aa mod apare a 2-a component a curentului bazei IBII orientat deja n baz deci
prin terminalul bazei urc 2 componente ale curentului ei orientate n direcii diferite. Dac procesele de
recombinare n baz lipseau, atunci aceste componente ar fi = ntre ele iar curentul rezultat ar fi =0. ns
deoarece aceste procese exist n toate tranzistoare reale curentul ce curge prin jonciunea emitor este
ceva mai mare dect curentul ce curge prin jonciunea colector cu valoarea curentului bazei.
Numrul purttorilor de sarcin minoritari ce au ajuns pn la jonciunea colectorului este
caracterizat de coeficientul de transfer
H=Icp/Iep rezult c (2)
Ic=*Ie (3)
=*H (4)
I =IB+IC (5)
IC=*IC+Icind (6)
Schimbnd tensiunea aplicat la emitor se schimb numprul purttorilor de sarcin injectai n baz,
respectiv respectiv ceea ce duce la schimbarea curentului colector i emitor.
Schemele de conectare a tranzistorului bipolar:
Tranzistorul bipolar are 3 terminale, n dependen de faptul care terminal al tranzistorului este
comun pentru intrare i ieirea a circuitului deosebim 3 scheme de conectare a tranzistorului bipolar:
- Baz comun - Desenul 14

- s
Alfa - coeficientul de transfer al curentului emitor Iie/Iint=Ic/Ie<1, deoarece Ie e mai mic ca Ic
Schema baz nu asigur amplificare dup curent are rezisten de intrare mic. Alt dezavantaj este
pentru funcionarea schemei date sunt necesare 2 surse de alimentare.
- Emitor comun - schema desenul 15 s

dispozitive electronice Pagina 15

Beta se numete coeficientul de transfer al curentului bazei pentru schema bazei.

Circuitul emitor comun observm c schema ne asigur rezistena de intrare este mai mare dect n
cazul schemei baz comun. Avantajele: ambele surse au aceleiai polaritate. Posibilitatea utilizrii
unei singure surse pentru alimentarea rezistorului. Schema emitor comun schimb faza semnalului
cu 180 de grade, spre deosebire de schemele baz i colector comun.
- Colector comun - schema colector comun desenul 16 d

- sunt identice caracteristicele din cazul schmei emitor baz. Coeficientul de transfer al curentului
bazei pentru schema emitor comun.
Schema colector comun se mai numete repetitor pe emitor datorit faptului c tensiunea de ieire
o repet ca form pe cea de intrare. Se numete deoarece rezistena sarcinii este conectat n
circuitul emitorului. Rezistena de intrare a schemei date fiind o jonciune colector polarizat indirect
este mare.
Tranzistorul bipolar n calitatea de cuadripol activ. Sistemele de parametri r, g, h(hibrid).
n cazul oricrei scheme de conectare a tranzistorului bipolar el poate fi prezentat ca un cuadripol activ la
intrarea cruia este aplicat tensiunea U1 i curge curentul I1 iar la ieire este aplicat curentul U2 i
respectiv curge curentul I2. desenul 17

dispozitive electronice Pagina 16

s
a. Sistema parametrilor r
I2=0;
I1=0;
I2=0;
I1=0;
R11-se numete rezisten de intrare desenul 18

s
R12- rezisten de reacie
R21- rezistena de transfer
R22- rezistena de ieire
Parametrii G DESENUL 19

dispozitive electronice Pagina 17

U2=0;
U2=0;
U1=0;
U1=0
G11-se numete admintana de intrare
G12-admintana de transfer ntre intrare/ieire
G21- admintana de transfer pentru ieire/intrarea
G22-admintana de ieire
Parametrii h DESENUL 20

U2=0;
I1=0;
U2=0;
dispozitive electronice Pagina 18

U2=0;
I1=0
H11-impendana de intrare, ieirea fiind scurt circuitat
H12-coeficientul de transfer indirect dup tensiune (la intrare avem mers n gol)
H21-coeficientul de transfer dup curent, ieirea fiind scurt circuitat
H22-admintana de ieire la intrare avem mers n gol.
Tranzistorul bipolar n regim de cheie electronic

Parametrii de baz i marcare tranzistoarelor bipolare

Marcarea tranzistorului bipolar este din 6 elemente:
1. 3
- este materialul semiconductor
T- tipul tranzistorului (T - tranzistor bipolar, - tranzistor cu efect de cmp)
3- este din 3 sau 4 cifre. Pima cifr dintre care ne arat frecvena i puterea tranzistorului.
B- modificarea tranzistorului (
Fr. mic Fr. Medie Fr. mare
P/f
Putere mic

<0.3V

<3MHz 3-30MHz >30MHz

1

Putere medie 0.3-3V

Putere mare

>3V

dispozitive electronice Pagina 19