Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ATO M
n iv e l
gol
M ETAL
banda
g o a la
ATO M
n iv e l
gol
IZ O L A T O R
banda de
c o n d u c tie
g o a la
banda
in te rz is a
n iv e l
sem i
ocupat
n iv e l
ocupat
banda
s e m io c u p a ta
banda de
v a le n ta
p lin a
Banda
de
c o n d u c tie
e le c t r o n i
E n e r g ie
F
F e rm i
Banda
de
v a le n ta
P ro b a b ilita te
p o z it ie
Si
Ge
Se Te
InSb
Semiconductor
InP
GaP
PbS
CdS
1,29
2,32
0,34
2,5
3,03
3,2
3,5
0,56
(1)
banda
in te rz is a
g o lu r i
1,40
SiO2
~8
E n e rg ie F e rm i
0 ,5
E n e rg ie
0
n iv e le
o c u p a te
kBT
n iv e le
lib e re
(2)
(3)
Nc = 2(2m'ekBT)3/2 /h3
(4)
(5)
(6)
(7)
Nv = 2(2m'gkBT)3/2 /h3
(8)
p = Nve
unde:
este densitatea efectiv de stri din banda de valen;
- Ev vrful benzii de valen, nivelul din banda de valen cu
cea mai mare energie;
(9)
(10)
(12)
R(T)=ReB/T
(14)
(15)
B =E /(2k)
(17)
(18)
(16)
[]SI = C1.
Exemplul 1.
Calculm constanta de material a unui termistor "B" tiind
rezistena lui la 2 temperaturi:
(13)
B =[T1T2/(T2T1)]ln(R1/R2), B =
(11)
Exemplul 3.
Folosind relaia (18) putem determina variaia de rezisten
(dR) dac tim variaia de temperatur (dT):
=B/T2.
dR= R dT = BR dT/T2.
(19)
(20)
Semiconductori dopai
Introducerea de atomi strini n materialul semiconductor
poart numele de dopare. ntr-un semiconductor elementar ca
siliciul (Si) ce are 4 electroni de valen, atomii cu 5 electroni
de valen, ca fosforul (P), introduc n banda de conducie
electroni i de aceea se numesc atomi donori sau simplu
donori. Atomii cu 3 electroni de valen, ca aluminiul (Al),
capteaz electroni din banda de valen i de aceea se numesc
atomi acceptori, sau scurt acceptori.
Nivelele de energie ale donorilor se afl n banda interzis a
semiconductorului, imediat sub fundul benzii de conducie, la
~0,05eV. Nivelele de energie ale acceptorilor se afl n banda
interzis a semiconductorului, imediat deasupra vrfului benzii
de valen, la ~0,05eV.
Influena impuritilor asupra semiconductorului.
Gradul de impurificare a unui semiconductor este dat de
concentraia atomic a impuritilor, adic de raportul dintre
numrul atomilor strini i numrul atomilor gazd. Astfel o
concentraie c=0,01% atomice de P (100ppm, pri pe milion)
n siliciu, nseamn c avem un atom de fosfor la fiecare
10.000 de atomi de siliciu. Fiindc siliciul are masa molar MSi
=28,09 g/mol (la care corespund numrul lui Avogadro NA=
61023 atomi Si/mol) i densitatea d=2,33 g/cm3, rezult n
unitatea de volum un numr de atomi de Si:
N=NAd / M = 4,971022 atomi Si/cm3
n = p = ni =1,451010 cm3
iar numrul total de purttori va fi:
n + p = 2,91010 cm3.
Fiindc fiecare atom donor de P aduce n banda de conducie a
Si un electron, rezult c numrul electronilor de conducie, n,
va fi practic egal cu numrul atomilor donori Nd. Numrul de
goluri din banda de valen va fi dat de legea aciunii maselor:
p = ni2/Nd = 42,3 goluri/cm3 !
Din acest salcul rezult c numrul electronilor liberi din Si
dopat este cu 17 ordine de mrime mai mare dect cel al
golurilor, iar numrul total de purttori n cristalul impurificat
este de 108 ori (100 de milioane de ori) mai mare dect cel din
materialul pur. Practic i conductivitatea cristalului impurificat
este de 108 ori mai mare dect conductivitatea electric a
cristalului pur.
Echilibrul electric n semiconductorii cu impuriti.
ntr-un semiconductor exist patru clase de particule ncrcate
cu sarcini electrice :
=> particule cu sarcin pozitiv:
- goluri mobile, cu densitatea p, aflate n banda de valen;
- ioni donori fici, cu densitatea Nd+ i nivele de energie Ed n
banda interzis, aproape de fundul benzii de conducie;
=> particule cu sarcin negativ:
(21)
n p = Nd N
(22)
p= ni /Nd
n>>p
(23)
n= ni2/Na
p>>n
(24)
JONCIUNEA P-N
Alipind un material semiconductor de tip p cu unul tip n, apare
fenomenul de difuzie, a golurilor din regiunea p n regiunea n
i electronilor din regiunea n n regiunea p. Difuzia e generat
de agitaia termic i de existena unei variaii a concentraiei
cu poziia n zona de contact (gradient de concentraie). Dac
n partea stng avem o concentraie mai mare de electroni
dect n partea dreapt, atunci o suprafa normal pe direcie
va fi traversat de mai muli electroni dinspre stnga dect
dinspre dreapta. Fluxul net de electroni prin unitatea de
suprafa va fi:
flux de electroni = nvn = Dnn/x
(1)
unde:
Dn = kBT/m = nkBT/q coeficient de difuzie [m2/s]
timpul dintre dou ciocniri
= q/m mobilitate [m2/(Vs)]
Variaia concentraiei de impuriti se face pe distane mici
(sub 107 m) pentru a se produce o jonciune p-n, altminteri
este doar un semiconductor obinuit la care se modific lent
tipul de conducie.
Electronii ce difuzeaz n regiunea p se recombin cu golurile,
astfel regiunea p din apropierea jonciunii se ncarc negativ
din cauza atomilor acceptori (ioni negativi) a cror sarcin nu
mai este compensat de golurile pozitive mobile. Fenomenul
este similar pentru regiunea n din apropierea jonciunii, unde
difuzeaz golurile, i care se ncarc pozitiv din cauza atomilor
donori (ioni pozitivi) ce rmn necompensai.
Se formeaz lng jonciune un strat de sarcin spaial fix,
negativ n regiunea p, pozitiv n regiunea n, numit strat de
baraj (figura 1a). n exteriorul stratului de baraj materialul este
neutru electric la nivel local. Fiindc jonciunea n ansamblu
este neutr electric, conservarea sarcinii electrice impune ca
qSxpNa = qSxnNd
qVb = FnFp
(2)
(a )
(4a)
Fn = Ec kBTln(Nc/Nd)
(4b)
N
-x P
-x P
qN
xN
-q N
EC
FN
xN
(b )
d e n s ita te a
d e s a r c in a
s p a tia la
x
V
P
g o lu r i
D if u z ie
-x P
x
xN
c a m p u l e le c tr ic
-x P
-E
e le c tr o n i
lip s a g o lu r i
p o t e n tia lu l
xN
lip s a e le c t r o n i
-x P
Banda
de
c o n d u c tie
(c )
(d )
Fp = Ev + kBTln(Nv/Na)
P
(3)
m ax
Banda
de
v a le n ta
xN
(5)
E = EcEv
(6)
(7)
pentru x(xp, 0)
pentru x(0, xn)
n rest
(8)
(9)
x<xp
x(xp,0)
x(0,xn)
x>xn
(10)
(11)
de unde:
Vb = q(Na xp2 + Nd xn2)/(2)
(16)
(17)
(18)
Caracteristica curent-tensiune
(13)
(15)
(12)
(14)
Cauza
Sensul
electroni
difuzia
N P
electroni
cmpul electric
P N
goluri
difuzia
P N
goluri
cmpul electric
N P
1 0 16
d ifu z ie g o lu r i
10
P
E
Banda
de
c o n d u c tie
F
E
1 0 1 0 p 'n
n 'p
e le c tr o n i
V b-U
g o lu r i
-x
Banda
de
v a le n ta
N
D if u z ie
108
14
1 0 12
d ifu z ie e le c tr o n i
10
xp
p o z itie
nn=Nd
pn = ni2/Nd
(19a)
regiunea P
pp=Na
np = ni2/Na
(19b)
(20a)
pn = ppeqVb/ (kT)
p'n = ppe
(20b)
= pne
qU/(kT)
(21a)
(21b)
(22b)
(23)
(24)
jp = (qpnDp/Lp) (eqU/(kT) 1)
(25)
sau:
n stratul de baraj densitatea purttorilor de sarcin este foarte
mic, doar cea corespunztoare curenilor, generat doar de
curenii de purttori minoritari i din aceast cauz fenomenul
de recombinare electron-gol este extrem de redus. Drept
consecin n zona stratului de baraj densitatea de curent nu se
modific, iar curentul total va fi atunci suma curenilor de
goluri i electroni:
j = jp(xn)+jn(xp) = jo(eqU/(kT) 1)
(26)
jo = q(Dppn/Lp + Dnnp/Ln)
(27)
cu notaia:
nmulind cu suprafaa se obine forma cea mai des folosit,
cea pentru curent:
I = Io(eqU/(kT) 1)
(28)
C u re n t
T e n s iu n e
(29)
+
T re c e c u re n t
N u tre c e c u re n t
(30)
(31)
(32)
C E
- Drena
electrice,
- Poarta
electrodul care comand comportarea
dispozitivului.
t
S
D re n a
t
BS170
IR F
830
P u n te
U ~
C E
S u rs a
G r ila
G
S
P o a r ta ( G r ila )
S u rs a
S
G D
D re n a
D re n a
Dac UDS > UGS curentul prin canal nu mai crete din cauza
ngustrii canalului lng dren datorit cmpului invers ce
apare ntre poart i dren. Curentul de saturaie are valoarea
limit:
V P = 1 ,5 V
GS
40
=U
D re n a
DS
G S
=6V
G S
=4V
G S
=2V
t ip N
t ip N
C a n a l tip N
S u b s tr a t in tr in s e c s a u tip P
ID = (UGS VP)2K/2
60
F ilm
m e ta lic
O x id
ID (m A )
U
G r ila
S u rs a
Tranzistorul cu efect de cmp tip MOS (Metal-OxidSemiconductor) are o structur ca cea din figura 4. Doi
electrozi, sursa i drena, realizai pe dou insule tip n, ntr-un
substrat intrinsec (sau slab p), sunt separai pe o distan L de
un canal a crui conductivitate este modulat de al treilea
electrod , poarta (grila, gate), un film metalic separat de
semiconductor printr-un strat izolator ( de obicei bioxid de
siliciu).
20
U
GS(V )
DS
(V )
12
S EdS = v (/) dV
Eoxid S = (qS/) n dx
J(y) = Ey
(1)
(2)
(3)
c a m p e le c tr ic
o x id
c u re n t
canal
Eoxid = (q/) n dx
(4)
(5)
(6)
s e m ic o n d u c to r
x
L
C a m p u l e le c t r ic d in o x id
= lu n g im e c a n a l
(7)
P o a r ta ( s tr a t m e t a lic )
O x id
S u rs a
C a m p u l e le c t r ic d in c a n a l
D re n a
S t r a t d e in v e r s iu n e
(8)
(9)
(10)
(13)
P o a r ta ( s tr a t m e t a lic )
O x id
S u rs a
S t r a t d e in v e r s iu n e
(14)
ID = UGSUDS / (w L)
Pentru tensiuni surs-dren UDS mai mari dect tensiunea grilsurs UGS se formeaz o mic regiune de srcire la captul
dinspre dren al canalului. Din cauza cmpului electric intens
care apare aici (implicit cderii mari de tensiune) curentul
comandat din surs pentru UGS = UDS va rmne n continuare
constant la creterea tensiunii VDS peste valoarea VGS.
D re n a
C a n a l s a tu ra t
(15)
Vs(x) = V0(1x/xp)2
(16)
S e m ic o n d u c to r
O X
x Pm ax
Ec (sup) F = F Ev (vol)
V0 = qNAxp2 /(2)
E = Ec Ev
(22)
gsim:
(17)
(21)
tiind c:
(20)
(19)
(23)
unde:
Voxid = Qs / Coxid
iar capacitatea stratului de oxid este:
Coxid = oxid S / w
BS170
IRF830
BUK455-60
IRF740
BUZ11
Pre
Pmax RDSmin
0,83W/ <5
74W/ 1,5
125W/ 0,04
125W/ 0,55
75W/ 0,05
0,5DM
3DM
3DM
4DM
2,5DM
100kO hm
Caracteristici
UDSmax IDmax
60V/ 0,5A/
500V/ 4,5A/
60V/ 41A/
400V/ 10A/
50V/ 30A/
= RC = 100 k 10 F = 1s.
+12V
R 1
D io d a
1N 4148
P o a rta
R 2
1M O hm
Tranzistor
B ec 50W
D re n a
T ra n z is to r
B U Z 11
S u rsa
10 F
-0 V
Figura 8.