Tranzistoare Bipolare

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.
ro/electronica/
CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

5.1. TRANZISTOARE BIPOLARE - GENERALITI
5.1.1 STRUCTURA I SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic realizat din material
semiconductor, format din trei regiuni (EMITOR, BAZ, COLECTOR) separate prin
dou jonciuni pn.
n funcie de tipul regiunilor, tranzistoarele bipolare se mpart n dou categorii:
NPN i PNP
B
C
B
C
B
Figura 5.1 Structura i simbolul tranzistorului bipolar

a - tranzistor NPN ; b tranzistor PNP
Tranzistorul de tip NPN este format din dou regiuni N separate de o regiune P.
Tranzistorul de tip PNP este format din dou regiuni P separate de o regiune N.
Regiunea bazei este mai subire i mai slab dopat n comparaie cu regiunea
emitorului(puternic dopat) i cu regiunea colectorului( dopat moderat).
ntre dou regiuni nvecinate se formeaz o jonciune. ntre baz i emitor este
jonciunea baz-emitor, iar ntre baz i colector este jonciunea baz-colector.
Fiecare regiune are ataat cte un terminal care se noteaz cu E(emitor) , B(baz),
C(colector).
n structura tranzistorului bipolar, purttorii de sarcin electric sunt att golurile ct
i electronii. Deoarece conducia este realizat de dou tipuri de purttori,
tranzistorul se numete bipolar.
COLECTOR
EMITOR
EMITOR
BAZ
COLECTOR
BAZ
OXID
jonciunea baz-emitor
jonciunea baz-colector
SUBSTRAT
Figura 5.2 Seciunea de principiu printr-un tranzistor

52
Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/
AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE
5.1.2 NCAPSULAREA TRANZISTOARELOR. IDENTIFICAREA TERMINALELOR.

a. ncapsularea tranzistoarelor
Tranzistoarele, n funcie de destinaia lor se realizeaz ntr-o gam larg de capsule.
Tranzistoarele pot avea capsule din metal sau material plastic, care au dimensiuni
mai mici sau mai mari n funcie de destinaia care o au.
n funcie de destinaia lor tranzistoarele se mpart n 3 mari categorii:
x
tranzistoare de semnal mic se utilizeaz la frecvene joase (sub 100 kHz)

i cureni mici (sub 1 A);
Figura 5.3 Capsule de tranzistoare de semnal mic (uz general)

x
tranzistoare de putere se utilizeaz la cureni mari (peste 1 A);
Figura 5.4 Capsule de tranzistoare de putere

x
tranzistoare de radio-frecven (RF) se utilizeaz la frecvene foarte nalte.
Figura 5.5 Capsule de tranzistoare de radio-frecven

53

b. Identificarea terminalelor tranzistoarelor bipolare.
Identificarea terminalelor n funcie de tipul capsulei
x tranzistoare de uz general n capsul metalic la majoritatea tranzistoarelor
din aceast categorie Emitorul este terminalul de lng chei, Colectorul este n
partea opus iar Baza este la mijloc. Terminalele sunt dispuse sub forma unui
triunghi echilateral.
B
E
E
BC
Figura 5.6 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul metalic
x tranzistoare de uz general n capsul din material plastic la tranzistoarele din

aceast categorie terminalele sunt dispuse liniar cu baza n mijloc. La majoritatea,
terminalele sunt dispuse ca n figura 5.7, dar sunt si familii de tranzistoare din
aceast categorie la care Emitorul i Colectorul sunt dispuse invers fa de cum sunt
prezentate n figura 5.7.
C
C
C
E B
B E
Figura 5.7 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul din plastic
54
x tranzistoare de putere la tranzistoarele din aceast categorie Colectorul este

conectat la partea metalic a tranzistorului. La majoritatea tranzistoarelor din aceast
categorie terminalele sunt dispuse liniar iar Colectorul este la mijloc. La tranzistoarele
care au numai 2 terminale (vezi 2N3055), Colectorul este corpul metalic al
tranzistorului.
E C B
ECB
B C E
C B E
C
E
B
E
EC
Figura 5.8 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele de putere
OBSERVAIE IMPORTANT!
La unele familii de tranzistoare terminalele pot fi dispuse altfel dect sunt
prezentate n figurile de mai sus chiar dac capsulele sunt identice.
Metoda cea mai sigur de identificare a terminalelor este msurarea
rezistenei electrice ntre terminalele tranzistorului, metod ce va fi
prezentat n cele ce urmeaz.
55
LUCRARE DE LABORATOR
IDENTIFICAREA
TERMINALELOR
UNUI
TRANZISTOR
BIPOLAR
PRIN
MSURAREA REZISTENEI ELECTRICE A JONCIUNILOR.

OBIECTIVE:
o Verificarea tranzistorului bipolar;
o Identificarea terminalelor tranzistorului bipolar cu multimetru digital.
RESURSE:
o Multimetru digital;
o Tranzistoare bipolare BC 546 i BC 547.
DESFURAREA LUCRRII:
Pentru identificarea terminalelor tranzistorului prin aceast metod se parcurg 3
etape:
x
n prima etap se identific baza tranzistorului:
PNP
NPN
PN
Figura 5.9 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

Din structura tranzistoarelor cu diode se observ c rezistenele electrice ntre baz
i celelalte dou terminale ale tranzistorului trebuie s fie egale, ntr-un sens au
valoare mic iar n sens opus au valoare foarte mare. Prin cele dou sensuri se
nelege modul de plasare a tastelor multimetrului fa de terminalele tranzistorului
(ntr-un sens se plaseaz cu borna plus pe baz iar n cellalt sens se plaseaz cu
borna minus pe baz).
Se fixeaz comutatorul unui multimetru digital pe poziia (pentru msurarea
rezistenei electrice).
Se plaseaz o tast a multimetrului pe unul din terminalele tranzistorului iar cu
cealalt tast se msoar rezistenele electrice fa de celelalte dou terminale.
Dac rezistenele electrice sunt aproximativ egale (ntr-un sens rezistene mici iar n
cellalt sens rezistene foarte mari) tasta multimetrului este plasat pe baza
tranzistorului.
56
Figura 5.10 Identificarea BAZEI tranzistorului bipolar

x
n a doua etap se identific tipul tranzistorului:
Se plaseaz o tast a multimetrului pe baz i cealalt tast pe unul din celelalte

dou terminale ale tranzistorului n sensul n care multimetrul indic rezisten mic.
Dac pe BAZ este tasta COM (MINUS) tranzistorul este de tip PNP
Dac pe BAZ este tasta PLUS tranzistorul este de tip NPN
Deoarece BAZA este n mijloc, se pune n mijloc litera corespunztoare polaritii
care este pe baz (N pentru MINUS i P pentru PLUS)
iar pe margini literele
corespunztoare celeilalte polariti (doi de P sau doi de N) i astfel se obine PNP

sau NPN.
PNP
E
NPN
C
Figura 5.11 Identificarea tipului de tranzistor (PNP sau NPN)

57

x
n a treia etap se identific Emitorul i Colectorul:
Rezistena electric dintre Baz i Emitor este ntotdeauna mai MARE dect
rezistena electric dintre Baz i Colector.
Se plaseaz o tast a multimetrului pe baz iar cu cealalt tast se msoar i se
noteaz valoarea rezistenelor fa de celelalte dou terminale. Terminalul fa de
care rezistena este mai mare va fi Emitorul tranzistorului iar cellalt Colectorul
tranzistorului.
Rezistena BAZ-EMITOR este mai MARE dect rezistena BAZCOLECTOR.

La tranzistorul
BC 547 de tip NPN:
RBE = 5,32 M
RBC = 5,17 M
RBE > RBC
B E
Figura 5.12 Identificarea EMITORULUI i COLECTORULUI
58
5.1.3 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Un tranzistor bipolar funcioneaz corect, dac jonciunea baz-emitor este
polarizat direct cu o tensiune mai mare dect tensiunea de prag, iar jonciunea
baz-colector este polarizat invers cu o tensiune mult mai mare dect tensiunea
baz-emitor.
Emitorul este sursa de purttori care determin curentul prin tranzistor, iar colectorul
colecteaz purttorii ajuni aici. Baza controleaz curentul prin tranzistor n funcie
de valoarea tensiunii de polarizare a jonciunii baz-emitor.
Jonciunea emitor-baz (polarizat direct) injecteaz un curent de emitor I E care este
colectat n cea mai mare parte de jonciunea colector-baz (polarizat invers), acest
proces definind efectul de tranzistor.
Tranzistorul bipolar transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic, n
circuitul de ieire de rezisten mare, de unde denumirea TRANsfer reZISTOR
TRANZISTOR.
a. Funcionarea tranzistorului NPN.
La acest tip de tranzistor purttorii majoritari sunt electronii.
EMITOR
BAZ
COLECTOR
IE
jonciunea BE
jonciunea BC
polarizat direct
polarizat
invers
IC
IB
IE = IC + I B
Figura 5.13 Prezentarea funcionrii tranzistorului NPN

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopat cu electroni liberi. Regiunea de
tip p a bazei este foarte subire i slab dopat cu goluri. Prin polarizarea direct a
jonciunii BE electronii din regiunea emitorului difuzeaz cu uurin prin jonciunea
BE ctre regiunea bazei. Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu
golurile din baz i formeaz curentul de baz. Prin polarizarea invers a jonciunii
BC majoritatea electronilor difuzeaz prin jonciunea BC i sunt atrai ctre regiunea
colectorului de ctre tensiunea de alimentare a colectorului, formndu-se astfel
curentul de colector.
59

b. Funcionarea tranzistorului PNP.
La acest tip de tranzistor purttorii majoritari sunt golurile.
EMITOR
BAZ
COLECTOR
IE
jonciunea BE
jonciunea BC
polarizat direct
polarizat invers
IC
IB
IE = I C + IB
Figura 5.14 Prezentarea funcionrii tranzistorului PNP
Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopat cu goluri. Regiunea de tip n a
bazei este foarte subire i slab dopat cu electroni. Prin polarizarea direct a
jonciunii BE golurile din regiunea emitorului difuzeaz cu uurin prin jonciunea BE
ctre regiunea bazei. Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii
din baz i formeaz curentul de baz. Prin polarizarea invers a jonciunii BC
majoritatea golurilor difuzeaz prin jonciunea BC i sunt atrai ctre regiunea
colectorului de ctre tensiunea de alimentare a colectorului, formndu-se astfel
curentul de colector.
60
5.1.4 PARAMETRII I CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

a. Parametrii tranzistorului bipolar
a1. Factorul de amplificare al tranzistorului
Factorul de amplificare n curent din baz n colector (cc) reprezint raportul dintre
curentul continuu prin colector (IC) i curentul continuu prin baz (IB)
IC
IB
ECC
(1)
este o mrime static de curent continuu, care indic de cte ori este mai mare
curentul prin colectorul tranzistorului dect curentul prin baza tranzistorului. Acest
parametru mai poart denumirea de ctig n curent al tranzistorului.
Valoarea acestui parametru este menionat de ctre productor n foile de catalog,
ca parametru echivalent hibrid hFE
ECC
hFE
(2)
Valorile parametrului sunt cuprinse ntre 10 i 1000, n funcie de tipul tranzistorului.

Factorul de amplificare n curent din emitor n colector (Dcc) reprezint raportul
dintre curentul continuu prin colector (I C) i curentul continuu prin emitor (IE)
D CC
IC
IE
(3)
Acest parametru este ntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (I C) este

ntotdeauna mai mic dect curentul de emitor (IE) .
Valorile paramentului D sunt cuprinse ntre 0,95 i 0,99 n funcie de tipul
tranzistorului. ntre parametrii i D sunt urmtoarele relaii:
ECC
D CC
1 D CC
(4)
D CC
ECC
1 ECC
(5)
a2. Valorile maxime absolute

Sunt valori care nu trebuie depite n timpul funcionrii tranzistorului, deoarece pot
produce defectarea acestuia. De regul n aceast grup apar:
x
Tensiunile maxime ntre terminale: VCBO, VCEO, VEBO;
Curentul maxim de colector i de baz: ICM, IBM;
Puterea maxim disipat: Ptot;
Temperatura maxim a jonciunii: TjM (este cuprins ntre 175C i 200C).
n practic se recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult 0,75 din valorile de

catalog ale acestor parametrii.
61

b. Caracteristicile tranzistorului bipolar.
b1. Caracteristicile electrice
IB curentul continuu de baz

IC curentul continuu de colector
RC
IE curentul continuu de emitor
Ic
RB
+
VCB
IB
VCE
VBE
VBB
VCB tensiunea colector-baz

VBE tensiunea baz-emitor
+
IE
VCC
VCE tensiunea colector-emitor

VBB surs de tensiune continu
care polarizeaz direct jonciunea
baz - emitor
Figura 5.1.15 Curenii i tensiunile tranzistorului
0,7V
VBE
IB
IC
IE
VRB
RB
(1)
VBB VBE
RB
ECC I B
IC I B
(2)
(3)
(4)
VCE
VCC VRC
VCB
VCE VBE
VCC IC RC
(5)
(6)
VE , VB , VC - reprezint tensiunile pe terminalele tranzistorului. Aceste

tensiuni se msoar ntre terminalul respectiv i masa montajului.
62

b2. Caracteristicile statice
Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezint dependena dintre curenii ce trec prin
terminalele tranzistorului i tensiunile ce se aplic la aceste terminale. Fiecare
schem de conectare a unui tranzistor se caracterizeaz prin patru familii de
caracteristici:
x
IIE = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de ieire;
UINT = f (IINT) la UIE = constant caracteristici de intrare;
IIE = f (IINT)
UINT = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de reacie invers dup
la UIE = constant caracteristici de transfer a curentului;
tensiune.
Figura 5.16 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC

n cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare i
caracteristica de ieire, deoarece aceste caracteristici sunt mai importante. Pe
caracteristica de ieire se pot delimita regiunile de funcionare a tranzistorului i se
poate trasa dreapta de sarcin.
63
IC[mA]
Regiunea de saturaie
IB=50 A
IB=40 A
IC(sat)
PSF
IB=30 A
Regiunea de blocare
IB=20 A
IB=10 A
IB=0 A
VCC VCE[V]
Regiunea activ normal
Figura 5.17 Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar n conexiunea EC

n regiunea de blocare tranzistorul funcioneaz n regim de blocare (tiere):
x
jonciunea baz emitor este polarizat invers (sau direct cu o tensiune mai
mic dect tensiunea de prag);
jonciunea baz colector este polarizat invers;
curenii prin tranzistor sunt foarte mici, practic IC=0;
tensiunea de ieire are valoare mare, practic VCE = VCC;
tranzistorul se comport ca un ntreruptor deschis.
n regiunea de saturaie tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie:

x
jonciunea baz emitor este polarizat direct;
jonciunea baz colector este polarizat direct;
curentul de saturaie este mai mare dect n regim activ normal IC(sat) > IB;
tensiunea de saturaie este forte mic VCE(sat) = 0,2 0,3 V;
tranzistorul se comport ca un ntreruptor nchis.
n regiunea activ normal tranzistorul funcioneaz n regim activ normal (RAN):

x
jonciunea baz emitor este polarizat direct;
jonciunea baz colector este polarizat invers;
curentul prin tranzistor este mare IC = IB;
tensiunea de ieire (VCE) este mic;
tranzistorul se comport ca un amplificator de semnal.
Pe graficul caracteristicii de ieire (figura 5.17) dac se unete punctul de blocare

(VCC) cu punctul de saturaie (IC(sat)) se obine dreapta de sarcin n curent continuu.
De-a lungul dreptei de sarcin ntre cele dou puncte se afl regiunea activ normal
de funcionare a tranzistorului. La intersecia unei caracteristici de ieire cu dreapta
de sarcin se afl punctul static de funcionare (PSF).
64
5.1.5 FUNCIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR.

Din graficul caracteristicii de ieire a tranzistorului se observ c tranzistorul bipolar
are dou funcii importante:
x
Funcia de amplificare cnd tranzistorul funcioneaz n regim activ normal;
Funcia de comutare cnd tranzistorul funcioneaz n regim de blocare i n

regim de saturaie.
a. FUNCIA DE AMPLIFICARE.
Cnd tranzistorul este polarizat astfel nct s lucreze n regiunea activ, acesta
poate amplifica att un semnal de form continu ct i un semnal de form
alternativ.
n circuitul de curent continuu tranzistorul amplific curentul din baz (figura 5.18 a)
ECC I B
IC
(1)
n circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplific tensiunea alternativ

din baz (figura 5.18 b)
AV
VC
(2)
VB
+VCC
RC
RC
Vc
Ic
+VBB
RB
IB
Vin
RB
VB
IE
Figura 5.18 Funcia de amplificare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC
65

b. FUNCIA DE COMUTARE.
Tranzistorul bipolar cnd lucreaz n regim de comutaie, trece alternativ din starea
de blocare n starea de saturaie.
n starea de blocare, cnd jonciunea baz-emitor nu este polarizat direct,
tranzistorul se comport ca un ntreruptor deschis i prin el
nu circul curent
(figura 5.19 a)
n aceast situaie tensiunea colector-emitor este maxim:
VCE (blocare )
VCC (3)
- condiia de blocare
n starea de saturaie, cnd jonciunea baz-emitor este polarizat direct, tranzistorul

se comport ca un ntreruptor nchis i prin el circul un curent (figura 5.19 b)
Valoarea curentului care circul de la colector spre emitor este:
I C ( sat )
VCC
RC
(4) VCE(sat) | 0
Valoarea minim a curentului de baz pentru a aduce tranzistorul n saturaie este:
I B (min)
+VCC
RC
I C ( sat )
ECC
(5)
+VCC
+VCC
RC
Rc
RB
Rc
IC(sat)
Ic=0
0V
+VCC
C
+VBB
IB=0
(a) Blocare ntreruptor deschis
RB
IB
C
E
(b) Saturaie ntreruptor nchis
Figura 5.19 Funcia de comutare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC
66
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI

CARACTERISTICA STATIC DE IEIRE A TRANZISTORULUI BIPOLAR
OBIECTIVE:
o Trasarea caracteristicii statice de ieire n funcie de valorile msurate
n circuitul simulat;
o Analiza comportamentului tranzistorului bipolar pe baza caracteristicii
statice de ieire.
RESURSE:
o Calculator;
o Program de simulare scheme electronice.
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz cu simulatorul schema din figura 5.20;
Figura 5.20 Schem pentru determinarea caracteristicii statice de ieire a TB

2. Se regleaz sursa S1 la valoarea de 9 V, valoare care se menine constant;
3. Se regleaz poteniometrul P astfel nct curentul IB = 20 A;
4. Se regleaz sursa S2 (i dac este cazul i poteniometrul P) astfel nct s se
stabileasc valorile UCE indicate n tabelul 5.1;
IB[A]
UCE[V]
20
IC[mA]
40
IC[mA]
60
IC[mA]
0,1
0,3
67
TABELUL 5.1
0,5

9. Punctele de coordonate IC i UCE se reprezint n sistemul de axe de coordonate
din figura 5.21;
10. Se unesc punctele reprezentate pentru fiecare valoare a curentului de baz IB
obinndu-se caracteristicile statice de ieire a tranzistorului bipolar IC = f(UCE) | IB=ct
IC [mA]
UCE [V]
Figura 5.21 Graficul caracteristicilor statice de ieire a tranzistorului bipolar

RECOMAND REALIZAREA ACESTEI LUCRRI
PRACTIC I COMPARAREA
REZULTATELOR OBINUTE PE SIMULATOR CU CELE OBINUTE PRACTIC.
68
5.2 CONEXIUNILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE

Conexiunile TB reprezint modurile de conectare a unui tranzistor ntr-un circuit.
Tranzistorul poate fi conectat n circuit n 3 configuraii de baz:
x
Conexiunea emitor comun;
Conexiunea baz comun;
Conexiunea colector comun.
O conexiune are o poart de intrare i o poart de ieire.

Fiecare poart este prevzut cu cte dou terminale (borne).
Prin termenul comun se definete terminalul care este comun att intrrii ct i
ieirii.
Acest terminal se conecteaz la masa montajului.
Pentru a identifica tipul conexiunii se procedeaz astfel:
x
se identific terminalul pe care se aplic semnalul de intrare;
se identific terminalul de pe care se culege semnalul de ieire;
terminalul rmas este cel comun, care d numele conexiunii.
5.2.1 CONEXIUNEA EMITOR COMUN
--
++
+
Ieire
VCE
Ieire
VBE Intrare
VBE Intrare
a. Tranzistor NPN
VCE
b. Tranzistor PNP
Figura 5.22 Conexiunea emitor comun

n aceast conexiune EMITORUL este comun intrrii i ieirii circuitului. Conexiunea
este utilizat n circuitele de amplificare n tensiune, curent i putere. Este cea mai
utilizat conexiune, deoarece are cea mai eficient combinaie de amplificare n
tensiune i curent.
Amplificarea n curent ( - beta) este raportul dintre curentul de ieire i curentul de
intrare.
(1) h
FE
h21
IC
IB
factorul de amplificare n curent
69

Mrimile caracteristice conexiunii emitor comun:
x
x
x
x
x
x
impedana de intrare este medie (500 -1500 );

impedana de ieire este mare (30 k 50 k);
amplificarea n curent mare (10 100);
amplificarea n tensiune mare (peste 100);
amplificarea n putere foarte mare (pn la 10.000);
semnalul de ieire este defazat cu 180 fa de semnalul de intrare.
5.2.2 CONEXIUNEA BAZ COMUN
--
++
+
VEB
Intrare
Ieire
VCB
VEB
Ieire
Intrare
VCB
a. Tranzistor NPN
b. Tranzistor PNP
Figura 5.23 Conexiunea baz comun

n aceast conexiune BAZA este comun intrrii i ieirii, semnalul de intrare este
aplicat pe emitor iar semnalul de ieire este cules de pe colector. Amplificarea n
D - alfa) este raportul dintre curentul de ieire i curentul de intrare.
curent (D
(2)
IC
IE
Mrimile caracteristice conexiunii baz comun:

x
x
x
x
x
x
impedana de intrare este mic (30 -160 );

impedana de ieire este mare (250 k 550 k);
amplificarea n curent unitar (1);
amplificarea n tensiune mare (pn la 1000);
amplificarea n putere mare (pn la 1000);
semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Se utilizeaz n etajele amplificatoare de RF din receptoarele UUS.

Avantaj - lucreaz la frecvene foarte nalte.
Dezavantaj - rezisten de intrare mic.
70
5.2.3 CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
Ieire
VBC Intrare
VEC
Ieire
VBC Intrare
++
a. Tranzistor NPN
VEC
--
b. Tranzistor PNP
Figura 5.24 Conexiunea colector comun

n aceast conexiune COLECTORUL este comun intrrii i ieirii, semnalul de intrare
este aplicat pe baz iar semnalul de ieire este cules de pe emitor.
Conexiunea se mai numete i repetor pe emitor, deoarece tensiunea de ieire este
aproximativ egal cu tensiunea de intrare.
Amplificarea n curent (JJ - gama) este raportul dintre curentul de ieire i curentul
de intrare
(3)
IE
IB
Mrimile caracteristice conexiunii colector comun:

x
impedana de intrare este mare (2 k - 500 k);
impedana de ieire este mic (50 1500 );
amplificarea n curent mare (peste 10);
amplificarea n tensiune unitar (1);
amplificarea n putere mare (peste 10);
semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Conexiunea colector comun se utilizeaz cnd se dorete o rezisten de intrare

foarte mare i o rezisten de ieire mic.
Conexiunea se utilizeaz n general ca adaptor de impedan ntre impedana de
ieire a unui amplificator i o rezisten de sarcin de valoare mic.
71
5.3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE

Prin polarizarea unui tranzistor se nelege, modul de conectare a surselor de
alimentare la bornele tranzistorului, astfel nct acesta s funcioneze ca amplificator.
Prin polarizarea corect a unui tranzistor se urmrete stabilirea i meninerea
valorilor corecte pentru tensiunile i curenii din circuit i determinarea punctului static
de funcionare.
5.3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE (PSF)

n figura 5.25 se observ c punctul static de funcionare se afl pe dreapta de
sarcin, la intersecia acesteia cu caracteristica static de ieire a tranzistorului.
Pentru funcionarea ct mai corect a unui amplificator(semnalul de intrare s fie
amplificat i reprodus fidel la ieire), punctul static de funcionare trebuie s fie situat
cam la jumtatea dreptei de sarcin.
Odat cu deplasarea PSF n regiunea de saturaie sau n regiunea de blocare,
semnalul de ieire este distorsionat.
Dac PSF este situat n regiunea de saturaie sunt distorsionate semialternanele
pozitive ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare (figura 5.26 a).
Dac PSF este situat n regiunea de blocare sunt distorsionate semialternanele
negative ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare (figura 5.26 b).
Coordonatele punctului static de funcionare (IC, VCE) sunt impuse de valorile
tensiunilor surselor de polarizare i de valorile rezistenelor din circuitele de
polarizare.
Figura 5.25 Caracteristica pentru determinarea PSF

Intrare
Amplificator
Ieire
Intrare
Ieire
Amplificator
Figura 5.26 Distorsionarea semnalului de ieire la un amplificator cu TB

72

Determinarea PSF pentru conexiunea EC.
Se va determina PSF al circuitului din figura 5.27.
Pentru tranzistorul BC 546BP se consider CC = 200.
IC[mA]
80
RC
150
RB
VBB
70
60
50
40
30
BC546B
22k
VCC
5V
20
12V 10
A
2 4 6
8 10 12
VCE[V]
Figura 5.27 Circuit pentru determinarea PSF la un TB n conexiunea EC

Se determin coordonatele dreptei de sarcin, apoi se traseaz dreapta
(1)
RC IC VCE
VCC
Pentru IC = 0 VCE = VCC = 12 V A(12, 0)

Pentru VCE = 0
VCC
RC IC
IC
VCC I
C
RC
12V
150:
80mA B(0, 80)
Se determin coordonatele punctului static de funcionare P(IS, VCE)

(2)
IB
VBB VBE
RB
(3)
IC
I B ECC
(4)
VCE
5 0, 7
# 195P A
22 K
195P A 200 39mA
VCC IC RC
12V 39mA 150: # 6, 2V
IC
39mA
VCE
6, 2V
Punctul static de funcionare are coordonatele P(6,2V ; 39mA)

Se determin valoarea maxim a curentului de baz n funcionare liniar
(5)
IC (vrf )
(6) I B ( vrf )
IC ( sat ) IC ( PSF )
I C ( vrf )
ECC
80mA 39mA 41mA
41mA
200
205P A
73
5.3.2 POLARIZAREA BAZEI DE LA Vcc

Prin aceast metod baza tranzistorul se polarizeaz prin intermediul unei rezistene
Rb de la sursa de alimentare Vcc (figura 5.28). Configuraia este instabil, nu
funcioneaz liniar, de aceea nu se utilizeaz n practic. Poate fi utilizat la circuitele
care lucreaz n comutaie.
Figura 5.28 Polarizarea tranzistorului bipolar cu un rezistor n baz

Tranzistorul BC546BP are CC = 300.
Se aplic legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea colector-emitor:

Din relaia (1)
Cderea de tensiune pe rezistorul Rb este:
Dar:
nlocuind (4) n (3) se obine relaia:
Din relaia (5)
tim c

nlocuind relaia (6) n (7) se obine relaia:
Din relaia (8) se observ c Ic este dependent de CC.

Deoarece
CC
se modific cu modificarea temperaturii i depinde de procesul
tehnologic de realizare a tranzistorului, aceast configuraie este instabil i poate

produce distorsiuni la ieire.
74

Pentru montajul din figura 5.28 se determin PSF i se traseaz dreapta de sarcin.

Prin calcule s-a obinut: Ic = 15,8mA
i VCE = 7,57 V
Punctul static de funcionare are coordonatele P(7,5V ; 15,8mA).

Pentru trasarea dreptei de sarcin se determin IC(sat) i VCE(blocare) .

n fig. 5.29 este prezentat dreapta de sarcin i PSF-ul montajului din fig. 5.28
IC[mA]
35
IC(sat)
30
25
20
PSF
15
10
VCE(blocare) VCE[V]
0
0
12
15
18
Figura 5.29 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu un rezistor n baz

Dac
CC
scade la 100 atunci PSF coboar pn aproape de zona de blocare i are
coordonatele (12,5V ; 5,2mA). n consecin acest mod de polarizare nu se utilizeaz

unde este necesar o funcionare liniar.
75
5.3.3 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV

Prin aceast metod, tranzistorul se polarizeaz prin intermediul unui divizor de
tensiune rezistiv, de la o singur surs de alimentare. Rezistenele divizorului de
tensiune nlocuiesc o a doua surs de alimentare necesar polarizrii celor dou
jonciuni ale tranzistorului. Aceast metod de polarizare se utilizeaz foarte des n
practic deoarece asigur o stabilitate satisfctoare utiliznd o singur surs de
tensiune.
Figura 5.30 Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv

Divizorul de tensiune este format din rezistenele Rb1 i Rb2
Tensiunea din baza tranzistorului se calculeaz cu formula:
VB
Rb2
) VCC (1)
Rb1 Rb2
Pentru modificarea tensiunii n baza tranzistorului se modific valorile rezistenelor

divizorului astfel:
VB crete dac Rb2 crete sau Rb1 scade
VB scade dac Rb2 scade sau Rb1 crete
76

Un circuit de polarizare a tranzistorului trebuie s fie astfel conceput nct s asigure
independena PSF-ului de parametrul (factorul de amplificare n curent).
Tranzistorul va funciona n regiunea activ normal dac sunt ndeplinite dou
condiii de baz:
x
x
0,5 VCE (VCC 1)
(2);
ECC RE
Rb2 s fie mai mic de cel puin 10 ori dect
(3) .
Pentru verificarea primei condiii trebuie determinat valoarea tensiunii VCE astfel:
x
Se calculeaz IC
(4)

(5)
(6)
Se calculeaz VCE
(7)
(8)
Pentru schema din figura 5.30 se obin urmtoarele valori:

77

0,5 V<4,56 V<(12 V-1 V) 0,5 V < 4,56 V < 11 V prima condiie este ndeplinit.
Se verific a doua condiie:

Rb2 = 2,7 K: a doua condiie este ndeplinit.
Punctul static de funcionare are coordonatele P(4,56V ; 5,6mA)

IC[mA]
10
IC(sat)
9
8
7
6
PSF
5
4
3
2
1
VCE(blocare) VCE[V]
0
0
10
11
12
Figura 5.31 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu divizor de tensiune

Este cea mai utilizat metod de polarizare a tranzistoarelor bipolare.
Asigur o stabilitate destul de bun deoarece IC este independent de CC.
78
5.3.4 POLARIZAREA CU DOU SURSE DE TENSIUNE

Prin aceast metod tranzistorul se polarizeaz cu o surs de tensiune diferenial,
V , +V se aplic n colector i V se aplic n emitor (figura 5.32).
Figura 5.32 Polarizarea tranzistorului bipolar cu dou surse de tensiune

Tranzistorul BC546BP are CC = 300.
: << 990 K:
Condiia este ndeplinit deoarece 100 K:
Verificm dac este ndeplinit condiia a doua .
Se aplic legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciune baz-emitor:

Deoarece

(2)
n ecuaia (1) se nlocuiete IB cu cel din relaia (2) se trece VBE i VEE n dreapta:

Din relaia (3)
(3)
(4)
(5)
nlocuim n relaia (5) valorile date
79

n figura 5.32 se observ c tensiunea sursei care alimenteaz colectorul este egal
cu suma tensiunilor care cad pe elementele dintre colector i masa montajului:

nlocuind n relaia (7) valorile date
Condiia a doua este ndeplinit deoarece 0,5 < 13 < (215-1) 0,5 13 29
Prin calcule s-a obinut: Ic = 4mA
i VCE = 13 V
Punctul static de funcionare are coordonatele P(13V ; 4mA).

Pentru determinarea IC(sat) n relaia (7) se consider VCE = 0

Pentru determinarea VCE(blocare) n relaia (7) se consider IC = 0

IC[mA]
8
7
IC(sat)
6
5
PSF
4
3
2
1
VCE(blocare) VCE[V]
0
0
10
15
20
25
30
35
Figura 5.33 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu dou surse de tensiune

Aceast modalitate de polarizare asigur un PSF stabil deoarece IC este independent
de VBE i de CC.
80
LUCRARE DE LABORATOR
POLARIZAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR CU DIVIZOR REZISTIV.
OBIECTIVE:
o Realizarea circuitului de polarizare cu simulatorul;
o Realizarea practic a circuitului de polarizare;
o Determinarea PSF;
o Trasarea dreptei de sarcin.
RESURSE:
o
o
o
o
o
o
o
Multimetre digitale;
Pistoale de lipit;
Accesorii pentru lipit;
Conductoare;
Plcue de lucru;
Rezistoare;
Tranzistoare bipolare BC 546 i BC 547.
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz cu simulatorul schema electronic din figura 5.34;
Figura 5.34 Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv

2. Se realizeaz practic, pe placa de lucru, montajul din figura 5.34;
3. n montajul realizat se msoar curentul de colector IC i tensiunea colectoremitor Uce;
4. Se calculeaz cu ajutorul formulelor de la 5.3.3 curentul de colector I C i
tensiunea colector emitor Uce;
81

(2)
5. Se trec n tabelul 5.2 valorile IC i UCE obinute prin simulare, practic i prin
calcul i n fiecare caz se determin PSF;
SIMULARE
TABELUL 5.2
PRACTIC
CALCUL
IC[mA]
UCE[V]
PSF
6. Se determin punctele de intersecie a dreptei de sarcin cu axele de
coordonate ale graficului;

7. Se traseaz dreapta de sarcin i se reprezint pe dreapt PSF.

IC[mA]
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
VCE[V]
0
0
10
11
12
Figura 5.35 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu divizor de tensiune
82
5.4. DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

Funcionarea anormal a unui circuit cu tranzistoare bipolare, se datoreaz unui
defect intern al unui tranzistor, sau defectrii unui rezistor din circuitele de polarizare
a tranzistoarelor. La tranzistor, un defect intern apare n cazul ntreruperii unei
jonciuni sau strpungerii unei jonciuni a tranzistorului (rezistena electric a
jonciunii scade foarte mult). n cazul rezistoarelor pot apare ntreruperi ale acestora.
n majoritatea cazurilor aceste defecte aduc tranzistorul n regimul de blocare sau de
saturaie. Pentru depanarea defectului se msoar tensiunile i curenii din circuit i
n funcie de valorile acestora se poate localiza defectul respectiv.
5.4.1 DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTORULUI

Cea mai rapid metod de a afla dac jonciunile unui tranzistor sunt ntrerupte sau
strpunse este msurarea rezistenelor jonciunilor cu un multimetru digital.
Pentru aceasta vom considera structura tranzistorului bipolar ca un ansamblu de
dou diode conectate ca n figura 5.36
E
NPN
PNP
Figura 5.36 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

O jonciune (BE sau BC) este ntrerupt dac multimetru n ambele sensuri de
msurare indic rezisten foarte mare (sau infinit).
O jonciune (BE sau BC) este strpuns dac multimetru n ambele sensuri de
msurare indic rezisten mic.
O jonciune (BE sau BC) este scurtcircuitat dac multimetru n ambele sensuri de
msurare indic rezisten foarte mic (sau infinit).
Jonciunea baz-emitor ntrerupt.
n
ambele
sensuri
de
msurare
multimetru digital indic valoarea 1
Figura 5.37 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(jonciune ntrerupt)

Jonciunea baz-emitor scurtcircuitat.
n ambele
sensuri
de
msurare
multimetru digital indic valoarea 0
Figura 5.38 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(jonciune scurtcircuitat)

83

Alt metod de verificare a strii jonciunilor unui tranzistor este msurarea valorilor
tensiunilor din baza i colectorul unui tranzistor n circuit.
VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Pentru montajul din figura 5.39 la

funcionarea n condiii normale:
Uce
Q1
Tensiunea n baz UB = 3,52 V
4.938
Ub
3.527
BC546BP
Tensiunea n colector UC = 4,93 V
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.39 Tranzistor polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale

tensiunilor
VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac
s-a
Emitorul
Uce
Q1
Ub
3.588
tranzistorul
se
BC546BP
Baza,
BE,
sau
jonciunea
blocheaz, iar tensiunile sunt:
9.999
ntrerup
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.40 Circuit cu tranzistor bipolar defect (ntreruperea jonciunii BE)

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a ntrerup jonciunea BC, sau

Colectorul, tranzistorul se blocheaz,
Uce
Q1
iar tensiunile sunt:
9.999
Ub
1.091
BC546BP
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.41 Circuit cu tranzistor bipolar defect (ntreruperea jonciunii BC)
84

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a scurtcircuitat jonciunea

BE, tranzistorul se blocheaz, iar
Uce
Q1
tensiunile sunt:
9.999
Ub
0.484
BC546BP
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.42 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea jonciunii BE)

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a scurtcircuitat jonciunea BC,

tranzistorul se comport ca o diod
polarizat direct prin care circul curent,
Uce
Q1
+
3.991
Ub
3.991
BC546BP
iar tensiunile sunt:
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.43 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea jonciunii BC)

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a scurtcircuitat jonciunea

CE, tranzistorul se comport ca un
conductor prin care circul curent, iar
Uce
Q1
tensiunile sunt:
3.590
Ub
+
3.588
BC546BP
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.44 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea jonciunii CE)

85
5.4.2 DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE

VCC
Pentru montajul din figura 5.45,
10V
Rb1
10k
la
Rc
1k
funcionarea
condiii
normale, valorile tensiunilor la

terminalele tranzistorului bipolar
sunt:
Uc
Q1
+
4.938
Ub
3.527
BC546BP
Rb2
5.6k
Re
560
Ue
2.844
-
Tensiunea n emitor UE = 2,84 V
Figura 5.45 TB polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale tensiunilor

DEFECT 1. REZISTORUL Rb1 NTRERUPT
VCC
10V
Rb1
10k
Acest defect duce la dispariia
Rc
1k
tensiunilor din baza i emitorul

tranzistorului, iar tranzistorul se
BLOCHEAZ
Uc
Q1
+
9.999
Ub
2.542n
Tensiunea n baz UB # 0 V
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
Tensiunea n emitor UE # 0 V
6.310n
Figura 5.46 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Rb1)

DEFECT 2. REZISTORUL Rb2 NTRERUPT
VCC
10V
Rb1
10k
Acest defect duce la creterea
Rc
1k
tensiunii i curentului din baz, iar

tranzistorul intr n SATURAIE
Uc
Q1
+
3.799
Ub
4.495
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
3.780
Figura 5.47 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Rb2)

86

DEFECT 3. REZISTORUL RE NTRERUPT
VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
curenilor
prin
tranzistor,
iar
tranzistorul se BLOCHEAZ
Uc
Q1
+
9.999
Ub
3.588
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
3.161
Figura 5.48 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Re)
DEFECT 4. REZISTORUL RC NTRERUPT

VCC
curentului prin
10V
Rb1
10k
colector. Valorile
tensiunilor din colector i emitor ne
Rc
1k
determin
presupunem
tranzistorul este saturat dar n

realitate tranzistorul nu conduce.
Uc
Q1
+
0.386
Ub
+
1.091
Tensiunea n emitor UE = 390 mV
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560

Tensiunea n colector UC = 386 mV
0.390
Figura 5.49 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Rc)
87

DEFECT 5. REZISTORUL Rb1 SCURTCIRCUITAT
VCC
10V
Rb1
10k
Tensiunea
Rc
1k
egal
cu
baz-emitor
este
tensiunea
de
alimentare a tranzistorului fapt

care
Uc
Q1
+
9.198
Ub
10.000
-
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
deteriorarea
acestei jonciuni.
Tranzistorul se BLOCHEAZ.
BC546BP
determin
9.190
Tensiunea n baz UB = 10 V
Tensiunea n colector UC = 9,1
Figura 5.50 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rb1)
DEFECT 6. REZISTORUL Rb2 SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
curentului i tensiunii n baza

tranzistorului, iar tranzistorul se
BLOCHEAZ
Uc
Q1
Tensiunea n baz UB = 0 V
9.999
Ub
0.000
Tensiunea n emitor UE # 0 V
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
6.310n
Figura 5.51 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rb2)
88

DEFECT 7. REZISTORUL RC SCURTCIRCUITAT
VCC
10V
Rb1
10k
Acest defect duce la creterea
Rc
1k
tensiunii pe jonciunea colectoremitor a tranzistorului.

Funcionarea tranzistorului nu este
Uc
Q1
stabil (PSF-ul se deplaseaz
10.000
Ub
BC546BP
3.531
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
spre zona de blocare)
2.849

Tensiunea n colector UC = 10 V
Figura 5.52 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rc)
DEFECT 8. REZISTORUL RE SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Acest defect duce la funcionarea

tranzistorului
0.025
Ub
BC546BP
0.730
zona
de
SATURAIE.
Uc
Q1

Tensiunea n emitor UE = 0 V
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
0.000
Tensiunea n colector UC = 25 mV
Figura 5.53 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Re)
89
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

PROBLEMA 1.
n circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile:
Se cere:
a. Valoarea intensitii curentului de colector IC .
b. Valoarea tensiunii baz-emitor UBE .
c. Valoarea tensiunii colector-emitor UCE .
Figura 5.54 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu dou surse de alimentare
REZOLVARE
a.
b. n ochiul de reea unde se afl jonciunea BE, conform legii a II a lui Kirchhoff:

c. n ochiul de reea unde se afl jonciunea CE, conform legii a II a lui Kirchhoff:

90

PROBLEMA 2.
Se cere:
a.
b.
c.
d.
Valoarea intensitii curentului de colector IC .

Valoarea tensiunii din colector UC .
Valoarea tensiunii din emitor UE .
Valoarea tensiunii colector emitor UCE.
Figura 5.55 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu dou surse de alimentare
REZOLVARE
a.
(1)
Dar:
nlocuind (2) n (1)
( 2)

OBS. Se poate calcula mai nti IB apoi IC i IE tiind c
b.

c.

d.
91

PROBLEMA 3.
Se cere:
a. Valoarea intensitii curentului din baz Ib .
b. Valoarea intensitii curentului din colector Ic i curentului din emitor Ie.
c. Valoarea tensiunii colector emitor Uce.
Figura 5.56 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu o surs de alimentare
REZOLVARE
a. Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul care conine jonciunea baz-emitor:
( 1)
( 2) ( 3) nlocuind (2) n (3) (4)
nlocuind (4) n (1) (5)
Din (5)
(6)
b.

c. Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul care conine jonciunea colector-emitor:
( 7)

92

PROBLEMA 4.
Se cere:
a. Coordonatele punctului static
de funcionare.
b. Coordonatele punctelor de
intersecie ale dreptei de
sarcin cu axele de coordonate.
Figura 5.57 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu o surs de alimentare
REZOLVARE
a. Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea baz-emitor:

Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea colector-emitor:

Coordonatele PSF sunt:
b. Pentru determinarea punctelor de intersecie cu axele n relaia (3) se egaleaz cu
zero, pe rnd,

Coordonatele punctelor de intersecie cu axele sunt:

93

PROBLEMA 5.
n circuitul din figura 5.58 se cunosc valorile: .
Se cere:
de funcionare.
b. Coordonatele punctelor de
intersecie ale dreptei de
sarcin cu axele de coordonate.
c.
S
se
verifice
dac
tranzistorul funcioneaz n
regiunea activ normal
Figura 5.58 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu divizor de tensiune
REZOLVARE
a.
Divizorul de tensiune format din rezistoarele Rb1 i Rb2 stabilete n baza
tranzistorului T tensiunea

Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea baz-emitor:

Se tie c:

Deoarece

94


b. Pentru determinarea punctelor de intersecie cu axele n relaia (5) se egaleaz cu
zero, pe rnd,

Coordonatele punctelor de intersecie cu axele sunt:

c. Tranzistorul funcioneaz n RAN dac sunt ndeplinite condiiile;
(1)
(2)
Verificarea condiiilor:
1.
2.
Pentru verificarea regimului de funcionare a tranzistorului se calculeaz tensiunea
pe fiecare terminal al tranzistorului apoi se observ cum sunt polarizate jonciunile
tranzistorului. Aceast metod este prezentat n problemele care urmeaz.
95

PROBLEMA 6.
n circuitul din figura 5.59 se cunosc valorile: .
Se cere:
de funcionare.
b. S se determine regimul de
funcionare al tranzistorului.
Figura 5.59 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu divizor de tensiune
REZOLVARE
a. Divizorul de tensiune format din rezistoarele Rb1 i Rb2 stabilete n baza
tranzistorului T tensiunea

ntre tensiunile marcate cu rou n schema de mai sus este relaia:

nlocuind relaia (3) n relaia (2) se obine:

Se tie c:

96

Deoarece


b. Pentru determinarea regimului de funcionare se determin tensiunile n Emitor,
Baz, Colector i se observ cum sunt polarizate jonciunile EB i EC.
Tensiunile la terminalele tranzistorului se determin fa de masa

montajului.
a fost calculat cu relaia (1)

Se observ c Uc = URc = 4,24 V (o metod mai simpl!)

Deoarece jonciunea emitor-baz este polarizat direct
Deoarece jonciunea colector-baz este polarizat invers
Tranzistorul funcioneaz n regim activ normal deoarece jonciunea

emitor-baz este polarizat direct iar jonciunea colector-baz este
polarizat invers.
97

PROBLEMA 7.
Se cere:
a.
Valorile
parametrilor
caracterizeaz punctul static
ce
de
b. S se determine regimul
de
Figura 5.60 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu reacie n colector
REZOLVARE
a. Parametrii care caracterizeaz PSF sunt: Ib, Ic, Uce.
Deoarece
Pe ochiul format de : Vcc, URc, URb, Ube se aplic T2 Kirchhoff:

nlocuind relaia (4) n relaia (3) se obine:

Se nlocuiete valoarea lui Ib n relaia (4) i se obine:

98

Pe ochiul format de : Vcc, URc, Uce se aplic T2 Kirchhoff:

Parametrii caracteristici punctului static de funcionare al tranzistorului sunt:

Baz, Colector i se observ cum sunt polarizate jonciunile BE i BC.
Deoarece emitorul tranzistorului este conectat la masa montajului Ue = 0
Dac Ue=0 Uc = Uce = 1,69 V i Ub = Ube = 0,6 V

Deoarece jonciunea baz-emitor este polarizat direct
Deoarece jonciunea baz-colector este polarizat invers
Tranzistorul funcioneaz n regim activ normal deoarece jonciunea

baz-emitor este polarizat direct iar jonciunea baz-colector este
polarizat invers.
99

PROBLEMA 8.
Se cere:
a. Valorile parametrilor
ce
caracterizeaz
punctul
static
de
funcionare
al
tranzistorului.
b. S se determine
regimul de funcionare
al tranzistorului.
Figura 5.61 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu reacie n colector
REZOLVARE
a. Parametrii care caracterizeaz PSF sunt: Ib, Ic, Uce.
Pe ochiul format de : Vee, URe, Ueb, URb, UR1 se aplic T2 Kirchhoff:

Aplicnd T1 Kirchhoff n nodul dintre Rc i R1

nlocuind relaiile (3) i (4) n relaia (1) se obine:

100

nlocuind valoarea lui Ib n relaiile (4) i (2) se obine:

Pe ochiul format de : Vee, URe, Uec, URc, UR1 se aplic T2 Kirchhoff:

Parametrii caracteristici punctului static de funcionare al tranzistorului sunt:

Baz, Colector i se observ cum sunt polarizate jonciunile EB i EC.

Deoarece jonciunea emitor-baz este polarizat direct
Deoarece jonciunea colector-baz este polarizat invers
Tranzistorul funcioneaz n regim activ normal.
101
5.6. FORMULE DE BAZ UTILIZATE N CIRCUITELE CU TRANZISTOARE

Formule utilizate n circuite cu tranzistoare de tip NPN cu emitorul comun.

Formule utilizate n circuite de polarizare a bazei din Vcc.

Formule utilizate n circuite de polarizare a bazei prin divizor de tensiune.

102

Formule utilizate n circuite de polarizare cu dou surse de tensiune.

Formule utilizate n circuite de polarizare cu reacie n colector.

103
REZUMATUL CAPITOLULUI.
x
Termenul bipolar asociat tranzistorului, indic faptul c n structura intern

a tranzistorului sunt dou tipuri de purttori de sarcin: electroni liberi i goluri;
Tranzistorul bipolar este realizat din 3 regiuni: baza, emitorul i colectorul i

dou jonciuni pn: jonciunea baz-emitor i jonciunea baz-colector.
n funcie de numrul de regiuni identice tranzistoarele bipolare se mpart n

dou mari categorii: tranzistoare npn (cu dou regiuni n i o regiune p) i
tranzistoare pnp ( cu dou regiuni p i o regiune n).
Tranzistorul bipolar lucreaz n regim de amplificator dac jonciunea bazemitor este polarizat direct iar jonciunea baz-colector este polarizat
invers.
Tranzistorul bipolar lucreaz n regim de comutator electronic (blocare i

saturaie) dac ambele regiuni sunt polarizate identic.
Tranzistorul este saturat (se comport ca un ntreruptor nchis) dac ambele

jonciuni sunt polarizate direct. n aceast situaie curentul prin tranzistor este
maxim iar tensiunea ntre colector i emitor este minim.
Tranzistorul este blocat (se comport ca un ntreruptor deschis) dac ambele

jonciuni sunt polarizate invers. n aceast situaie prin tranzistor nu circul
curent iar tensiunea ntre colector i emitor este maxim.
Tranzistorul bipolar este caracterizat de trei cureni: curentul de baz (Ib),

curentul de emitor (Ie) i curentul de colector (Ic).
Curentul de baz este foarte mic n comparaie cu curentul de colector i

curentul de emitor (cureni care sunt aproximativ egali ).
Raportul dintre curentul de colector (curent de ieire) i curentul de baz

(curent de intrare) se numete ctigul n curent continuu al tranzistorului i se
noteaz cu cc. (
). n foile de catalog pentru tranzistoare pentru cc
se utilizeaz notaia hFE.

x
Raportul dintre curentul de colector i curentul de emitor se numete factor de

amplificare n curent din emitor n colector i se noteaz cu Dcc.
104

x
Tranzistorul bipolar poate fi conectat n circuit n trei configuraii de baz:

o Conexiunea emitor comun;
o Conexiunea baz comun;
o Conexiunea colector comun.
Prin termenul comun se definete terminalul care este comun att intrrii
ct i ieirii. Acest terminal se conecteaz la masa montajului.
Caracteristicile statice ale unui tranzistor sunt grafice ce reprezint

dependena dintre curenii ce trec prin terminalele tranzistorului i tensiunile ce
se aplic la aceste terminale. Sunt patru familii de caracteristici:
o IIE = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de ieire;
o UINT = f (IINT) la UIE = constant caracteristici de intrare;
o IIE = f (IINT)
la
UIE = constant caracteristici de transfer a
curentului;
o UINT = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de reacie invers dup
tensiune.
x
Cea mai important caracteristic este caracteristica de ieire deoarece pe

aceast caracteristic se pot delimita regiunile de funcionare a tranzistorului
i se poate trasa dreapta de sarcin.
Pe caracteristica de ieire se disting trei regiuni:

o Regiunea de saturaie tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie
i este caracterizat prin curent de colector foarte mare i tensiune
colector-emitor foarte mic;
o Regiunea de blocare tranzistorul funcioneaz n regim de blocare i
este caracterizat prin curent de colector foarte mic i tensiune colectoremitor foarte mare;
o Regiune activ normal
tranzistorul funcioneaz n regim activ
normal i este caracterizat prin curent de colector mare i tensiune

colector-emitor mic;
x
Pe graficul caracteristicii de ieire dac se unete punctul de blocare (VCC) cu

punctul de saturaie (IC(sat)) se obine dreapta de sarcin n curent continuu.
La intersecia unei caracteristici de ieire cu dreapta de sarcin se afl punctul

static de funcionare (PSF).
105

x
Pentru obinerea unui PSF stabil se utilizeaz patru tipuri de circuite de

polarizare:
o Circuit cu baza polarizat din Vcc prezint o stabilitate redus
deoarece PSF variaz cu cc ;
o Circuit cu emitorul polarizat din surs separat are PSF stabil dar
necesit dou surse de alimentare;
o Circuit de polarizare a bazei cu divizor de tensiune ofer un PSF
stabil i este configuraia de polarizare cea mai utilizat;
o Circuit de polarizare cu reacie n colector are PSF stabil datorit
reaciei negative din colector n baz.
PSF se afl pe dreapta de sarcin iar coordonatele acestuia sunt definite de

anumite valori ale curentului de colector Ic i tensiunii colector-emitor UCE.
Pentru determinarea coordonatelor PSF, n circuitul de polarizare se aplic

teoremele lui Kirchhoff i se utilizeaz formulele caracteristicilor electrice ale
tranzistorului pentru calcularea mrimilor Ic i UCE.
Pentru identificarea terminalelor tranzistorului bipolar se parcurg 3 etape:

o n prima etap se identific baza tranzistorului;
o n a doua etap se identific tipul tranzistorului;
o n a treia etap se identific Emitorul i Colectorul.
Identificarea terminalelor se poate face cu ajutorul unui multimetru digital prin

msurarea rezistenei electrice a jonciunilor tranzistorului bipolar.
Identificarea terminalelor tranzistorului bipolar se poate face i n funcie de

tipul capsulei utiliznd cataloage cu tranzistoare.
106
E
EVALUAREA
CUNOTINELOR
I ncercuiete varianta sau variantele de rspuns corect.
1. Dintre cele trei regiuni ale tranzistorului regiunea cea mai puternic dopat
este:
a. Regiunea emitorului;
b. Regiunea bazei;
c. Regiunea colectorului.
2. Dintre cele trei regiuni ale tranzistorului regiunea cea mai subire este:
a. Regiunea emitorului;
b. Regiunea bazei;
c. Regiunea colectorului.
3. La tranzistorul din imagine terminalul din partea de sus este:
a. Baza;
b. Colectorul;
c. Emitorul.
4. La tranzistorul din imagine terminalul din mijloc este:
a. Baza;
b. Colectorul;
c. Emitorul.
5. La tranzistorul de putere 2N3055 terminalul conectat la capsula metalic este:
a. Baza;
b. Colectorul;
c. Emitorul.
6. La o un tranzistor cu siliciu, valoarea tipic a tensiunii de polarizare direct a
jonciunii baz-emitor este:
a. ntre 0,2V i 0,3 V;
b. ntre 0,6 V i 0,7 V;
c. n jurul valorii de 1,4 V.
7. Un tranzistor funcioneaz ca amplificator dac jonciunile sale sunt polarizate
astfel:
a. BE direct i BC invers;
b. BE invers i BC direct;
c. BE direct i BC direct;
d. BE invers i BC invers.
107

8. Un tranzistor cnd lucreaz n blocare / saturaie se comport ca un:
a. Rezistor variabil;
b. Condensator variabil;
c. Amplificator;
d. Comutator.
9. n regim de saturaie:
a. Tensiunea emitor-colector este minim;
b. Tensiunea emitor colector este maxim;
c. Curentul de colector este minim;
d. Curentul de colector este maxim.
10. Parametrul CC al tranzistorului reprezint:
a. Ctigul n tensiune;
b. Ctigul n curent;
c. Ctigul n putere.
11. ntr-un montaj cu tranzistor n conexiunea emitor comun (EC), tensiunea ntre
colector i emitor (UCE) este:
a. Mrime de intrare;
b. Mrime de transfer;
c. Mrime de ieire.
12. Un montaj cu tranzistor n conexiunea colector comun (CC) se caracterizeaz
prin:
a. Amplificare n curent unitar (1);
b. Amplificare n tensiune unitar (1);
c. Amplificare n curent mare (peste 10);
d. Amplificare n tensiune mare (peste 10).
13. Dac jonciunea baz-emitor a unui tranzistor se ntrerupe, tensiunea n
colectorul tranzistorului va fi:
a. 0 V;
b. 0,7 V;
c. VCC.
14. ntr-un circuit de polarizare a unui tranzistor prin divizor de tensiune dac se
ntrerupe rezistena dintre baz i VCC, tensiunea n emitorul TB va fi:
a. 0 V;
b. 0,7 V;
c. VCC.
108

II. 1. Determinai valorile parametrilor ce caracterizeaz punctul static de funcionare
al tranzistorului pentru circuitul din imaginea de mai jos dac CC = 100 i UBE =0,7V.
Rb1
47k
Rc
2.2k
T
+ Vee
10 V
BC546BP
Rb2
15k
Re
1k
2. Pentru circuitul din imaginea de mai jos: CC = 300 i UBE =0,6 V.

Se cere:
a. Valorile parametrilor ce caracterizeaz punctul static de funcionare al
tranzistorului.
b. S se determine regimul de funcionare al tranzistorului.
+
4.7k
Rc
V1
+ 15 V
Rb
100k
BC546BP
V2
- 15 V
10k
Re
109

Tranzistoare Bipolare

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzistoare Bipolare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

Figura 5.1 Structura i simbolul tranzistorului bipolar

Figura 5.2 Seciunea de principiu printr-un tranzistor

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

5.1.2 NCAPSULAREA TRANZISTOARELOR. IDENTIFICAREA TERMINALELOR.

tranzistoare de semnal mic se utilizeaz la frecvene joase (sub 100 kHz)

Figura 5.3 Capsule de tranzistoare de semnal mic (uz general)

tranzistoare de putere se utilizeaz la cureni mari (peste 1 A);

Figura 5.4 Capsule de tranzistoare de putere

tranzistoare de radio-frecven (RF) se utilizeaz la frecvene foarte nalte.

Figura 5.5 Capsule de tranzistoare de radio-frecven

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

Figura 5.6 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul metalic

x tranzistoare de uz general n capsul din material plastic la tranzistoarele din

Figura 5.7 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul din plastic

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

x tranzistoare de putere la tranzistoarele din aceast categorie Colectorul este

Figura 5.8 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele de putere

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

MSURAREA REZISTENEI ELECTRICE A JONCIUNILOR.

n prima etap se identific baza tranzistorului:

Figura 5.9 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

Figura 5.10 Identificarea BAZEI tranzistorului bipolar

n a doua etap se identific tipul tranzistorului:

Se plaseaz o tast a multimetrului pe baz i cealalt tast pe unul din celelalte

iar pe margini literele

corespunztoare celeilalte polariti (doi de P sau doi de N) i astfel se obine PNP

Figura 5.11 Identificarea tipului de tranzistor (PNP sau NPN)

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

n a treia etap se identific Emitorul i Colectorul:

Rezistena BAZ-EMITOR este mai MARE dect rezistena BAZCOLECTOR.

Figura 5.12 Identificarea EMITORULUI i COLECTORULUI

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

5.1.3 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Figura 5.13 Prezentarea funcionrii tranzistorului NPN

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

5.1.4 PARAMETRII I CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

Valorile parametrului sunt cuprinse ntre 10 i 1000, n funcie de tipul tranzistorului.

Acest parametru este ntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (I C) este

a2. Valorile maxime absolute

Tensiunile maxime ntre terminale: VCBO, VCEO, VEBO;

Curentul maxim de colector i de baz: ICM, IBM;

Puterea maxim disipat: Ptot;

Temperatura maxim a jonciunii: TjM (este cuprins ntre 175C i 200C).

n practic se recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult 0,75 din valorile de

Auxiliarul curricular - Electronic Analogic - este publicat online la adresa http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

IB curentul continuu de baz

IE curentul continuu de emitor

VCB tensiunea colector-baz