Sunteți pe pagina 1din 2

Lăţimea benzii interzise

1. Să se determine constanta k din relaţia

λ

[µm] =

k

E [eV]

care leagă lungimea de undă

în spaţiul liber a unui foton, exprimată în micrometri, de energia sa exprimată în electron- volt. R:

E =

hc

0

λ

deci

λ =

hc 0

E

. Rezultă

k

=

=

hc

6,626

0

=

×

6,626

10

34

1,6

×

10

19

×

10

34

[Js]

× ×

3

10

8

[eV]

× ×

3

10

14

[µm]

Se reţine formula

λ

[µm] =

1,24

.

E [eV]

[m/s]

=

=

1,242 [eVµV]

2. Să se determine valorile limită λ p asociate radiaţiilor necesare pentru crearea de

perechi electron-gol în Ge, Si şi GaAs. Lăţimile benzilor interzise sunt:

-Ge

E

-Si

-GaAs

R:

-Ge

= 0,67 eV ; = 1,11 eV ;

E

g

E

g

g

= 1,40 eV .

1,24

λ [µm] =

0,67 [eV]

= 1,85 [µm]

;

-Si

λ [µm] =

1,24

1,11 [eV]

= 1,12 [µm]

;

-GaAs

λ [µm] =

1,24

1,40 [eV]

= 0,89 [µm]

.

3. Considerând că radiaţia vizibilă corespunde unor lungimi de undă între 0,4 şi 0,78 µm,

să se calculeze limitele între care se poate situa lăţimea benzii interzise a unui material

semiconductor pentru ca acesta să poată emite şi absorbi radiaţie vizibilă. R:

0,4 λ 0,78 [µm]

0,4

1,24

E

g

[eV]

0,78 [µm]

1,24

0,78

1,24

0,4

g

E

[eV]

1,59

E

g

3,10 [eV]

4. Cât trebuie să fie lăţimea benzii interzise a unui material semiconductor pentru ca el să

emită o lumină verde cu λ = 555 nm .

R:

E

=

1,24

g 0,555

= 2,23 eV

.

5. Semiconductorul GaN are lungimea benzii interzise de 3,5 eV. Să se calculeze

lungimea de undă a luminii emise.

R: λ = 354 nm .