Limea benzii interzise

k
1. S se determine constanta k din relaia [m] = care leag lungimea de und
E [eV ]
n spaiul liber a unui foton, exprimat n micrometri, de energia sa exprimat n electron-
volt.
R:
hc hc
E = 0 deci = 0 . Rezult
E
k = hc0 = 6,626 10 34 [Js] 3 10 8 [m/s] =
6,626 10 34
= 19
[eV] 3 1014 [m] = 1,242 [eVV ]
1,6 10

1,24
Se reine formula [m] = .
E [eV ]

2. S se determine valorile limit p asociate radiaiilor necesare pentru crearea de

perechi electron-gol n Ge, Si i GaAs. Limile benzilor interzise sunt:
-Ge E g = 0,67 eV ;
-Si E g = 1,11 eV ;
-GaAs E g = 1,40 eV .
R:
1,24
-Ge [m] = = 1,85 [m] ;
0,67 [eV ]
1,24
-Si [m] = = 1,12 [m] ;
1,11 [eV]
1,24
-GaAs [m] = = 0,89 [m] .
1,40 [eV ]

3. Considernd c radiaia vizibil corespunde unor lungimi de und ntre 0,4 i 0,78 m,
s se calculeze limitele ntre care se poate situa limea benzii interzise a unui material
semiconductor pentru ca acesta s poat emite i absorbi radiaie vizibil.
R:
0,4 0,78 [m]
1,24
0,4 0,78 [m]
E g [eV]
1,24 1,24
Eg [eV]
0,78 0,4
1,59 E g 3,10 [eV]
4. Ct trebuie s fie limea benzii interzise a unui material semiconductor pentru ca el s
emit o lumin verde cu = 555 nm .
R:
1,24
Eg = = 2,23 eV .
0,555

5. Semiconductorul GaN are lungimea benzii interzise de 3,5 eV. S se calculeze

lungimea de und a luminii emise.
R: = 354 nm .