CONVERSIA ENERGIEI SOLARE N ENERGIE

ELECTRIC

1. EFECTUL FOTOVOLTAIC
Efectul de apariie a unei tensiuni electromotoare, sub aciunea energiei solare, denumit efect
fotovoltaic, a fost descoperit de fizicianul francez Alexandre-Edmond Becquerel, n anul 1839.
Denumirea acestui efect provine din grecescul phos, care nseamn lumin i din numele fizicianului
Allesandro Volta, realizatorul primei baterii electrice din lume. Efectul fotovoltaic este datorat
eliberrii de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive (goluri), ntr-un material solid, atunci cnd
suprafa a acestuia interacioneaz cu lumina. Datorit polarizrii electrice a materialului respectiv,
care se produce sub aciunea luminii, apare o tensiune electromotoare, care poate genera curent
electric ntr-un circuit nchis. Dispozitivele care funcioneaz pe baza acestui fenomen, sunt denumite
celule fotovoltaice, sau celule electrice solare. Pentru a permite furnizarea unei puteri elctrice
rezonabile, celulele fotovoltaice nu funcioneaz individual ci legate n serie ntr-un mumr mai mare,
alctuind panouri fotovoltaice, sau panouri electrice solare (a nu se confunda cu panourile solare
pentru producerea energiei termice, denumite i colectori solari sau panouri solare termice).
Celulele fotovoltaice pot fi realizate din mai multe materiale semiconductoare, dar peste 95%
din celulele solare sunt realizate din siliciu (Si), care este al doilea element chimic cel mai rspndit n
scoar a terestr, reprezentnd cca. 25% din aceasta, deci este disponibil n cantiti suficiente, fiind
astfel i ieftin. n plus, procesele de prelucrare a acestui material nu sunt agresive pentru mediul
ambiant.
n figura 1.1 este prezentat structura energetic a materialelor semiconductoare, deci i a
siliciului.

Fig. 1.1. Structura energetic a materialeor semiconductoare

Analizarea acestei scheme energetice este util n vederea n elegerii condiiilor n care
semiconductorii pot deveni materiale conductoare de curent electric. n situaii normale, electronii
ocup n jurul nucleelor atomilor materialului respectiv, diferite nivelele energetice denumite i straturi
sau benzi energetice. Aceste nivele energetice accesibile pentru electroni, sunt separate de benzi
energetice interzise, reprezentnd adevrate bariere energetice pentru electroni. Nivelul
energetic cel mai ridicat dintre cele ocupate de electroni, este denumit i band energetic de valen,
sau mai simplu band de valen. Urmtorul nivel energetic accesibil electronilor, dar neocupat de
acetia, este denumit band energetic de conduie, sau mai simplu band de conduc ie. Este evident
c pentru materiale diferite, nivelele energetice ale benzii de valen i ale benzii de conducie sunt
diferite. Diferena de potenial energetic E, dintre banda de conducie i banda de valen,
reprezentnd i valoarea barierei energetice dintre cele dou straturi, este diferena dintre nivelurile
energetice Ec al benzii de conducie i Ev al benzii de valen E=E c-Ev. n cazul siliciului
monocristalin, valoarea acestei bariere energetice este E 1eV, iar n cazul siliciului amorf poate s
ajung la E1,7eV. Aceste valori ale barierei energetice, reprezint cuante de energie care trebuie s
fie transmise electronilor de pe stratul de valen pentru ca acetia s devin liberi, adic pentru a
putea trece pe banda de conducie. Prin supunerea materialelor semiconductoare de tipul siliciului la
radiaia solar, fotonii, sau cuantele de lumin cum mai sunt numii acetia, sunt capabili s transmit
electronilor de pe banda de valen, energia necesar pentru a depi bariera energetic i a trece pe
banda de conducie. Acest fenomen se produce n celulele fotovoltaice.
n vederea fabricrii celulelor fotovoltaice, Si este impurificat (dopat) cu diferite elemente
chimice, pentru ob inerea unui surplus de sarcini electrice negative (electroni) sau pozitive (goluri). Se
obin astfel straturi de siliciu semiconductoare de tip n, respectiv de tip p, n funcie de tipul sarcinilor
electrice care predomin. Prin alturarea a dou asemenea straturi de material semiconductor,
caracterizate prin predominana diferit a sarcinilor electrice, n zona de contact, se obine o aa numit
jonciune de tip p-n de tipul celei reprezentate schematic n figura 1.2.

Fig. 1.2. Jonciune p-n

Sub aciunea diferenei de potenial electric, manifestat n zona de contact, electronii

excedentari din stratul n, prezint tendina de migraie n stratul p, deficitar n electroni. Analog,
golurile excedentare din stratul p, prezint tendina de a migra n stratul n, deficitar n sarcin electric
pozitiv. Aceast tendin de deplasare a sarcinilor electrice este reprezentat n figura 1.3.

Fig. 1.3. Tendina de migrare a sarcinilor electrice ntre straturile jonciunii p-n

Amploarea migraiei sarcinilor electrice ntre cele dou straturi ale jonciunii p-n este limitat
de nivelul energetic al purttorilor celor dou tipuri de sarcini electrice. Astfel, cu toate c nu se va
realiza o reechilibrare la nivelul sarcinilor electrice n toat profunzimea celor dou straturi, o zon
superficial din stratul p va fi ocupat de sarcini electrice negative (electroni), iar o zon superficial
din stratul n, va fi ocupat de sarcini electrice pozitive (goluri). Ca efect, se va produce o redistribuire
a sarcinilor electrice n zona jonciunii p-n, de tipul celei reprezentate n figura 1.4.

Fig. 1.4. Apariia unei diferene de potenial electric n zona jonciunii p-n

Se observ c efectul acestei redistribuiri este reprezentat de apariia unei diferene de

potenial locale, la nivelul jonciunii. Aceast diferen intern de potenial reprezint o barier care
mpiedic o eventual deplasare ulterioar a sarcinilor electrice negative din stratul n spre stratul p i a
celor pozitive din stratul p spre stratul n. Sarcinile electrice libere din cele dou straturi sunt respinse
din zona jonciunii spre suprafeele acestor straturi, opuse jonciunii p-n.
Este cunoscut faptul c lumina prezint un caracter dual, avnd att caracteristici de und,
conform teoriei ondulatorii a luminii, ct i caracteristici corpusculare, conform teoriei corpusculare,
sau fotonice a luminii. Din punctul de vedere al efectului fotovoltaic este mai util ca lumina s fie
considerat ca avnd caracter corpuscular.
Dac jonciunea p-n este supus radiaiei solare, fotonii avnd un nivel energetic suficient de
ridicat (cu att mai ridicat cu ct radiaia solar prezint o intensitate mai mare), sunt capabili s
transfere suficient energie electronilor aflai pe straturile de valen ale atomilor, pentru a treace pe
straturile de conducie i s devin electroni liberi. Sub aciunea diferenei interne de potenial, care se
manifest local la nivelul jonciunii p -n, electronii liberi care se formeaz n stratul n, sunt respini
spre suprafaa stratului n al jonciunii, iar electronii liberi care se formeaz n stratul p, sunt atrai spre
zona de jonciune, pe care o vor traversa i odat ajuni n stratul n, sunt respini spre suprafaa acestui
strat. Fiecare electron liber, n momentul trecerii sale pe stratul de conducie, las n urm un gol
(sarcin electric pozitiv) n structura atomului pe care l-a prsit, astfel c sub aciunea radiaiei
solare nu apar doar electroni liberi ci perechi de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive
(goluri). Sub aciunea diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n,
golurile care se formeaz n stratul p sunt respinse spre periferia stratului p al jonciunii, iar golurile
care se formeaz n stratul n, sunt atrase spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i odat ajuni
n stratul p, sunt respini spre suprafaa acestui strat.
 n urma deplasrii sarcinilor electrice n cele dou straturi i n zona jonciunii p-n, conform
mecanismului prezentat, se produce o polarizare electric la nivelul suprafeelor exterioare ale
jonciunii p-n, aa cum se observ n figura 1.5.

Fig. 1.5. Polarizarea suprafeelor exterioare ale jonciunii p-n

Dac suprafeele exterioare ale jonciunii p-n sunt acoperite cu cte un strat metalic,
reprezentnd fiecare cte un electrod, ntre acetia se va manifesta o diferen de potenial, care ntr-un
circuit nchis va produce manifestarea unui curent electric. Diferena de potenial i curentul electric se
pot men ine la un nivel constant atta tip ct se manifest radiaia solar. Este evident c variaia
intensitii radiaiei solare va produce i variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii
curentului electric aa cumse va arta ulterior.
Jonciunea p-n, mpreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic sau o celul
elctric solar avnd construcia de tipul celei reprezentate n figura 1.6.

1.6. Elementele constructive ale unei celule fotovoltaice www.viessmann.com

 Grosimea total a unei celule fotovoltaice este ce cca. 0,3mm, iar grosimea stratului n, este de
cca. 0,002mm. Uzual, deasupra electrodului negativ al celulei fotovoltaice, se amplaseaza un strat
antireflexie, cu rolul de a mpiedica reflexia radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei electrice
solare, astfel nct o cantitate ct mai mare de energie s fie transferat electronilor de valen din cele
dou straturi semiconductoare. Celulele fotovoltaice au dimensiuni uzulale de 10x10cm i mai recent
de 15x15cm.
Primele celule fotovoltaice, au fost utilizate n 1958, pe satelitul Vanguard I, prezentat n
figura 1.7. Eficiena de conversie a energiei radiaiei solare n electricitate era de 10%, iar puterea
total a acelor celule fotovoltaice a fost de cca. 0,1W. Pn n 2005, puterea total instalat pe planet
a panourilor fotovoltaice, depea 1.000.000.000W=1GW.

Fig. 1.7. Primele panouri solare, montate pe Vanguard I

Eficiena celulelor fotovoltaice depinde de doi factori:

Intensitatea radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei;
Eficiena procesului de conversie a energiei radiaiei solare n energie electric.
n prezent, construciile de celule fotovoltaice au eficiene n jurul valorii de 15%, ceea ce
reprezint o valoare destul de sczut. Din acest motiv, panourile fotovoltaice sunt amplasate
preponderent n zone caracterizate prin radiaie solar intens. Cu toate acestea, ri ca Germania sau
Austria reprezint exemple de utilizare pe scar larg a acestei tehnologii, cu toate c nu sunt
favorizate din punct de vedere al intensitii radiaiei solare.