Materiale pentru electronic- ME-S30- Anul universitar 2012-2013

Anul I Electronic Aplicat-Mircea I. Mihaiu- Universitatea din Craiova

S30. Electroni i goluri n semiconductoare

(Legturile covalente, Golurile, Semiconductori intrinseci)

Se reamintete c valoarea conductivitii este proporional cu concentracia n de

electroni liberi. Pentru un material conductor n are o valoare foarte mare (~ 1028 electroni *m-
3
), pentru un material izolator n este foarte mic (~ 107) iar pentru un material semiconductor
valoarea lui n se afl ntre cele dou valori menionate anterior. Electronii de valen dintr-un
semiconductor nu sunt liberi s se deplaseze n interiorul cristalului cum sunt electronii din
metal ci sunt reinui n legturi covalente dintre doi ioni vecini dup cum se va explica n
continuare.
Legturile covalente. Siliciul i germaniul sunt cele mai utilizate materiale
semiconductoare pentru fabricarea dispozitivelor electronice. Structura cristalin a acestor
materiale const din repetarea regulat n trei dimensiuni a celulelor unitare sub form de
tetraedre cu un atom n fiecare col. O asemenea structur este reprezentat n Fig.S30.1.
Germaniul are un numr total de 32 de electroni aranjai n nveliiri i subnveliuri. Fiecare
atom de Ge are 4 electroni de valen deci atomul este tetravalent. Ionul atomului de
germaniu are o sarcin pozitiv +4 uniti elementare de sarcin. Fora de legtur dintre
atomii de germaniu rezult din legtura covalent dintre un atom i ali 4 atomi vecini. n Fig.
S30.1. se prezint legtura covalent care se obine din partajarea a doi electroni ntre doi
atomi vecini i care este reprezentat cu linia punctat care leag cei 2 atomi vecini. Datorit
legturii covalente electronii de valen sunt inui n apropierea nucleului atomului i nu se
pot deplasa liber prin cristal. Deci dei germaniul are 4 electroni de valen va avea o
conductivitate mic datorit legturilor covalente care rein electronii n apropierea ionilor
din cristal.

Fig.S30.1. Structura cristalin a germaniului reprezentat n dou dimensiuni.

Golurile. La temperaturi foarte joase ( de exmplu la 0oK) structura din Fig.S30.1. se

comport ca un izolator deoarece nu sunt electroni liberi disponibili n cristal. La temperatura
camerei unele legturi covalente se ntrerup datorit energiei termice a cristalului i este
posibil conducia curentului pentru c apar purttori mobili de sarcin conform celor
prezentate n Fig.S30.2. n Fig.S30.2 este eliberat un electron dintr-o legtur covalent i

1
 Electroni i goluri n semiconductoare

deci acest electron se poate deplasa prin cristal. Energia necesar pentru a rupe o legtur
covalent EG este de aproximativ 0,72 eV pentru germaniu i 1,1 eV pentru siliciu la
temperatura camerei.

Fig.S30.2. Cristalul de germaniu cu legturi covalente ntrerupte

Absena unui electron dintr-o legtur covalent este simbolizat printr-un mic cerc i
o asemenea legtur covalent incomplet se numete gol. Importana golurilor const n
faptul c acestea pot s fie utilizate ca purttori de sarcin avnd aceiai valoare a sarcinii
electrice ca i electronii dar de polaritate pozitiv. Mecanismul prin care un gol poate s
contribuie la conducia curentului este urmtorul. Atunci cnd o legtur covalent este
incomplet deci va exista un gol este relativ uor ca un electron de valen dintr-o legtur
covalent apropiat s prseasc aceast legtur i s se deplaseze n locul golului. Dac
electronul se deplaseaz ca s umple golul n locul de unde a plecat va aprea un gol deci
golurile se vor deplasa efectiv n direcie opus electronilor. Acest gol aflat n noua poziie
poate din nou s fie completat de un electron de valen dintr-o legtur covalent vecin i
iari va rezulta o deplasare a golului. Prin urmare va apare un mecanism de conducie a
curentului electric care nu implic electroni liberi.

Fig.S30.3. Mecanismul prin care un gol contribuie la conducia curentului electric

Acest fenomen este ilustrat schematic n Fig.S33.3. n care un cerc cu punct negru reprezint
o legtur covalent complet iar un cerc gol este o legtur covalent incomplet.
n Fig.S30.3.a se prezint un rnd de 10 ioni cu o legtur incomplet, sau un gol, la
poziia 6. Se poate imagina c electronul de la poziia 7 se mut la poziia 6 deci configuraia
2
 Materiale pentru electronic- ME-S30- Anul universitar 2012-2013
Anul I Electronic Aplicat-Mircea I. Mihaiu- Universitatea din Craiova

se schimb ca n Fig.S30.3b. Dac se compar cele dou figuri este ca i cum golul se
deplaseaz spre dreapta de la ionul 6 la ionul 7. Deci micarea unui gol ntr-o direcie
nseamn micarea unui electron n direcie opus. Dac ne referim la conducia curentului
electric golul apare ca o sarcin pozitiv de aceiai valoare numeric ca i sarcina
electronului. Se poate considera c aceste goluri sunt particule fizice iar prin deplasarea lor se
poate realiza trecerea unui curent prin semiconductor. Acest argument teoretic prin care
golul este considerat ca o sarcin pozitiv care poate s contribuie la conducia curentului
poate s fie justificat prin mecanica cuantic. ntr-un semiconductor pur care se mai numete
semiconductor intrinsec numrul de goluri este egal cu numrul de electroni liberi. Agitaia
termic din cristal va produce continu perechi de electroni liberi i goluri iar pe de alt parte
n permanen electronii se vor combina cu golurile. Dac se noteaz concentraia de goluri
cu p iar concentraie de electroni cu n trebuie s fie indeplinit reelaia de mai jos:
n=p = ni (S30.1)
unde cu ni s-a notat concentraia n semiconductorul intrinsec.
Despre masa efectiv a electronilor i golurilor. Se poate arta c dac se utilizeaz
mecanica cuantic pentru a descrie micarea particulelor ( electronii sau golurile) n
interiorul unui cristal este posibil ca aceste particule s fie considerate particule clasice cu o
mas efectiv pozitiv mp respectiv mn. Aceast aproximaie este corect dac cmpul extern
aplicat acestor particule este mult mai slab n comparie cu cmpul intern produs de structura
cristalin a materialului. ntr-un cristal perfect aceste particule imaginare rspund numai la
cmpuri externe aplicate. O analiz ondulatorie a electronilor de valen arat c acetia nu
pot s fie considei ca particule clasice. Se poate trece peste aceast analiz dac se ignor
legturile electronilor cu ionii din reea i se consider numai micarea golurilor. Prin urmare,
considerarea purttorilor de sarcin ca particule clasice cu o mas efectiv, nltur efectul
cuantic asupra acestor particule i permite n acest caz s se utilizeze legile lui Newton pentru
particule clasice pentru a se estima forele care se exercit asupra purttorilor n cristal.

ntrebri
1. S se explice pe scurt legturile covalente care apar la un cristal de germaniu.
2. Cum se comport un material semiconductor la temperaturi joase i la temperatura
camerei ?
3. S se explice conducia prin goluri la semiconductori.
4. Ce se nele prin semiconductor intrinsec ?
5. Ce se ntampl cu electronii i golurile la temperatura camerei ?

Exerciii i probleme

Bibliografie
1.S.O.Kasap, Principles of Electronic Materials and Devices, McGraw-Hill, 2006
2.Helmuth Foll, Electronic Materials, University of Kiel, Faculty of Enegineering, 2010,
http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/index.html