1

Lucrarea 2

GENERALITI ASUPRA DISPOZITIVELOR I

MODULELOR SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

1. Introducere

Partea de for a convertoarelor statice conine ca elemente de baz dispozitive

semiconductoare de putere care se comport asemntor unui ntreruptor (comutator)
electronic. n regim stabilizat aceste elemente de comutaie nu lucreaz niciodat n
zona lor liniar unde se comport ca o rezisten variabil deoarece s-ar produce
pierderi energetice inacceptabile. Din acest motiv dispozitivele semiconductoare de
putere din structura convertoarelor statice vor lucra totdeauna n comutaie. Astfel, n
electronica de putere, dispozitivele vor funciona doar n dou stri stabile: starea de
conducie (ON) cnd se permite circulaia curentului electric prin ramura de circuit,
ideal fr nici o cdere de tensiune pe dispozitiv i starea de blocare (OFF) cnd
circulaia curentului este ntrerupt n totalitate.

2. Clasificarea dispozitivelor semiconductoare de putere

n funcie de modalitatea n care pot fi controlate (criteriul controlabilitii)

dispozitivele semiconductoare de putere pot fi ncadrate n trei categorii:
1) Dispozitive necontrolabile - categorie format din diodele de putere care
nu prezint dect dou terminale de for, fr terminal de comand. Starea de
conducie sau de blocare este dictat de felul n care sunt polarizate n circuit.
2) Dispozitive cu amorsare controlat categorie n care sunt incluse
tiristoarele i triacele. Istoric vorbind, tiristorul a fost primul dispozitiv semiconductor
de putere cu trei terminale, dou de for (anod, catod) i unul de comand numit gril
sau poart. Pentru a intra n conducie un tiristor trebuie polarizat direct i comandat
ntre gril i catod cu un impuls scurt de curent. Odat amorsat conducia, curentul de
gril poate s dispar deoarece dispozitivul rmne agat n aceast stare pn cnd
sunt ntrunite condiiile de blocare, respectiv o polarizare invers i o anulare a
curentului prin acesta. Nu poate fi indus starea de blocare prin comand i din acest
motiv se poate afirma c tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere pe
jumtate controlat. Eforturile de cercetare pentru a obine o structur semiconductoare
asemntoare cu tiristorul, dar care s posede i faciliti de blocare prin comand, au
condus la realizarea tiristorului cu blocare pe poart tip GTO (Gate Turn-Off

Autor: dr.ing. Mihai Albu

2 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

Thyristor) care este un dispozitiv din clasa celor complet controlabile. Triacul poate fi
echivalat cu o structur format din dou tiristoare conectate n antiparalel.
3) Dispozitive semiconductoare de putere controlabile sunt elemente de
comutaie care pot fi aduse n conducie i blocate prin comand. Cu anumite excepii
(ex. GTO, MCT) semnalul de deschidere trebuie aplicat continuu pe terminalul de
comand pentru a menine starea de conducie a acestora dac sunt polarizate direct.
Blocarea se produce de la sine atunci cnd semnalul de comand este ndeprtat sau va
scdea sub o anumit valoare de prag. Totui, n foarte multe situaii se prefer
blocarea lor cu semnale inverse de comand pentru a avea sigurana c nu se vor
deschide accidental, situaie care poate conduce la apariia unor scurt circuite n
convertoare.
n funcie de natura semnalului de comand, la rndul lor dispozitivele
controlabile pot fi separate n dou grupe distincte:
a) dispozitive comandate n curent care pot fi:
tranzistoarele bipolare de putere (Bipolar Junction Transistors -BJT)
sunt dispozitive relativ lente pe durata tranziiilor (pierderi mari n
comutaie), dar au avantajul obinerii unor stri de conducie profunde
(pierderi mici n conducie).
tiristoarele cu blocare pe poart (GTO) sunt dispozitive utilizate n
aplicaii de mare putere. Pentru comanda acestor dispozitive sunt
utilizate impulsuri de curent, un impuls pozitiv de amplitudine mic
pentru deschidere (la fel ca la tiristor) i un impuls negativ de
amplitudine mare pentru blocare.
b) dispozitive comandate n tensiune mai sunt numite i dispozitive
semiconductoare de putere cu gril MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)
sau gril izolat. Avnd n vedere calitile incotestabile ale acestora
(putere mic de comand, frecven mare de lucru etc.) cercetrile din
domeniul semiconductoarelor de putere i eforturile tehnologice de
fabricaie s-au ndreptat cu precdere spre dezvoltarea lor. n prezent, se
gsesc pe pia o multitudine de asemenea dispozitive. n continuare sunt
prezentate cele mai utilizate sau acele dispozitive cu gril MOS care au
avut i au rolul cel mai important n evoluia electronicii de putere:
tranzistoare MOSFET de putere (MOS Field Effect Transistors)
sunt dispozitive rapide (pierderi mici n comutaie) i din acest motiv
sunt utilizate n convertoare cu frecvene de lucru mari (zeci sute de
kHz). Dezavantajul lor const n creterea rapid a valorii rezistenei
de conducie (rDS(on) parametru de catalog) odat cu creterea
tensiunii de lucru maxime pentru care au fost fabricate, ceea ce va
conduce la pierderi importante pe durata conduciei. Din acest motiv
nu sunt utilizate n convertoare de puteri mari.
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 3

tranzistoare bipolare cu gril izolat (Insulated Gate Bipolar

Tranzistor - IGBT) este un tranzistor hibrid, o combinaie ntre
tranzistorul bipolar de putere de la care a luat calitatea conduciei unor
cureni mari fr pierderi importante i tranzistorul de tip MOSFET de
la care a luat viteza relativ mare de comutaie. A rezultat un tranzistor
care poate fi utilizat n convertoare cu comutaie forat la frecvene
de lucru ridicate (kHz zeci de kHz) pn la puteri de ordinul zecilor
de megawai. Astfel, se poate afirma c n prezent tranzistorul de tip
IGBT este locomotiva electronicii de putere, cel mai utilizat dispozitiv
din acest domeniu al tehnicii.

Avnd n vedere diversitatea dispozitivelor semiconductoare de putere

controlabile i trstura lor comun de a fi aduse n conducie i de a fi blocate prin
comand, s-a simit nevoia reprezentrii acestora printr-un simbol unic n schemele de
for ale convertoarelor statice. n Fig.2.1.sunt date dou variante de simboluri
utilizate n literatura de specialitate.

iT iT
+ +
T uT T uT
- -

a) b)

Fig. 2.1 Simboluri utilizate pentru dispozitive semiconductoare controlabile.

Prima variant (Fig.2.1.a) este asemntoare cu simbolul unui contact electric

comandat aparinnd unui contactor sau releu. A doua variant (Fig.2.1.b) este mai
stilizat i pune n eviden caracteristica de conducie unidirecional a curentului
printr-un asemenea dispozitiv (sgeata contactului). Variabilele iT i uT reprezint
curentul care strbate dispozitivul T, respectiv cderea de tensiune pe acesta n starea
de conducie. n continuare se va utiliza varianta (b), varianta (a) fiind mai degrab
adecvat pentru comutatorul electronic bidirecional utilizat n convertoarele
matriciale.
Un al doilea criteriu de clasificare al dispozitivelor semiconductoare de
putere ar putea fi considerat numrul de caracteristici de blocare i de conducie
realizate de dispozitiv. Acestea, definite n mod ideal, sunt ilustrate n sistemul de axe
iT uT din Fig.2.2.
Pot fi evideniate urmtoarele caracteristici i totodat stri ale dispozitivelor
semiconductoare de putere:

Autor: dr.ing. Mihai Albu

4 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

caracteristica de blocare direct este obinut atunci cnd dispozitivul

blocheaz tensiuni directe (pozitive). Nici un curent nu circul prin
elementul de comutaie n aceast stare;
caracteristica de conducie direct este obinut atunci cnd
dispozitivul se afl n conducie total prelund un curent pozitiv
determinat de o tensiune de polarizare direct. Cderea de tensiune pe
elementul de comutaie aflat n starea de conducie, n mod ideal, este
considerat zero;
caracteristica de blocare invers este obinut atunci cnd dispozitivul
blocheaz tensiuni inverse (negative). Nici un curent nu circul prin
dispozitiv n aceast stare;
caracteristica de conducie invers este obinut atunci cnd
dispozitivul poate s conduc i cureni inveri, negativi. Aceast
caracteristic este specific elementelor de comutaie bidirecionale.

iT
Caracteristica de
conducie direct
Deschidere (blocare)
Caracteristica de direct comandat
blocare invers
uT

Caracteristica de
Deschidere (blocare) blocare direct
invers comandat
Caracteristica de
conducie invers

Fig. 2.2 Caracteristicile ideale, de conducie i de blocare, specifice

elementelor de comutaie din electronica de putere.

Majoritatea dispozitivelor semiconductoare utilizate n electronica de putere

nu pot obine toate caracteristicile enumerate mai sus. Astfel, diodele lucreaz doar pe
dou caracteristici din Fig.2.2, una de conducie i una de blocare, trecerea ntre cele
dou fcndu-se necontrolat. Dispozitivele controlabile pot realiza dou sau trei
caracteristici: caracteristicile de blocare direct i invers precum i caracteristica de
conducie direct cu precizarea c trecerea de pe caracteristica de blocare direct i
conducie direct se obine n urma unei comenzi. Sunt unele dispozitive controlabile
(ex. tranzistorul MOSFET) care nu au capacitate de blocare invers.
Aa cum s-a mai precizat, dispozitivele semiconductoare de putere elementare
sunt, n general, ventile unidirecionale n ceea ce privete sensul de circulaie al
curentului prin ele. Foarte interesante n structurile moderne ale electronicii de putere
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 5

sunt dispozitivele care pot realiza toate cele patru caracteristici prezentate mai sus
numite comutatoare electronice sau celule de comutaie bidirecionale. Pentru a obine
comutatoare bidirecionale controlabile, n prezent sunt utilizate ansambluri de
tranzistoare de putere legate n antiparalel. Dac tranzistoarele utilizate prezint o
slab capacitate de blocare invers acestea sunt nsoite de diode rapide conectate n
montaje aa cum se prezint n Fig.2.3.

(a) (b)
Fig. 2.3 Modaliti de obinere a celulelor de comutaie bidirecionale i controlabile
cu ajutorul unor dispozitive avnd capacitate redus de blocare invers.

3. Capsula, structura semiconductoare, simbolul i caracteristicile

dispozitivelor de putere

Toate dispozitivele de putere conin o parte activ format dintr-o pastil

semiconductoare (monocristal) nchis etan ntr-o capsul. Materialul semiconductor
este mprit n straturi sau regiuni impurificate diferit. Se formeaz astfel o structur
semiconductoare de care depind parametrii de funcionare ai dispozitivului, att n
regim static, ct i n regim dinamic. Suprafeele monocristalului n contact cu
terminalele de for (conductoarele de legtur) sunt metalizate, iar stratul
semiconductor superficial de sub aria metalizat este puternic dopat pentru a evita o
rezisten mare de contact. Suprafeele rmase i, n special cele care includ jonciuni,
sunt pasivizate i protejate cu materiale dielectrice adugate sau formate direct din
materialul semiconductor cum ar fi, de exemplu, dioxidul de siliciu (SiO2).
Capsula dispozitivului are diferite forme i mrimi n funcie de tipul
acestuia, de fabricant, de tensiunea la care lucreaz, de curentul maxim vehiculat, de
modul de rcire etc. Se observ o tendin a firmelor de a se alinia la un acelai
standard cu privire la forma i mrimea capsulelor, respectiv a modulelor. Rolul
capsulei este multiplu, dup cum urmeaz: confer rezisten mecanic dispozitivului,
asigur protecia structurii semiconductoare contra unor factori de mediu cum ar fi
umiditatea, susine terminalele de conectare n circuit i, nu n ultimul rnd, asigur
transferul de cldur, uneori cu separare galvanic, ntre pastila semiconductoare i
exterior.
Simbolul unui dispozitiv semiconductor este o construcie grafic ce
definete tipul dispozitivului i evideniaz toate terminalele de for i comand ale

Autor: dr.ing. Mihai Albu

6 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

acestuia. Prin intermediul simbolului grafic se poate marca poziia exact a

semiconductorului ntr-o schem i conexiunile prin care dispozitivul este legat de alte
elemente de circuit sau blocuri funcionale.
Pentru a defini performanele de funcionare ale unui dispozitiv semi-
conductor i pentru a dispune de criterii prin care s poate fi comparat cu alte
dispozitive sunt definite caracteristicile acestuia. Toate caracteristicile specifice
dispozitivelor semiconductoare de putere pot fi grupate n dou mari categorii:
caracteristici statice prin care pot fi evideniate tensiunile de lucru, tensiunile
de strpungere invers sau direct, curenii nominali, maximi i de scpri,
cderile de tensiune de pe dispozitivul aflat n conducie, pierderi n conducie,
zona de saturaie, zona ohmic, zona de funcionare sigur etc. Toate aceste
mrimi sunt definite pentru un regim stabilizat de funcionare, de conducie
sau blocare ferm. De asemenea, multe din aceste mrimi depind de valoarea
parametrului de comand. n general, caracteristicile statice sunt date prin
intermediul caracteristicilor volt-amper (u-i) ale dispozitivelor trasate n planul
electric prezentat n Fig.2.2.
caracteristici dinamice prin care sunt apreciate performanele dinamice ale
dispozitivului, de tranziie din starea blocat n starea de conducie i viceversa.
Aceste mrimi pot fi: timpii de comutaie, frecvenele maxime de lucru,
pierderile n comutaie, pantele de cretere i scdere ale curentului sau ale
tensiunii, curentul invers de recombinare a sarcinilor care au participat la
conducie, supratensiunile de comutaie etc., aa cum sunt prezentate grafic n
Fig.2.4.

4. Pierderi n dispozitive semiconductoare de putere

Un aspect foarte important legat de funcionarea dispozitivelor

semiconductoare de putere se refer la pierderi. Pierderile sunt o fraciune din
energia electric vehiculat prin dispozitiv care este reinut de acesta prin
transformarea ei n cldur. Avnd n vedere gabaritul relativ mic al dispozitivului
(constant termic redus), acesta i poate crete rapid temperatura, distrugndu-se
termic. Cantitativ, aceste pierderi pot fi exprimate prin energia reinut de comutatorul
electronic pe durata unei secunde, valoare ce corespunde, de fapt, puterii medii
transformate n cldur.
n primul rnd trebuie precizat c, pe durata blocrii unor tensiuni directe sau
inverse, dispozitivele reale se comport asemeni unui comutator ideal, deoarece
curenii de scpri sunt neglijabili, de ordinul microamperilor (A). Astfel, puterea
vehiculat prin dispozitiv n starea de blocare poate fi apreciat ca fiind zero i, n
consecin, nu apar pierderi pe durata intervalului de blocare. n schimb, odat
declanat starea de conducie, aa cum se observ n Fig.2.1, apare un curent
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 7

important de multe ori n prezena unei cderi de tensiune uT diferit de zero. Aceasta
va determina absorbia unei puteri electrice instantanee de ctre dispozitiv dat de
relaia:
pT (t ) = uT (t ) iT (t ) (2.1)
Puterea instantanee care determin pierderile n dispozitiv apare, att pe durata
tranziiilor dispozitivului, ct i pe durata strii aezate de conducie. Pierderile
aferente regimului stabilizat de conducie poart denumirea de pierderi n conducie.
Pot fi evideniate dou situaii n care dispozitivele semiconductoare de putere
comut. Astfel, n prima situaie se produce o comutare n sarcin (switch-mode sau
hard-switching), atunci cnd pe dispozitivul aflat n tranziie vom regsi o cdere de
tensiune important concomitent cu un curent descresctor (la blocare) sau un curent
cresctor (la intrarea n conducie). Din acest motiv, puterea instantanee la nivelul
dispozitivului este diferit de zero i apar aa numitele pierderi n comutaie. Exist i
posibilitatea unei comutaii uoare, fr pierderi (soft-switching), a dispozitivelor
semiconductoare obinut n convertoarele rezonante. n continuare va fi luat n
discuie doar comutaia n sarcin, deoarece este cea mai utilizat n practic i este
cea mai sugestiv din punct de vedere al pierderilor.
Pentru a pune n eviden factorii care influeneaz pierderile, se vor
determina relaiile de calcul pornind de la formele de und liniarizate ale curentului
(iT) i tensiunii (uT) pe durata unui ciclu de funcionare care include, pornind de la
starea de blocare, intrarea n conducie, intervalul de conducie efectiv urmat de
ieirea din conducie Fig. 2.4.
Trebuie precizat c, pe durata comutaiilor formele de und ale tensiunii de pe
dispozitiv, respectiv ale curentului prin acesta, evolueaz n sensuri diferite, fie
simultan, fie n foarte multe cazuri separat (exemplu: n celulele de comutaie cu diode
de recuperare din comutaia forat). n cazul evoluiei separate totdeauna regimul
dinamic al curentului prin dispozitivul semiconductor de putere se desfoar atunci
cnd tensiunea este ridicat pe acesta. Astfel, la intrarea n conducie nti va crete
curentul de la valoarea zero la valoarea de regim Id dup care tensiunea va scdea la
valoarea de saturaie Uon, iar la blocare, nti va crete tensiunea de la valoarea Uon la
valoarea sursei Ud dup care urmeaz scderea curentului la zero. Pentru o apreciere
general a pierderilor la nivelul unui element de comutaie n timpul funcionrii se va
lua n consideraie acest din urm caz deoarece este acoperitor pentru orice situaie.
Semnificaia mrimilor din Fig.2.4 este urmtoarea: td(on) timpul de ntrziere
la deschidere (delay time), tri timpul de cretere a curentului (current rise time), tfv
timpul de cdere a tensiunii (voltage fall time), tc(on) = tri + tfv timp de comutaie la
deschidere, td(off) timpul de ntrziere la blocare, trv timpul de cretere a tensiunii, tfi
timp de cdere a curentului, tc(off) = trv + tfi timp de comutaie la blocare, ton timp
de conducie, toff timp de blocare, Tc = ton + toff perioada de comutaie, fc = 1/Tc
frecven de comutaie.

Autor: dr.ing. Mihai Albu

8 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

Comand
dispozitiv
Tc=1/fc

Conducie (on) t
0
Blocare (off)
ton toff

u T , iT Ud
td(off)
Id
td(on)

Uon t
0
tri tfv trv tfi
p T = uT iT

Ud Id
Ec(on) Eon Uon Id Ec(off) t
0
tc(on) ~ ton tc(off)

Fig. 2.4 Formele de und idealizate i pierderile de pe durata unui ciclu de funcionare
a unui dispozitiv semiconductor de putere controlabil.

n diagrama evoluiei puterii instantanee pT(t) pot fi puse n eviden

urmtoarele energii consumate (energie = putere timp arie) de ctre dispozitiv
ntr-un ciclu de funcionare:
1
- Energia de comutaie la deschidere: Ec ( on ) = U d I d t c ( on ) (arie Ec(on));
2
1
- Energia de comutaie la blocare: E c ( off ) = U d I d t c ( off ) (arie Ec(off));
2
- Energia de conducie: E on = U on I d t on (arie dreptunghi Eon)
(lungime dreptunghi ton deoarece ton >> tc(on) );
Energia total de comutaie consumat ntr-un ciclu de funcionare cuprinde,
att energia consumat pe durata deschiderii, ct i energia consumat pe durata
blocrii:
1
(
E c = E c ( on ) + E c ( on ) = U d I d t c ( on ) + t c ( off )
2
)
(2.2)
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 9

Conform celor artate anterior, pierderile n comutaie reprezint puterea

medie pierdut la nivelul dispozitivului pe duratele comutaiilor sau energia total de
comutaie consumat pe durata unei secunde. tiind c ntr-o secund au loc fc perechi
de tranziii deschidere-blocare, se pot calcula pierderile n comutaie:
1
(
Pc = U d I d f c t c ( on ) + t c ( off )
2
) (2.3)

Din relaia (2.3) rezult c pierderile n comutaie cresc proporional cu

frecvena de comutaie i cu mrimea timpilor de comutaie. Astfel, pentru a obine o
frecven de lucru nalt a convertorului, n scopul diminurii masei i gabaritului
acestuia, trebuiesc alese dispozitive rapide (fast, ultra fast) cu timpi de comutaie
foarte mici (ex. tranzistoarele de putere de tip MOSFET).
Pierderile n conducie sunt date de puterea medie preluat de semiconductor
pe intervalul n care acesta este ferm n conducie :
t
Pon = f c E on = f c U on I d t on = U on I d on = U on I d D RC (2.4)
Tc
unde D RC = t on Tc este denumit durat relativ de conducie.
Se observ c pierderile n conducie sunt proporionale cu valoarea cderii de
tensiune de pe dispozitivul aflat n starea conducie ferm Uon, cu valoarea curentului
preluat de acesta Id i cu mrimea intervalului de conducie relativ la durata ciclului de
funcionare DRC. Pentru ca un dispozitiv semiconductor de putere s poat prelua un
curent ct mai mare fr a depi o anumit valoare a pierderilor de conducie trebuie
s fie caracterizat de o cdere de tensiune n starea de conducie ct mai mic (ex.
tranzistorul bipolar de putere).
Pierderile totale la nivelul dispozitivului n timpul funcionrii sunt date de
suma pierderilor n comutaie i a pierderilor n conducie:
Ptot = Pc + Pon (2.5)
Aceste pierderi sunt limitate de capacitatea de cedare a cldurii a ansamblului
pastil semiconductoare radiator i de temperatura maxim la care poate lucra
dispozitivul fr a se distruge termic.

5. Module de putere

n prima etap din evoluia electronicii de putere se utilizau dispozitivele

semiconductoare sub forma lor discret pentru realizarea unei anumite topologii de
for. Acestea erau montate pe radiatoare aranjate ntr-o anumit ordine, iar legturile
ntre terminale erau executate manual cu ajutorul conductoarelor a cror seciune era
calculat n funcie de mrimea curenilor vehiculai. Proiectarea unei asemenea
construcii trebuie fcut cu mare grij pentru a diminua pe ct posibil inductanele

Autor: dr.ing. Mihai Albu

10 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

parazite, pierderile n conductoare i perturbaiile electromagnetice induse de

funcionarea schemei n comutaie. n cazul unei structuri cu mai multe seciuni
identice, cum ar fi de exemplu o schem trifazat, se impune o simetrizare a acesteia.
De asemenea, trebuie urmrit ca ntreg ansamblu s rezulte cu un gabarit ct mai redus
i ct mai compact, pstrnd totodat, o capacitate maxim de evacuare a cldurii din
radiatoare. Utiliznd soluii nvechite de fabricaie toate aceste cerine sunt greu de
tradus n practic.
Soluia constructiv care s-a impus de-a lungul timpului a rezultat din
observaia c, n marea lor majoritate, structurile de for din electronica de putere
actual utilizeaz combinaii consacrate care se repet cum ar fi: un tranzistor asociat
cu o diod de descrcare, o structur bra de punte realizat cu diode, tiristoare sau cu
tranzistoare de putere etc. n consecin, a aprut ideea mpachetrii (packaging)
ntr-o singur capsul a acestor structuri standard sub forma modulelor de putere
(power modules). n timp, conceptul a fost adoptat i dezvoltat de majoritatea firmelor
importante din domeniu, ajungndu-se chiar la un anumit grad de standartizare n ceea
ce privete structurile ncorporate n module, forma capsulei, modul de aranjare i
numerotarea terminalelor de for i comand, tehnologia de fabricaie, tensiunile i
curenii nominali etc.
Prin utilizarea structurilor de tip modul, n electronica de putere se obin
urmtoarele avantaje:
- compactizarea i diminuarea gabaritului sistemului electronic de putere;
- imunitate sporit la perturbaii;
- reducerea inductanelor parazite i a emisiilor electromagnetice;
- reducerea pierderilor n timpul funcionrii;
- izolarea radiatorului de prile aflate sub tensiune;
- asamblarea uoar i reducerea costului sistemului.
Primele module realizate s-au limitat la integrarea ntr-o form monolitic a
celor mai utilizate structuri de for din electronica de putere. Aceste sunt cele mai
simple i formeaz aa numita categorie a modulelor integrate de putere (Power
Integrated Modules - PIM). nc dein ponderea cea mai mare n vnzri datorit
diversitii lor, a calitii, robusteii, preului sczut i nu n ultimul rnd datorit
puterilor, tensiunilor i curenilor mari pentru care pot fi realizate. Pe msur ce
tehnologiile de fabricaie au fost perfecionate, complexitatea acestor module a
crescut. n prezent, pot fi integrate ntr-un singur modul mai multe structuri de
convertoare cum ar fi: redresor + invertor + circuit frnare (Converter + Inverter +
Brake circuit CIB).
Realizarea practic a unei structuri de for cu dispozitive controlabile impune
poziionarea lng acestea i a circuitelor de comand. n cazul tranzistoarelor de
putere cu gril MOS puterea de comand este neglijabil, motiv pentru care circuitele
de comand au putut fi realizate sub forma unor integrate specializate de mici
dimensiuni. Pornind de la aceste observaii a aprut ideea mpachetrii ntr-o singur
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 11

capsul a tranzistoarelor cu gril MOS i a integratelor de comand. Apare, astfel, la

mijlocul anilor 90 ai secolului trecut, conceptul electronicii de putere inteligente
(Smart Power). Produsele fabricate prin implementarea acestui concept sunt denumite,
n general, dispozitive de putere inteligente (Smart Power Devices).
Conceptul smart power a ptruns i s-a dezvoltat cu precdere n domeniul
modulelor de putere. ntr-o prim etap s-a introdus n modul un circuit de comand
complex care s gestioneze inteligent funcionarea ntregului ansamblu (comand,
protecie, comunicaie cu exteriorul). Aceste dispozitive sunt referite de majoritatea
firmelor productoare i a specialitilor cu denumirea de module de putere inteligente
(Intelligent Power Modules IPM).
O a doua etap n dezvoltarea modulelor inteligente i a treia n evoluia
modulelor de putere, const n asocierea la structura de for i la circuitul de comand
a unei procesor numeric de semnal (DSP) avnd rol de conducere (control, reglare
automat) a sistemului din care face modulul. Acest modul poate fi programat pentru
a funciona n diferite aplicaii. Odat introdus algoritmul de control acesta poate lucra
independent. Aceast facilitate justific denumirea de modul IPM programabil sau
modul de putere programabil (Programmable Power Module).
n concluzie, pot fi evideniate trei categorii de module de putere:
module integrate de putere PIM;
module de putere inteligente IPM;
module de putere programabile.
Exist un prag al puterii peste care fabricaia devine mult prea costisitoare
pentru modulele inteligente i programabile. Tehnologia de integrare utilizat n
domeniul microelectronicii nu poate fi aplicat identic pentru modulele de mare putere
deoarece condiiile de funcionare a structurii semiconductoare sunt diferite:
densitile de cureni sunt mari, temperaturile i cmpurile electrice sunt ridicate. Din
acest motiv peste anumite puteri sunt de preferat dispozitivele semiconductoare pe
baz de siliciu neintegrate n module inteligente. Comanda i protecia acestora se
realizeaz, clasic, cu ajutorul unor scheme plasate n exteriorul dispozitivului sau a
modulului. O soluie de viitor la aceast problem o constituie utilizarea unor
materiale semiconductoare mai stabile la temperaturi nalte n comparaie cu siliciu.
Acestea ar putea fi carbura de siliciu (SiC) i ntr-o perspectiv mai ndeprtat,
diamantul.
Dispozitive semiconductoare de putere pe baz de carbur de siliciu au fost
deja realizate. Sunt depite testele de laborator i primele dispozitive au fost lansate
pe pia. Testele arat avantaje deosebite, n special n ceea ce privete temperatura
nalt (n jur de 200oC) la care poate lucra fr s i piard calitile. n consecin,
densitile de curent prin comutatoarele electronice realizate cu SiC pot crete de

Autor: dr.ing. Mihai Albu

12 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

cteva ori i gabaritul unui asemenea dispozitiv, la un acelai curent, diminundu-se n

consecin fa de un dispozitiv realizat cu siliciu.
Ca i germaniu sau siliciu, carbonul este un element tetravalent. Structura
cristalin a carbonului sub forma diamantului se aseamn cu structura cristalin a
celor dou elemente semiconductoare clasice. Pentru a putea fi considerat un material
semiconductor acceptabil n realizarea unor comutatoare electronice controlabile
structura cristalin a diamantului trebuie s fie perfect. Nici cele mai pure diamante
naturale nu pot fi utilizate n asemenea aplicaii. Diamantele artificiale obinuite,
obinute prin sedimentarea vaporilor de carbon, nu se ridic nici ele la calitile unui
material semiconductor utilizabil. Doar prin realizarea unor condiii speciale n timpul
sedimentrii pot fi fabricate diamante a cror structur cristalin permite o mobilitate a
sarcinii pozitive mult mai mare dect mobilitatea electronilor din structura cristalin a
carburii de siliciu, de exemplu. Rezult un material semiconductor cu o conductivitate
mult mai mare dect a materialelor semiconductoare utilizate n prezent, deci pierderi
n conducie mult mai reduse. n plus, diamantul are avantaje net superioare datorit
cmpurilor electrice mai puternice, limii de band mai mare i rezistena la
temperaturi foarte ridicate. Se pot obine, astfel, comutatoare statice la dimensiuni
obinuite care s vehiculeze cureni de zeci de kilo amperi, s blocheze tensiuni de
zeci de kV fr a recurge la o conectare a mai multor asemenea dispozitive n paralel,
respectiv n serie. Va fi comutatorul electronic aproape perfect.

6. Obiectivele prii teoretice

1. Se vor studia clasificrile dispozitivelor semiconductoare de putere dup criteriul

controlabilitii i al numrului de caracteristici statice realizate. Vor fi
identificate dispozitivele semiconductoare uzuale n contextul acestor clasificri
cu trsturile specifice;
2. Se vor analiza definiiile pentru capsula, structura semiconductoare, simbolul i
caracteristicile dispozitivelor semiconductoare de putere;
3. Se vor identifica tipul de pierderi care apar la nivelul dispozitivelor
semiconductoare atunci cnd lucreaz n schemele electronice de putere i se vor
evidenia parametrii sau variabilele de care depind aceste pierderi;
4. Se vor analiza avantajele aduse de principiul integrrii n electronica de putere i
se vor trece n revist tipurile de module existente n prezent pe pia ca rezultat
al aplicrii acestui principiu;
5. Se vor trece n revist perspectivele de dezvoltare n domeniul dispozitivelor
semiconductoare de putere;
6. Se vor studia n laborator diferite mostre de module i dispozitive
semiconductoare de putere.
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 13

Partea experimental:

Principiul conversiei continuu - continuu a energiei electrice.

Tehnica de modulare n lime (durat) a impulsului (PWM)

Varianta modern, larg utilizat n prezent, pentru conversia static c.c. c.c.
a energiei electrice se bazeaz pe convertoarele n comutaie deoarece permit
reducerea substanial a pierderilor asociate convertoarelor liniare. La aceste
convertoare se schimb total paradigma de lucru a dispozitivelor semiconductoare de
putere controlabile, fa de cazul stabilizatoarelor liniare. Astfel, ca i n cazul
celorlalte convertoare electronice de putere, dispozitivele vor lucra n comutaie,
avnd dou stri stabile una de conducie total (ON) i una de blocare (OFF). Trecerea
de la o stare stabil la alta se face rapid, n timpi foarte scuri care pot fi neglijai
atunci cnd se face analiza convertoarelor. n Fig.2.5 se prezint un convertor c.c.
c.c. n comutaie de un cadran. Acesta este alimentat cu o tensiune continu Ud,
capacitate Cd la intrarea convertorului avnd rolul unui filtru de tensiune i totodat
rezervor tampon de energie capabil s rspund rapid n curent. Pentru nceput, se
consider conectat la ieirea doar o sarcin pur rezistiv (Rsarcin).
id = iC T ie = isarcin

iB
Circuit
Ud Cd ue
comand Rsarcin

PWM

Fig. 2.5 Convertor c.c. c.c. n comutaie cu funcionare ntr-un cadran.

n cazul convertoarelor c.c. c.c. n comutaie, tranzistorul T este comandat

ciclic cu un semnal logic PWM (Pulse Width Modulation) aplicat la intrarea
circuitului de comand (driver) al dispozitivului. Semnalul de comand este generat de
un modulator PWM inclus n multe dintre microcontrolerele (C) moderne. n marea
majoritate a aplicaiilor sunt utilizate semnale PWM de frecven constant, aa cum
se prezint n Fig.2.6. Dup cum reiese din figur, pe durata fiecrei perioade a
semnalului PWM, numit perioad de comutaie Tc (switching period Ts),
tranzistorul este n conducie (ON) un interval de timp ton i blocat (OFF) un interval toff.
Putem scrie: Tc = t on + t off .
Frecvena corespunztoare perioadei Tc se calculeaz cu relaia:

Autor: dr.ing. Mihai Albu

14 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

f c = 1 / Tc (2.6)
i este numit frecven de comutaie (switching frequency - fs) sau frecven de lucru
a convertorului. n practic, aceast frecven este cuprins, de obicei, n gama
(kHzsute kHz), n funcie de tipul convertorului, de rapiditatea tranzistoarelor
utilizate, de natura aplicaiei n care este integrat convertorul etc.
Dac analizm schema din Fig.2.5 observm c, pe durata intervalului de timp
ton n care tranzistorul T conduce, tensiunea Ud de la intrarea convertorului este
aplicat rezistenei de sarcin. Astfel, tensiunea instantanee ue(t), de la ieirea
convertorului, devine (vezi Fig.1.7) :
u e (t ) = U d , 0 t t on (2.7)
Curentul de ieire al structurii este limitat doar de rezistena de sarcin:
ie (t ) = U d / Rsarcina i are aceeai form de und cu forma tensiunii ue(t). n intervalul
ton este transferat putere electric de la sursa Ud spre rezistena Rsarcin.

Pe durata intervalului toff, n care T este blocat, sursa Ud este separat de

rezistena de sarcin i tensiunea instantanee de ieire este zero:
ue (t ) = 0, ton < t Tc (2.8)
Se observ, n Fig.2.6, c unda tensiunii de ieire se prezint sub forma unui
tren de pulsuri dreptunghiulare (rectangulare) de amplitudine Ud i lime ton. Practic,
tranzistorul (comutatorul) T acioneaz asemeni unui toctor (chopper) al tensiunii
aplicate la intrare.

Tc= 1/fc Tc
Comand T
(PWM logic) ton toff
ON ON

OFF OFF t
0
Tc 2Tc
ue Aria A
+Ud +Ud
Ue
t
0
ton Tc 2Tc
ie
Ie
t
0
T T

Fig. 2.6 Formele de und corespunztoare convertorului c.c. c.c. din Fig.2.5.
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 15

Deoarece ue(t) are variaii periodice, unipolare, se poate calcula o valoare

medie diferit de zero, valoare care este chiar tensiunea continu de la ieire:
Tc t on Tc
not 1 1 1
U e = val. medie u e (t ) =
Tc u e (t ) dt = Tc U d dt + Tc 0 dt =
0 0 t on
(2.9)
Aria A 1 t
= U d [t ]0on = U d on = U d D RC
t
=
Tc Tc Tc
not
Raportul ton Tc = DRC este numit durat relativ de conducie (n englez:
duty cycle, duty ratio) a tranzistorului T sau factor de umplere al semnalului PWM.
Deoarece 0 t on Tc atunci 0 D RC 1 .innd cont i de ecuaia (2.9)
rezult:
0 D RC 1 0 U e U d (2.10)
Relaiile (2.9) i (2.10) evideneaz posibilitatea convertorului n comutaie
din Fig.2.5 de a realiz a o conversie continuu-continuu a energiei electrice, de a
modifica valoarea tensiunii continue aplicate la intrare n scopul de a obine la ieire o
alt tensiune a crei valoare medie (componenta continu) este n funcie de limea
impulsurilor de amplitudine Ud.
Acest procedeu de modificare sau de reglare a tensiunii continue poart
denumirea de principiul (metoda, tehnica) modulrii n lime a impulsurilor (MLI)
sau n durat a impulsurilor (MDI). De multe ori, n literatura romn de specialitate,
este utilizat i denumirea de tehnica (de comand) PWM, obinut prin preluarea
denumirii consacrate din limba englez (PWM technique).
Sunt sarcini sensibile la forma de und a curentului sau la forma de und a
tensiunii de alimentare. Astfel, n funcie de natura receptorului, sunt utilizate filtre de
curent sau filtre de tensiune la ieirea sau n structura convertoarelor c.c. c.c.
1 id = iC
ie = isarcin

T Lf
iB
Circuit 1
Ud Cd D ue
comand Rsarcin
2
2
PWM

Fig. 2.7 Convertor c.c. c.c. n comutaie cu filtru de curent la ieire (Lf).

Autor: dr.ing. Mihai Albu

16 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

n Fig.2.7 se prezint convertorul de un cadran din Fig.2.5 la care, pentru

filtrarea curentului de ieire, s-a folosit inductana de filtrare (de netezire) Lf,
conectat n serie cu sarcina. De asemenea, s-a impus utilizarea diodei D, numit
diod de descrcare sau de roat liber (free wheeling diode) pentru a prelua curentul
ntreinut de inductan atunci cnd este blocat tranzistorul (traseul 2).
Efectul de filtrare al curentului, determinat de ctre inductana Lf, este
prezentat n diagrama din Fig.2.8. Forma de und ie(t) nu mai urmeaz unda tensiunii
ca n cazul din Fig.2.6. Este format din dou poriuni de exponenial, una
cresctoare, cnd tranzistorul este n conducie i una descresctoare atunci cnd
tranzistorul este blocat. Rezult un curent nivelat, avnd, totui, mici variaii (un riplu)
date de relaia:
I e = I max I min (2.11)

Tc= 1/fc Tc
Comand T
(PWM logic) ton toff
ON ON

OFF OFF t
0
Tc 2Tc
ue Aria A
+Ud +Ud
Ue
t
0
ton Tc 2Tc
ie Imax Ie
Ie
Imin t
0 T D T D
1 2 1 2

Fig. 2.8 Formele de und aferente convertorului c.c. c.c. cu filtru de curent la ieire.

Filtrarea poate fi mbuntit dac este micorat riplul curentului, fie prin
creterea inductanei vzut la ieirea convertorului, fie prin creterea frecvenei de
comutaie fc.
Privind comparativ formele de und ale tensiunii ue(t) din Fig.2.6 i Fig.2.8, se
observ c aceasta nu se modific prin adugarea unui filtru de curent i prin urmare,
nu se modific nici valoarea tensiunii medii (continue) Ue de la ieirea convertorului,
fiind dat de aceeai relaie (2.9). n concluzie, putem afirma c, utiliznd inductane
adiionale sau numai inductana proprie a circuitului de sarcin, obinem un curent
continuu filtrat, conform cerinelor, cu toate c tensiunea de la ieirea convertorului
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 17

apare tot sub forma unui tren de impusuri, la care, prin modularea limii, putem regla
valoarea medie (componenta continu) a acesteia.
n Fig.2.9 se prezint un convertor c.c. c.c. de un cadran avnd ca sarcin
conectat la ieire un motor de c.c. (Mcc). Acesta cere o filtare a curentului prin indus
deoarece cuplul su electromagnetic (fora de rotaie a arborelui mecanic) este
proprional cu valoarea curentului. Pentru a simplifica schema se va folosi pentru
filtrarea curentului nsi inductana proprie a mainii electrice n condiiile n care
frecvena de comutaie a tranzistorului T este destul de ridicat (kHz zeci kHz).

BJT IGBT MOSFET

T etc.

Dispozitive semiconductoare controlabile

Ud 1
Cd
ie
2 Ra
+ n
D ue Mcc La
E
+
-
E = keexn

1 Schema echivalent a Mcc

(sarcin de tip R-L-E)

Fig. 2.9 Convertor c.c. c.c. cu funcionare ntr-un cadran

avnd ca sarcin un motor de c.c..
Se observ c motorul de c.c. poate fi echivalat cu un circuit serie format din
rezistena indusului Ra, inductana La i tensiunea (contra)electromotoare E,
proporional cu viteza de rotaie a mainii n. Spunem c avem conectat la ieirea
convertorului o sarcin de tip R-L-E

Montajul de laborator

Schema bloc i imaginea montajului de laborator pentru studiul conversiei

continuu-continuu a energiei electrice i a tehnicii de comand PWM este prezentat
n Fig.2.10. Montajul cuprinde, n primul rnd structura convertorul c.c. c.c. cu filtru
de curent la ieire (chopper) cu funcionare ntr-un cadran. Tranzistorul de putere,
notat cu T, poate fi de tip bipolar (BJT) sau cu gril MOS (MOSFET, IGBT), fiecare
fiind nsoit de circuitul corespunztor de comand (driver). n figur s-a reprezentat
doar simbolul unui tranzistor bipolar. Este de fapt un triplu Darlington monolitic
inclus ntr-un modul de putere de tip SK50120D, realizat de firma Semikron. Trebuie

Autor: dr.ing. Mihai Albu

18 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

precizat c, modulul de putere include dou asemenea tranzistoare echivalente

mpreun cu diode de descrcare n antiparalel, toate elementele din modul formnd
aa numita topologie bra de punte (half bridge). Este o structur larg utilizat n
electronica de putere din care se va utiliza pentru montajul de laborator doar
tranzistorul superior din bra i dioda de descrcare din partea inferioar a braului.
+ Ud

+ Vcc
Modul
SK50DB
DRIVER 120D
Modulator PWM
P tranzistor bipolar T
PWM de putere
Osc.A

GNDlogic GNDf(loat) V
D Mcc

unt
Osc.B
GND GND
Power Osc.

Sursa Ud

Osciloscop (Osc)
Mcc

unt
Modulator Circuit comand +
PWM tranzistor (modul)

Fig. 2.10 Schema bloc i imaginea montajului de laborator.

Tranzistorul T este comandat ciclic cu un semnal modulat n lime PWM prin

intermediul circuitului de comand. Semnalul logic de comand aplicat la intrarea
driver-ului este generat de un modulator PWM (C) pe un nivel de 5V. Legatura
dintre modulator i driver se realizeaz printr-un cablu ecranat avnd la capete
 Lucrarea 2: Generaliti asupra dispozitivelor i modulelor semiconductoare de putere 19

conectori. Pe modulator se afl poteniometrul P prin intermediul cruia poate fi

modificat factorul de umplere al semnalului PWM.
Structura de for, format din tranzistorul echivalent T i dioda de descrcare
D este alimentat cu o tensiune continu joas (Ud = 30Vcc). Mai departe structura
alimenteaz cu impulsuri modulate n lime motorul Mcc. Prin modificarea factorului
de umplere al semnalului PWM se poate regla tensiunea medie la nivelul motorului i
implicit turaia acestuia. Msurarea tensiunii medii se poate face cu ajutorul
voltmetrului V. Standul de laborator permite oscilografierea cu uurin a semnalului
logic PWM, a curentului prin motor cu ajutorul unui unt i a pulsurilor de tensiune
modulate n lime aplicate motorului.

5. Modul de lucru la partea experimental

1. Se va analiza principiul conversiei continuu-continuu a energiei electrice

utiliznd tehnica de modulare n lime a impulsului (PWM) pe baza schemelor
din Fig.2.5 i Fig.2.7, respectiva a diagramelor din Fig.2.6 i 2.8;
2. Se va observa faptul c tensiunea de la ieirea convertoarelor c.c. c.c. apare
tocat sub forma unor pulsuri periodice de amplitudine constant i lime
variabil care au o component continu calculat cu ajutorul formulei valorii
medii;
3. Se va analiza formula de calcul a tensiunii continue (a valorii medii) de la ieirea
convertorului c.c. c.c., se va constata dependena valorii acesteia de factorul de
umplere al semnalului de comand PWM (durata relativ de conducie a
tranzistorului T) i se va trasa caracteristica de reglaj teoretic: Ue = f(DRC);
4. Se va realiza montajul de laborator al convertorului Fig.2.10 utiliznd ca sarcin
un motor de c.c.
5. Se va oscilografia semnalul logic de comand PWM i se va observa
posibilitatea modificrii factorului de umplere prin rotirea poteniometrului de
comand de pe placa modulatorului PWM;
6. Se vor oscilografia simultan formele de und ale tensiunile de ieire ue i ale
curentului de ieire ie (cderea de tensiune de unt) conectnd sondele A i B ale
osciloscopului cu dou canale n punctele de msur marcate pe schem.
7. Se va msura componenta continu a tensiunii de ieire cu ajutorul unui
voltmetru conectat la ieirea convertorului;
8. Se va pune n eviden cu ajutorul voltmetrului, a osciloscopului (variaia Ariei
A) i a vitezei motorului, cum se modific valoarea tensiunii medii (continue) de
la ieirea convertorului odat cu modificarea limii impulsurilor;

Autor: dr.ing. Mihai Albu

20 U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

9. Se va trasa caracteristica de reglaj real a tensiunii de ieire Ue = f(DRC) prin

msurarea tensiunii medii pentru diferite valori ale duratei relative de
conducie DRC i se va compara cu ceea ce s-a obinut cu ajutorul relaiei (2.9);
10. Se va analiza forma de und filtrat a curentului i se va observa c riplul
acestuia (variaiile vrf la vrf) variaz n funcie de valoarea DRC i nu depinde
de valoarea medie dat de sarcina mecanic a motorului;
11. Se va observa c filtrarea curentului, dat sarcina inductiv, se mbuntete
(scade riplul curentului) odat cu creterea frecvenei de comutaie a
convertorului (se va crete frecvena semnalelor de comand date de
modulatorul PWM) sau odat cu creterea inductanei de filtrare (se adaug o
inductan suplimentar la inductana motorului);