Lucrarea 11

Dispozitive optoelectronice
1.Scopul lucrrii
n lucrare se studiaz caracteristicile statice pentru urmtoarele
dispozitive optoelectronice: fotodioda, fototranzistorul, dioda luminescent
i optocuplorul.
2.Consideraii teoretice
n general purttorii apar ntr-un semiconductor datorit excitrii
electronilor din banda de valen sau de pe nivelele donoare i deplasarea
acestora n banda de conducie. Dac semiconductorul este iluminat apar
purttorii de sarcin suplimentari cu energie mai mare (purttori liberi). Deci
iluminnd un semiconductor concentraia purttorilor liberi devine
n = n 0 + n
p = p 0 + p
unde n 0 , p 0 sunt concentraiile de echilibru ale electronilor i golurilor,
iar n , p sunt concentraiile electronilor i golurilor aprute ce urmare a
injeciei optice.
Dispozitivele optoelectronice se mpart n: dispozitive fotodetectoare,
dispozitive fotoemitoare i modulatoare optoelectronice.
Funcionarea dispozitivelor fotodetectoare se bazeaz pe absoria
radiaiei electromagnetice n corpul solid i generarea de purttori de sarcin
prin efect fotoelectric. Efectul fotoelectric poate fi extern cnd purttorii
prsesc materialul i intern cnd purttorii se elibereaz din reeaua
cristalin.
2.1 Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat dintr-o jonciune
pn sau un contact metal-semiconductor polarizat invers, cu regiunea de
trecere excitat de un flux luminos. Simbolul, modul de polarizare i
caracteristicile statice ale fotodiodei sunt prezentate n fig. 11.1.
IA
A -
V1
Far VA
iluminare

K Cu iluminare U/R
+
a) b) Fig. 11.1 c)
66
 Caracteristica curent-tensiune reprezint cele trei zone n care poate
funciona fotodioda:
-cadranul trei, n regim de polarizare invers extern sau regim de
fotodiod n care curentul este proporional cu iluminarea.
-cadranul patru, n regim de polarizare exterioar nul sau regimul de
fotoelement, n care prin fotodiod circul un curent dependent de fluxul
luminos incident.
-cadranul unu adic polarizare direct n care fotodioda se comport ca o
jonciune pn normal.
Parametrii specifici unei fotodiode sunt:
-curentul de ntuneric I Lo , este curentul prin fotodiod la iluminare nul;
-tensiunea invers maxim VR max , este tensiunea invers maxim ce o
poate suporta fotodioda fr s apar multiplicarea curentului n avalan:
dU A
-rezistena dinamic la polarizare invers R D =
dIA
I L
-sensibilitatea integral ce se poate defini astfel S = [A / lm] sau

I L
SE = [A / lx ] i reprezint variaia curentului la o variaie a fluxului
E
luminos sau a iluminrii.
2.2 Fototranzistorul
Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structur
de tranzistor, a crui comand se realizeaz pe cale optic de ctre un flux
luminos ce cade pe regiunea bazei sau pe oricare alt regiune (emitor sau
colector).
Pentru cazul n care comanda se realizeaz n baz fototranzistorul are
simbolul i caracteristicile statice de ieire date n figura 11.2:

C IC [mA] Cu iluminare
Ev=ct

Far
iluminare
E
UCE [V]
Fig. 11.2
Sensibilitatea integral a fototranzistorului este mai mare ca la
fotodiode datorit amplificrii n curent . Parametrii fototranzistoarelor se
aseamn cu ai fotodiodelor i ai tranzistoarelor obinuite.

67
 2.3 Dioda luminiscent
Este un dispozitiv fotoemitor fiind realizat dintr-o jonciune pn de
construcie special, care emite radiaie luminoas pe seama energiei
rezultate din recombinarea purttorilor de sarcin. Ea se polarizeaz direct,
emind o lumin n spectrul vizibil, ce depinde de materialul
semiconductorului utilizat i natura impuritilor. Se realizeaz de obicei din
GaP cu impuriti de Zn (rou) sau N(verde). Simbolul, caracteristica curent-
tensiune i caracteristica spectral sunt prezentate n figura 11.3
A
IA [mA] IV/IVo

K UA [V] P [m]

Fig.11.3
Parametrii specifici unei diode luminiscente sunt:
-intensitatea luminoas emis la un anumit curent direct
-lungimea de und la intensitate luminoas maxim P ;

2.4 Optocuplorul
Optocuplorul este un dispozitiv optoelectronic obinut prin cuplarea
optic a unui fotoemitor i a unui fotodetector. Cu ajutorul lui se poate
realiza transferul unei comenzi cu izolare galvanic foarte bun ntre intrare
i ieire. Cele mai utilizate optocuploare sunt realizate prin cuplare LED
fototranzistor. Simbolul unui optocuplor mpreun cu caracteristica de
transfer IC = f (IF ) sunt prezentate n figura 11.4.

A IC
IC [mA]
IR

K IF [mA]

Fig. 11.4

68
 3.Desfurarea lucrrii
3.1. Se realizeaz montajul din figura 11.5 pentru a determina
curentul de ntuneric I Lo , tensiunea invers maxim precum i pentru a trasa
caracteristicile curent-tensiune.

I1 100 IFD 10K

+ mA A +
S1 VCC S2
VE UFD
- -
Fig.11.5
Unde: S1,S2 -surse de tensiune continu reglabil
VE -voltmetru electronic
a) Se acoper fotodioda pentru a nu fi iluminat i se completeaz
tabelul 11.1:
Tabelul 11.1
VCC [V] 1 3 5 8 10
IFD [A]
UFD [V]

b) Pentru determinarea URmax se regleaz I1=10mA i se modific VCC

din sursa S2 n pai de 1V pn se obine o instabilitate a IFD.
Valoarea UFD n acest caz reprezint VRmax.
c) Pentru diferite valori ale curentului I1 se traseaz caracteristica
fotodiodei n cadranul trei al planului curent-tensiune prin
modificarea valorii VCC i completarea tabelului 11.2
Tabelul 11.2
I1 [mA] UFD [V] 0. VRmax.
IFD [mA]
IFD [mA]
IFD [mA]

3.2 Pentru studiul unui fototranzistor se realizeaz montajul din

figura 11.6.
Pentru diferite valori ale tensiunii I1 se traseaz caracteristicile de ieire
ale fototranzistorului prin modificarea VCE i completarea tabelului 11.3

69
 100 2K
I1 IC
+ mA mA +
S1 VCC S2
VE UCE
- -
Fig.11.6

Tabelul 11.3
IS [mA] VCE [V] 0 1 2 3 5 8 10
IC [mA]
IC [mA]
IC [mA]
IC [mA]

3.3 Se studiaz funcionarea unei diode luminescente realiznd

montajul din figura 11.7:
R IL
+ mA
1K
S1 VCC VE UL
-
Fig.7
Se modific curentul prin LED i se msoar tensiunea la bornele sale
completnd tabelul 11.4
Tabelul 11.4
IL [mA] 1 2 3 5 8 10 12 15 20
UL[V]

3.4 Se execut montajul din figura 11.8 pentru ridicarea

caracteristicii de transfer IC=f(IF) a unui cuplaj optic
IL R1 1K IC R2 1K
+ mA mA +
S1 S2

- -
Fig.8

Se regleaz sursa S2 la 12V .Se modific curentul prin elementul

emitor (LED) i se msoar curentul prin fototranzistor completndu-se
tabelul 11.4:

70
Tabelul 11.4
IL [mA] 1 2 3 5 8 10 12 15 20
IC [mA]

4.Coninutul referatului
4.1 Schemele montajelor folosite pentru ridicarea caracteristicilor
dispozitivelor optoelectronice studiate.
4.2 Caracteristicile specifice fiecrui dispozitiv studiat.

71