Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010

Suport curs 05 Tranzistoare

Tranzistoare

1. Prezentare general
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductore, construite n general din
MATERIALE SEMICONDUCTOARE din Siliciu, ntrebuinate n general n diverse
tipuri de circuite electronice, care au drept drept principal scop prelucrarea sau
generarea unor informaii, att de tip analogic ct i digital. Cteva din cele mai
importante clase de circuite electronice analogice n care tranzistoarele sunt utilizate
sunt:
amplificatoare de semnal
generatoare de semnal (oscilatoare)
stabilizatoare de tensiune

Tranzistorul bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale,

furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), iar n Figura 1 sunt
prezentate mai multe variante.
Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar au roluri diferite, motiv pentru
care poart denumiri diferite i anume:
EMITOR
BAZ
COLECTOR.

1
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt dispuse pe capsul n ordinea
specificat mai sus. La tranzistoarele utilizate n aplicaiile studiate n cadrul
lucrrilor de laborator, cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt indicate ca
n Figura 2.

Figura 1. Tranzistoare bipolare.

Figura 2. Terminalele tranzistoarelor bipolare.

n funcie de structur, exist dou tipuri de tranzistoare bipolare:

NPN
PNP
n circuitele electronice, tranzistoarele bipolare sunt simbolizate ca n Figura 3.

2
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Figura 3. Simbolul electronic al tranzistoarelor bipolare.

2. Mrimile electrice ale tranzistorului bipolar

La nivelul tranzistorului apar 6 mrimi electrice:
3 cureni curenii prin cele 3 terminale:
o iE curentul de emitor
o iB curentul de baz
o iC curentul de colector
3 tensiuni tensiunile ntre terminalele tranzistoarelor:
o vBE tensiunea baz-emitor
o vBC tensiunea baz-colector
o vCE tensiunea colector-emitor
Sensul curenilor este acelai cu sensul sgeii care indic n simbolul
electronic al tranzistorului bipolar, EMITORUL. Referinele tensiunilor depind de
tipul tranzistorului bipolar. Astfel, sensul curenilor, respectiv referinele tensiunilor
sunt prezentate n Figura 4.

Figura 4. Mrimile electrice ale tranzistoarelor bipolare.

3
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

ntre mrimile electrice ale tranzistorului bipolar exist urmtoarele relaii

generale:
relaia ntre curenii prin terminalele tranzistorului:
i E i B iC 5.1
relaia ntre tensiunile dintre terminalele tranzistorului:
v BE v BC vCE NPN
5.2
v EB vCB v EC PNP

relaia ntre curentul de colector i tensiunea baz emitor:

v
iC I S exp BE 5.3
VT
unde IS este un curent de saturaie de valoare foarte redus (ordinul nanoamperilor
sau mai mic), iar VT este tensiunea termic.
Relaia 5.3 descrie de fapt capacitatea unui tranzistor bipolar de a genera
cureni de colector de valori mari, n condiiile unei creteri foarte reduse a tensiunii
dintre BAZ i EMITOR. Un astfel de comportament poate fi exploatat eficient n
construirea circuitelor de amplificare a semnalelor (se va reveni n cadrul
amplificatoarelor asupra acestui aspect).

3. Funcionarea tranzistorului bipolar.

Tranzistorul bipolar poate funciona n patru moduri distincte, denumite
regiuni de funcionare, stabilite de semnul tensiunilor BAZ-EMITOR, respectiv
BAZ-COLECTOR. Astfel, pentru un tranzistor bipolar de tip NPN, cele patru regiuni
de funcionare sunt:

REGIUNEA ACTIV NORMAL (RAN):

o condiia de funcionare: vBE > 0V i vBC < 0V
o n aceast regiune tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru
prelucrarea analogic a semnalelor (informaiilor), fiind singura regiune
de funcionare n care tranzistorul bipolar poate AMPLIFICA LINIAR

4
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

semnale (se va reveni asupra acestui amnunt, care st la baza

construirii amplificatoarelor cu tranzistoare bipolare);
REGIUNEA DE SATURAIE:
o condiia de funcionare: vBE > 0V i vBC > 0V
o n aceast regiune de funcionare vCE < 0,1V
o este o regiune de funcionare n care tranzistorul bipolar poate fi utilizat
pentru prelucrarea digital a semnalelor sau pentru generarea semnale
digitale (bii);
REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiia de funcionare: vBE < 0V i vBC < 0V
o n aceast regiune de funcionare toi curenii tranzistorului sunt
zero
o este o regiune de funcionare n care tranzistorul bipolar poate fi utilizat
pentru prelucrarea digital a semnalelor sau pentru generarea semnale
digitale (bii);
REGIUNEA ACTIV INVERS:
o condiia de funcionare: vBE < 0V i vBC > 0V
o n aceast regiune de funcionare, tranzistorul poate fi utilizat pentru
prelucrarea analogic a semnalelor (informaiilor), dar, datorit
amplificrii foarte slabe a semnalelor, se evit utilizarea tranzistorului n
aceast regiune;

4. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar.

Din relaia 5.3 se constat c tranzistorul bipolar este un ELEMENT DE
CIRCUIT NELINIAR. Analiza circuitelor care conin elemente de circuit neliniare
este dificil. Din acest motiv, ntotdeauna este util ca, pentru aceste elemente de
circuit neliniare, s se dezvolte MODELE LINIARE, valabile n anumite condiii
precis specificate de funcionare. La fel se pune problema i n cazul tranzistoarelor
bipolare.

A. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n RAN.

5
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

n circuitele electronice analogice, tranzistorul bipolar este utilizat cu precdere

n aceast regiune, motiv pentru care modelarea funcionrii sale n RAN este
extrem de util.
Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n RAN se bazeaz pe urmtoarea
relaie ntre curentul de colector i cel din baz:
iC i B 5.4.a
unde este unul din cei mai importani parametrii ai tranzistorului bipolar,
reprezentnd factorul (coeficientul) de amplificare n curent al tranzistorului.
Parametrul este o constant adimensional, valoarea sa variind ntre anumite
limite, chiar pentru aceeai familie de tranzistoare bipolare, fiind de ordinul sutelor
pentru tranzistoare de tip NPN, respectiv de ordinul zecilor, pentru tranzistoare de
tip PNP. De exemplu, pentru tranzistorul bipolar de tip NPN BC107, parametrul
are valoarea cuprins n intervalul [125500].
Din relaia 5.4.a se poate deduce c tranzistorul bipolar genereaz n colector un
curent iC a crui valoare depinde de curentul de baz iB. Acest comportament poate
fi modelat prin intermediul unui generator de curent comandat n curent.

Din relaiile 5.3 i 5.4.a rezult c iB depinde exponenial de tensiunea vBE, n mod
asemntor cu modul n care depinde curentul printr-o diod de tensiunea pe
aceasta. Din acest motiv, ntre BAZ i EMITOR, un tranzistor bipolar se comport
ca o diod semiconductoare i n consecin poate fi modelat prin intermediul
modelelor diodei. Astfel, n prim faz, circuitul echivalent care modeleaz
comportamentul tranzistorului bipolar n RAN este prezentat n Figura 5.a, iar
circuitul echivalent LINIAR, care poate fi utilizat n analiza circuitelor care conin
tranzistoare bipolare funcionnd n RAN este cel prezentat n Figura 5.b.
n circuitul echivalent 5.b valoarea VD este de aproximativ 0,6V. Aadar, dac
tranzisotrul bipolar funcioneaz n RAN devine valabil relaia:
v BE 0 ,6V 5.4.b
Relaiile 5.4.a i 5.4.b caracterizeaz funcionarea trenzistorului bipolar n RAN.

6
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Figura 5. Circuitul echivalent care modeleaz comportamentul tranzistorului bipolar n RAN.

n circuitele echivalente de mai sus, toate mrimile electrice sunt reprezentate n

componente totale. Din acest motiv, modelul de mai sus este valabil att n regim
staionar, ct i n regim variabil de semnal mare.

Revenind la relaia 5.4.a, aceasta sugereaz faptul c, un tranzistor bipolar care

funcioneaz n RAN:
amplific puternic n curent (iB este crescut de sute de ori i furnizat ca iC)
amplificarea este liniar (ntre iC i iB este o relaie liniar).
Aceste caracteristici genereaz elementele fundamentale necesare construirii
unui circuit capabil s amplifice semnale. Asupra acestui aspect, se va reveni n
capitolul care trateaz circuitele de amplificare cu tranzistoare.

B. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n variabil de semnal mic.

Modelul prezentat n acest paragraf se poate aplica numai n cazul n care
tranzistorul bipolar funcioneaz n regim variabil de semnal mic (mrimile electrice
ale tranzistorului sunt variabile n timp, iar variaia tensiunii BAZ-EMITOR este
mai mic dect o valoare estimativ de aproximativ 12,5mV). n aceste condiii,
comportamentul tranzistorului bipolar poate fi considerat ca fiind LINIAR i n
consecin poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.

7
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Deoarece tranzistorul bipolar se comport asemntor unei diode ntre BAZ i

EMITOR, acesta se modeleaz ntre cele 2 terminale conform celor prezentate n
cadrul modelrii diodei semiconductoare n regim variabil de semnal mic. Aadar,
ntre cele 2 terminale, un tranzistor bipolar se modeleaz prin intermediul unei
rezistene de semnal mic, notat r.
Urmtorul indiciu n cadrul modelului dezvoltat este furnizat de ctre relaia
5.3. Deoarece se remarc faptul c iC variaz n funcie de vBE, este util s se
determine modul n care se manifest aceast variaie. Informaii n acest sens se
pot obine calculnd derivata curentului iC n funcie de tensiunea vBE pentru cazul
n care valoarea curentului de COLECTOR este meninut la o valoare constant IC.
Valoarea derivatei respective se noteaz cu gm i se numete PANTA tranzistorului
bipolar:
diC I Amper
gm gm C g m Siemens 5.5
dv BE i I VT Volt
C C

unde IC este curentul CONTINUU prin COLECTORUL tranzistorului.

Rezistena r se calculeaz conform unei relaii similare relaiei 3.3 (cursul 3), n
care se ine cont de relaia 5.4, aplicat pentru cazul curenilor CONTINUI IB i IC:
V
r T r r 5.6
IB gm
unde VT este tensiunea termic, iar IB este curentul CONTINUU prin BAZA
tranzistorului.

Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene joase i
medii.

8
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Modelul discutat depinde de frecvena la care este utilizat tranzistorul bipolar.

Pentru frecvene mai mici dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor joase i
medii), modelul este caracterizat de circuitul echivalent prezentat n Figura 6. n
acest circuit, mrimile electrice Ib, Ie i Ic reprezint amplitudinile curenilor de
baz, emitor, respectiv colector, iar Vbe reprezint amplitudinea tensiunii baz-
emitor i nu trebuie confundat cu tensiunea continu VBE care, pentru cazul n
care tranzistorul bipolar funcioneaz n RAN, are valoarea de aproximativ 0,6V.

Pentru frecvene mai mari dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor

nalte), funcionarea tranzistorului este afectat de anumite fenomene dinamice, de
natur capacitiv, care pot fi modelate prin intermediul unor aa numite
CAPACITI PARAZITE, reunite n parametrii notai c, respectiv c. Circuitul
echivalent valabil n acest caz este prezentat n Figura 7.

Figura 7. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene nalte.

Valorile capacitilor parazite sunt furnizate n cataloagele de tranzistoare bipolare.

Tranzistorul MOS

9
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

1. Prezentare general
Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei
terminale, furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), un exemplu
fiind prezentat n Figura 1.
Cele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DREN, GRIL, respectiv
SURS.

Figura 1. Tranzistorul MOS.

n funcie de structur, exist dou categorii principale de tranzistoare MOS:

ca canal indus
cu canal iniial
n plus, n funcie de structura canalului, aceste tranzistoare MOS sunt de 2
tipuri i anume:
cu canal de tip N
cu canal de tip P
Diferenele de funcionare ntre tranzistoarele MOS cu canal indus, respectiv cu
canal iniial sunt minore, din acest motiv, n continuare se vor prezenta numai
tranzistoarele MOS cu canal indus, fiind remarcate numai diferenele ntre cele 2
clase de tranzistoare.

n circuitele electronice, tranzistoarele MOS sunt simbolizate ca n Figura 2.

10
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Figura 2. Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS.

2. Mrimile electrice ale tranzistorului bipolar

La nivelul tranzistorului MOS apar 4 mrimi electrice:
1 curent curentul care este generat ntre DREN i SURS:
o iD curentul de dren
3 tensiuni tensiunile ntre terminalele tranzistoarelor:
o vGS tensiunea gril-surs
o vGD tensiunea gril-dren
o vDS tensiunea dren-surs
Sensul curentului de dren este de la dren i surs. Referinele tensiunilor
depind de tipul canalului tranzistorului MOS. Astfel, sensul curentului, respectiv
referinele tensiunilor sunt prezentate n Figura 3. n aceast figur s-a reprezentat
i curentul din grila tranzistorului notat iG. Trebuie reinut ns c valoarea acestui
curent este ntotdeauna nul.

11
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Figura 3. Mrimile electrice ale tranzistoarelor MOS. Curentul i G=0 intotdeauna.

3. Funcionarea tranzistorului MOS.

Relaiile dintre mrimile electrice ale tranzistorului MOS depind de regimul de
funcionare al acestuia.
Tranzistorul MOS poate funciona n 3 moduri distincte, numite regiuni de
funcionare, stabilite de relaia dintre tensiunile tranzistorului. Regiunile de
funcionare ale tranzistorului MOS sunt:

REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiia de funcionare: vGS < VTH (canal N)
unde VTH reprezint un parametru al tranzistorului MOS numit tensiune de
prag; valoarea acestei tensiuni este:
pozitiv pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip N, negativ pentru
tranzistorul MOS cu canal indus de tip P;
negativ pentru tranzistorul MOS cu canal iniial de tip N, pozitiv pentru
un tranzistor MOS cu canal iniial de tip P;
o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de
ecuaia de funcionare:
iD 0 5.7

o n aceast regiune, comportamentul tranzistorului MOS poate fi

exploatat pentru prelucrarea sau generarea semnalelor digitale.

12
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

REGIUNEA LINIAR:
o condiia de funcionare: vGS > VTH i vDS < vGS - VTH
o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de
ecuaia de funcionare:
v
i D 2 k vGS VTH DS v DS 5.8
2

mA
unde k este un parametru al tranzistorului care se msoar n
V2
(miliamperi mprit la voli la ptrat).
o n aceast regiune, tranzistorul MOS se comport ca o rezisten a crei
valoare poate fi controlat de o tensiune tensiunea gril-surs.
REGIUNEA DE SATURAIE:
o condiia de funcionare: vGS > VTH i vDS > vGS - VTH
o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de
ecuaia de funcionare:
i D k vGS VTH 2 5.9
o n aceast regiune tranzistorul MOS poate fi utilizat pentru prelucrarea
analogic a semnalelor, fiind singura regiune de funcionare n care
tranzistorul NOS poate AMPLIFICA LINIAR semnale;

4. Modelarea funcionrii tranzistorului MOS.

Din relaiile 5.9 i 5.8 se constat c tranzistorul bipolar este un ELEMENT DE
CIRCUIT NELINIAR. Analiza circuitelor care conin elemente de circuit neliniare
este dificil. Din acest motiv, ntotdeauna este util ca, pentru aceste elemente de
circuit neliniare, s se dezvolte MODELE LINIARE, valabile n anumite condiii
precis specificate de funcionare. La fel se pune problema i n cazul tranzistoarelor
MOS.
Modelarea funcionrii tranzistorului MOS n variabil de semnal mic.
Deoarece tranzistorul MOS poate amplifica liniar numai n regiunea de
saturaie, este util s se dezvolte un model, care s descrie comportamentul
tranzistorului n aceast regiune de funcionare.

13
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

Modelul prezentat n continuare se poate aplica numai n cazul n care

tranzistorul MOS funcioneaz n regim variabil de semnal mic (mrimile electrice
ale tranzistorului sunt variabile n timp, iar variaia tensiunii GRIL-SURS este
mai mic dect o valoare estimativ de aproximativ 12,5mV). n aceste condiii,
comportamentul tranzistorului MOS poate fi considerat ca fiind LINIAR i n
consecin poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.
Din relaia 5.9 se remarc faptul c dac un tranzistor MOS funcioneaz n
regiunea de saturaie, iD variaz n funcie de vGS. Modul n care are loc aceast
variaie se poate determina calculnd derivata curentului iD n funcie de tensiunea
vGS pentru cazul n care valoarea curentului de DREN este meninut la o valoare
constant ID. Valoarea derivatei respective se noteaz cu gm i se numete PANTA
tranzistorului MOS:

diD Amper
gm gm 2 k I D g m Siemens 5.10
dvGS i I Volt
D D

unde ID este curentul CONTINUU prin DRENA tranzistorului.

Figura 5. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene joase i
medii.

Modelul depinde de frecvena la care este utilizat tranzistorul MOS. Pentru frecvene
mai mici dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor joase i medii), modelul

14
 Dispozitive Electronice i Electronic Analogic 2009-2010
Suport curs 05 Tranzistoare

este caracterizat de circuitul echivalent prezentat n Figura 5. n acest circuit,

mrimile electrice Ig, Is i Id reprezint amplitudinile curenilor de gril, surs,
respectiv dren, iar Vgs reprezint amplitudinea tensiunii gril-surs.

Pentru frecvene mai mari dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor nalte),
funcionarea tranzistorului MOS este afectat de anumite fenomene dinamice, de
natur capacitiv, care pot fi modelate prin intermediul unor CAPACITI
PARAZITE, reunite n parametrii notai cgs, respectiv cds. Circuitul echivalent valabil
n acest caz este prezentat n Figura 6.

Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene nalte.

15