1.

TEHNOLOGIA DE FABRICARE A TRANZISTORULUI BIPOLAR

KT -375A

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor avnd o structur p-n-p sau n-p-n, evident cu dou jonciuni
p-n formate ca rezultat al contactului ntre regiunile p-n-p sau n-p-n.
Tranzistoarele bipolare se fabric prin mai multe metode, cele de baz sunt prezentate pe figura 1.1. Tranzistorul
bipolar KT375A se fabric conform tehnologiei epitaxial planare.

Fig.1.1. Tipurile consructive ale tranzistoarelor bipolare

Tehnologia epitaxial const n creterea pe un suport semiconductor monocristalin a unui strat cu aceiai
orientare a structurii reelei cristaline. Suportul, se ia mai gros i puternic impurificat, se utilizeaz ca baz pe care
sunt crescute urmtoarele straturi, i este denumit substrat. Avantajul tehnologiei epitaxiale const n posibilitatea
obinerii straturilor cu aceiai structur cristalin, ns cu diferii parametri electrici, adic straturi cu diverse tipuri
de impuriti i materiale (adic straturi cu diferii Eg). Pe fig.1.2.a. este artat structura epitaxial cu un substrat tip
p i un strat tip n crescut epitaxial.

Exist mai multe metode n tehnologia epitaxial : evaporarea termic n vid, sublimarea termic, evaporarea
reactiv (radiaie ), i epitaxia din faza lichid.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 4 - 4 -11/1/201711/1/2017

 La evaporarea termic n vid atomii materialului necesar sunt desprini prin tratarea termic. Ciocninduse
de plachet (suportul) atomii se opresc n locurile cu energia interatomic mai mare (n regiunea
defectelor). Viteza de cretere depinde de suprafaa substratului i concentraia atomilor evaporai.

Evaporarea reactiv (radiaie ) se folosete radiaia se nclzete local sursa de atomi, la mrirea
radiaiei poate avia loc sublimarea sursei (dezbaterea atomilor din cristal).

Pe fig.1.2.b.c.d.e.f.g. sunt prezentate etapele principale al procesului de realizare uni tranzistor prin
tehnologia planar. Pe un substrat tip p sa crescut epitaxial un strat tip n, care prin urmare se acoper cu
SiO2 sau Si3N4 pentru a proteja semiconductorul de impurificarea din exterior. Mtile de tipul SiO2 i Si3N4 primite
prin oxidare termic a suprafeei plachetei de Si au urmtoarele avantaje.
- Masca oxidic organic e legat cu suprafaa plachetei permind un contact bun cu ea i nlturnd astfel
posibilitatea ptrunderii a difuzantului ntre masc i plachet.
- Grosimea mtii oxidice (aproximativ un micron) e suficient pentru o aprare sigur a sectoarelor anumite
a plachetei de ptrundere a difuzorului.
- Stratul oxidic pe lng aceea c ndeplinete funcia de mascare mai ndeplinete funcia de aprare a
suprafeei de influen diferitor factori exteriori. n cazul tehnologiei de aliere sau a mezatehnologiei pentru
aceasta trebuie de folosit materiale speciale suprafee de aprare.

n continuare acest strat de protecie se acoper cu un strat subire de fotorezist (material care sub aciunea radiaiei
ultraviolete i schimb structura, adic se polimerizeaz) care se expune la radiaii ultraviolete printru-n clieu.
Apoi se corodiaz n oxizi astfel obinnduse o fereastr (fig.1.2.b.) prin care se difuzeaz impuritile necesare
pentru a obine o zon cu o conducie de alt tip (fig.1.2.c.). n continuare aceste etape sunt repetate pn cnd se
obine structura dorit(fig.1.2.d.e.f.g.).

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 5 - 5 -11/1/201711/1/2017

 Fig.1.2. Tehnologia epitaxial - planar de obinere a unui tranzistor.

2. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR CUPLAT N SCHEMA

EMITOR COMUN ,
BAZ COMUN I COLECTOR COMUN

Ca oarecare alt dispozitiv electronic, tranzistorul bipolar are caracteristica sa a dependenei curentului de tensiune.
Deoarece tranzistorul bipolar are trei terminale, i principiul de funcionare e bazat pe conectarea terminalelor n aa
mod ca s obinem un circuit de polarizare la n partea stng i un circuit de polarizare n partea dreapt. Faptul
obinerii unui cuadripol cu anumite proprieti la intrare i anumite proprieti la ieire ne dau anumite caracteristici
de intrare i ieire.
Deci sun dou tipuri de caracteristici statice, de intrare i de ieire, care sunt determinate de relaiile:

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 6 - 6 -11/1/201711/1/2017

 Caracteristici de intrare I int f (U int ) U const. - variaia curentului de intrare ca funcie a tensiunii de
ies

intrare cnd tensiunea de ieire este constant.

I ies f (U ies ) U const .

int
Caracteristici de ieire - variaia curentului de ieire ca funcie a tensiunii de
I ies f (U ies ) I const .
int

ieire cnd tensiunea sau curentul de intrare este constant.

n continuare se vor descri caracteristicile tranzistorului bipolar conform dependenelor de mai sus i metodelor
de conectare a tranzistorului prezentate n fig2.1.b,c,d. Caracteristicile statice se vor prezenta n cadranul patru
pentru uurina citirii lor.

2.1 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

conectat n schema cu emitor comun

Pentru cazul dat conectarea tranzistorului se efectuiaz conform schemei prezentate n fig.2.1.c. Condiiile de
polarizare ale jonciunilor unui tranzistor n conexiunea EC rmn aceleai ca i n cazul conexiunii BC; Jonciunea
emitorului este polarizata direct dac UBE= - UEB <0. Jonciunea colectorului rezult polarizat invers dac colectorul
este situat la un potenial mai negativ dect baza, poteniale considerate n raport cu emitorul, ( UCE > UBE ). Din
aceste considerente caracteristicile statice vor avia o alt form date de aceliai relaii, ns innd cont de
particularitile conectrii n schem cu emitor comun.

Conform schemei prezentate pe fig.3.1.c. obinem coeficientul de transfer:

IC
(2.1)
IB
care mai poate fi scris:
IC
IC IC IE
(2.2)
I B I E IC I E IC 1
IE IE
deci coeficientul de transfer n curent pentru conexiunea EC este cu mult mai mare ca unu.
Caracteristici de intrare I B f (U BE ) U const . - variaia curentului bazei ca funcie a tensiunii baz
BC

emitor cnd tensiunea colector - baz este constant (fig.2.6).

n conexiunea EC la regimul de funcionare activ curentul bazei este dat de relaia:
eU
I B I E IC I E (1 ) ICB 0 I E 0 exp EB 1(1 ) ICB 0 (2.3)
kT
Relaia (3.3) pune n eviden c alura caracteristicii de intrare este aceeai ca i la conexiunea BC, cu observaia
c reprezentarea se face la o alt sear. Pentru valori mici ale tensiunii de polarizare direct a jonciunii emitorului,
caracteristica de intrare apare n
cadranul IV ntruct n circuitul bazei predomin curentul rezidual ICB0. La Tranzistoarele din siliciu, curentul
rezidual ICB0 este foarte mic, astfel nct caracteristica de intrare se poate considera c trece prin origine. Pentru
diferite valori ale parametrului U CE= ct <0, la tranzistorul pnp, caracteristicile rezult distincte, dar foarte
apropiate(fig.2.6.)

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 7 - 7 -11/1/201711/1/2017

 Fig.2.6. Caracteristici de intrare n conexiunea EC.

I C f (U BC ) U const .

BE
Caracteristici de ieire - variaia
I C f (U BV ) I const.
B

curentului colectorului ca funcie a tensiunii baz colector cnd tensiunea baz emitor sau curentul bazei este
constant. Caracteristicile de ieire au aceeai alur ca i n cazul conexiunii BC cu polarizarea pentru regim de
funcionare activ, cu observaia c se nlocuiete UCB cu UCE- UBE.

Pentru UBE=0V, UCB=UCE deci caracteristica corespunztoare frontierei dintre regiunea activa normala i regiunea de
taiere normal este aceeai. Pentru UCB=0V rezult UCE = UBE, adic frontiera de separaie dintre regiunea activ
normal i
regiunea de saturaie este diferit de axa curentului, de la conexiunea BC.
n cazul UCE, = 0V, colectorul este situat la acelai potenial cu emitorul (fig. 2.6, a), iar jonciunile tranzistorului
snt polarizate cu aceeai tensiune UBE.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 8 - 8 -11/1/201711/1/2017

 Fig.2.7.Tranzistorul pnp n conexiunea EC, metoda de conectare (a),
caracteristicile statice de ieire : (b) pentru UBE const., (c) pentru IB const.

Creterea curentului IC cu tensiunea UCE pe caracteristicile, de IB =, ct este mult mai pronunat fa de creterea
curentului IC cu tensiunea UCB pe caracteristicile de IE = ct . Aceasta se datoriaz variaiei diferite a coeficienilor
(UBC) i (UEC)

(2.4)
1
innd cont de de grosimea bazei (), lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin (L pB,LnB) i constanta de difuzie
(DpB,DnB) obinem relaia:
1
2
1 DnE N B


2 L pB L pE D pE N E
(2.5)
care pune n eviden dependen de tensiunea de polarizare U CB prin grosimea efectiv a bazei ; dac crete U CB
crete tensiunea de polarizare invers a jonciunii colectorului UCE deci scade i determin creterea (fig.2.8.a)
Coeficientul de transfer n curent are o variaie mai pronunat n funcie de valoarea curentului de colector ( fig.
2.8, b).
Variaia redus a lui , reprezentat punctat n fig.2.8, b,

Fig 2.8. Variaia (a) n funcie de UCB (b) - n funcie de IC

2.2 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

conectat n schema cu baz comuna
Conform dependenelor enumerate mai sus i schemei din fig.3.1.b avem urmtoarele dependene:

Caracteristici statice de intrare: I E f (U EB ) U const . - variaia

CB

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 9 - 9 -11/1/201711/1/2017

 curentului emitorului la variaia tensiunii emitor baz cnd tensiunea colector baz este constant, aceste
dependene sunt ilustrate n fig.3.2. Cum se vede pe dependena dat la tensiunea UCB = 0V, caracteristica de intrare
are aceiai form ca i o jonciune p-n polarizat direct, cum se vede i pe fig.3.1.b La creterea tensiunii UCB (s nu
uitm c jonciunea colectorului trebuie s fie polarizat indirect ) curba se deplaseaz spre dreapta, adic curentul I E
crete.

Ca efect direct conform legii de aur (relaia 2.10) crete curentul emitorului, n rezultatul creterii curentului
colectorului. Ca efect indirect este datorat micorrii grosimii bazei, ca urmare se micoriaz curentul bazei. Ca
urmare curentul bazei descrete iar curentul colectorului crete i curentul emitorului variaz ns foarte slab, deci
dependenele date sunt foarte apropiate.

Fig.2.2. Caracteristici de intrare n conexiunea BC.

I C f (U CB ) U const .

EB
Caracteristici de ieire - variaia
I C f (U CB ) I const .
E

curentului de colectorului ca funcie a tensiunii colector-baz cnd tensiunea emitor-baz sau curentul emitorului
este constant. Expresiile de mai sus pot fi prezentate prin relaii matematice n felul urmtor:

eU eU
I C I E 0 exp EB 1 I CS exp CB 1 (2.6)
kT kT U EB
const

eU
I C I E I CB 0 exp CB 1 (2.7)
kT U EB
const

unde:
IC curentul colectorului ;
IE curentul colectorului;
IE0 curentul invers al emitorului cnd UCB = 0V;

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 10 - 10 -11/1/201711/1/2017

 ICS curentul de saturaie al colectorului cnd UBE = 0V;
ICB0 curentul invers al colectorului cnd IE = 0V;
coeficientul de transfer al curentului pentru conexiunea BC;
k constanta lui Bolman;
T temperatura n grade kelvin;
e sarcina electronului;
Relaia (2.1) se obine din relaia (2.2) innd cont de faptul c I E este constant i are o anumit valoare i nu
depinde de relaia de sub exponent. Conform relaiilor de mai sus se obin caracteristicile teoretice din fig.2.3

Fig.2.3.Caracteristici statice teoretice de ieire n conexiunea BC

a) pentru UEB const. b) pentru IE const.
Pe graficul figurii 2.3 sunt indicate trei regiuni: regiunea de saturaie ;i regiunea de blocaj care se ndeplinesc cu
anumite condiii, la fel descrise pe desenul fi.2.3., n aceste regiuni nu se lucreaz. Exist i regiunea liniar numit
regiune activ normal, n care funcioniaz tranzistorul n schema amplificatorului. Caracteristicile reale pentru UEB
ct.. (fig.2.3.a) pentru IE-ct (fig.2.3, b) pun n eviden o cretere a curentului de colector cu tensiunea aplicat pe
jonciunea colectorului. Aceasta se explica prin variaia curentului invers ICB0 sau Ics. determinat de variaia
componentelor curentului invers cu tensiunea de polarizare invers. Variaia practic a curentului Ic cu tensiunea
UCB este sensibil mai mare dect variaia ICB0 sau Ics. Tensiunea de polarizare influeneaz indirect curentul de
colector prin efectul de modelare a limii bazei (fig. 2.5).

n regim activ normal tranzistorul lucreaz cu jonciunea emitorului polarizat direct i jonciunea colectorului
polarizat invers; curentul de emitor este determinat n principal de fluxul de goluri injectate din emitor n baz,
adic: IE IEp ICp (2.1)
La nivele mici de injecie, golurile curg prin baz prin difuzie i valoarea curentului de difuzie de goluri este
proporional cu gradientul distribuiei dp/dx. Daca tensiunea UCB crete (in valoare absoluta) regiunea de trecere a
jonciunii colectorului se mrete, iar grosimea efectiva. a bazei scade. ntruct valoarea curentului de emitor este
meninuta constant de circuitul exterior de polarizare, este necesar un numr mai mic de goluri (distribuia punctat
n fig. 2.4, a) pentru a asigura acest curent. La creterea tensiunii de polarizare invers a jonciunii colectorului,

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 11 - 11 -11/1/201711/1/2017

 scade concentraia purttorilor minoritari din baza n toat regiunea bazei, deci i n vecintatea imediat a jonciunii
emitorului.
Concentraia golurilor n planul x=0 este determinat de tensiunea de polarizare direct a jonciunii emitorului.
Tensiunea de polarizare direct a jonciunii emitorului scade atunci cnd crete tensiunea de polarizare a jonciunii
colectorului. Micorarea grosimii efective a bazei duce la reducerea timpului de trecere a purttorilor de sarcin
minoritari prin ea i la reducerea posibilitilor de recombinare a acestor purttori. Aceasta justific creterea
suplimentar a curentului Ic cu tensiunea UCB fa de creterea datorat lui ICB0(fig.2.4.c), ca rezultat caracteristicile
statice pentru IE - ct (fig.2.4, b i fig 2.4 , c) au aspectul unei linii foarte aproape de orizontale.

Fig.2.4.Caracteristicile reale ale unui tranzistor p-n-p

a) pentru UEB const.; b) pentru

Dac tranzistorul este utilizat ntr-o schem care asigur funcionarea la UEB = ct, concentraia purttorilor
minoritari n planul x = 0, nu se modific la variaia tensiunii aplicate jonciunii colectorului (fig. 2.4, b). Prin
reducerea grosimii efective a bazei, la creterea tensiunii de polarizare invers a jonciunii colectorului, distribuia
purttorilor minoritari are o pant mai mare (distribuia punctat din fig. 2.5, b), ceea ce determin o cretere mai
pronunat a curentului de colector. De asemenea, i n acest caz, rezult o reducere a componentei de recombinare
datorat micorrii grosimii bazei. Aceste procese determin cretere mai pronunat a curentului de colector
(fig.:2.4.a i 2.5.b) caracteristicile pentru UEB = ct, fa de caracteristicile pentru IE = ct.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 12 - 12 -11/1/201711/1/2017

 Fig.2.5.Efectul procesului de modulare a grosimii bazei.
a- distribuia golurilor n baz pentru IE = ct:
b- distribuia golurilor n baz pentru UEB=ct;
c - efectul variaiei tensiunii UCB asupra curentului IC

2.3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

conectat n schema cu colector comun

Tranzistorul n conexiunea CC este cuplat conform schemei din fig.2.1.d. i este caracterizat la intrare de
curentul bazei IB i de tensiunea dintre baz i colector UCB , iar la ieire de curentul IE i de tensiunea dintre emitor
i colector UEC . Schema CC se folosete mai rar i o putem ntlni n amplificatoare de putere n etajele de ieire
pentru acordarea rezistenelor. Caracteristicile statice sunt asemenea schemei EC. Conectarea n aa mod mai este
numit i repetor pe emitor din motiv c un etaj de amplificare cu o conectarea dat nu amplific tensiunea, adic
tensiunea de ieire practic este egal cu cea de intrare. n schimb amplificarea n curent este mai mare de ct unu din
motiv c coeficientul de transfer n curent pentru tipul dat de conexiune este:

IE
(2.3)
IB

care mai poate fi scris:

I E IC I B IC I B
1 (2.4)
IB IB IB IB

Dup cum se vede n relaia (2.4) coeficientul de transfer n curent n conexiunea colector comun este mai mare
cu o unitate fa de coeficientul de transfer n curen pentru conexiunea emitor comun. Din acest motiv, n cataloage
se indic doar sau doar *.
Polarizarea la conexiunea CC se execut, ca i la i la tipurile de conexiuni precedente, adic cu aceliai condiii,
la intrare jonciunea polarizat direct, iar la ieire jonciunea polarizat indirect. Prin urmare, fa de un punct de
referin , care este de obicei masa, baza este pus la un potenial U C; aceste poteniale sunt determinate de sursele
de tensiune exterioar. ntre electrozii tranzistorului rezult tensiunile U BE i UCE, astfel c se poate determina
curentul bazei IB din caracteristica de intrare a tranzistorului n conexiunea EC. Curentul de ieire IE=IC+IBIC poate
fi determinat din caracteristica de ieire a tranzistorului n conexiunea EC. Ca urmare, calculul etajelor n care intr
tranzistorul n conexiune CC se face n planul caracteristicilor statice trasate n conexiunea EC, date de obicei n
cataloagele de tranzistoare.

3.ANALIZA SCHEMELOR ECHIVALENTE ALE

TRANZISTORULUI BIPOLAR.

Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are diferite comportri. n
continuare vom cerceta tranzistorul bipolar la diferite frecvene.

1)Frecven joas.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 13 - 13 -11/1/201711/1/2017

 Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin nite capaciti datorate de
existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea jonciunii. Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens
direct n capacitatea total a acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii. i invers, pentru
jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de barier C cb. Dei la o jonciune p-n
valoarea capacitii de difuzie, n curent alternativ efectul capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face
simit pentru frecvene care nu sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a tranzistorului lucrnd la
frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie s fie completat prin luarea n consideraie a acestor
capaciti i n special prin considerarea capacitii colectorului.

Capacitatea de difuzie a emitorului C BE a fost reprezentat punctat, subliniindu-se astfel ralul ei este
secundar fa de cel al capacitii de barier a colectoruluiC BC. Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i
emitorului se pot afla prin rezolvarea ecuaiei Poisson pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv.
La rndul ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n funcie de modul n care snt distribuite
impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n toate cazurile ns, capacitatea jonciunii va depinde
invers proporional de tensiunea aplicat jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i tranzistoare) obinute prin

1 1
aliere 1 pe cnd la jonciunile obinute prin cretere 1 . Pentru tensiuni UC0=5 (V), capacitatea
U 2
U 3

colectorului pentru tranzistori obinui prin aliere, este aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere,
la o tensiune UC0=5 (V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.

Fig.3.1 Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas (EC)

2)Frecvene medii
O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas i medie nu este,
numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 14 - 14 -11/1/201711/1/2017

 Fig.3.2.Schema echivalent a tranzistorului la frecven medie (EC)

3)Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto

Comporatarea la frecvene nalte a tranzistorului bipolar s-ar putea studia folosind parametrii y, dar aceasta
prezint dezavantajul c este o descriere pur matematic ce leag curenii de tensiunile de la borne. De aceea este
util de a dispune de un circuit echivalent care s pun n eviden fenomenele fizice din tranzistor, att pentru
frecvene joase ct dar mai ales la frecvene nalte. Circuitul echivalent fizic d n plus posibilitatea unor interpretri
i aprecieri calitative.
n figura13 este prezentat schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor montat n
conexiunea baz comun(BC).
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii emitor-baz, care fiind
direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten r BE, de cteva sute de omi n paralel cu o capacitate C BE, de
ordinul a sute de picofarazi(pF)(capacitate de difuzie).

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 15 - 15 -11/1/201711/1/2017

 Fig.3.2. Circuitul echivalent Giacoletto (BC)

Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu ajutorul generatorului de curent
gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k), ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector.
Totodat, rezistena rBB este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100.
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se nlocuiete cu o rezisten r BC de
valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea CBC de ordinul a civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de curent s depind doar de
cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete ca raportul dintre
creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz,
celelalte mrimi fiind constante. Deci pentru gm avem relaia
I C e
gm IC
U BE kT
i putem demonstra c:
g m rBE h21B
Pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite dintre terminale (care sunt
exterioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB.

Acestea sunt de ordinul a 1-4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din acest motiv de
cele mai multe ori se pot neglija. De menionat c exceptnd r CB i rEB care o variaie mic, ceilali parametri ai
circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul de funcionare static(de exemplu r CB scade cu IC, iar CBE
crete cu IC).

4. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare

Pentru a caracteriza funcionarea tranzistorului ca amplificator, se face apel la parametrii
hibrizi (sau parametrii H), care se introduc considernd tranzistorul un cuadripol.
n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ la intrarea cruia avem
tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2 i curentul I2.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 16 - 16 -11/1/201711/1/2017

 Fig. 4.1. Cuadripol descris cu parametrii H

Alegnd n calitate de variabile independente curentul de intrare i tensiunea de ieire, iar n calitate de
mrimi dependente tensiunea de intrare i curentul de ieire, se poate de obinut ecuaiile cuadripolului n sistemul
de parametrii h-.

U 1 h11 I 1 h12 U 2
(6.1)
I 2 h21I 1 h22 U 2
Coeficienii h11, h12, h21, h22 reflect proprietile electrice ale tranzistoarelor n relaiile cu semnale mici de
frecven joas n punctul static de funcionare ales i se numesc parametrii H. Ei pot fi uor determinai, asigurnd

regimul de scurcircuit dup curent alternativ la ieire ( U 2 0 ) i regimul de mers n gol la intrare ( I 1 0 ).
Rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit:
U 1
h11
I 2 U 2 0

U 1
Coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem mers n gol: h12
U 2 I1 0

Coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm regim de scurtcircuit:

I 2
h21
I 1 U 2 0

Conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol:

I 2
h22
U 2 I 2 0

Parametrii menionai mai sus se msoar n:

h11 [
h12 [adimensional
h21 [adimensional
h22 [S

La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent continuu, iar parametrii h se
msoar dup curent alternativ la valori ale semnalului reduse. Parametrii h pot fi determinai din caracteristicile
statice.

5. RIDICAREA PARAMETRILOR TRANZISTORULUI BIPOLAR

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 17 - 17 -11/1/201711/1/2017

 Dup cum tim, tranzistorul prezint un dispozitiv electronic cu dou jonciuni p-n ce
interacioneaz i cu trei sau mai multe borne de ieire, proprietile de amplificare ale crora
snt condiionate de fenomenele de injecie i extracie ale purttorilor de sarcin. n fig. 34
snt prezentate ilustrarea schematic (a) i grafic (b) a tranzistorului de tip n-p-n i p-n-p,
distribuirea concentraiei purttorilor de sarcin majoritari de-a lungul structurii n stare de
echilibru (c). Ridicarea parametrilor tranzistorului, constau din ridicarea parametrilor h,
deoarece ei snt cei mai utilizai i foarte importani. n figura 35, a este reprezentat schema
pentru ridicarea parametrului h11E, care este rezistena de intrare al tranzistorului pentru
tensiune alternativ mic. Toi parametrii tranzistorului depind de regimul dup curent
continuu, de aceea, n primul rnd, pentru tranzistor, n schem se instaleaz regimul dup
curent continuu. De exemplu, parametrii pentru tranzistoarele de putere mic, snt des ridicai
la tensiunea UC = 5V, n curentul IC = 1 mA.

Regimul necesar de curent continuu se poate de instalat n felul urmtor. Vom lua tensiunea
sursei de alimentare US = 10V i vom cupla rezistorul RC = 5 k i atunci la curentul
colectorului IC = 1 mA, tensiunea continu UC relativ de pmnt va fi egal cu 5V. Aceasta se
poate de fcut prin alegerea rezistorului Rb, rezistena cruia depinde de h21E. Cnd h21E = 100,
Rb = 1 M. De aceea el trebuie de ales, astfel nct rezistena Rb s fie de sute de k.
Instalnd regimul n curent continuu, se mai cupleaz un generator cu sunete i se d de la
ieirea lui tensiunea U1, ce nu ntrece 20 mV. Frecvena de msurare se ia de obicei egal cu
1kHz. Rezistena Rbg se poate de luat de 1-2 k, dar trebuie s fie cunoscut valoarea exact
a ei, de exemplu cu o precizie de 5 %. Msurnd U1 i U2 cu milivoltmetrul electronic de
curent alternativ, se determin curentul prin Rbg, care cu o precizie nalt este i curentul
alternativ al bazei, deoarece se poate de neglijat cu divizarea curentului n rezistena Rb. Este
clar c h11E = Rint/Ib.
Pentru msurarea parametrului h21E se folosete aceeai schem, ns ntre punctele A i B se mai cupleaz o
rezisten nu prea mare, de exemplu R = 100 . Cu milivoltmetrul pentru curent alternativ se msoar tensiunea n
punctul B relativ de pmnt i se convinge n faptul, c tensiunea n punctul A relativ de pmnt este egal cu zero.
tiind cderea de tensiune pe rezisten se determin componenta alternativ a curentului colectorului i se afl h 21E
= IC/IB.
Pentru msurarea parametrului h22E i h12E se montez schema, care este artat n fig.35,b. Instalnd regimul n
curent continuu, se cupleaz i generatorul. Se d o tensiune alternativ U 2 = 1-2 V. Msurnd tensiunile alternative
U1 i U2 i tiind Rcg, se poate de gsit componenta alternativ a curentului colectorului.

mprind componenta alternativ a curentului colectorului la tensiunea alternativ U 2, se obine parametrul h22E =
IC/U2. Msurnd cu milivoltmetrul tensiunea UB, se poate de gsit parametrul h12E = UB/U2.
6. Parametrii de baza a tranzistorului KT-375A

Tranzistor bipolar, fabricat pe baz de siliciu, prin metoda epitaxial planar de tip n-p-n, generator de frecven
nalt. Pot fi utilizate n circuite de comutaie i amplificarea la frecvene nalte. Se fabric n corpuri plastice cu
ieiri flexibile.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 18 - 18 -11/1/201711/1/2017

 Masa tranzistorului nu mai mult de 0.25g. Mai jos este prezentat tranzistorul KT-375A:

Parametrii electrici:

1. Material :Siliciu
2. Tensiunea colector-baz max: UCB=60V
3. Tensiunea de saturare colector-emitor UCE =60V
4. Tensiunea de saturare emitor-baz UEB =5V
5. Intensitatea curentului colectorului: IC=100 mA
6. Tj= 150C
7. Ft= 250MHz
8. Capacitatea jonciunii colectorului Cc: 5pF
9. Hfe: 10/100
10. Puterea max: Pmax=0.2W

6. Utilizarea tranzistorului bipolar KT-375A n scheme electronice.

Tranzistoarele KT375A pot fi inlocuite in circuite cu tranzistoarele :KT3102, KT315, KT342A, 3538 .a.

1. 88

87,9 .
35-40 . : VT1
, VT2 - . 6
WA1 -
1,2 150-300 .

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 19 - 19 -11/1/201711/1/2017


315 (VT1) 368, 355 (VT2).
-10,5
5 . -3
. 4
-, - . -
0,125.
.

, ,

.
.

2.
,
. ,
.
,
. .
3 . VT1
VT2. R1
T1.
, R5,C1, .
, VT1.
100 800 .

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 20 - 20 -11/1/201711/1/2017

 C3 C4 .
, ,
R9. VD1 R10
VT2. , .
VS1,
EL1, .
, VT3, VT4,
R2. 5,
. VT3,
( 500 2000 ), VT4
VS2, EL2 .

R3 ,
VT5, VT6. (1500 5000 )
VS3 EL3 .

VD4-VD7. C12C11R26
VD2, VD3.
T2.

VD10-VD13. ,

,
.
. 315
n-p-n 50.
-0,5 -0,25, -I, -0,5
. ,
.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 21 - 21 -11/1/201711/1/2017

 3. (60)

,

.

( ),
VT1, VT3 VT2, VT4 .
VT5, V6 ( 1
) ,
.
(VT7, VT7),
. "" ,

.
,
(
- ).
- ,
, .
, R39 (R40),
,

.
-
VT9 R24.
VD4,
.

R16, C4, C6 - C11

.
R2C1 .
C12R45L1R47
. VT12 VT13
.
R1

.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 22 - 22 -11/1/201711/1/2017


, 342, 342
313, 315 361 ( ). VT14
VT15 ( - 816, 816 817, 817 626
904) 232512
. 818
819,
70 . VD1
816 2536, VD2 VD3 - 147 (
R11 R14).

7.Rezolvarea problemelor.
Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se efectuieze urmtoarele calcule
grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se
determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze rezistena de intrare i de ieire a
etajului, coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe
sarcin PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 23 - 23 -11/1/201711/1/2017

 Se d:
EC=60 V; RS=3 k ; IB=0,075 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC
(EC,0) i) (0, R ) adic (60 V,0) i (0 ;20 mA)
S

I C max I C min 20 0
I Cm 10 mA
2 2
U U C min 60 4
U Cm C max 28 V
2 2
0 ,08
U BEm 0 ,04 V
2
I Cm 10
KI 133 ,33
I Bm 0 ,075
U 28
K U CEm 700
U BEm 0 ,04
K P K I K U 133 ,33 700 93331

Rint
U EBm

0 ,04

4 10 3
530
I Bm 0 ,075 10 3 7 ,5
I2 R
PR Cm S
2
10 10 3 3 10 3.
0 ,15 W
2 2
PC U CE I C 20 10 3 30 0 ,6 W
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni nelimiare.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 24 - 24 -11/1/201711/1/2017

 Problema 2.

Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar i parametrilor lui la frecven nalt s se
efectuieze urmtoarele calcule pentru etajul de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc shema echivelent a dispozitivului analizat la frecven
joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai schemei echivalente la frecven nalt.

Din cauz c dup nominalele date UCE=50 (V) i IC=40 (mA) nu pot fi soluionate atunci vom considera datele
iniiale ca n problema 1, pentru care am ales deja punctul de funcionare:
IB=75 A; UCE=50 V prin urmare:
IB=75 0,2=15 ( A)
UCE=50 0,2=10 (V)

Figura 1. Caracteristicile de ieire i intrare pentru tranzistorul KT601A.

Din grafic determinm IIC=2(mA); UBE=0,02 (V); IC=1(mA);

Determinm parametrii hibrizi h:

U BE 0 ,02
h11 E 1 ,33 k ;
I B U const 15 10 6 U CE 20V
CE

I C 2 10 3
h21 E 133 ,3 ;
I B U CE const 15 10 6 U CE 20V

I CI 2 10 3
h22 E 0 ,2 mS ;
U CE 10
I B const I B 15 A

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

Trantistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului la frecvene nalte:

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 25 - 25 -11/1/201711/1/2017

 rC 600 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 15 pF
C C 15 pF
C C1 5 pF ;
3
C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;
I C 1
rB rB 120 49 ;
IC 6
1
rCE 5 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 40 10 3 800 mS ;
1
rBE 670 49 621 ;
S 800 10 3
C E j 75
C BE 6425 pF ;
6 ,3 20 10 6
lim
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se determine parametrii etajului de
amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i puterea necesar pentru a o
deschide.

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 26 - 26 -11/1/201711/1/2017

 aracteristicile de ieire i intrare pentru tranzistorul bipolar KT601.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=4 (V)
U rest 4
Rcupl 2 10 2 ;
I Ccupl 20 10 3
PCcupl U rest I Ccupl 4 20 10 3 0 ,08 W ;
I Csat 20 10 3
I Bcupl k sat 4 0 ,6 mA ;
kI 133 ,33
UBEcupl=0,38 (V)-din grafic.
Pint U BEcupl I Bcupl 0 ,6 10 3 0 ,38 0 ,228 mW
.

Problema 4.

Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru tranzistorul cu efect de cmp i s se
efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni ale
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine rezistena de intrare i de ieire a
dispozitivului analizat i s se calculeze volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki,
tensiune kU i putere kP.

Date iniiale:
ED=-20 (V); ID0=5 (mA);
UDS0=-10 (V); UGsmax=3 (V);
Ubloc=-2,5 (V); IDmax =1,5 (mA);
Pimp=130 (mW);

Rezolvare:
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
2
U GS U bloc
I D I D max

;
U
GS max U bloc
2
U 1
I D 1 ,5 GS 0 ,05 U GS 2 ,5 2 mA ;
3 2 ,5
Folosind ecuaia primit completm tabelul:
-ID, mA 0 0,075 0,11 0,32 0,62 1

UGS, V -2,5 -2 -1 0 1 2
Dup datele din tabel
trasm caracteristica de transfer:

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 27 - 27 -11/1/201711/1/2017

 Figura 1.Caracteristica de transfer i caracteristica de ieire.
Trasm dreapta de sarcin tiind c :
ED=-20 V i RS=2,5 k primim punctele (-20 ; 0) i (0 ; 8 10-3)

I Dm I Dm
I Dm 0 ,46 mA ;
2
I Dm 0 ,46 10 3
S med 0 ,34 10 3 mS ;
U GSm 2
Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:
kU S med RS 0 ,34 10 3 2 ,5 10 3 0 ,85 ;
Rint RG 1 M
U 2
I Gm GSm 6 2 nA ;
RG 10
k I S med RG 0 ,34 10 3 10 6 340 ;
k P k I kU 340 0 ,85 289 ;

Problema 5.

Conform caracteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i parametrilor lui la frecven nalt s se
calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului analizat la frecvena de 100
MHz.

Date iniiale:
ID0=8,4 mA; UDS0=7 (V);
CGS=7 pF; CGD=1 pF;
RG=50 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 8,4 10-3 (mA)=1,68 10-3 (mA);
UDS0=0,2 7 (V)=1,4 (V);
I D 1 ,68 10 3
S 1 ,2 mS ;
U DS 1 ,4

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 28 - 28 -11/1/201711/1/2017

 U DS 1 ,4
RI 833 ;
I D 1 ,68 10 3
Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina elementele schemei echivalente la
frecven nalt:

Calculm pentru frecvena de 100 MHz valoarea:

k RC C GS 6 ,3 10 8 50 7 10 12 0 ,22 ;
1 0 ,22
2
1 1 k2
Rint RC 50 1083 ;
g int k 2
0 ,22 2
S0
S 0 ,25 mS .
1 k2
Problema 6.

Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s se efectuieze calculul proprietilor

tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientil de amplificare dup putere pentru regulatorul de putere montat pe baza
tranzistorului cu efect de cmp.

Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp (dup rezolvarea problemei 4.), vom
calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflm punctele de blocare a tranzistorului :
U D U GS U bloc ;
punctul 1 avem: U D 2 2 ,5 4 ,5 V ; U G 2 V ;
punctul 2 avem: U D 1 2 ,5 3 ,5 V ; U G 1V
punctul 3 avem: U D 1 2 ,5 1 ,5 V ; U G 1V
punctul 4 avem: U D 2 2 ,5 0 ,5 V ; U G 2 V .
Determinm patru valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:
4 ,5
R~ 1 4 ,5 k ;
1 10 3
3 ,5
R~ 2 5 ,6 k ;
0 ,62 10 3
1 ,5
R~ 3 13 ,6 k ;
0 ,11 10 3
0 ,5
R~ 4 15 ,4 k ;
0 ,0075 10 3
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS):

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 29 - 29 -11/1/201711/1/2017

 Figura 1. Caracteristica regulatorului.
RG 10 6
Amplificarea maxim a regulatorului : k P max 111 ,1 .
2 R~ min 2 4500

8.Conform sarcinii primite de la profesor s se proiecteze un

amplificator de audiofrecven fr i cu transformator.

a) Sarcin:
S se proiecteze un etaj de amplificare n audiofrecven cu tranzistor bipolar fara transformator.

EC

IC

R1 RC

Cd2

Cd1 IB

RG

Uie
Uintr

UG RE CE
R2
RS

IE

Fig. 25 Schema principial a etajului de amplificare n audiofrecven a amplificatorului cu

tranzistor bipolar cuplat cu emitor comun.

Date iniiale: Uie. max=2,0V

RS=400
Fj=90 Hz
Mj=1.30
EC=6V

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 30 - 30 -11/1/201711/1/2017

 Calculul amplificatorului de tensiune

1. Alegem tipul tranzistorului conducndu-ne de urmtoarele:

UCEadmis(1,1...1,3)EC=(1.1.....1.3)*6V=(6,6...7.8)
ICadmis2IS.max=2Uie max/RS=2/400 =0,005A
PCadmis.=ICadmis*UCeadmis=0,01*7=0.07 W
2. IC0=(1,05...1,20) IS.max=(5.25....6)mA
Urest= EC-2Uie max/2=1V
UCE0= Urest+2Uie max=1+2=3V
3.Dup datele acestea am ales tranzistorul KT 399, ce posed urmtoarele caracteristici statice.
Rtot=RC+RE, Rtot=EC/I=6/12.25*10-3=489.8
RE =(0.15...0.25)* RC
Rtot 489.8
RC= 408.16
(1.5...1.25) 1.2
RE= Rtot- RC=81.64
4.Determinam valorile curentilor.

Iintr.min= IB.min(25
A)

Iintr.max = IB.max(105
A)

Iintr.med= IB.med(105-25/2) = 40
A
5. Determinm rezistena de intrare a etajului de amplificare
2U int r .med 2 * 0.1V

Rint r. 2.5
2 I int r .med . 2 * 40 * 10 6 A
R1 * R2
r ., unde R12 : R12 (5 * 2.5) 12.5

R12 ( 4...6) Rint
R1 R2
6. Determinm nominalele rezistoarelor de divizare
E C * R12
R1 167k
RE * I C 0
Conform STAS vom folosi rezistorul cu rezistenta 160 kohm
R1 * R12
R2 1.349
R1 R12
Conform STAS vom folosi rezistorul cu rezistenta 1.3 kohm

7. Determinm coieficientul de stabilitate n funcionare a etajului

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 31 - 31 -11/1/201711/1/2017

 RE ( R1 R2 ) R1 * R2
S 1.05
R1 * R2
RE ( R1 R2 )
max min
2

8. Determinm capacitatea condensatorului de divizare

1 1
Cd 2 2.635F
2F j Rie ;. M 2
j 1 456772.032 * 0.83

Conform STAS com folosi condensatorul cu capacitatea 2.7 microfarazi

Rie.=RC+RS=408.16 +400 =808.16
9. Determinm capacitatea condensatorului CE
10
CE 216.717 F
2F j RE
Conform STAS vom folosi condensatorul cu capacitatea 250 microfarazi
10. Determinm valoarea coeficientului de amplificare a etajului dup tensiune:
U ie;.med . 2
KU (dingrafic) 20
U int r .med 0,1

b)Sarcin:
S se proiecteze un etaj de amplificare dupa putere in baza tranzistorului bipolar cu transformator.
Date iniiale: Pie.=3W
RS=5
Fj=100 Hz
Mj=1,12
EC=24 V

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 32 - 32 -11/1/201711/1/2017

 EC

R1
RS Uie.

IB

Cd1 VT
RG

Uintr.

UG RE CE
R2

Fig. 26 Schema principial a etejului de amplificare n putere a amplificatorului cu tranzistor bipolar cuplat cu
emitor comun

Calculul amplificatorului de tensiune

1.Determinm puterea ce va fi mprtiat pe tranzistorul selectat:

P Pies
P0= P C (0.8...0.9) T (0.7...0.9)
C T
3.0
P 3.75W -puterea data de tranzistor
0.8
P0=3.75/0.85=4.411W

2.Determinam valorile ICmax siUies.max.

ICmax.* Uies= Pies ICmax.* Uies.max. / Rs = Pies / Rs
I2 Cmax = Pies / Rs

Pies 3
ICmax= = 0.77 A U ies.m I C max * Rs 0.77 * 5 3.85V
Rs 5
Ec. 2U ies .
U rest . 8.15V
2 Conform deatelor noastre am ales tranzistorul KT-907

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 33 - 33 -11/1/201711/1/2017

 U CE 0 U rest U ies 8.15 3.85 12V

Ico=0.56A

Icmin=0.38A

Icmax=0.77A

Ibmax=26.25A

Ibmin=15A

Ibmed=5.625A

Toate acaste valori sunt luate din grafic:Deci calculam rezistenta rezistorului dupa curent alternativ.
2U B.m
Rint r 5.33
2 I B .m

3.Calculam rezistenta din circuitul emitorului Re:

U RE
RE= U RE (0.3...0.5) U=(0.2...0.3)Ec=0.25*24=6V-valoarea tensiunii care cade pe rezistenta .
IC0

U RE 0.4 * 6 2.4V
Re=2.4V/0.56A=4.28
4. Determinam capacitatea condensatorului ce sunteaza rezistorul Re:
1
CE 2687.84 F
2F j R E
Conform STAS vom folosi condensatorul cu capacitatea 2500 microfarazi

5.Rezistenta divizorului de tensiune dupa curent alternativ:

R1 R2
R1 2 ; R1 2 (8...12) Rint e 53.3
R1 R2

EC * R12 24 * 53.3
R1 533.711
R E * I C 0 4.28 * 0.56
Conform STAS vom folosi rezistorul cu rezistenta 510 ohm

R1 * R12
R2 59.213
R1 R12
Conform STAS vom folosi rezistorul cu rezistenta 56 ohm
6. Determinm coeficientul de amplificare al etajului dup purere

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 34 - 34 -11/1/201711/1/2017

 Pie;. 3
KP 4451ori
Pint r . 674.57 * 10 6

Pint r . I 2 int r * Rint r (11.25) 2 * 5.33 * 10 6 674.57 *10 6

7.Determinam rezistenta sarcinii colectorului dupa current alternative si coeficientul de transformare pentru
transformatorul de putere.
U CE max Ec U 24 6
RC 1.841
I c * I 0.85 *1.15
Conform STAS vom folosi rezistorul cu rezistenta 1.8 ohm

RS 5
n 1.842
RC T

1.841 * 0.8

8.Determinm rezistena nfurrii transformatorului primar

rT 1 0.5 RC (1 T ) 0.5 * 1.841* 0.2 0.1841

1 T
rT 2 0.5 RS 0.625
T

9.Inductanta transformatorului primar

R S rT 2 5 0.625 5.625
L1 2
5.279mH
2F j n 2 M 2j 1 6.28 * 100 * (1.842) * 0.5 1065.39

Coala

Mod Coal N Document Semn. Data 35 - 35 -11/1/201711/1/2017