Cotîrșef Sergiu

24 septembrie 2015 10:35

Subiectele
1. Semiconductori
2. Impurități
3. Joncțiuni electrice: clasificarea, procideele, de echilibru, străpungirile joncțiunilor pn, fabricarea
4. Dispozitive:dioda semiconductoare, clasificarea, dioda impuls.....
5. Tranzistorul bipolar, schimbul de conectare, procedeele parametrii.
6. Tranzistorul cu efect de cîmp, schema de conecatre.
7. Tiristor: tubul vidat,
8. Elemente pasive:dioda , condensatorul, tranzistorul () pentru acasă
Elemente pasive
• Rezistorul- este o piesă componentă din circuite electrice și electronice a cărei principală proprietate
este rezistența electrică. Rezistorul obișnuit are două terminale; conform legii lui Ohm, curentul
electric care curge prin rezistor este proporțional cu tensiunea aplicată pe terminalele rezistorului.
I=U/R. Cel mai imporntant parametru al unui rezistor este rezistența sa electrică exprimată în Ω.
• Condensatorul- Un condensator este un dispozitiv electric pasiv ce înregistrează energie sub forma
unui cîmp electric într 2 armături îcărcate cu o sarcină electrică egală, dar de semn opus. Acesta mai
este cunoscut și sub denumirea de capacitor. Unitatea de măsură, în sistemul internațional, pentru
capacitatea electrică este faradul (notat F).
Condensatoarele pot fi numite de mai multe feluri (electrolitice, cu tantal, etc.), ele fiind realizate
atît tehnologie SMD cît și tehnologie THD.
• Bobina-este în electrotehnică un dispozitiv electric pasiv, care are 2 terminale(capete) și este folosit
în circuitele electrice pentru a înmagazina energia în cîmp magnetic sau pentru detecția cîmpurilor
magnetice. Parametrul specfic al unei bobine este inductanța sa.
• Dioda semiconductoare- este un dispozitiv electronic constituit dintr-o joncțiune pn prevăzută cu
contacte metalice le regiunile p și n și introdusă într-o capsulă din sticlă sau metal.

Cărți:Vasilescu Gabriel, Șerban lungu--”Electronica„ ediția 1993

Gusev V.G. Gusev Iu.M. ”Electronica” 728 pagini
Bîcikov Iu.A ”Teoriticiskie I electrolitiki” SPB-Piter 2003

Semiconductori
Noțiuni generale clasificări:
Din punct de vedere al electrocunductibilității toate materialae se împart în 4 grupe:
1. Conductori- sunt materialele care practic nu împiedică curentul să curgă prin ele, datorită rezistenței
sale specifice joase(are valori nu mai mari 10-5Ohm*m.
2. Dielectrici-sunt materialele care împiedică curgerea curentului prin ele, din cauza rezistențe sale
specifice înalte (rezistența specifică mai mult de 108 Ω*m. Materialele date sunt utilizate în calitate
de izolatoare.
3. Semiconductori-sunt materialele cu rezistența specifică a cărora poate are valori de la 10-5 pînă la
1010Ω*m. Rezistența acestor materiale depind mult de variața condițiilor exterioare. Cum ar fi
diferența de temperatură, schimbarea fluxului optic sub care sunt puși etc. Ca rezultat datorită
acestor factori exteriori un semiconductor poate fi numit conductor iar în anumite condiții dielectric.
Cele mai răspîndite semiconductoare sunt Si (Siliciu),Ge (germaniu) GaAs(galiu arseniu) majoritatea
dispozitivelor se fabrică cu ajutorul acestor elelmente.

dispozitive electronice Pagina 1

 dispozitivelor se fabrică cu ajutorul acestor elelmente.
4. Supraconductori-sunt materialele care la răcirea pînă la o temperatură numită critică brusc
micșorează rezistența sa specifică pînă la 0.
Un atom a unui semiconductor este alcătuit din nucleu în jurul căruia la o anumită distanță se rotesc
elelctronii. Electronii se mișcă în limitele unor straturi determinați de energia lor cu cît mai departe de
nucleu se află elelctronul cu atît mai înalt este nivelul său energetic. Electronii pot trece de pe un nivel pe
altul la trecerea electroniloir de pe un nivel mai îndepărtat pe unul mai apropiat are loc degajarea sau
absorbția are loc degajarea energiei la trecerea inversă are loc absorbția ei. Degajarea și absorbția energiei
are loc în cantități strict determinate numite cuante.
La analiza structurii atomurilor diferitor elemente se pot descoperi nivelel(interioare) completate cu
elelctroni și nivele (exterioare) necompletate cu electroni. Ultimile se mai numesc de valență, electronii de
pe aceste nivele se vor numi de valență au legătură mai slabă cu nucleul și mai simplu pot face parte la
formarea legărurii cu alți atomi. Pentru semiconductori sunt specifice legăturile covalente care se
formează datorită faptului că electronii de valență a 2 atomi vecini devin comuni. Se numește banda
energetică diapazonul energiei pe care o poate avea un electron. În structura unui corp solid poate fi
observate următoarele benzi energetice:
1. Banda permisă - este banda ce este caracterizată ce toate nivelel ei la temperatura 0 k sunt
compleate cu electroni. Partea de sus a benzii se numește banda de valență.
2. Banda interzisă-se caracterizează prin aceea că în limitelel ei nu există nivelel energetice pe care se
pot afla electronii.
3. Banda de conducție- se caracterizează prin aceea că electronii ce se află în limitelee acestei benzi nu
mai sunt legați cu nucleele aatomilor(sunt liberi).
La mijlocul benzii interzise se află nivelul Fermi este un așa nivel energetic pe care cu probabilitatea de 1/2
se poate afla elelctronii acest niveel rămîne constatn o dată cu varierea temperaturii/ cînd varietatea
electroconductibilității este =0.
Electroconductibilitatea proprietatatea unui material de a conduce curentul elelctric.
__________Tabelul 1.

La un semiconductor pu și omogen la temperaturi diferite de 0 Kelectronii liberi și golurile se formează în

perechi adică numărul golurilor = cu nr. electronilor liberi. Eleectroconductibilitatea unui asemenea
conductor se va numi proprie. Electroconductibilitatea ce se datorează mișcării electronilor liberi se vor
numi electroconductibilitatea electronilor. Iar eletroconductibiliatatea ce se datorează mișcării golurilor se
va numi electroconductibilitatea golurilor.
Procedeul formării perechilor electron și gol se numește generarea. Ca rezultat ca element de sarcină
apărut după rupera legăturilor covalente se mișcă haotic prin volumul semiconductorului. Pînă în
momentul în care electronul din nou nu va face parte din careva legătură acest procedeu se va numi
recombinare. Intervalul de timp trecut de la generarea particulei pînă la recombinarea se numește timpul
de viață. Distanța parcursă în acest interval de timp se numește lungime de disfuzie.
Ln= p-coeficientul de disfuzie ;

dispozitive electronice Pagina 2

Ln= p-coeficientul de disfuzie ;
Ln=
Rezistență specifică -pentru acasă
Se numește semiconductor intrensec semiconductor lipsit de impurități cu o rețea cristalină ideală ce se
nutează cu litera i semicnonductor de tipul i acest semiconductor la temperatura 0 absolut (-273 grade C)
devine dielectrc ...și nu poate conduce electronii
Se numesc purtător majoritari purtătorii de sarcină următorilor de sarcină predomenă în semiconductor.s
Se numesc purtători minoritari purtătorii de sarcină concentrația cărora este mai mică decît a celor
majoritari.

Electroconductibilitatea impurității
Impuritățile se împart în 2 clase: donore- care donează electroni acelui semiconductor în așa mod număr
elelctronilor liberi va fi mai mare decît goluri
Acceptore ea va accepta electroni înseamnă că valența ei va fi mai mică și vor rămîne goluri de aici rezultă
numărul golurilor vor fi mai multe decîît electroni.

Proprietățile electrice ale unui semiconductor depind de impurități: există 2 tipuri impurități
a. Acceptori - atomii impurităților acceptori sunt capabili să primească din exterior unul sau mai mulți
electroni devenind ioni negativi. Spre exemplu Ge (valența 4) dacă în Ge valența căruia este 4
adăugăm o careva cantitate de In valența căruia este 3 atunci fiecare atom de In v-a forma cîte 4
legături covalente cu atomii Germaniului al 4-lea electron fiecare atom de In îl acceptă de la careva al
5-lea atom de Ge (desenul 2)
Dacă în Ge fig 1.a. Adăugăm o oarecare cantitate de In atunci, în locul electronului acceptat de In pentru
formarea legăturii numărul 4 va rămîne un loc vacant, în așa mod numărul golurilor devine mai mare decît
cel al electronilor liberi. Iar semiconductorul dat devine de tipul p. Nivelele de valență a impurității
acceptorii se află în partea de jos a benzii interzise a materialului în care a fost introdusă această
impuritate (fig 1.b.) în așa mod electronii de Ge primind o cantitate mică de energie pot ușor trece pe
aceste nivele .
În fig.1.C. Este arătat nivelul Fermi într-un semiconductor de tip p.
b. Donori-în impuritățile donore electronii de valență sunt foarte slab legați cu nucleul lor obținînd o
cantitate mică de energie acești electroni trec în banda de conducție a materialului în care
impuritate dată a fost introdusă. (Desenul 3)
Fig 3.a într-o oarecare cantitate de Ge a fost introdusă o oarecare cantitate de Sb cu valența 5 fiecare
atom a lui a format a cîte 4 legături cu atomii de Ge. Electronul de valență rămas al Sb neluînd parte
la nici o legătură devine liber în așa mod numărul electronilor liberi devine mai mare decît cel al
golurilor, semiconductorul dat va fi de tipul n. Nivelele de valență a unei impurități donore se află în
partea de susa benzii interzise a materialului semiconductor în care această impuritate a fost
introdusă. În așa mod elctronii de pe aceste nivele ușor trec în banda de conducție a materialului
semiconductor fig 3.b. Și după cum se vede în fig 3.c. Nivelul Fermie se află în partea de sus a benzii
interzise.
Electroconductibilitatea electronilor
Nivelul fermie

Vitezele cosmice
8km/s - pentru a ieși din orbită
16km/s- pentru a
24km/s-
Tema: Joncțiunea electron-gol
Joncțiunea electron-gol (pn) regiunea la hotarul a 2 semiconductoare cu diferit tip de electro-
conductibilitatea. Lățimea joncțiunii pn de obicei atinge valori de la 100nm pînă la 1μm, joncțiunile pot fi
nu numai între semiconductori cu diferit tip de electroconductibilitate, ci și între semiconductori cu același
tip de electroconductibilitate, însă concentrație diferită. În așa caz joncțiunea se va numi electron-electron
(n-n+) sau gol-gol(p-p+). Semnul + vorbește despre faptul că concentrația purtătorilor majoritari într-o
regiune e mai mare decît pentru cealaltă joncțiune pn concentrația purtătorilor de sarcină majoritari în
regiunile semiconductoare= ca rezultat și a celor minoritari se numesc simetrice. În practică însă se
utilizează mai mult joncțiunile asimetrice. Joncțiunea pn nu se obține la un simplu contact a 2
semiconductoare, ci în anumite condiții după anumite tehnologii cum ar fi disfuzia, alierea(topirea),
epitaxie, implantare ionică

dispozitive electronice Pagina 3

epitaxie, implantare ionică
Desenul caiet denis:1

dispozitive electronice Pagina 4

a) Joncțiunea electron gol aflată în echilibru

dispozitive electronice Pagina 5

 a) Joncțiunea electron gol aflată în echilibru
Cazul cînd nu aplicăm tensiunea electrică
Desenul caiet denis: 2

O parte din goluri di regiunea p din apropierea conactului metalurgic difuzează în regiunea n. Iar o parte de
electroni din regiunea n difuzeazî în regiunea p. În așa mod, în apropierea contactului se acumulează o
sracină numită spațială. Acest fapt duce la apariția unui cîmp electric numit difuzie. Acest cîmp e orientat
din regiunea p deoarece potențialul regiunii „n” e pozitiv. Cîmpul de disfuzie apărut stopează difuia. În
joncțiune se stabilește un echilibru. Bariera de potențial apărută=q*γ, γdiferența de potențial între aceste
2 regiuni, q-particula elecmentară (Coloni). Cu cît mai departe de contact, cu atît mai mic e acet cîmp
electric. Din acest motiv și benzile energetice se reprezintă orizontal. Nivelul Fermi e la același nivel în
ambele semiconductoare.
b) Joncțiunea electron-gol polarizantă direct
O joncțiune pn va fi polarizată direct atunci cînd la regiunea p se va aplica plusul tensiunii exteriaoare iar la
regiunea n se va aplica minusul tensiunii exterioare.
Desenul caiet denis: 3

Atunci cînd la regiuneea p se va aplica t, iar la regiunea n se va aplica- atunci ambele cîmpuri vor fi
orientate în aceeași direcție.
În așa caz va mai apărea un cîmp electric exterior orientat de la + la -, adică în direcția opusă celui interior.
Ca rezultat cîmpul electric umar se va micșora, bariera de potențial și va deveni:=q(γ-U).
Joncțiunea ca regiune va exista atît timp cît U va fi mai mic decît γ. Odată ce U devine ≥ γ, joncțiunea ca
regiune dispune, iar difuzia purtătorilor majoritari va crește. Prin joncțiune va curge curent numit direct.
Trecerea purtătorilor majoriari într-o regiune în care ei devi minoritari datorită micșorării barierei de

dispozitive electronice Pagina 6

Trecerea purtătorilor majoriari într-o regiune în care ei devi minoritari datorită micșorării barierei de
potențial se numește injecție. Regiunea din care se injenctează purtătorii de sarcină se numește emitor.
Regiunea în care se injectează acești purtători de sarcină se numește emitor. Regiunea în care se
injenctează acești purtători de sarcină se numește bază (concentrația e mică).
c) Joncțiunea electron-gol polarizată indirect
(la p→-, la n→+).
Desenul caiet denis: 4

Dacă la regiunea n se aplică + tensiunii exterioare iar la regiunea p se aplică - ei, atunci ambele
cîmpuri(interior și exteriori) vor fi orientate în aceeași direcție. Bariera de potențial pentru purtătorii
majoritari va crește. Însă pentru cei minoritari sunt atrași de cîmpul electric al joncțiunii și transferați
în regiunea în care ei devin majoritari. Deci are loc extracția. Prin joncțiunea pn va curge curentul
indirect ce se datorează mișcării purtătorilor minoritari. Valoarea lui e mică, din cauza concentrațiilor
mici a purtătorilor de sarcină minoritari.
Caracteristică volt-amperică
Străpungerea joncțiunilo electron-volt:
Se numește străpungere procedeul micșorării considerabile a rezistenței indirecte însoțit de creșterea
curentului indirect la mărirea tensiunii indirecte.
Străpungerea poate avea 2 mecanisme:
1. Mecanismul electric- în urma acestui mecanism dispozitivul își revine
2. Mecanismul termic- dispozitivul nu-și revine
Străpungirile sunt:
1. Tunel-caracter electric
Desenul 4

dispozitive electronice Pagina 7

 La tensiuni indirecte mari, benzile energetice se deformează atît încît energia electronilor din banda
de valență a unui semiconductor devine = cu energia electronilor din banda de conducție a celorlalți
semiconductori, în așa mod prin bariera de potențial se formează un „tunel”. Desenul 4. a.

Străpungerea volt-amperică
La
Străpungerea curent apare la dispozitive semiconductoare cu joncțiune îngustă
2. În avalanșă- la tensiuni indirecte mari purtătorii de sarcină minoritari sunt atrași de cîmpul electric al
joncțiunii și transferați în regiunea unde ei devin majoritari. În regiunea joncțiunii aceste purtător de
sarcină se ciocnesc cu atomii ce fac parte din rețeaua cristalină. Îi ionizează pe ei. În rezultat apare o
pereche de purtători de sarcină care la fel sunt accelerați de cîmpul electric al joncțiunii se ciocnesc
cu alți atomi ca rezultat apar noi purtători de sarcină. Deci numărul purtătorilor de sarcină crește în
progresie geometric, exact după aceeiași lege va crește și curentul indirect
În avalanșă - caracter electric
3. Termică-străpungerea termică apare atunci cînd cantitatea de căldură degajată de dispozitiv este
mai mare decît cantitatea de căldură evacuată de la el (teplovoi proboi). În rezultatul încălzirii se
intensifică termogenerarea purtătorilor de sarcină, acest fapt duce la creșterea în continuare a
temperaturii. Pentru a nu admite străpngerea termică pe dispozitive se instalează radiatoare.
O străpungere poate apărea în rezultatul alteia. Un rol foarte important la funcționarea joncțiunii la
anumite frecvențeîl au capacitățile:
a. de difuzie- această capacitatea apare la polarizări directe, se datorează purtătorilor de sarcină care la
rezultatul injecției difuzează prin joncțiune și nu reușesc să se recombineze.
b. de barieră- această capacitate apare la polarizări indirecte atunci cînd toți purtătorii de sarcină se
află la hotarele joncțiunii, iar în ea practic lipsesc

Heterojoncțiunii- diferite lățimi între benzile interzise

Homojonțiuni- concetrații de săruri

Tema: dioda semiconductoare

Noțiuni generale clasificări-se numeștet diodă semiconductoare dispozitivul alcătuit dintr-o jocțiune și
care reguli cu 2 terminale(borne, picioare) pentru conectarea la circuitul exterior. În baza clasificării pot fi
puse diferite criterii cum ar fi:
1. După construcții:
a. Construcții planare, - cun joncțiunea ce are aria mai mare

dispozitive electronice Pagina 8

 a. Construcții planare, - cun joncțiunea ce are aria mai mare
Desenul 5 (a) impuls

1.cristalul de Germaniu
2.Acul de wolfram
3.corpul diodei
4.terminalele ei
(b) redresoare construcție planară

1.corpul ca regulă metalic

2.semiconductorul(Ge)
3.joncțiunea electron-Volt
4.Izolator
5.Suportul semiconductorului
6.terminalele

b. Punctiformă- joncțiunea este în formă de un punct

1. Material a cărui conductibilitate electrică este mai slabă decât cea a conductoarelor (metalelor) și
mai bună decât cea a izolatoarelor
2. Atunci cînd avem Indiu cu valența 3 și germaniu cu valența 4 are loc procesul de atracție a unui
electron de pe ultimul strat de la Germaniu ca să aibă legătura ionică
3. Intervalul de timp trecut de la generarea particulei pînă la recombinarea se numește timpul de viață
4. Joncțiunea electron-gol (pn) regiunea la hotarul a 2 semiconductoare cu diferit tip de electro-

dispozitive electronice Pagina 9

 4. Joncțiunea electron-gol (pn) regiunea la hotarul a 2 semiconductoare cu diferit tip de electro-
conductibilitatea. Lățimea joncțiunii pn de obicei atinge valori de la 100nm pînă la 1μm, joncțiunile
pot fi nu numai între semiconductori cu diferit tip de electroconductibilitate, ci și între
semiconductori cu același tip de electroconductibilitate, însă concentrație diferită.
5. În așa caz joncțiunea se va numi electron-electron (n-n+) sau gol-gol(p-p+). Semnul + vorbește
despre faptul că concentrația purtătorilor majoritari într-o regiune e mai mare decît pentru cealaltă
joncțiune pn concentrația purtătorilor de sarcină majoritari în regiunile semiconductoare= ca rezultat
și a celor minoritari se numesc simetrice. În practică însă se utilizează mai mult joncțiunile
asimetrice.
6. Trecerea purtătorilor majoriari într-o regiune în care ei devi minoritari datorită micșorării barierei
de potențial se numește injecție.
Bariera de potențial pentru purtătorii majoritari va crește. Însă pentru cei minoritari sunt atrași
de cîmpul electric al joncțiunii și transferați în regiunea în care ei devin majoritari. Deci are loc. Prin
joncțiunea pn va curge curentul indirect ce se datorează mișcării purtătorilor minoritari. Valoarea lui
e mică, din cauza concentrațiilor mici a purtătorilor de sarcină minoritari.
7. O joncțiune pn va fi polarizată direct atunci cînd la regiunea p se va aplica plusul tensiunii exteriaoare
iar la regiunea n se va aplica minusul tensiunii exterioare.
8. Dacă la regiunea n se aplică + tensiunii exterioare iar la regiunea p se aplică - ei, atunci ambele
cîmpuri(interior și exteriori) vor fi orientate în aceeași direcție. Bariera de potențial pentru purtătorii
majoritari va crește. Însă pentru cei minoritari sunt atrași de cîmpul electric al joncțiunii și transferați
în regiunea în care ei devin majoritari. Deci are loc extracția. Prin joncțiunea pn va curge curentul
indirect ce se datorează mișcării purtătorilor minoritari. Valoarea lui e mică, din cauza concentrațiilor
mici a purtătorilor de sarcină minoritari.
Purtători majoritari de sarcină -
Deosebirile de joncțiunile simetrice și asimetrice- Prin concetrația purtătorilor de sarcină
Dioda stabilizatoare
Desenul 7 s

Schema celui mai simplu stabilizator parametric este prezentată în desenul 7/

La tensiuni indirecte în joncțiunea electron-volt apare un cîmp electric de intensitate mare ce duce la
apariția străpungerii în acest regim în acest regim dioda stabilizatoare nu se încălzește în continu deci
străpungerea nu trece în termică. După cum se vede din circuitul prezentat din desenul 7 în serie cu dioda
este conectat un rezistor deseori numit de balast, paralele cu dioda stabilizatoare este conectată sarcina
datorită formei caracteristicei volt-amperice (ramura indirectă) sale. Pe diodă va cădea doar tensiunea de
stabilizare UVD/Ust , restul tensiunii va cădea pe rezistorul R. Căderea de tensiune pe dioda stabilizatoare va
fi egală cu căderea de tensiune pe sarcină, deoarece elementele date sunt conectate în paralel. Deci la
micșorarea tensiunii de intrare curentul prin dioda stabilizatoare și căderea de tensiune prin rezistorul R se
vor micșora iar căderea de tensiune pe dioda stabilizatoare și respectiv pe sarcină rămîn neschimbate. La
mărirea tensiunii de intrare curentul prin dioda stabilizatoare și căderea de tensiune pe rezistorul R vor
crește, tensiunea pe sarcină oricum va rămînea neschimbată și va fi egală cu stabilizare va fi egală cu

dispozitive electronice Pagina 10

crește, tensiunea pe sarcină oricum va rămînea neschimbată și va fi egală cu stabilizare va fi egală cu
stabilizare, rezultă că dioda stabilizatoare menține aceiași tensiune (Ustabilizare) la variațiiel curentului de
la Istabilizare min pînă la Istabilizare max. parametrii de bază pe lîmngă taote celelelate sunt: Tensiunea de
stabilizare după curentul minim și maxim (Ust, Imin, Imax). Procesul fizic în dioda stabilizatoare este
străpungerea în avalanșă care poate să aibă loc în străpungerea termică.
Dioda impuls
Construcția unei diode impuls este prezentată în desenul 5 a). După cum se vede aria joncțiunii la o diodă
impuls este foarte mică, acest lucru este foarte important deoarece datorită acestui fapt capacitatea
joncțiunii are valoare mică ceea ce duce la micșorarea duratelor de timp a proceselor de tranziție (din
starea închisă în cea închisă). Diodele impuls se utilizează în circuitele impuls unde lungimea unui impuls
poate avea valori foarte mici de ordinul milisecundelor. Datorită faptului micșorării ariilor joncțiunii
puterea de disipare a unei diode impuls este foarte mică
Desenul 8 .
În perioada de timp 0-t1 tensiunea este închisă, momentul de timp t1 dioda se deschide însă curentul prin
ea își atinge valoarea sa maximă nu momentan și în perioada te timp tstabilire necesară pentru încărcarea
capacității de barieră a joncțiunii. În momentul de timp t2jincțiunea se închide regiunea P a diodei însă
rămîne saturată cu purtători minoritari de sarcină, adică electroni. Acești electroni fiind purtători
minoritari de sarcină se întorc sub acțiunea cîmpului electric al joncțiunii pn polarizate indirect în regiunea
n (se întorc doar electronii ce nu au reușit să recombineze), datorită acestui fapt curentul indirect brusc
crește.
O dată cu părăsirea electronului din regiunea p curentul indirect se micșorează. Perioada de timp în care
curentul indirect sa atins valoarea sa minimă se numește timpul de restabilire.
Adică timpul necesar pentru ca joncțiunea electron-volt să-ți restabilească proprietățile sale la polarizarea
indirectă. Este foarte important ca acești parametri tstabilire și trestabilire să aibă o valoare cît mai mică, anume
din acet motiv diodele impuls au construcție punctiformă iar lățimea bazei se face minimală.
Dioda capacitate variabilă (varicap)
Este o diodă parametrul de bază al căruia este capacitatea de barieră valoarea căreia este dirijată
schimbînd tesniunea indirectă.

Dreapta de sarcină și punctul de funcționare a valorii semiconductoare

Desenul 9 s

Pentru analiza am considerat un circuit dintr-un rezistor, diodă semiconductoare, sursă pentru circuitul dat
sunt valabile sistema de excuație. Egalînd curentul ce curge prin diodă și căderea de tensiune pe ea cu 0
(regimul mers în gol și scurt circuit) obținem 2 puncte M și N ce obținem o dreaptă. Dreapta obținută MN
se numește dreapta de sarcină, la intersecția dreptei pe sarcină cu curba caracteristicii obținem punctul P
ce se numește punctul de funcționare. Coborînd dreptele în acest punct obținem căderea de tensiune pe
diodă dar și valoarea curentului ce curge prin ea.
Marcarea diodelor semiconductoare. K C-133 A, Г Д 507 Б
Primul element înseamnă materialul K -siliciu
a 2-a literă este destinația dispozitivului Д- înseamnă dioda redresoare sau impuls, frecvență înaltă

dispozitive electronice Pagina 11

a 2-a literă este destinația dispozitivului Д- înseamnă dioda redresoare sau impuls, frecvență înaltă
A 3-a este cele 3 cifre sunt cifrele care arată ce se ascunde dacă e pe bazîă de Si ultimile 2 cifrene arată
tensiunea
a-4-a pentru acasă

Impuritatea, timpul de viață, generarea, recombinarea, tehnologiile de fabricare a jonciunii electron volt,
ce înseamnă, electron gol, polarizată direct indirect, injecția extracția și cum se obțin aceste joncțiuni.
Tehnoligiile de fabricare, planară, epitaxia, alierea, implantarea ionică. Dioda semiconductoare, clasificări.
Dioda redresoare și dioda stabilizatoare.

Tranzistorul bipolar
Noțiuni genereal. Clasificări
Transistor este numit dispozitivul semiconductor de conversie ce are cel puțin 3 terminale și este capabil să
amplifice puterea. În baza clasificării pot fi puse diferite criterii:
1. Tipul materialului semiconductor- deosebim tranzistoare construite din Ge și Si (cele mai răspîndite).
2. Principiul de funcționare- deosebim tranzistoare bipolare și cu efect de cîmp (unipolare). Într-un
tranzistor bipolar toate procedeele fizice se datorează purtătorilor majoritari și minoritari, iar într-un
tranzistor cu efect de cîmp se datorează purtătorilor de sarcină de un singur purtător (pol) ce se
numesc tranzistor cu efect de cîmp.
3. Tipul electroconductibilității - există tranzistoare pnp și npn
Desenul 10

s
4. Frecvența deosebim transitoare de frecvență joasă sunt considerate cele care se utilizează cu
frecvența mai jos de 3 MHZ, medii 3-30 MHz, și înaltă/ supraînaltă sunt cele care au mai mare de 30
MHz.
5. Puterea- în acest punct de vedere deosebim tranzistoare putere mică (puterea mai mică de 0.3W)
putere medie (de la 0.3 pînă la 3W) și tranzistoarele de putere (puterea mai mare de 3 W)
Construcția tranzistorului bipolar

Se numește bipolar deoarece proprietațile fizice

Rezistența specifică este mai mare ca acea a emitorului
Tranzistorul bipolar poate funcționa în mai multe regimuri dacă

Problemă: cu ce este egal curentul care curge prin rezistența sarcinii R=120 Ω a redresorului în punte dacă
se știe că la intrarea transformatorului este aplicată o tensiune de U=140V iar coeficientul de transformare
este = cu 0,1 și rezistența fiecărei diode Rd=10Ω. Calculăm intensitatea

Cu cît a variat rezistorul ..parametric dacă se știe că curentul de stabilizarea a crescut cu 3mA. Rezistența

dispozitive electronice Pagina 12

Cu cît a variat rezistorul ..parametric dacă se știe că curentul de stabilizarea a crescut cu 3mA. Rezistența
diodei =10Ω, rezistența de balast=400Ω. Rs→∞. Determinăm ∆Uint=?.

Distribuirea concentrației într0un tranzistor bipolar desenul 11

s
Se observă că în emitor concentrația impurităților în emitor este cea mai mare ca rezultat lui față de cele
terminale este cea mai mică. Concentrația impurităților în colector este ceva mai mică decît în emitor. Ca
rezultat rezistența colectorului este ceva mai mare decît cea a emitorului. Concentrația impurităților în
bază este cea mai mică, respectiv rezistența ei este cea mai înaltă.
construcția desenul 12

După cum se poate obseva din desenul 12 tranzistorul bipolar are 2 joncțiuni(joncțiunea emitor și
joncțiunea colector, terminalele se numesc emitor, colector și bază). În dependență de faptul cum sunt
polarizate joncțiunile tranzistorului deosebim următoarele regimuri de funcționare ale lui:
- Regimul activ- se caracterizează prin faptul că o joncțiune este polarizată direct cealaltă joncțiune
este polarizată indirect.
Regimul activ are 2 conexiuni
○ Normală - joncțiunea emitor este polarizată
direct, iar joncțiunea colector este polarizată
indirect
○ Inversă - joncțiunea emitor este polarizată
indirect, joncțiunea colector este polarizată
direct.

dispozitive electronice Pagina 13

 direct.
- Regimul de saturație - se caracterizează prin aceea că ambele joncțiuni sunt polarizate direct.
- Regimul de blocare - ambele joncțiuni sunt polarizate indirect.

Procedeele fizice într-un tranzistor bipolar

Desenul 13

W<<0,2L
IB' >IB''
Considerăm un tranzistor bipolar de tip p-n-p polarizat cu ajutorul tensiunilor exterioare (Ucb, Ueb) să
funcționeze în așa mod încît să funcționeze în regim activ conectare normală (emitorul este polarizat
direct, iar colectorul indirect), în rezultatul micșorării barierei de potențial, golurile din regiunea emitorului
prin joncțiunea pn difuzează în regiunea bazei iar electronii din regiunea bazei difuzează în regiunea
emitorului, deoarece rezistența bazei este mult mai înaltă decît cea a emitorului, rezultă că fluxul golurilor
va fi mult mai mare decît cel al electronilor. Care a rîndul său poate fi neglijat din cauza valorii mici. Pentru
aprecierea cantitativă a injecției prin joncțiunea emitor introducem așa numitul coeficientul de injecție
γ=Iep/Ie; Iep-fluzul purtătorilor
Ca rezultat golurile injectate în bază duc la apariția unei sarcini pozitive în apropierea joncțiunii pn. Această
sarcină este compensată de către electroni ce vin de la minusul sursei UEB. Trecerea electronilor de la sursă
în bază duce la apariție primii componente a curenților bazei IBI, orientate din bază.
Electronii împreună cu golurile împreună cu golurile se mișcă prin bază spre colector, deoarece lățimea
bazei în toate tranzistoarele este foarte mică W<<0,2L doar o parte a acestor purtători de sarcină reușesc
să recombineze (L- lungimea de difuzie). Majoritatea golurilor injectate în bază nu reușesc să recombineze
și nimerind în apropierea joncțiunii colectorului în cîmpul ei electric sunt transferați în regiuni clectivului,
adică în regiunea în care ei devin minoritari (extracția golurilor). Electronii numărul cărora este egal cu
numărul golurilor trecut prin jonțiunea colector prin joncțiunea colector în regiunea colector pleacă spre

dispozitive electronice Pagina 14

numărul golurilor trecut prin jonțiunea colector prin joncțiunea colector în regiunea colector pleacă spre
plusul(+) sursei UCB. În așa mod apare a 2-a componentă a curentului bazei IBII orientată deja în bază deci
prin terminalul bazei urc 2 componente ale curentului ei orientate în direcții diferite. Dacă procesele de
recombinare în bază lipseau, atunci aceste componente ar fi = între ele iar curentul rezultat ar fi =0. însă
deoarece aceste procese există în toate tranzistoare reale curentul ce curge prin joncțiunea emitor este
ceva mai mare decît curentul ce curge prin joncțiunea colector cu valoarea curentului bazei.
Numărul purtătorilor de sarcină minoritari ce au ajuns pînă la joncțiunea colectorului este
caracterizat de coeficientul de transfer
H=Icp/Iep rezultă că (2)
Ic=α*Ie (3)
α=γ*H (4)
I =IB+IC (5)
IC=α*IC+Icind (6)
Schimbînd tensiunea aplicată la emitor se schimbă numprul purtătorilor de sarcină injectați în bază,
respectiv respectiv ceea ce duce la schimbarea curentului colector și emitor.
Schemele de conectare a tranzistorului bipolar:
Tranzistorul bipolar are 3 terminale, în dependență de faptul care terminal al tranzistorului este
comun pentru intrare și ieșirea a circuitului deosebim 3 scheme de conectare a tranzistorului bipolar:
- Bază comună - Desenul 14

- s
Alfa - coeficientul de transfer al curentului emitor Iieș/Iint=Ic/Ie<1, deoarece Ie e mai mic ca Ic

Schema bază nu asigură amplificare după curent are rezistență de intrare mică. Alt dezavantaj este
pentru funcționarea schemei date sunt necesare 2 surse de alimentare.
- Emitor comun - schema desenul 15 s

dispozitive electronice Pagina 15

 -

Beta se numește coeficientul de transfer al curentului bazei pentru schema bazei.

Circuitul emitor comun observăm că schema ne asigură rezistența de intrare este mai mare decît în
cazul schemei bază comună. Avantajele: ambele surse au aceleiași polaritate. Posibilitatea utilizării
unei singure surse pentru alimentarea rezistorului. Schema emitor comun schimbă faza semnalului
cu 180 de grade, spre deosebire de schemele bază și colector comun.
- Colector comun - schema colector comun desenul 16 d

- sunt identice caracteristicele din cazul schmei emitor bază. Coeficientul de transfer al curentului
bazei pentru schema emitor comun.
Schema colector comun se mai numește repetitor pe emitor datorită faptului că tensiunea de ieșire
o repetă ca formă pe cea de intrare. Se numește deoarece rezistența sarcinii este conectată în
circuitul emitorului. Rezistența de intrare a schemei date fiind o joncțiune colector polarizată indirect
este mare.
Tranzistorul bipolar în calitatea de cuadripol activ. Sistemele de parametri r, g, h(hibrid).
În cazul oricărei scheme de conectare a tranzistorului bipolar el poate fi prezentat ca un cuadripol activ la
intrarea căruia este aplicată tensiunea U1 și curge curentul I1 iar la ieșire este aplicată curentul U2 și
respectiv curge curentul I2. desenul 17

dispozitive electronice Pagina 16

s
a. Sistema parametrilor r
I2=0;
I1=0;
I2=0;
I1=0;

R11-se numește rezistență de intrare desenul 18

s
R12- rezistență de reacție
R21- rezistența de transfer
R22- rezistența de ieșire
Parametrii G DESENUL 19

dispozitive electronice Pagina 17

 U2=0;
U2=0;
U1=0;
U1=0

G11-se numește admintanța de intrare

G12-admintanța de transfer între intrare/ieșire
G21- admintanța de transfer pentru ieșire/intrarea
G22-admintanța de ieșire
Parametrii h DESENUL 20

U2=0;
I1=0;
U2=0;

dispozitive electronice Pagina 18

 U2=0;
I1=0

H11-impendanța de intrare, ieșirea fiind scurt circuitată

H12-coeficientul de transfer indirect după tensiune (la intrare avem mers în gol)
H21-coeficientul de transfer după curent, ieșirea fiind scurt circuitată
H22-admintanța de ieșire la intrare avem mers în gol.

Tranzistorul bipolar în regim de cheie electronică

Parametrii de bază și marcare tranzistoarelor bipolare

Marcarea tranzistorului bipolar este din 6 elemente:
1. Г Т 3 В А
Г- este materialul semiconductor
T- tipul tranzistorului (T - tranzistor bipolar, П- tranzistor cu efect de cîmp)
3- este din 3 sau 4 cifre. Pima cifră dintre care ne arată frecvența și puterea tranzistorului.
B- modificarea tranzistorului (
Fr. mică Fr. Medie Fr. mare
P/f <3MHz 3-30MHz >30MHz
Putere mică <0.3V 1 2 3
Putere medie 0.3-3V 4 5 6
Putere mare >3V 7 8 9

dispozitive electronice Pagina 19