Lucrarea Nr.

6
6.1. Circuit de memorare de tip SRAM (Static Random Acces Memory)

O altă componentă principală dintr-un sistem de calcul este memoria. Aceasta se

poate referi fie la memoria cu acces aleatoriu (RAM) sau la memoria care permite doar
citirea (ROM). Putem realiza memoria în acelaşi mod cum am realizat şi fişierul de
registre dar cu mai multe locaţii de memorare. Totuşi, există câteva motive pentru care nu
dorim să realizăm memoria aşa. Un motiv este acela că de obicei ne dorim o memorie
mai mare dar şi foarte ieftină, astfel că o să vrem să realizăm celula de memorie cât mai
mică cu putinţă. Un alt motiv este acela că vom dori să folosim o magistrală de date
comună pentru ambele căi de citire şi pentru operaţia de scriere în memorie. Acest lucru
se realizează dacă circuitul de memorie are cel puţin un port de date (şi nu două sau trei
ca la fişierul de registre) atât pentru citirea cât şi pentru scrierea datei.
Simbolul logic este prezentat în figura 1.(a), unde legăturile pentru un chip RAM.
Există un set de linii de date, Di şi un set de linii de adrese, Ai.
Numărul liniilor de adrese este dependent de câte locaţii sunt în chipul de
memorie. De exemplu, un chip de memorie de 512 bytes va avea 8 linii de date (8 biţi = 1
octet/byte) şi nouă linii de adrese (29 = 512). Funcţionarea unui chip de memorie este
prezentată în tabelul de adevăr din figura 1.(b).

(a)
CE WR Operaţia
0 x Fără
1 0 Citire din locaţia de memorie selectată prin liniile de adrese.
1 1 Scrierea în locaţia de memorie selectată prin liniile de adrese.
(b)
n
Figura 1. Memorie RAM de 2 x m: (a) simbolul logic; (b) tabela de operaţii.

De notat că în figura 2.(a), circuitul RAM nu are nevoie de un semnal de ceas.

Figura 2.(a) prezintă o diagramă de stare pentru operaţia de scriere în memorie. În figura
2. (b) se prezintă o diagramă de stare pentru operaţia de citire.
Fiecare bit din chip-ul RAM static este stocat în celula de memorie aşa cum se
prezintă în figura 3.(a). Principala componentă din celulă este un latch de tip D cu
activare. Este conectat un buffer cu trei stări la ieşirea latch-ului D ca să se poată face
citirea selectivă din acesta. Semnalul Cell enable este folosit pentru a activa celula de
memorie atât pentru citire cât şi pentru scriere.
 Figura 2. Diagrama de stare a memoriei:
(a) operaţia de citire; (b) operaţia de scriere.

Figura 3. Celula de memorie: (a) schemă; (b) simbol

Pentru a realiza un chip RAM static 4x4, avem nevoie de 16 celule de memorie care
formează un grid 4x4, aşa cum se prezintă în figura 4. Fiecare rând formează o singură
locaţie de memorare iar numărul de celule de memorare dintr-un rând determină lăţimea
bitului pentru fiecare locaţie.
 Figura 4. Circuit RAM Static 4x4

Figura 5. Memorie de 1 K × 8 biţi realizată din patru celule de 256 × 8 biţi

Figura 6. Memorie de 512 × 16 biţi realizată din patru celule de 256 × 8 biţi

Figura 7. Circuit de memorie de 2 MB

 Probleme

6.1. Să se realizeze schemele aferente circuitelor de mai jos în MaxPlus II:

- circuitul de celulă de memorie (figura 3);
- circuitul RAM static din figura 4 pentru 4 biţi şi 8 biţi.
6.2. Să se realizeze simulările funcţionale ale circuitelor proiectate la punctul (6.1).