Electronică de Putere

Electronică de Putere

Curs 3 Tranzistorul MOS de putere

Structura internă a tranzistorului MOS de putere

Structura internă şi simbolul tranzistorului MOS de putere

G
S S
D
(DRENĂ)
N+ N+
P P
Diodă internă

N- G
(GRILĂ)
S
N+ (SURSĂ)

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

2
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

1
Caracteristicile de ieșire ale tranzistorului MOS

Regiunile de funcționare ale unui tranzistor MOS-FET

regiunea ohmică
(regiunea liniară)
regiunea de saturație
(regiunea activă normală) o Regiunea
R i ohmică (liniară)
h i ă (li i ă)

v DS
ON - state rDS.ON 
A iD V
GS ct

o Regiunea
g activă
(de saturație)
OFF - state iD  ct V
GS ct
B

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

3
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

Caracteristicile de ieșire ale tranzistorului MOS

Influența rezistenței r0 (de ieșire) asupra regiunii de saturație

slope  gfs

1
r0 
kv GS  Vth 
iD  gfs v GS  Vth 

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

4
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

2
Comutația tranzistorului MOS de putere

Comportarea tranzistorului MOS de putere în regim de comutație

Comutația
C t ți di
directă
tă C l conductor
Canal d t F
Formelel dde undă
dă specifice
ifi
câmp în stra
a tranzistorului G de tip tensiunea
către n, indus prin circuitului de comandă în grilă a
MOS (+) efect de câmp
aplicată în gril
tranzistorului MOS de putere
S S
vcomandă

N+ N+ 10V÷15V
P P t
0
-
N iG
IN VG
+IG.MAX. IG.MAX 
RG
N+ t
0
(++)
D
-IG.MAX.

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

5
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

Comutația tranzistorului MOS de putere

Capacitățile parazite ale tranzistorului MOS de putere

D ă
Drenă
Ciss = CGS + CGD
CGD
Coss = CDS + CGD
Grilă CDS
Crss = CGD
<=>
CGS
Sursă CGS = Ciss – Crss
CGS – capacitatea grilă-sursă;
o
CDS= Coss + Crss
o CDS – capacitatea drenă-sursă;
o CGD – capacitatea grilă-drenă. CGD = Crss
Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,
6
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

3
Comutația tranzistorului MOS de putere

Caracteristica tipică de sarcină a grilei unui tranzistor MOS

o Qgs – sarcina necesară încărcării capacității CGS PG = QgVGSfsw
până la nivelul palierului VGS.p (efectul Miller);
o Qgd – sarcina necesară descărcării capacității CGD
VGS.p
(la comutația directă) pe durata efectului Miller;
o Qg – sarcina totală necesară încărcării capacității
Ciss pentru minimizarea pierderilor în conducție;
o Qg(th) – sarcina necesară încărcării capacității CGS
până la nivelul tensiunii de prag Vth;
o Qsw – sarcina necesară procesului de intrare în
conducție a tranzistorului MOS de putere;

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

7
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

Comutația tranzistorului MOS de putere

Formele de undă ce descriu comutația unui tranzistor MOS

Comutația directă Comutația inversă
o Intervalul [t0,t2]: td.ON – timp de întârziere Intervalul [t0,t2]: td.OFF – timp de întârziere
la comutația directă (turn-on delay time); la comutația inversă (turn-off delay time).
iD,vDS di D
L
dt
Vd v DS v GS iD Vd
I0 VDS

iD iDF t

I0 I0
V th
vGS t
0
t0 t1 t2 t3 t4 t vGSp
Efectul Miller t0 t1 t2 t3 t

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

8
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

4
Principiile comenzii în grilă a tranzistorului MOS

Schema funcțională a unui Utilizarea unei singure diode (DG)

circuit de comandă în grilă pentru descărcarea capacității Ciss
V +15V
(+)
RG.ON DON (+)
Tp
S RG Tp
ON OFF
RG.OFF DOFF
+ T3
VG
DG
vc
D3 CD 4049
0V

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

9
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

Comanda tranzistoarelor MOS prin tehnica Boostrap

Tehnica de comandă Bootsrap: a) schema electrică tipică;

b) circuitul utilizat pentru accelerarea comutației inverse.
inverse
+V d +Vd

D D
T2 T2

T1 + T1 +
C C
- 0 - 0
RG T p1 RG Tp1

R2 T2

T3 T3
RG T p2 RG Tp2
vcomandă vcomandă

vcomandă vcomandă
0V 0V
a) b)

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

10
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

5
Tranzistorul MOS cu detecție de curent (Sense‐FET)

Tranzistorul Sense-FET:
a) schema electrică echivalentă; b) simbolul.
simbolul
Drenă D

Grilă

G
Measure Kelvin Sursă M K S

a) b)

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

11
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației

Tranzistorul MOS cu detecție de curent (Sense‐FET)

Detecția curentului (iLOAD) cu ajutorului unui Sense-FET:

a) schema electrică de principiu; b) schema electrică echivalentă.
echivalentă
+Vd
a) b) rDM.ON  n rDS.ON
Sarcina

D iLOAD
D iLOAD
vSENSE  RSENSEiSENSE 
SenseFET
iDS RSENSEiLOAD
rDM.ON  
TM Tp R r
G M iSENSE rDS.ON 1 SENSE DM.ON
iDS DS ON
rDS.ON
iSENSE
VSENSE RSENSE
M K S RSENSEiLOAD
K 
RSENSE
 R 
+
S n1 SENSE 
-
 rDM.ON 

Electronică de Putere, Curs 3, anul III, 2016-2017,

12
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației