Partial Convertoare

1. Diodele semiconductoare de putere sunt dispozitive semiconductoare

necomandabile, unidirec ţionale în curent şi în tensiune. În structura sa
exist ă o singură joncţiune p-n, de şi are trei straturi semiconductoare
2.O diodă blocată este echivalentă cu o rezistenţă de valoare mare r
off/-ADEVARAT.
3.Rezisten ţa termic ă reda modul în care un mediu transfer ă c ăldura.
Rezisten ţa termic ă Rth se m ăsoar ă în [grd/W], a şa cum rezult ă din
rela ţia de defini ţie, similar ă cu teorema lui Ohm:
Rth=∆T/P
4.Ifrmsmâ valoarea efectiva maxima a curentului prin dioda
5.Reactia interna de curent poate fi initiata daca prin tiristor trece un
curent mai mare decat cel de acrosare notat iL -ADEVARAT
6.Amorsarea prin efectul deltaV/dt- se produce in absenta crt de
comanda prin poarta la aplicarea tensiuni idirecte cu panta foarte mare
la bornele unui tiristor bloc
7.Tiristorul GTO fctca un tiristor conventional la polarizare directa dar
este blocat pentru un semnal de comanda negativa =adevarat
8. Zona din planul (Ic, Vce) in care se foloseste tranzistorul bipolar de
putere este cea de saturatie
9. Rolul inductivitatii din SNUBBER-ON pentru tranzistorul bipolar este:
- de a micsora panta de crestere a crt prin colector
10. Tiristorul parazit din struct tranzistorului IGBT poate produce â
fenomenul de autozavorare
11. Pediagrama din fig 1 C reprez â Vrms
12. Tensiunea Vrrm reprezinta â valoare de varf a tensiunii care poate fi
aplicata diodei fara ca ea sa se distruga
13. In RthJC(teta) rezistenta termica dintre tensiune si capsula teta
reprez â unghiul de conductie
 14. Pfav reprez – puterea medie dezvoltata prinef efect Joule in dioda in
conductie
15. Tiristoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare - comandate
uni directional in curent si bidirectional in tensiune
16. La tiristor depasirea tens Vb0 implica â amorsarea tiristorului
17. Protectia impotriva supratensiunilor pt tiristor se realiz cu â grupuri
RC in paralel
18. Care dintre urmatoarele caracteristici nu este caract tranz BIP-MOS
â comanda in curent
19. Pt ca tens pe care o poate tine o jonctiune pn la polarizat ia inversa
sa fie cat mai mare zonele semic trebuie sa fie â puternic dopate
20. Dioda semic este un dipozitiv â necomandabil, unidimensional in
curent si unidirectional in tensiune
21. Dioda de putere polariz invers este echivalenta cu â o rezistenta de
valoare foarte mare si intrerupator deschis
22. Caracteristica din fig1 reprezinta â caracteristica dinamica a diodei
23. In structura tiristorului se gasesc â 4 zone semiconductoare si 3
jonctiuni
24. Structura tiristorului poate fi echivalata cu â 2 tranzistoare bipolare
npnsipnp
25. Un tiristor intra in conductie daca â se aplica o tensiune pozitiva intre
A si K si se injecteaza un semnal comanda in Grila
26. Daca un tiristor aflat in conductie prin care trece un curentc ontinuu â
continua sa conduca sau se blocheaza
27. Curentul de acrosare se noteaza cu- IL
28. Amorsarea prin auto aprindere - este un tip de amorsare accidentala
29. Curentul de mentinere a tiristorului este â curentul de la care
tiristorul ramane in conductie si dupa anularea semnalului de comanda
din Grila
30. Pentru tiristorul Vdsm reprezinta â tensiunea directa accidentala
maxima
31. Pentru tiristor Vbm reprezinta â tensiunea de strapngere la
polarizare inversa
32. Caracteristica din fig 4 este â caracteristica de comanda
33. Fig 4 zona cuprinsa intre L1 si L2 â zona de neamorsare sigura
34. Pentru tiristor timpul de intarziere sursintrem momentul aplicarii
comenzi isi momentul in care tensiunea la borne a scazut.... – tqd
35. Pentru tiristorul aflat in procesul de blocareTrr reprezinta â timpul de
revenire in invers
36. Ifavm â curentul direct mediu maxim
37. Vrms â tensiunea inversa accidentala maxima
38. Vt0 â tensiunea de prag a diodei
39. Pentru tiristor Vt0 â punct de intersectie a caracteristicii de
conductie cu abscisa
40. Pfav este Pfav=Vt0*Ifav+rt*Ifrms^2
41. La frecvente de lucru mari devin importante â pierderile de comutatie
42. Temperatura capsulei diodei poate fi calculata â Tc=Ta+Pfav*(RthC-
K+RthK-A)
43. Rezistenta termica totala in cazul racirii bilaterale fata de cazul racirii
unilaterale este â mai mic
44. Cea mai eficienta metoda de blocare a tranzistorului bipolar â
polarizarea inversa a bazei
45. Pentru tiristor Igf este â timpul de amorsare
46. Pentru tiristor Iq este â timpul de blocare