1. Diodele semiconductoare de putere sunt dispozitive semiconductoare
necomandabile, unidirec ţionale în curent şi în tensiune. În structura sa exist ă o singură joncţiune p-n, de şi are trei straturi semiconductoare 2.O diodă blocată este echivalentă cu o rezistenţă de valoare mare r off/-ADEVARAT. 3.Rezisten ţa termic ă reda modul în care un mediu transfer ă c ăldura. Rezisten ţa termic ă Rth se m ăsoar ă în [grd/W], a şa cum rezult ă din rela ţia de defini ţie, similar ă cu teorema lui Ohm: Rth=∆T/P 4.Ifrmsmâ valoarea efectiva maxima a curentului prin dioda 5.Reactia interna de curent poate fi initiata daca prin tiristor trece un curent mai mare decat cel de acrosare notat iL -ADEVARAT 6.Amorsarea prin efectul deltaV/dt- se produce in absenta crt de comanda prin poarta la aplicarea tensiuni idirecte cu panta foarte mare la bornele unui tiristor bloc 7.Tiristorul GTO fctca un tiristor conventional la polarizare directa dar este blocat pentru un semnal de comanda negativa =adevarat 8. Zona din planul (Ic, Vce) in care se foloseste tranzistorul bipolar de putere este cea de saturatie 9. Rolul inductivitatii din SNUBBER-ON pentru tranzistorul bipolar este: - de a micsora panta de crestere a crt prin colector 10. Tiristorul parazit din struct tranzistorului IGBT poate produce â fenomenul de autozavorare 11. Pediagrama din fig 1 C reprez â Vrms 12. Tensiunea Vrrm reprezinta â valoare de varf a tensiunii care poate fi aplicata diodei fara ca ea sa se distruga 13. In RthJC(teta) rezistenta termica dintre tensiune si capsula teta reprez â unghiul de conductie 14. Pfav reprez – puterea medie dezvoltata prinef efect Joule in dioda in conductie 15. Tiristoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare - comandate uni directional in curent si bidirectional in tensiune 16. La tiristor depasirea tens Vb0 implica â amorsarea tiristorului 17. Protectia impotriva supratensiunilor pt tiristor se realiz cu â grupuri RC in paralel 18. Care dintre urmatoarele caracteristici nu este caract tranz BIP-MOS â comanda in curent 19. Pt ca tens pe care o poate tine o jonctiune pn la polarizat ia inversa sa fie cat mai mare zonele semic trebuie sa fie â puternic dopate 20. Dioda semic este un dipozitiv â necomandabil, unidimensional in curent si unidirectional in tensiune 21. Dioda de putere polariz invers este echivalenta cu â o rezistenta de valoare foarte mare si intrerupator deschis 22. Caracteristica din fig1 reprezinta â caracteristica dinamica a diodei 23. In structura tiristorului se gasesc â 4 zone semiconductoare si 3 jonctiuni 24. Structura tiristorului poate fi echivalata cu â 2 tranzistoare bipolare npnsipnp 25. Un tiristor intra in conductie daca â se aplica o tensiune pozitiva intre A si K si se injecteaza un semnal comanda in Grila 26. Daca un tiristor aflat in conductie prin care trece un curentc ontinuu â continua sa conduca sau se blocheaza 27. Curentul de acrosare se noteaza cu- IL 28. Amorsarea prin auto aprindere - este un tip de amorsare accidentala 29. Curentul de mentinere a tiristorului este â curentul de la care tiristorul ramane in conductie si dupa anularea semnalului de comanda din Grila 30. Pentru tiristorul Vdsm reprezinta â tensiunea directa accidentala maxima 31. Pentru tiristor Vbm reprezinta â tensiunea de strapngere la polarizare inversa 32. Caracteristica din fig 4 este â caracteristica de comanda 33. Fig 4 zona cuprinsa intre L1 si L2 â zona de neamorsare sigura 34. Pentru tiristor timpul de intarziere sursintrem momentul aplicarii comenzi isi momentul in care tensiunea la borne a scazut.... – tqd 35. Pentru tiristorul aflat in procesul de blocareTrr reprezinta â timpul de revenire in invers 36. Ifavm â curentul direct mediu maxim 37. Vrms â tensiunea inversa accidentala maxima 38. Vt0 â tensiunea de prag a diodei 39. Pentru tiristor Vt0 â punct de intersectie a caracteristicii de conductie cu abscisa 40. Pfav este Pfav=Vt0*Ifav+rt*Ifrms^2 41. La frecvente de lucru mari devin importante â pierderile de comutatie 42. Temperatura capsulei diodei poate fi calculata â Tc=Ta+Pfav*(RthC- K+RthK-A) 43. Rezistenta termica totala in cazul racirii bilaterale fata de cazul racirii unilaterale este â mai mic 44. Cea mai eficienta metoda de blocare a tranzistorului bipolar â polarizarea inversa a bazei 45. Pentru tiristor Igf este â timpul de amorsare 46. Pentru tiristor Iq este â timpul de blocare