Elemente de electronică analogică

Tranzistorul bipolar-procese fizice

Introducere

 Semiconductor eterogen dotat cu impurităţi astfel încât se formează

două joncţiuni pn:

 regiunea din mijloc – bază

- foarte îngustă → d  L p
- ordin de mărime: 0,1 .

 regiuni laterale – emitor, colector

- mult mai dotate
- de acelaşi tip
- au proprietăti electrice şi fizice diferite (prin
dotări diferite şi prin dimensiuni diferite).

 Procedee de fabricare:
- aliere
- difuzie – profilul şi adâncimea zonei difuzate pot fi controlate
prin concentraţia de impurităţi, prin temperatura de difuzie şi
prin durata procesului de difuzie.

 Regimurile de lucru se stabilesc după modul de polarizare a celor 2

joncţiuni:
joncţiunea EB joncţiunea CB
- regiunea activă normală (RAN) direct invers
- regiunea de saturaţie (SAT) direct direct
- regiunea de blocare (BL) invers invers
- regiunea activă inversă (RAI) invers direct
Elemente de electronică analogică

Procese fizice

Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN.

 joncţiunea EB este polarizată direct: golurile din emitor trec în bază,

dar d  L p , puţine goluri se recombină, cele mai multe ajung la
colector; acesta este polarizat invers, este un câmp electric puternic
care favorizează trecerea golurilor în colector.
- goluri injectate de emitor → colectate de colector

iP ( w)  ir  iP (0)

- w este grosimea efectivă a bazei, w  d

Se defineşte: factorul de transport în bază:

iP ( w) i
t   1 r  1
iP (0) i P (0)

 joncţiunea EB este polarizată direct: circulă un curent de electroni

local datorat difuziei electronilor din bază în emitor. Deoarece baza
Elemente de electronică analogică

este mult mai puţin dopată cu impurităti decât emitorul, curentul de

electroni va fi mult mai mic decât curentul de goluri:

iE  iP (0)  in

Se defineşte: eficienţa emitorului:

iP (0) i
   1 n 1
iE iE

 joncţiunea CB este polarizată invers: există un curent local al

joncţiunii (ca la dioda polarizată invers), iinv .

Concluzii:
 tensiunea mică de pe joncţiunea EB impune curenţi de colector a căror
valoare nu depinde, practic, de tensiunea de pe joncţiunea CB;
 dispozitivul se comportă la ieşire ca o sursă de curent – mărime de
ieşire (curent) comandată de o mărime de intrare (tensiune) – transfer
resistor → transistor.