1.

Prezentaţi succint caracteristicile tehnologiei montării pe suprafaţă (SMT)

şi comentaţi pe puncte etapele tehnologice pentru un modul SMT (tip I,II sau
III).
Rasp: O caracteristică definitorie pentru SMT este montarea componentelor
electronice pe suprafaţa circuitului imprimat, fără a pătrunde prin găurile
metalizate ca în tehnologia THT. În acest caz, zona lipiturii asigură pe lângă
contactul electric şi robusteţea mecanică a asamblării, având un rol decisiv în
fiabilitatea produsului electronic.
Densitate mai mare a package-ului: o placă de circuit SMT ocupă uzual numai
30 - 70% din aria unei plăci în tehnologia cu inserţie. Acest lucru a fost realizat
prin componente cu dimensiuni mai mici, montarea componentelor pe ambele feţe
ale plăcii, lipsa găurilor pentru inserţia componentelor care ocupă spaţiu inutil.
Costuri materiale mai reduse. Componentele SMD au potenţial de ieftinire
deoarece utilizează cantităţi mai mici de materiale.
Pentru tipul I se utilizează numai procesul de lipire reflow. Tipul I de
subansamblu conţine numai componente cu montare pe suprafaţă, mai este numit
“SMT pur”. Poate exista în varianta echipată pe o faţă sau pe ambele.

Succesiunea operaţiilor în cazul modulelor ce utilizează numai componente SMD

pe ambele feţe (Tipul I SMT)

2. Prezentaţi procesul de lipire în val (Etape, descriere, imagini, avantaje).

Rasp: Etape lipire in val: Aplicare adeziv, plasare componente SMD,
tartare adeziv-termin,UV, lipire in val.
Adezivii utilizaţi au rol de susţinere a componentelor la inversarea plăcii şi
imersarea în val. Nu toate componentele SMD pot fi lipite în val, de ex. cele "fine
pitch" sau anumiţi conectori.
 Lipirea la val este un proces de lipire pe scară largă (productivitate ridicată),
care permite asamblarea prin lipire a componentelor electronice pe plăcile cu
cablaj imprimat. Numele este dat de valul de aliaj de lipit în stare lichidă (figură)
peste care este trecută placa plantată în scopul lipirii terminalelor componentelor
electronice la traseele metalice neprotejate, procesul de lipire fiind realizat pe
partea inferioară a plăcii (bottom side). Lipirea în val este o metoda de lipire
automatizată foarte răspândită, în care atât căldura cât şi materialul lipiturii
(aliajul) sunt furnizate de valul de aliaj. Placa de circuit imprimat este deplasata
prin sistemul de lipire de către o bandă transportoare cu o viteză de circa 1,3-1,5
m/min, pentru a obţine profilul termic adecvat.
Procesul permite lipirea atât a componentelor electronice plantate pe partea
superioară a plăcii cu terminalele trecute prin găuri în placă (through-hole printed
circuit assemblies) , cât şi a componentelor asamblate prin lipire pe suprafaţă
(surface mounted devices). În acest caz, componentele vor fi lipite pe partea
inferioară a plăcii şi pentru a fi menţinute în timpul procesului, în special la
trecerea prin val, necesită, în prealabil, lipirea lor pe partea inferioară a plăcii cu
adeziv epoxidic. Procesul de lipire la val presupune utilizarea unor maşini
specializate care au o structură principial comună, conformă cerinţelor impuse de
necesitatea asigurării parametrilor procesului de lipire.
Prin introducerea unui sistem de transport al plăcii plantate între zona de
plantare a componentelor (manual şi / sau automat), maşina de lipit în val şi zona
de control a plăcii asamblate, se realizează o linie tehnologică de lipire la val (wave
soldering line).
3. Explicaţi depunerile chimice şi galvanice în procesul de realizare a
circuitelor imprimate şi rolul lor la realizarea circuitelor dublă faţă şi simplă
faţă.
Rasp:
Depunerea chimică a Cu:
Imersarea într-o baie reducătoare ce conţine ioni Cu2+ , de exemplu
soluţie de CuSO4 dizolvat în apă. Formaldehida, HCHO, este cel mai întâlnit
compus reducător. În această baie , ionul Cu2+ este redus la Cu care acoperă
întreaga suprafaţă , inclusive găurile, inclusiv suprafeţele izolatoare electric. În
acelaşi timp, formaldehida este oxidată în acid acetic. Grosimea depusă este de cca.
3 μm. Scopul depunerii este de a crea o suprafaţă conductoare, pentru etapele
următoare.
Depunerea electrochimică (electrolitică) a Cu: ( SAU GALVANICA)
Imersarea într-un electrolit care conţine ioni Cu2+ , cum ar fi CuSO4
dizolvat în H2SO4. Laminatul (placatul) este electrodul negativ (catod), iar
electrodul pozitiv (anod) este reprezentat de o placă metalică. În celula electrolitică
au loc următoarele procese
La anod cuprul este dizolvat:
Cu -> Cu2+ + 2e-.
La catod are loc următoarea reacţie :
Cu2+ + 2e- -> Cu,
Ca urmare, cuprul metalic este depus pe laminat . Este necesar un strat de
Cu depus de aproximativ 25 – 30 μm grosime, pentru a obţine o bună acoperire în
zona găurilor de trecere.

4 Acoperirea de protecţie a conductorului de cupru la PCB (Conductor

Finishes).Descriere, utilitate, avantaje comparative.
Rasp: În mod uzual cuprul este acoperit cu Sn, Sn-Pb, Au,
Ag, Pd (cu grosimi mici ~ μm)
 HASL (Hot Air Solder Leveling) – solderabilitate excellentă, probleme de
planeitate şi pentru “fine pitch”;
 OSP (Organic Solder Protection) – solderabilitate bună, fără probleme de
planeitate, protecţie pe durată limitată, se poate aplica pe toate substraturile;
 Ag-electroless (Ag chimic, depunere fără curent)- solderabilitate bună, nu
sunt probleme de planeitate;
 Ni şi Ni cu Sn şi-sau Au – solderabilitate bună, rezistenţă la uzură; (ex:
ENIG- Electroless Nickel Imerssion Gold)

5. Prezentaţi fluxul operaţiilor în procesul de realizare a circuitelor imprimate

simplu strat cu imagine negativă.

Rasp: Fabricarea pe baza imaginii negative

1. Cutting
2. Drilling, milling
3. Brushing
4. Surface preparation
5. Transfer of negative image (silk-screen, offset, photo)
6. Galvanic deposition of an etching resistant metal/alloy (Ag, Au, Zn-Pb, Sn-Pb)
7. Removal of the protection ink, rinsing
8. Etching
9. Decontamination
10. Solder-mask, silk-mask deposition
La fabricarea pe baza imaginii negative rolul de mascare la corodare revine
unui strat metalic (depunere) şi nu fotorezistului.

6. Prezentaţi fluxul operaţiilor în procesul de realizare a circuitelor imprimate

simplu strat cu imagine pozitivă.

Rasp:
Fabricarea pe baza imaginii pozitive
1. Tăiere
2. Găurire, frezare
3. Periere
4. Pregătire suprafaţă
5. Transferul imaginii positive (serigrafie, foto, offset)
6. Corodare (Etching)
7. Decontaminare (etching + decontamination agents )
8. Îndepărtarea cernelei de protecţie, spălare
 9. Depunere Solder-mask, silkmask

7. Metode de testare a solderabilităţii.

Rasp: Cele mai folosite metode de testare a solderabilității sunt, după cum
urmează:
- testarea ponderii de udare (wetting balance test),
- test de formare a punţilor de aliaj (bridging test),
- test de împrăştiere (spreading test).
Aceste metode sunt utilizate pentru compararea şi optimizarea diferitelor
aliaje fluxuri, finisări ale suprafeţelor PCB, parametri tehnologici ai lipirii
etc. Rezultatele testelor efectuate prin diferitele metode, de cele mai multe ori,
nu se pot compara direct.
Solderabiltatea componentelor şi a substraturilor înseamnă caracteristica de
umectare (udare) a suprafeţei de către aliajul de lipit topit. Poate fi caracterizată
de unghiul de contact (udare) ca în figura de mai jos:

Deoarece o măsurare directă a unghiului de contact este dificilă, există diferite

metode de testare pentru determinarea solderabilității.
Testul ponderii de udare : În principiu, procedura de testare este următoarea.
Terminalul sau suprafaţa de testat, este fluxat cu un flux standard de tip RMA şi
uscat puţin timp. Specimenul de test este apoi suspendat de un sistem de cântărire
sau senzor sensibil, şi cufundat într-o suprafaţă fără oxizi dintr-un aliaj de lipit
topit. Cufundarea se face de regulă prin ridicarea băii de lipire termostatată către
specimenul suspendat la o viteză controlată. Senzorul măsoară forţa verticală care
acţionează asupra probei.

8. Tensiunea superficială şi umectarea în procesul de lipire. Compuşii

intermetalici.

Rasp: Calitatea lipiturii depinde de procesele fizico-chimice care au loc la

contactul dintre aliajul de lipit şi metalul de bază. Deoarece aliajul de lipit, în
topitură, este un lichid, acesta va “uda” pad-ul, respectiv terminalul componentei.
Pe stratul superficial al aliajului de lipit acţionează tensiuni superficiale.
Coeficienţii de tensiune superficială γAliaj-Aer, γCu-Aer şi γ Cu-Aliaj, determină
unghiul de udare θ.
Dimensiunile lipiturii depind în mare măsură de valoarea unghiului de udare (θ),
care la rândul său depinde de coeficienţii de tensiune superficială, conform relaţiei:

- γCu-Aer este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre

suprafaţa pe care se face lipitura (pad-ul din Cu) şi gaz (aer);
- γ Cu-Aliaj este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre
suprafaţa pe care se face lipitura şi aliajul de lipit;
- γ Aliaj-Aer este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre
aliajul de lipit şi gaz;
- θ se numeşte unghi de udare şi este unghiul care apare între aliajul de lipit şi pad,
iar cosθ este coeficientul de udare. Tensiunile superficiale care apar la contactul
dintre aliajul de lipit şi metalul de bază (pad sau terminal) sunt destul de mari,
determinând apariţia fenomenului de capilaritate. Fenomenul de capilaritate este
foarte important la lipirea componentelor electronice. Datorită capilarităţii, aliajul
topit pătrunde şi umple spaţiile înguste dintre piesele ce trebuie lipite, asigurând o
lipitură de calitate.
Compusi intermetalici: Calitatea unei lipituri este determinată nu numai de
modul de umectare a suprafeţei ci şi de grosimea stratului de difuzie. Acest strat
este pus în legătură cu abilitatea sistemului metalurgic de a forma compuşi
intermetalici. Grosimea stratului compuşilor intermetalici depinde de temperatura
şi timpul de formare a lipiturii. În mod ideal, pentru Sn-Pb, o lipitură trebuie
realizată la aproximativ 220 °C timp de două secunde. Reacţia de difuzie dintre
cupru şi staniu va produce în aceste condiţii o grosime optimă a stratului
compuşilor intermetalici Cu3Sn şi Cu6Sn5 de 0,5 μm.
O grosime insuficientă a stratului de compuşi intermetalici face ca aspectul
lipiturii să fie cel cunoscut al unor lipituri reci sau al unor lipituri care au fost
realizate la o temperatură insuficientă. Acest lucru duce în mod sigur la rupere prin
forfecare la interfaţa respectivă. Pe de altă parte, un strat intermetalic prea gros, cu
un aspect al lipiturii care a fost supraîncălzită sau ţinută prea mult la temperatura
de lipire, poate duce la reducerea dramatică a rezistenţei la rupere a acesteia, după
cum se vede în figură.

9. Clasificare PCB, avantajele utilizării PCB.

Rasp:
Avantajele utilizării PCB
1. Se pot realiza producţii mari la preţuri unitare reduse.
2. Se reduce dimensiunea şi greutatea aparatului electronic.
3. Se pot utiliza metode de asamblare automatizate pentru plantare şi
interconectare (lipire).
4. Se asigură un înalt nivel de repetabilitate şi uniformitate a caracteristicilor
electrice a subansamblului electronic de la placă la placă.
5. De asemenea, nu se modifică caracteristicile electrice şi elementele parazite în
cadrul unei plăci, modificare care ar fi fost posibilă, de exemplu, prin operaţiile
de asamblare utilizate la tehnica „punct la punct”.
6. Prin poziţionarea componentelor în locuri bine stabilite pe placă se uşurează
intervenţiile de mentenanţă şi service a aparatului electronic.
7. Se reduce timpul de inspecţie, poziţiile fixe ale componentelor şi traseele
conductoare imprimate reducând posibilitatea de apariţie a defectelor.
8. Se reduc posibilele defecte de tipul unor conectări greşite, inclusiv scurtcircuite
sau conexiuni lipsă, dacă asamblarea componentelor a fost realizată corect.

Clasificare:
1. După numărul de straturi: - single layer
a. double layer
 b. multi-layer
2. După tipul substratului: - substrat rigid
a. substrat flexibil
b. substrat rigid–flex
3. După criteriul “layers/via” :
a. cu găuri ne-metalizate
b. cu găuri metalizate (PTH)
c. cu via speciale
d. cu conexiuni obţinute prin tehnologii additive
4. După criteriul “Tehnologii de fabricaţie” :
- tehnologie substractivă
- tehnologie aditivă
- tehnologie semi- aditivă
5. După criteriul “Punct de vedere funcţional” :
- structuri de interconectare pure
- conţin componente PCB, R, L, C, elemente de microunde,
linii cu constante distribuite
- parte a dispozitivelor de comutaţie
- parte a maşinilor electrice

10. Materiale pentru PCB (conceptul de miez, laminat, folie, Tg), miezuri
speciale PCB, ţesătură.

Rasp: Materiale pentru PCB: miez,folie metaliza, material pentru contact

intre folia metalica si substrat.
Miez: un substrat dielectric.
1. Proprietăţi electrice: rezistivitate, permitivitate relativă, factor de pierderi
(tangenta δ- unghiul de pierderi), rigiditate dielectrică => bune şi stabile în
timp;
2. Rezistenţă la temperatura de lucru şi la temperature de lipire (200 – 260 °C);
3. Absorbţie minimă a umidităţii;
4. Stabilitate dimensională şi comportare bună la solicitări mecanice;
5. Stabilitate chimică şi la factori de mediu;
6. Ne- inflamabile (flame resistant/retardant- FR);
7. Prelucrare mecanică convenabilă;(frezare, găurire, poansonare – ştanţare)
8. Preţ redus;
Tan δ: Factorul de pierderi creşte cu temperatura şi cuumiditatea şi scade uşor cu
frecvenţa
Tipuri de miez:
a) Miez stratificat (întăritor + răşină) – substraturi de hârtie, fibre textile
sau fibre de sticlă impregnate cu răşină şi tratate termic la mare presiune;
Ex.: hârtie + răşină fenolică = FR2
fibre de sticlă + răşină epoxidică = FR4
b) Miez organic termoplastic
- folie de poliamidă (foarte bună dar scumpă);
- folie de poliimidă;
- folie de poliester (PET);
- folie de polietilenă;
- folie de polipropilenă;
c) Miez ceramic:
– bazat pe diferiţi oxizi (Al2O3 – cel mai utilizat);
– mai ales în tehnologia aditivă
d) Miezuri speciale;
PCB laminat Semifabricatul uzual de la care se pleacă la fabricaţia PCB
este numit, generic, laminat. Este un material compozit ce conţine mai multe
straturi laminate de material întăritor (reinforcement) şi liant (binder)
Ex. de liant:
răşină fenolică – produse de larg consum sau cu preţ mic
răşină epoxidică – produse profesionale
poliimidă şi altele – produse de înaltă performanţă sau cu cerinţe deosebite
Ex. de materiale de întărire:
hârtie
fibre de sticlă ţesute
fibre de cuarţ, de aramid (Kevlar), de carbon
Tg Tg, temperatura de tranziţie a sticlei , reprezintă graniţa dintre starea
sticloasă, caracterizată prin duritate , tărie , şi CTEmic şi starea non-vitroasă (~
gel), cu o dilatare excesivă a materialului, CTE mare, duritate mică. De cele mai
multe ori un material cu Tg mare are o comportare mai bună la temperaturi
mari. Pot exista şi excepţii, de ex. materialul 2, deşi are Tg mult mai mică decât 1
şi 3, datorită alungirii mai mici peste Tg are un comportament mai bun decât
materialul 3 şi chiar decât 1 la temperaturi foarte mari.
 Miezuri speciale: bazat pe sticla si aluminiu

Ţesătura din fibre de sticlă

Există o mare varietate de ţesături în funcţie de compoziţia sticlei, diametrul
firelor, tipul fasciculului (fibrelor), forma şi modul de ţesere, etc.

11. Circuite imprimate cu găuri metalizate, avantaje, etape caracteristice în

tehnologie care diferenţiază procesul de cel simplu strat, fără găuri
metalizate.
Rasp: De ce găuri metalizate?
1. Asigură contact electric între straturi;
2. Lipire de înaltă calitate a componentelor electronice;
3. Fixare mai bună a terminalelor;
4. Funcţionare cu performanţe superioare a
5. ansamblului PCB, pe baza numărului mai mare de staturi (plane de masă,
decuplări);
Flux tehnologic circuite imprimate dublu strat cu gauri metalizate: laminat
dublu strat,gaurire,depunere chimica Cu, aplicare fotorezist, developare fotorezist,
depunere galvanica Cu, depunere galvanica strat rezistent la corodare, indepartare
fotorezist, corodarw Cu, indepartare strat protector corodare, imprimare masca
lipire, acoperire protectie finala.

12. Lipirea prin procedeul reflow cu IR, cuptoare, profiluri de temperatură,

explicaţii.
Rasp: trei tipuri de procese IR:
Clasa I: sisteme cu radiaţie IR dominantă.
Clasa II: sisteme cu convecţie sau IR dominantă (selectabile).
Clasa III: sisteme cu convecţie dominantă.
În toate aceste sisteme, există oricum surse de radiaţie şi de convecţie, dar
ele diferă ca pondere de la un sistem la altul. De obicei, cuptoarele au o bandă
transportoare, care mişcă placa de-a lungul unor zone cu temperatură controlată.
Numărul acestor zone poate fi între 2 şi 20, fiecare dintre ele fiind încălzită cu
lămpi IR sau panouri ceramice, iar controlul se face cu termocupluri interne.
Cuptoare cu banda rulanta: montajul trece prin zone de încălzire separate
• temperaturile zonelor de încălzire pot fi controlate separat
• profilul termic este controlat de temperaturile zonelor de încălzire şi de viteza
benzii
• ΔT poate fi mic!
Profilul termic depinde de pasta utilizată, atmosfera în care are loc
procesul, masa termică şi tehnologia de realizare a plăcii plantate ce urmează să fie
lipită. Pentru reglarea precisă a profilului termic funcţie de variabilele prezentate,
în mod specific produsului ce urmează să fie lansat în producţie, se utilizează un
dispozitiv specializat (profiler) de achiziţie a temperaturilor măsurate cu
termocupluri amplasate în diferite zone pe placă. Dispozitivul urmează placa pe
traseul din cuptor şi transmite radio datele privind temperaturile măsurate către o
interfaţă specializată conectată la un calculator în scopul afişării şi înregistrării
rezultatelor. Metoda este iterativă şi plecând de la un profil propus, prin câteva
iteraţii, în cursul cărora se ridică profilul termic real al plăcii şi se inspectează
calitatea lipiturilor optic şi cu radiaţii X, se stabileşte profilul termic optim pentru
producţia de serie.

13. Lipirea prin procedeul reflow prin VPS, cuptoare, profiluri de

temperatură, explicaţii.
Rasp: Lipirea în fază de vapori ( Vapor Phase Soldering) sau lipirea în
condensare, cum a fost iniţial numită este o metodă de lipire ce este utilizată din ce
în ce mai des mai ales la lipirea aliajelor lead-free.
Se bazează pe următorul principiu pentru încălzirea şi topirea pastei de lipit:
Atunci când un corp rece este plasat în regiunea cu vaporii saturaţi ai unui fluid
ce fierbe, vaporii condensează instantaneu pe suprafaţa sa şi cedează căldura
latentă de condensare a lor. Acest transfer continuă până când corpul atinge
aceeaşi temperatură cu cea a vaporilor. Există multe fluide stabile şi inerte din
punct de vedere chimic cu temperaturi de fierbere care se pot utiliza la aplicaţiile
de lipire din electronică. Lipirea VPS a început să fie din nou în atenţie înainte de
lead free, pentru lipirea componentelor BGA. La acestea era necesară o încălzire
atât din partea superioară cât şi din cea inferioară şi era necesar să se atingă
maximul temperaturii în acelaşi timp, lucru mai dificil de obţinut la cuptoarele cu
IR şi convecţie. La procedeul VPS, acest lucru se obţine în mod natural.
 Temperaturile de lucru pot fi alese dintr-o gamă largă de produse (200,
215, 225, 230, 235, 240°C), se pot lipi şi plăci dublă faţă, există şi varianta de
lipire „in-line”. PCB-ul este încălzit de energia termica emisă la schimbarea de
fază a lichidului de transfer a căldurii prin condensarea pe placă. Lichidul utilizat
este ales având in vedere ca punctul său de fierbere să corespundă aliajului de lipit
care trebuie retopit.

14. Adezivi conductori, procedee de aplicare, avantaje, dezavantaje.

Rasp: Adezivi conductor ECA – Electrically Conductive Adhesives
Utilizaţi la realizarea interconectărilor, ca posibili înlocuitori ai aliajelor de
lipit de tipul Sn-Pb
•Posibil de utilizat numai în tehnologia montării pe suprafaţă
•Sunt ecologici, nu conţin plumb
•Adezivii conductori oferă varianta unui proces de montare a componentelor
electronice la o temperatură relativ scăzută Produc solicitări mecanice mai reduse
asupra componentelor
•Asamblarea componentelor necesită o precizie şi o rezoluţie mai mare decât
în cazul aliajul de lipit
Tipuri de adezivi conductori: izotropici, anizotropici, electric
conductor intr-o singura directie.
Avantaje si Dezavantaje:
• Procesul de realizare a lipiturii prin adeziv conductor necesită mai puţine operaţii
ca în cazul utilizării aliajului de lipit
• Element important: procesul de aplicare a adezivului
• Pastilele de lipire (padurile) circuitelor imprimate trebuie reproiectate, faţă de
cele utilizate pentru aliajul de lipit clasic
• Temperatura de procesare este suficient de scăzută
producând o solicitări reduse componentelor electronice
• Se pot utiliza circuite imprimate flexibile
• Corespund standardelor de protecţie a mediului (lead free)
Dezavantaje:
•Asamblarea componentelor necesită o precizie şi o rezoluţie mai mare - nu
se mai realizează autoalinierea componentelor
•Rezistivitate volumică mult mai mare ca a aliajului de lipit
•Domeniul temperaturilor de lucru este mai îngust
• Aplicabilitate limitată în electronica de putere
•Sunt încă în proces de dezvoltare, nu sunt un produs matur
•Sunt scumpi, datorită metalelor nobile incluse
•Stocarea adezivilor epoxidici izotropici monocomponentă necesită răcirea la –40
°C, deci implică costuri suplimentare
15. Obţinerea plachetei de siliciu, procesarea plachetei de siliciu, difuzie,
implantare ionică.

Rasp: Procesarea plachetei de Si: Procesarea plachetei de siliciu

presupune o serie complexă de operaţii. Aceste operaţii implică oxidarea siliciului,
creştere de straturi subţiri diverse, inclusive metalizări, dopare. Pentru definirea
formelor se utilizează procedeul litografic.
Pentru creşterea de straturi subţiri se utilizează metode CVD (Chemical
Vapor Deposition) care au loc în cuptoare (reactoare) la temperaturi înalte.
Epitaxia este o creştere a unui strat pe un substrat cu reţea cristalină identică. O
metodă mai complexă este MBE –Molecular Beam Epitaxy.
Realizarea zonelor semiconductoare de tip „p” şi „n” se realizează prin
procedeele de difuzie din stare gazoasă (impurificare la suprafaţă) sau prin
implantare ionică (impurificare în adâncime).

2. REALIZAREA DOPĂRII-DIFUZIA ŞI IMPLANTAREA IONICĂ

Difuzia sau doparea este procesul prin care atomii de impuritate sunt aduşi
în interiorul unui monocristal de Si pentru a-l converti într-un semiconductor de tip
n sau de tip p. Elemente dopante din grupa a V-a: P (fosfor), As (Arseniu) şi Sb
(Stibiu, antimoniu) numite şi impurităţi donoare vor putea produce material
semiconductor de tip n.
Elemente din grupa a III-a, ca B (Bor), numite şi impurităţi acceptoare vor
produce semiconductori de tip p. Parametrii procesului depind de tipul
impurităţilor, concentraţia lor, timpul de difuzie şi temperatură.
Prin difuzie se realizează concentraţii ale atomilor de impuritate ce scad de la
suprafaţă spre interiorul plachetei. Prin implantare ionică, dacă atomii au viteze
mari, este posibil să se realizeze concentraţii mai mari în interiorul plachetei.

16. Comentaţi procedeele de realizare a monocristalelor semiconductoare.

17. Ajustarea structurilor rezistive în TSG.

Rasp: Unul din avantajele majore ale tehnologiilor peliculare, atât

tehnologia straturilor subţiri cât şi tehnologia straturilor groase este posibilitatea de
ajustare a componentelor pasive şi în special a rezistoarelor.
Ajustarea poate fi realizată punctual sau se poate realiza o ajustare funcţională prin
care se doreşte obţinerea unei anumite funcţii de circuit acţionând asupra unui
număr redus de componente.
Stabilitatea rezistoarelor ajustate este mai mică ca a celor neajustate. În plus
ajustarea are un efect negativ şi asupra coeficientului de temperatură şi a factorului
de zgomot, deci trebuie realizată numai dacă nu există altă alternativă.
Ajustarea rezistoarelor se poate realiza pe baza următoarelor principii :
- modificarea dimensiunilor plane
- modificarea rezistivităţii materialului
- modificarea grosimii stratului
Operaţia de ajustare este necesară în vederea aducerii valorii rezistenţei la
valoarea dorită. În urma procesului de fabricaţie, care este privit ca un proces ce
depinde de multe variabile aleatoare, valoarea dorită a rezistenţei se obţine cu o
anumită eroare, eroare care trebuie luată în calcul la proiectare.
Principalele metode de ajustare sunt: ajustarea cu laser, ajustarea prin
sablare, aplicabile atât rezistoarelor în TSS cât şi în TSG. Alte procedee cu
aplicabilitate mai restrânsă sunt: ajustarea prin electroeroziune, ajustare prin
aplicarea de impulsuri de tensiune, gravarea cu un ac de wolfram sau diamant.

18. Prezentaţi tipurile de paste utilizate în TSG şi exemple de aplicaţii.

(proprietăţi, depunere, tratament, structuri).

Rasp: 1. Paste conductoare

Pastele conductoare sunt utilizate la realizarea interconexiunilor, a padurilor
de conectare a terminalelor şi de ataşare a dispozitivelor discrete (wire bonding), a
rezistoarelor de valori scăzute, a armăturilor condensatoarelor.
Principalele paste sunt pastele pe bază de paladiu-argint, paladiu-aur,
aurplatină. Se mai utilizează paste pe bază de platină, cupru, nichel. Un tip de pastă
conductoare specială este cea de tip polimeric în care compuşi de argint şi
carbon sunt dispersaţi într-un polimer termoplastic cu adaos de solvent.

2. Paste resistive
Alegerea unei anumite paste rezistive trebuie făcută în corelaţie cu pasta
conductoare. Pastele utilizate la realizarea straturilor rezistive se împart în
organometalice şi cermeturi.
Pastele organometalice se bazează pe compoziţii în care atomul metalic este
ataşat unui atom de oxigen (sau sulf) legat de un atom de carbon. Când are loc
descompunerea termică se depune pe substrat un strat rezistiv.
Compoziţiile pe bază de metale nobile realizează straturi metalice în timp ce
alte metale realizează straturi de oxizi metalici. Temperaturile relativ scăzute la
care are loc descompunerea termică (250 ÷ 500 °C) permit utilizarea ca substrat a
sticlei.
 Compoziţiile de tip cermet constau din particule conductoare (metalice)
înglobate într-o fază sticloasă, izolatoare. Principalele sisteme de paste tip cermet
sunt cele pe bază de:
- oxid de paladiu/argint ( PdO/Ag )
- oxid de ruteniu ( RuO2 )
- platină/ oxid de iridiu ( Pt/ IrO2 )
În categoria pastelor rezistive se încadrează şi pastele care conduc la
realizarea de termistoare.

3. Paste dielectrice
Domeniile de utilizare a pastelor dielectrice pot fi împărţite în:
- paste pentru glazuri de protecţie
- paste izolatoare pentru suprapuneri de trasee conductoare (crossover)
- paste pentru condensatoare
Glazurile de protecţie trebuie să aibă permitivitate dielectrică redusă. Ele
acţionează ca strat de pasivare protejând straturile rezistive împotriva distrugerii
prin contact cu corpuri străine şi limitează acţiunea agenţilor de mediu ca:
umiditate, atmosferă reducătoare ş.a. Pentru a permite ajustarea cu laser grosimea
glazurii de protecţie nu trebuie să depăşească 15 μm.

4. Paste de lipit
Utilizarea pastelor de lipit se impune în realizarea circuitelor integrate
hibride atunci când se utilizează ataşarea componentelor discrete.
Lipirea propriu-zisă are loc după ataşarea componentelor, printr-un procedeu de tip
reflow. Deoarece ca paste conductoare se utilizează pe scară largă pastele cu
conţinut de argint, pentru a împiedica difuzia atomilor de Ag în aliajul de lipit este
necesară modificarea compoziţiei aliajului Sn-Pb prin adăugarea de Ag (~ 2 %).
Pentru ataşarea componentelor la traseele pe bază de aur sunt utlizate aliaje
de lipit speciale cu conţinut de indiu.

19. Descrieţi procesul fotolitografic cu exemplificare la dispozitivele

semiconductoare.
Rasp: Procedeul fotolitografic se utilizează în TSS, la fabricaţia circuitelor
imprimate, a circuitelor integrate şi în alte domenii ale electronicii pentru
definirea cu precizie a formelor. Definirea formelor prin fotolitografie se bazează
pe aplicarea neselectivă peste structură a unui strat de fotorezist, strat în care
urmează a se genera formele dorite prin expunerea selectivă la acţiunea unei
radiaţii (în general în spectrul vizibil sau UV).
Relieful creat în stratul de fotorezist urmează a se transfera stratului printr-o
acţiune de corodare în care fotorezistul are rol de mascare (protecţie) a
domeniilor ce nu trebuiesc îndepărtate. Etapele sunt: etalare/ uscare fotorezist,
expunere, developare/ spalare, corodare, indepartare fotorezist.
Exemplificare semiconductoare: Tehnologia modernă a dispozitivelor
semiconductoare pe bază de siliciu este aşa numita tehnologie planară. Structuri
integrate in siliciu: rezistoare ( difuzate,in stratul epitaxial, ciupite, straturi suntiri).