Dioda semiconductoare

Obiectiv
Obiectivul lucrării este ridicarea caracteristicii diodei semiconductoare.

Noțiuni teoretice
Dioda semiconductoare este un dispozitiv construit folosind o joncțiune p-n. Studiul unui astfel de
dispozitiv implică rezolvarea ecuației transcendentale,
𝑞𝑈𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 exp⁡( )
𝑚𝑘𝑇
Unde 𝐼𝐷 este curentul prin diodă la o cădere de tensiune 𝑈𝐷 pe terminale, 𝐼𝑠 este curentul de saturație,
𝑞 sarcina electronului, 𝑚 o constantă de material, 𝑘 constanta Boltzmann, 𝑇 temperatura joncțiunii.
Ecuațiile utilizate în studiul unui circuit în care există o diodă semiconductoare, implică construcția unui
sistem de cel puțin două ecuații cu două necunoscute, în acest caz (𝐼𝐷 , 𝑈𝐷 ). Cel mai simplu montaj
pentru ridicarea caracteristicii unei diode semiconductoare este prezentat în figura 1.

E
V

Fig.1. Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicii diodei semiconductoare (E – sursa de

tensiune, R rezistență de limitare a curentului, V – voltmetru, A - ampermetru)

Modul de lucru
Am construit în aplicația QUCS, un circuit plecând de la montajul din figura 1.

Simularea folosește facilitățile aplicației QUCS, de a simula același circuit pentru diferite valori ale
parametrilor (simulare SWEEP PARAMETER). Am ales pentru această lucrare, modificarea valorii
rezistenței. În figura 2 este prezentată o captură de ecran pentru circuitul simulat, unde sunt evidențiate
grafic caracteristica diodei, respectiv sub formă de tabel, modificările curentului prin sursa de tensiune
continuă, fixată la valoare de 5V.
Fig. 2. Simularea diodei semiconductoare în aplicația QUCS

Pentru a pune în evidență evoluția curentului conform ecuației transcendentale dată mai sus am
adăugat în grafic și curba calculată, considerând Ud cunoscut.

Concluzii
Observăm asemănarea dintre cele două curbe (albastru, roșu), o mică deviație la valori mai mari ale
𝑞
tensiunii la borne apare datorită faptului că am utilizat la exponențială o valoare a factorului =
𝑚𝑘𝑇
0,026V, valoare corectă pentru o temperatură de 20oC.