MINISTERUL ÎNVĂŢĂMÂNTULUI

AL REPUBLICII MOLDOVA

UTM

Catedra TLC

la disciplina: “”

TEMA:

A elaborat: st. gr.

A verificat:

Chişinău 2013
2
1. Tranzistorul bipolar.
1.1. Parametrii de bază ai tranzistorului KT601A.

Tranzistor bipolar de tip n-p-n, fabricat prin metoda difuziei, de

putere medie şi frecvenţă înaltă se foloseşte în circuite de generare
şi amplificare din aparatajul radioelectronic.
Masa tranzistorului nu mai mult de 3 grame.
Parametrii electrici:
Parametrii electrici:
1.Coeficientul de transfer după curent în schema emitor comun:
h21E =16
2. Tensiunea colector-bază: UCB=20 V
3. Curentul colectorului maxim: ICmax=0,3 A
4. Capacitatea joncţiunii colectorului: CC=15 pF
5. Capacitatea joncţiunii emitorului: CE=20 pF
6. Frecvenţa de tăiere: ft=40 MHz
7. Curentul de scurgere a colectorului: ICB0 ….500 A
8. Puterea maximă: Pmax=0,5 W
9. Temperatura de funcţionare: T=233....358oK

3
1.2.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT601A.
Tranzistorul este un dispozitiv având o structură de tip n-p-n sau
p-n-p, la care regiunea din mijloc, adică baza trebuie să fie foarte
subţire şi puţin dotată cu impurităţi. Se consideră a nota cu E-
emitorul, cu B-baza şi C-colectorul.
Difuzia este procesul cu ajutorul căruia pe suprafaţa sau în
interiorul plachetei semiconductoare primim p sau n regiuni prin
metoda introducerii impurităţilor acceptoare sau donoare.
Pătrunderea impurităţilor în interiorul plachetei semiconductoare
are loc din cauza difuziei atomilor, care se află în componenţa
vaporilor în atmosfera cărora este introdusă placheta la
temperatură înaltă. Deorece atomii de impurităţi difundează din
regiunea cu concentraţie înaltă cu viteză determinată de
coeficientul de difuzie, atunci concentraţia mai mare a impurităţilor
se obţine la suprafaţa semiconductorului. Cu mărirea distanţei de
la suprafaţă spre interiorul semiconductorului concentraţia
impurităţilor monoton se micşorează. Joncţiunea p-n apare în
regiunea unde concentraţia purtătorilor de sarcină este aproape de
cea pe care o are materialul fără impurităţi. Din cauza repartiţiei
neuniforme a impurităşilor pe grosimea regiunii primită prin difuzie
are câmp electric propriu.
Diferenţa dintre mărimile coeficientului de difuzie la materiale
diferite este folosită pentru primirea simultană a două regiuni de
diferit tip de electroconductibilitate. Pentru Ge coeficientul de
difuzie a impurităţilor donoare este cu câteva ordine mai mare
decât coeficientul de difuzie a impurităţilor acceptoare, iar în Si se
observă o imagine inversă. De aceea dacă placheta
semiconductorului este plasată într-un spaţiu cu temperatură
înaltă a gazului ce conţine vapori de impurităţi atât donoare, cât şi
acceptoare. Atomii impurităţilor cu coeficient de difuzie mare vor
pătrunde mai adânc în interiorul semiconductorului şi vor forma
regiune cu electroconductibilitate respectivă. Atomii de impurităţi
cu coeficient de difuzie mai mic vor forma în apropierea suprafeţei
semiconductorului regiune cu electroconductibilitate de tip opus.
Cu toate acestea e necesar ca concentraţia impurităţilor cu
coeficient mic de difuzie să fie mai mare decât concentraţia cu
coeficient mare. Calitatea procesului de difuzie la fabricarea
joncţiunilor depinde mult de precizia şi de menţinerea temperaturii
necesare. De exemplu la temperatura 1000÷1200C schimbarea ei
cu câteva grade poate modifica de două ori valoarea coeficientului
de difuzie.
Difuzia în două etape este folosită pentru micşorarea influienţei
instabilităţii temperaturii la calitatea dispozitivelor

4
semiconductoare, primite prin metoda difuziei. La prima etapă pe
suprafaţa plachetei semiconductoare la temperatură relativ joasă se
primeşte o peliculă de sticlă. La a doua etapă placheta
semiconductoare este plasată într-o sobă cu temperatură înaltă, în
care difuzia impurităţilor are loc din pelicula de sticlă spre
interiorul plachetei, iar pe suprafaţa semiconductorului rămâne o
peliculă dielectrică de oxid. Difuzia în două etape este procesul des
folosit la introducerea impurităţilor de B în Si. În calitate de sursă
de impurităţi se foloseşte oxidul de bor (B2O3). Încălzind placheta şi
B2O3 în atmosfera de hidrogen, pe suprafaţa ei se primeşte un strat
de borosilicat. Încălzirea plachetei până la temperaturi înalte aduce
la difuzia borului din stratul de sticlă în interiorul plachetei. Cu
toate acestea suprafaţa este acoperită cu SiO 2, care este un
dielectric. În acest fel prin difuzia în două etape are loc dozarea
introducerii impurităţilor din startul de sticlă în semiconductor.
Pentru fabricarea tranzistorului KT601A, care este de tip n-p-n,
se foloseşte metoda de difuzie planară. Din punct de vedere
constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea că
toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a plachetei,
deaceea şi electrozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte.
Masca în formă de oxid de siliciu SiO2, o primim prin metoda
oxidării termice a suprafeţelor de siliciu, care posedă următoarele
proprietăţi:
1. Masca de oxid este legată organic cu suprafaţa plachetei, având
un contact trainic cu ea, ceea ce exclude pătrunderea difuzorului
în locul dintre mască şi suprafaţă.
2. Grosimea măştii de oxid (aproximativ un micron) este destul
pentru apărarea părţilor respective a plachetei împotriva atomilor
ce difuzează.
3. Stratul d oxid în acelaşi timp cu funcţia de mascare îndeplineşte
şi funcţia de apărare (înseamnă şi a n-p joncţiunii, care iese la
suprafaţă) de la influienţa diferitor factori externi. În cazul,
tehnologiilor de aliere şi mesa pentru asta este nevoie de a folosi
metode speciale de protecţie.
Ciclul de fabricare planară a tranzistorului n-p-n este ilustrat în
figura 1. Se ea o plachetă din Si tip-n, care în structura rezultantă
joacă rolul de colector. Pe această plachetă peste prima mască de
oxid se efectuiază difuzia acceptorului (de obicei bor) şi se primeşte
stratul p al bazei. Apoi peste a doua mască se face difuzia donorilor
(de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. În sfârşit cu
ajutorul celei de-a treia măşti de oxid se conectează contactele
omice din aluminiu la toate cele trei straturi şi în continuar esunt
lipite la aceste contacte sârmuliţe subţiri care joacă rolul de
picioruşe ale tranzistorului.

5
 În varianta considerată placheta este aleasă cu o rezistenţă destul
de mare, pentru a asigura o tensiune de străpungerea a joncţiunii
colectorului necesară.

SiO2

a)

b)

с)

E B C

b)

Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip n-p-n.

a) placheta înaintea difuziei bazei.
b) placheta înaintea difuziei emitorului.
c) placheta înaintea alierii contactelor omice.
d) Structura rezultantă a tranzistorului de tip n-p-n.

6
1.3. Caracteristica de intrare şi ieşire pentru
tranzistorul KT601A.

Caracteristica de intrare IB=f(UBE) pentru UCE=const. În conexiunea EC normală

curentul de bază este dat de relaţia:
 
I B  I E  I C  I E 1  α N  I CB0 
IE
1  βN
 I CB0

Relaţia de mai sus pune în evidenţă că asemănarea caracteristicii de intare este

aceeaşi ca şi la conexiunea BC, cu observaţia că reprezentarea se face la o altă
scară. Pentru valori mici ale tensiunii de polarizare directă a joncţiunii emitorului,
caracteristica de intrare apare în cadranul IV întrucât în circuitul bazei predomină
curentul rezidual ICB0. La tranzistoarele din siliciu, curentul rezidual este foarte
mic, astfel încât caracteristica de intrare se poate considera că trece prin origine.

Fig .1. Caracteristica de intrare IB=f(UEB), pentru UCE=const.

Caracteristica de ieşire a tranzistorului bipolar KT601.

7
1.4. Scheme echivalente ale tranzistorului bipolar (BC,
EC, CC).

Conectare emitor comun.

Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) şi poate fi conectat în
circuit după unul din montajele fundamentale (BC, EC, CC); montajele
fundamentale sunt denumite şi conexiuni fundamentale.
Vom analiza mai detaliat schema de conectare în emitor comun care are cea mai
largă utilizare în practică:

Această conectare are următoarea

schemă echivalentă:

Fig. 1. Schema de conectare în emitor comun

fig. 2. Schema echivalentă ( emitor comun ).

Din schema echivalentă rezultă următorii parametri:
- rezistenţa de intrare în etaj
U in
Z in  ; (1)
I in

 
U in  I b rb  I E rE  I b rb  I b ( 1   E )rE  I b rb  rE ( 1   E ) ; (2)
Înlocuind în (1) pe Iin cu Ib şi pe Uin cu valoarea ei din (2) obţinem:
U in
Z in .tr .   rb  rE ( 1   E )  rb  rE ; (3)
I in

Conectare bază comună.

8
 fig. 3. Schema de conectare ( bază comună ).

Pentru această conectare se poate prezenta următoarea schemă de conectare:

fig. 4. Schema echivalentă ( bază comună ).

Conectare colector comun.
Coeficientul de transfer după curent reprezintă raportul dintre curentul emitorului
şi curentul bazei:
IE
KI   1
IB

Proprietatea cea mai de preţ a conexiunii în colector comun este rezistenţa de

intrare foarte joasă. Datorită rezistenţei de intrare reduse tranzistorul în
conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se
schimbă neesenţial la variarea rezistenţei de sarcină (bineînţeles pînă cînd
rezistenţa de sarcină nu depăşeşte cu mult rezistenţa de ieşire a generatorului).

9
 fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).

1.5. Modelul matematic al tranzistorului.

Pentru a obţine modelul matematic al tranzistorului se utilizează schema

prezentată în fig. 1. Fiecare joncţiune este prezentată în formă de o diodă simplă,
iar interacţiunea dinre ele este reprezentată prin două generatoare de curent. Dacă
joncţiunea emitorului este deschisă atunci în circuitul colectorului va curge un
curent, puţin mai mic ca curentul emitorului (din cauza procesului de recombinare

10
în bază). Acest curent este obţinut de către generatorul de curent  N I 1   N  1  .
Indicele N reprezintă conectarea normală sau directă. Deoarece în caz general
tranzistorul poate fi conectat şi indirect, la care joncţiunea colectorului este
deschisă iar cea a emitorului este închisă, astfel rezultă că curentului colector I 2 îi
corespunde curentul emitorului  I I 2 , în schema echivalentă este introdus al doilea
generator de curent  I I 2 , unde  I - coeficientul de transfer al curentului
emitorului.
În aşa fel curenţii emitor şi colector în caz general conţin două componente:
cea injectată ( I 1 sau I 2 ) şi cea colectată (  I I 2 sau  N I 2 ):
I E  I 1  I I 2 , I C   N I 1  I 2 . (1)
Joncţiunile emitor şi colector sunt analogice joncţiunii p-n a diodei. La
conectarea aparte a joncţiunilor tranzistorului atunci caracteristica Volt-Amper se
determină la fel ca în cazul diodei. Însă dacă la una din joncţiuni se aplică o
tensiune, iar ieşirea cealeilalte joncţiune se scurtcircuiteză, atunci curentul, care
trece prin joncţiunea p-n, la care a fost aplicată tensiunea, se măreşte din cauza
schimbării concentraţiei purtătorilor minoritari de sarcină în bază.

I 1  I ET  e U EB  T  1  ; I 2  I CT
U

 e CT  T  1 , (2)
unde I ET - curentul termic al joncţiunii emitorului măsurat la scurtcircuitarea
electrozilor bazei şi colectorului; I CT  - curentul termic al joncţiunii colectorului
măsurat la scurtcircuitarea electrozilor bazei şi emitorului.
Legătura dintre curenţii termici a joncţiunilor I CT , I ET , conectaţi aparte, şi
curenţii termici a joncţiunilor I CT  , I ET o primim din relaţiile (1) şi (2). Să
presupunem că I E  0 , atunci I 1   I I 2 . Cînd U CB   T I 2   I CT  . Substituim
aceste relaţii în (1) şi obţinem pentru curentul colectorului următoarea ecuaţie
  I CT  1  N  I  .
I CT
Respectiv pentru I ET avem I ET  I ET  1 N  I 
Luînd în consideraţie relaţia (2) vom avea următoarele relaţii pentru curenţii
colector şi emitor:
  e U CT  T  1  ;
I E  I ET  e U EB  T  1   I I CT (3)
I C   N I ET  e U EB  T  1   I CT  e U CT  T  1  ;
Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:
 
I B  I E  I C   1   N  I ET e U EB T  1   1   I  I CT 
 e UCB T  1 (4)
La utilizarea relaţiilor (1)-(4) trebuie de reţinut că în tranzistoare la general
este valabilă relaţia:
 N I ET   I I CT . (5)
Rezolvînd ecuaţia (3) în raport cu C , vom boţine: I

I C  N I E  I СЕ e UCB T  1 .  (6)
Această ecuaţie descrie caracteristicile de ieşire ale tranzistoarelor.
Dacă ecuaţia (3) se rezolvă în raport cu U EB atunci se obţine relaţia care
reprezintă caracteristicile idealizate de ieşire ale tranzistorului:
 
U EB   T I E I E I ET  1   N e UCT T  .  (7)

11
 În tranzistorul real în afară de curenţii termici ale joncţiunilor mai sunt şi
curenţii de generare-recombinare, curenţi de canal şi de scurgere. Deaceea
 , I ET , I ET de regulă sunt necunoscute.
I CT , I CT
Dacă joncţiunea p-n este polarizată indirect atunci curentul termic poate fi
înlocuit cu curentul de scurgere, adică putem considera că I CT  I CB 0 şi I ET  I EB 0 .
Prima aproximare poate fi utilizată şi la polarizarea directă. Cu toate acestea la
tranzistorii de siliciu  T trebuie substituit prin m  T , unde coeficientul
m reprezintă influienţa curenţilor asupra unei joncţiuni reale ( m  2  4 ). Utilizînd
aceasta, relaţiile (3) şi (5) adesea se scriu în altă forma care este mai comodă la
calcularea parametrilor circuitelor cu tranzistori reali:
IC 
1
A
    
 N I EB0 e U EB mT  1  I CB 0 e U EB mT  1 ; (8)
IE 
1
A
    
I EB 0 e U EB mT  1   I I CB 0 e UCB mT  1 ; (9)
 N I EB 0   I I CB 0 (10)
unde A  1   N  I .
Se deosebesc trei regime de bază de funcţionare a tranzistorilor bipolari:
activ, de blocare şi de saturaţie.
În regimul activ una din joncţiunile tranzistorului este polarizată direct
datorită tensiunii aplicate din exterior, iar cealaltă este polarizată indirect. Astfel în
regim de polarizare normală activă emitorulu este polarizat direct iar tensiunea
U EB din relaţiile (3) şi (8) are semnul „+”. Joncţiunea colectorului este polarizată
indirect respectiv tensiunea U CB în relaţia (3) are semnul „-”. La conecatrea
inversoare a tranzistorului în ecuaţiile (3) şi (8) tensiunea U EB şi U CB trebuie să
aibă polaritate opusă. Deosebirea dintre regimul inversor şi cel activ are numai
caracter cantitativ.
Pentru regimul activ, cînd  U CB   T şi I CT  I CB 0 relaţia (6) o vom scrie
în forma următoare I C   N I E  I KB 0 , care corespunde absolut cu relaţia (1) din
punctul anterior.
Luînd în consideraţie că deobicei  N  0 ,9  0 ,995 şi  1   N   0 ecuaţia (7)
poate fi simplificată:
U EB   T ln I E I ET   T ln I E  1   N  I   I EB 0 (11)
În acest mod, într-un tranzistor ideal curentul colector şi tensiunea emitor-
bază la o anumită valoare a curentului I E nu depind de tensiunea alpicată la
joncţiunea colector. În realitate la modificarea tensiunii U CB se modifică lărgimea
bazei, din cauza schimbării dimensiunilor joncţiunii colector şi respectiv se
modifică gradientul concentraţiei purtătorilor minoritari de sarcină. Astfel la
mărirea U CB are loc micşorarea bazei, gradientul concentraţiei golurilor în bază şi
curentul I E se măresc. În afară de aceasta, se reduce probabilitatea de recombinare
a golurilor şi se măreşte coeficientul  . Pentru menţionarea acestui efect, care
apare mai pronunţat în regimul activ, în relaţia (11) se adaugă încă un termen:
I C   N I E  I CB 0  U CB rC dif (12)
U CB
unde rC dif  - rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului blocată.
I C I E  const

12
 Acţiunea tensiunii U CB asupra curentului I E se observă cu ajutorul
coeficientului de reacţie negativă în tensiune:
dU EB
 CE   , (13)
dU CB I E  const

care arată de cîte ori trebuie schimbată tensiunea U CB pentru primirea aceleiaşi
schimbări a curentului I E . Semnul minus arată că pentru menţinerea curentului
I E  const creşterea tensiunii trebuie să aibă polaritate opusă. Coeficientul  CE este
destul de mic (  CE  10 4  10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude
influienţa tensiunii colectorului asupra cea a emitorului.
În regim de blocare ambele joncţiuni sunt polarizate indirect de către
tensiunile aplicate din exterior. Modulul tensiunilor trebuie să întreacă valoarea
 3  5  m T . Dacă aceste tensiuni vor fi mai mici atunci tranzistorul va rămîne în
regim de blocare. Însă curenţii electrozilor vor fi mai mari, ca în regim de blocare
puternică.
Ţinînd cont, că tensiunea U CB şi U EB au semn negativ, şi avînd în vedere că
U EB  3 m  T şi U CB  3 m  T , relaţia (8) devine:
I C   1 A    N I EB 0  I CB 0  (14)
I E   1 A   I EB 0   I I CB 0  .
Substituind în (14) valoarea I EB 0 , găsită din (9), şi înlocuind A prin valoarea
sa, obţinem:
1  I
I C  I CB 0 ,
1   N I
(15)
I 1  N 
I E   I CB 0 .
 N  1   N I 
Dacă ţinem cont de faptul că  N  1 iar  I   N atunci expresia (15) se va
simplifica esenţial şi va avea forma:
I C  I CB 0 ,
1 (16)
IE   I
 N CB 0
 
unde  N  1   ;  1  1   .
N 1

N 1

Din (16) se vede că în regimul de blocare curentul colector are valoarea

minimă care este egală cu curentul unei monojoncţiuni polarizate indirect.
Curentul emitorului are semn opus şi esenţial mai mic ca curentul colector, aşa
cum  I   N . Deaceea în multe cazuri el se consideră egal cu zero.
Curentul bazei în regim de blocare aproximativ este egal cu curentul
colector:
I B  I E  I C   I CB 0 . (17)
Acest regim caractreizează starea de blocare a tranzistorului, în care rezistenţa sa
este maximă, iar curenţii electrozilor sunt minimi. Regimul este utilizat în
dispozitivele de impulsuri, unde tranzistorii funcţionează în regim de cheie
electronică.
În regim de saturaţie ambele joncţiuni ale tranzistorului sunt polarizate direct
datorită tensiunii aplicate din exterior. Astfel căderea de tensiune pe tranzistor (

13
U CE ) este minimă iar valoarea lui este de zeci de milivolţi. Regimul de saturaţie
apare atunci cînd curentul colector al tranzistorului este limitat de către parametrii
sursei de alimentare şi de schema în care este amplasat, unde el nu întrece o
valoare maximă I C max . În acelaşi timp parametrii semnalului de intrare luat astfel
încît curentul emitorului este esenţial mai mare ca valoarea curentului din reţeaua
colectorului: I C max   N I E .
Atunci joncţiunea colectorului este deschis, căderea de tensiune pe tranzistor
este minimală şi nu depinde de curentul emitorului. Mărimea ei la conectare
normală pentru un curent mic I C  I C  I CB 0  este egală cu:
1  I
U CE sat   T . (18)
I
Pentru conectarea inversoare:
1  N
U CE sat   T (19)
N
În regim de saturaţie ecuaţia (12) devine falsă. Deoarece pentru trecerea
tranzistorului din regimul activ în regimul de saturaţie este necesar de mărit
curentul emitorului (la conectare normală) în aşa mod încît să se îndeplinească
condiţia I C max   N I E . Iar valoarea curentului I E , la care se începe acest regim,
depinde de curentul I C max care este determinat de parametrii circuitului în care
este amplasat tranzistorul.

1.6. Ridicarea parametrilor de bază a tranzistorilor

După cum a mai fost menţionat, tranzistorul este un dispozitiv electronic cu
două joncţiuni p-n ce intreacţionează între ele avînd trei sau mai multe borne de
ieşire, fenomenele de amplificare ale cărora sunt determinate de fenomenele de
inijecţie şi extracţie ale purtătorilor de sarcină. În fig. 1 sunt prezentate ilustrarea
schematică (a) şi grafică (b) a tranzistorului de tip p-n-p distribuţia concentraţiei
purtătorilor de sarcină minoritari de-a lungul structurii în stare de echilbru (c).

p n p
a)
E C
n,p
B
b)
c)
x
Fig. 1

14
Cunoaştem că tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), bază (B) şi
colector (C). Joncţiunea ce se crează la frontiera E-B este numită joncţiunea
emitorului, iar cea de la frontiera C-B – joncţiunea colectorului.
Electroconductibilitatea bazei poate fi de tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt două
tipuri de structură a tranzistorului bipolar: p-n-p şi n-p-n.
Principiul de funcţionare al tranzistorilor de tip p-n-p şi n-p-n este acelaşi.
Deosebirea constă numai în aceea, că în tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge
prin bază este creat de golurile, injectate din emitor, iar în tranzistorul de tip n-p-n
de electroni. În regim normal de funcţionare joncţiunea emitorului este polarizată
direct, iar a colectorului – indirrect.
Dacă joncţiunile colectorului şi emitorului se află la distanţă mai mare între
ele (adică, dacă grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci
purtătorii, injectaţi de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina în
regiunea bazei.
Un atare sistem din două joncţiuni p-n se comportă la fel ca şi două diode
semiconductoare, cuplate în serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a joncţiunii
emitorului prezintă ramura directă a caracteristicii diodei, iar a joncţiunii
colectorului –cea inversă. Proprietatea unică a tranzistorului constă anume în
interacţiunea acestor două joncţiuni.
În fig. 2 este prezentată distribuirea curenţilor în structura tranzistorului
bipolar (a), repartizarea potenţialului de-a lungul tranzistorului (b) şi a purtătorilor
de sarcină neechilibraţi în bază (c) pentru diferite valori ale curentului emiţătorului.

I E I Ep I Cp I C
I Ep I En
p n IC 0 p

a)
E EB ECB

 x

b)

x c)

Fig. 2

15
 La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea inversă a joncţiunii
colectorului şi în circuitul colectorului curge un curent de valoare redusă. Acest
curent este numit curent de scurgere al joncţiunii colectorului şi se notează I CB 0 .
Curentul invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului)
prezintă în sine curentul prin joncţiunea colectorului la tensiunea dată, cînd
circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea directă a joncţiunii
emitorului şi apariţia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de
difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posedă două componente: curentul
electronilor şi golurilor:
I E  I En  I Ep .
Contînd, că la tranzistor baza este săracă în purtători de sarcină majoritari
(electroni), iar regiunea emitorului posedă o concentraţie înaltă a purtătorilor de
sarcină majoritari (goluri), componenta golurilor în emitor este cu mult maimare ca
cea a electronilor: I Ep  I En .
Componenta electronilor se scurtcircuitează în circuitul bazei şi nu participă
la crearea curentului colectorului. Difuzia electronilor din bază în emitor se
compensează cu parvenirea unui flux de noi electroni în bază din circuitul exterior.
Acest lucru determină mărimea şi direcţia componentei electronilor din curentul
emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principială a curentului bazei.
Relaţia:
 
I Ep I E  I Ep I Ep  I En  0 ,98...0 ,99
este numită eficacitatea emitorului.
Componenta golurilor a curentului emitorului se determină prin trecerea golurilor
din emitor în bază. Golurile,injectate în bază, sub acţiunea difuziei ce tinde să
egaleze concentraţia pe întreg volumul bazei, se deplassează în direcţia
colectorului. Din cauză că cîmpul electric în bază este relativ mic, se poate
considera, că deplasarea golurilor din emitor în colector are loc exclusiv din contul
difuziei. La injectarea necontenită ( I E  const . ) în bază se stabilieşte o bistribuţie
corespunzătoare a concentraţiei golurilor, ceea ce determină trecerea lor prin bază.
Apropiindu-se de joncţiunea colectorului, polarizată indirect, golurile, fiind
purtători de sarcină minoritari, trec din bază în colector, mărind ca rezultat curentul
colectorului. Deoarece trecerea golurilor din bază în colector este fără obstacole,
concentraţia lor la frontiera BC este egală cu zero.
Dacă vom mări valoarea decalajului direct al joncţiunii emitorului, atunci
concentraţia golurilor la emitor va creşte, iar la colector va rămîne ca mai înainte
egală cu zero.
În rezultat creşte gradientul concentraţiei şi, ca urmare, creşte curentul de
difuzie al golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversînd baza, recombină
cu electronii de conductibilitate, ce aduce la mărirea numărului de electroni,
parveniţi în bază din circuitul exterior. Aceasta condiţionează împărţirea curentului
golurilor în două componente:

16
 I Ep  I E .rec .  I Cp ,
unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide
după direcţie cu I En ; I Cp - componenta curentului emitorului, ce curge în circuitul
colectorului.
La confecţionarea tranzistorilor bipolari baza se face subţire şi săracă în
purtători de sarcină majoritari, iar suprafaţa joncţiunii colectorului – de vreo cîteva
ori mai mare decît cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec .  I Cp .
Mărimea raportului:
  I Cp I Ep  I Cp  I Cp  I E .rec .   0 ,98...0 ,99
se numeşte coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmează, că la tranzistori
mărimea  , la fel ca ţi  , este aproximativ egală cu unitatea. De aceea mărimea
:
I Cp I Ep
  I Cp I E     0 ,95...0 ,99 ,
I Ep I E
se numeşte coeficient static integral de transfer al curentului emitorului şi, de
asemenea este aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indică a cîta parte din
curentul emitorului curge în circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicată la tranzistor, ne da egalitatea:
I E  IC  I B
unde I E  I En  I E .rec .  I Cp ; I B  I En  I E .rec .  I CB 0 ; I C  I Cp  I CB 0 .
Utilizînd relaţia (7), obţinem:
I C  I E  I CB 0 .
Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului
bazei  :
I Cp I C  I CB 0
  .
I En  I E .rec . I B  I CB 0
Să analizăm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat în
bază comună. În fig. 3 este prezentată familia de caracteristici statice de intrare şi
ieşire ale tranzistorului, cuplat în BC.
Caracteristica de intrare, cînd U CB  0 (caracteristica nulă) este asemănătoare
cu caracteristica unei diode obişnuite, cuplate la polarizare directă. La alimentarea
joncţiunii colectorului cu tensiune negativă caracteristica de intrare decalează în
stînga. Aceasta ne indică prezenţa în tranzistor a legăturii inverse interne. Legătura
apare din cauza rezistenţei bazei.
În schema BC rezistenţa bazei este comună pentru circuitele de intrare şi
ieşire. Fie că U EB  const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijează
curentulI Ejoncţiunii: IC I En
1
U EB  U EB  rB I B  U CB  rB  I En  I E .rec .  I CB 0  .

U CB 1

IE1
U CB  0
IE  0

U EB 17 U CB
 a) b)
Fig. 3
La mărirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise măreşte şi I CB 0 . În afară de
aceasta se micşorează I E .rec , fiindcă la mărirea tensiunii colectorului semicşorează
lăţimea bazei tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB , aplicată la
emitor, la mărimea U CB la fel se măreşte. Acest fapt explică creşterea curentului
emitorului şi decalajul în stînga al caracteristicii de intrare a tranzistorului cuplat în
BC.
Caracteristicile de ieşire prezintă dependenţel I C  f  U CB  cînd I E  const .
Deşi tensiunea pe colector este negativă, caracteristicile sunt trasate, de regulă, în
coordonate pozitive. Caracteristica nulă prezintă o caracteristică simplă a diodei
semiconductoare polarizate indirect. La mărirea curentului emitrului caracteristica
se schimbă.
E cunoscut, că la apariţia curentului emitorului curentul colectorului se
măreşte cu valoarea I Cp  I E  I E . Curentul I Cp poate fi modelat ca un curent
suplimentar al joncţiunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde
I 0  I Cp , putem afirma, că orişice caracteristică de ieşire a tranzistorului cuplat în
BC prezintă caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj I Cp , adică:
I p n  I 0  exp eU kT   1 .
Analizăm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar
în schema emitor comun. În fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare şi
ieşire pentru tranzistorul cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.
IB IC I Bn
U CE  0

I B1

U CE 1 IB  0

a) U BE b) U CE
Fig. 4
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egală cu zero, trece prin
punctul x  0 şi y  0 şi diferă de caracteristica diodei semiconductoare doar prin
mărimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic decît curentul prin

18
joncţiune ( I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta
şi în jos. Acest decalaj poate fi explicat în felul următor. Fie, că tensiunea pe
joncţiunea emitorului este constantă. Atunci la fel constantă va fi şi concentraţia
golurilor în apropierea emitorului. Mărimea U CE provoacă micşorarea lăţimii
bazei, adică micşorarea numărului de goluri ce se găsesc în baza tranzistorului. Din
această cauză procesul de recombinare a purtătorilor de sarcină în bază este redus.
Findcă electronii care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,
curentul bazei se micşorează. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj în dreapta.
Să explicăm acum decalajul caracteristicilor în jos. La U EB  0 şi tensiune
negativă pe joncşiunea colectorului concentraţia golurilor în bază este mai joasă,
fiindcă la frontiera cu joncţiunea colectorului eat este nulă, iar la frontieră cu
joncţiunea emitorului este egală cu concentraţia de echilibru. Din aceste
considerente în regiunea bazei procesul generării termice este mai rapid decît
prcesul de recombinare. Electronii generaşi în bază pleacă din ea prin borna bazei,
iar aceasta înseamnă, că apare curentul nîdreptat spre baza tranzistorului.
Creşterea curentului colectorului cu mărimea valorii U CE este dirijată de
micşorarea lăţimii bazei. Coeficientul de tranziţie, adică şi coeficientul de transfer,
al curentului emitorului creşte. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei în
schema cu emitor comun     1    .

19
2. Tranzistorul cu efect de câmp.
2.1. Parametrii de bază ai tranzistorului KП301Б.

Tranzistorul cu efect de câmp este fabricat prin metoda planară, cu p-n joncţiune,
cu grilă izolată şi canal de tip p. Tensiunea pe drenă pozitivă comparativ cu sursa,
iar pe grilă negativă. Masa tranzistorului nu mai mult de 1,5 grame.
Parametrii electrici:
1.Curentul drenă: ID =5 mA
2. Curentul grilei: IG=0,3 nA
3. Panta caracteristicii de transfer: S=1  AV
4. Capacitatea de intrare: C11S=3,5 pF
5. Capacitatea de trecere: C12S=3,5 pF
6. Puterea maximă: Pmax=200 mW
7. Temperatura de funcţionare: T=233....358oK

20
2.2. Tranzistoarele cu efect de cîmp (generalităţi).

Tranzistoarele cu efct de cîmp (TEC) sunt dispozituvele electronice a căror

funcţionare se bazează pe modificarea conductanţei unui canal semiconductor sub
influienţa cîmpului electric.
Deplasarea purtătorilor mobili de sarcină are loc, în canal, sub influienţa
tensiunii aplicate între doi electrozi numiţi drenă şi sursă, plasaţi la cele două
capete ale canalului.
Sursa desemnează electrdul prin care purtătorii mobili de sarcină pătrund în
canal, iar drena, electrodul prin care purtătorii mobili de sarcină sunt evacuaţi din
canal.
Conform celor de mai sus, sensul deplasării purtătorilor mobili de sarcină
este de la sursă spre drenă. În anumite condiţii sensul deplasării purtătorilor mobili
de sarcină se inversează, fără ca funcţionarea tranzistorului să fie influienţată.
Multe tranzistoare simetrice nu-şi schimbă proprietăţile dacă drena şi sursa
se inversează.
Tiplu p sau n al materialului semiconductor din care este făcut canalulu
determină tipul purtătorililor mobili de sarcină, goluri, respectiv electroni şi
împărţirea tranzistoarelor cu efect de cîmp în TEC cu canal p şi cu canal n.
Modificarea conductanţei canalului se realizează cu ajutorul cîmpului creat
de o tensiune de comandă aplicată unui al treilea electrod numit grilă sau poartă.
Conductanţa canalului depinde de secţiunea canalului şi de numărul
purtătorilor mobili de sarcină din canal.
Deoarece fenomenul conducţiei electrice este determinat numai de un singur
tip de purtători şi anume de purtătorii majoritari din canal, tranzistoare cu efect de
cîmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare.
Clasificarea şi simbolurile utilizate pentru tranzistoarele cu efect de cîmp
sunt prezentate în fig. 1.
TEC
TEC cu regiune TEC cu grilă
de trecere izolată

Joncţiune pn Contact Tranzistor cu

Metal-semicond. TECMOS TECMN straturi subţiri
Canal p Canal n
D D
G Cu canal iniţial
G B B D D Cu Dcanal indus D

S S G B G B G B G B
CanalS p Canal
21 1n
Fig. S CanalS p Canal nS
Tranzistoarele cu efect de cîmp se pot împărţi în două grupe. Din prima grupă fac
parte TEC a căror funcţionare se bazează pe modificarea secţiunii efective a
canalului.
Pentru a modifica secţiunea efectivă a canalului se utilizează proprietatea
regiunii de trecere a unei joncţiuni p-n sau a unui contact metal-semiconductor de
a-şi modifica lăţimea în funcţie de tensiunea de polarizare.
TEC realizate astfel se numesc tranzistoare cu efect de cîmp TECJ sau
TECMS.

22
2.3. Tehnologia de fabricare.

Pentru faricarea tranzistorului KП301Б se foloseşte metoda planară. Din punct de

vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea că toate
straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a plachetei, deaceea şi electrozii sunt
plasaţi pe aceeaşi parte.
Masca în formă de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidării termice a
suprafeţelor de siliciu, care posedă următoarele proprietăţi:
4. Masca de oxid este legată organic cu suprafaţa plachetei, având un contact
trainic cu ea, ceea ce exclude pătrunderea difuzorului în locul dintre mască şi
suprafaţă.
5. Grosimea măştii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru apărarea
părţilor respective a plachetei împotriva atomilor ce difuzează.
6. Stratul d oxid în acelaşi timp cu funcţia de mascare îndeplineşte şi funcţia de
apărare (înseamnă şi a n-p joncţiunii, care iese la suprafaţă) de la influienţa
diferitor factori externi. În cazul, tehnologiilor de aliere şi mesa pentru asta este
nevoie de a folosi metode speciale de protecţie.
În fig. 2,a este prezentat modul de realizare a unui TECJ. Într-un cristal se
realizează două joncţiuni p-n satfel încît între ele să rămînă un canal îngust.
Cele două regiuni exterioare ale joncţiunilor se conectează în sens invers.
Prin modificarea tensiunii de polarizare se modifică lăţimea regiunilor de trecere şi
deci secţiunea efectivă a canalului.
În fig. 2,b este prezentat un TEC realizat în tehnologie planar epitaxială.
Canalul este constituit din regiunea n crescut pe substratul puternic impurificat.
Joncţiunile grilă-canal şi substrat-canal delimitează lăţimea canalului.

23
 S G D
D
Contact
Canal metalic
n
G
np pn
n+ p+ n+
n Canal

p+ Substrat
S
Izolator B

Fig. 2
Cele două capete ale canalului sunt contactate constituind drena şi sursa.
Pentru a se realiza contactele ohmice la sursă şi drenă, înainte de depunerea
metalului se realizează prin difuzie două regiuni n+.
Substratul poate fi utilizat ca un al patrulea electrod de comandă avînd
proprietăţi de comandă asemănătoare grilei. În general grila şi substratul sunt
legate împreună, constituind electrodul de comandă. Dacă este nevoie de încă un
electrod de comandă se utilizează tranzistoare cu două grile de comandă identice.
2.4. Procedee fizice în tranzistorul cu efect de câmp.
LSD
D
G p
B S D
S
n
G

Tranzistorul cu efect de câmp prezintă un dispozitiv electronic în care

valoarea curentului de transfer este dirijată prin modulaţia rezistenţei canalului la
acţiunea tensiunii din exterior.
S-a convenit ca să se noteze cu S-sursa, D-drena, G-grila.
Tranzistorul cu joncţiune p-n de sine o plachetă de semiconductor care are
electroconductibilitate de un anumit tip, la capetele căruia sunt realizate două ieşiri
sursa şi drena. De-a lungul plachetei este realizată o joncţiune p-n, de la care este
scoasă o a treia ieşire grila. Tensiunea din exterior este aplicată astfel încât între
sursă şi drenă curge un curent electric, iar tensiunea aplicată pe grilă polarizează
joncţiunea în sens invers. Rezistenţa regiunii care se află în câmpul electric al
joncţiunii poartă denumirea de canal şi depinde de tensiunea aplicată la grilă,
reeşind din faptul că dimensiunile joncţiunii se măresc la aplicarea pe ea a unei
tensiuni inverse, iar mărirea tensiunii în regiunea însărăcită de purtători de sarcină
aduce la mărirea rezistenţei electrice a canalului. În aşa fel funcţionarea TEC-ului
cu joncţiunea p-n dirijată se bazează pe schimbarea rezistenţei canalului din contul
schimbării dimensiunilor regiunii însărăcite de putători de sarcină, care are loc sub
influienţa tensiunii inverse apicate pe grilă.

24
 Electrodul de la care încep mişcarea purtătorii de sarcină majoritari în canal
se numeşte sursă, iar electrodul spre care se mişcă purtătorii de sarcină se numeşte
drenă. Dacă într-o plachetă de semiconductor, de exemplu de tip-n, sunt formate
zone de electroconductibilitate de tip-p, atunci la aplicarea tensiunii pe joncţiunea
p-n, care o polarizează invers se formează regiuni însărăcite în purtători de sarcină
majoritari. Rezistenţa semiconductorului între electrozii sursei şi drenei se măreşte
deoarece curentul trece printr-un canal îngust între joncţiuni. Schimbarea tensiunii
grilă-sursă aduce la schimbarea dimensiunii zonei de sarcină spaţială
(dimensiunilor joncţiunii p-n), adică la schimbarea rezistenţei canalului. Canalul
poate fi pe deplin închis şi atunci rezistenţa între sursă şi drenă va fi foarte mare
(zeci de M ). Tensiunea dintre grilă şi sursă la care curentul atinge valoarea cea
mai mică (ID0) se numeşte tensiune de blocaj a TEC-ului.
Joncţiunea care separă grila de canalul drenă-sursă trebuie polalrizată invers
pentru ca dioda pe care o constituie să fie blocată. Curenţii de grilă sunt în cazul
unei polarizări inverse cuprinşi între 1 pA şi 10 nA. Rezistenţa de intrare este
cuprinsă între 10 10  şi 10 13  .
Polarizarea directă a joncţiunii care separă grila de canalul drenă-sursă
trebuie evitată, deoarece ar produce o micşorare nesmnificativă a regiunilor de
trecere simultan cu o creştere pronunţată a curentului de grilă şi a puterii necesare
comenzii.
Tranzistorii cu efect de cîmp cu regiune de trecere se caracterizează prin
faptul că în absenţa unei tensiuni de comandă, aplicarea unei tensiuni la capetele
canalului are ca efect trecerea prin canal a unui curent relativ mare.
Modificarea conductanţei canalului se face prin extinderea regiunilor de
trecere adică tensiunea de comandă produce o micşorare a conductanţei canalului
şi deci o micşorare a curentului care trece prin canal.

25
2.5. Caracteristicile statice.
Caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de cîmp reprezintă modul
de variaţie a curentului de drenă în funcţie de tensiunile grilă-sursă şi drenă-sursă.
Cele mai utilizate caracteristici statice sunt caracteristicile de ieşire şi de transfer.

2.5.1. Caracteristicile de ieşire.

Caracteristicile de ieşire prezentate în fig. 3. reprezintă dependenţa
curentului de drenă în funcţie de tensiunea drenă-sursă pentru diferite valori ale
tensiunii grilă-sursă.

26
 UDS =UGS-Up
Liniar Saturaţie
iC UGS 0
IDS
UGS -2

UGS -4

UGS -6
UDS
0 UDS

UDS=UGS-Up
mA
12 +2V
10

8 0V
iD
6 ΔUDS=1V
-2V
4

2 -4V
-6V
0 2 4 U 6 8 10V
DS

Fig. 3

Pentru toate tipurile de TEC caracteristicile de ieşire sunt asemănătoare şi

pot fi împărţite în trei regiuni:
1. Regiunea liniară u DS  U GS  U p . Pentru valori mici ale tensiunii drenă-sursă,
curentul de drenă creşte proporţional cu tensiunea. În apropierea oridinii,
caracteristicile sunt aproape liniare. În această regiune, tranzistorul poate
îndeplini rolul de rezistenţă variabilă sau comutator. Caracteristicile de ieşire
pentru valori mici ale tensiunii drenă-sursă sunt prezentate în fig. 8.
Se observă că sensul de trecere a curentului se poate inversa, adică drena şi sursa
îşi pot schimba rolurile.
Analizînd caracteristicile prezentate în fig. 4 se poate trage concluzia că
pentru valori mici ale tensiounii drenă-sursă caracteristicile sunt aproximativ
liniare. Deoarece caracteristicile sunt cu atît mai liniare cu cît tensiunea drenă-
sursă este mai mică, în practică se lucrează cu valori ale tensiunii drenăsursă de
ordinul sutelor de milivolţi.

27
 iD UGS=0V
mA
-1V
4
3 -2V
2 -2,5V
1
uDS, V
-1,5 -1 -0,5 -1 0,5 1 1,5
-2
-3
-4
-5
Fig. 4
2. Regiunea de saturaţie uDS  uGS  U p . Curentul de drenă rămîne aproape
constant chiar la creşteri relativ mari ale tensiunii drenă-sursă.
Separarea regiunii de saturaţie de regiunea liniară se poate face
aproximînd curentul de drenă cu ajutorul relaţiei:
I DS 2
iD  uDS .
U p2
Curentul I DS reprezintă curentul drenă-sursă pentru uGS  0 sau uGS  2U p .
Se ia valoarea uGS  0 în cazul tranzistorilor care conduc în lipsa
tensiunii de grilă, adică TEC cu regiune de trecere şi TECMIS cu canal
indus.
Relaţia (2) este reprezentată punctat în planul caracteristicilor de
ieşire.
3. Regiunea de străpungere u DS  U DS . La tranzistorii cu efect de cîmp la care
substratul este conectat cu sursa, creşterea tensiunii drenă-sursă peste o
anumită valoare (deenumită tensiune de străpungere, U DS ) produce o
multiplicare în avalanşă a purtătorilor desarcină. Fenomenul este reversibil
în cazul în care creşterea curentului de drenă este limitată în mod
corespunzător de elementele de circuit exterioare.
Din caracteristicile de ieşire se poate determina rezistenţa drenă-sursă
sau conductanţa de ieşire ( rDS , respectiv g DS ):
1 i D i D
 g DS  
rDS uDS UGS  const
u DS U GS  const

Pentru exemplul prezentat se obţine:

i D 0 ,15 mA
g DS    150 S .
uDS 1V

2.5.2. Caracteristicile de transfer.

Caracteristicile de transfer reprezintă variaţia curentului de drenă în funcţie
de tensiunea grilă-sursă pentru diferite valori ale tensiunii drenă-sursă.
Caracteristicile de transfer ale unui TECMIS cu canal iniţial de tip n
(SM103) sunt prezentate în fig. 5.

28
 8V 12
Se observă că acest tranzistor poate lucra atît
ΔUGS=0,5V 4V 10 în regim de sărăcire ( uGS  0 ), cît şi în regim de
ΔID=0,875mA i îmbogăţire ( uGS  0 ).
8 D Pentru tensiuni u DS mici caracteristica
2V
6
diferă, apropiindu-se pe măsură ce tensiunea
drenă-sursă creşte. În regim de saturaţie, datorită
V 4 influienţei slabe a tensiunii drenă-sursă, este
suficientă să se traseze o singură caracteristică
2
0,5V pentru o valoare a tensiunii drenă-sursă mai mare
0,25V decît tensiunea de saturaţie.
0
-6 -4 -2 0 2 V Această comportare fiind comună tuturor
uGS tipurilopr de TEC caracteristicile de transfer în
regiunea de saturaţie se pot reprezenta ca în fig. 6.
TECMIS TECMIS TECMIS
iD Canal Canal Canal iD
iniţial indus iniţial

IDS IDS
TECJ TECJ
-Up 0 Up 2Up UGS -2Up -Up 0 Up UGS
Canal n Canal p
Fig. 6
Caracteristica de transfer în regim de saturaţie poate fi aproximată cu
ajutorul relaţiei:
2
 u 
i D  I DS  1  GS  .

 Up 
Cu ajutorul caracteristicilor de transfer se poate determina panta
caracteristicii sau transconductanţa, definite ca:
i D i D
gm  S  
uGS U DS  const .
uGS U DS  const .

Pentru exemplul considerat se obţine:

0 ,875 mA
gm  S   1 ,75 mS .
0 ,5V
În regim de saturaţie această pantă se poate calcula utilizînd relaţia (4).

S
2 I DS
Up 2
 uGS  U p  
2
I DS i D .
Up
iD Panta S se măsoară în miliamperi pe volt, avînd
valori cuprinse între 1 mA V şi 1 A V . În cazul
20°C tranzistoarelor de mică putere, valorile sunt
60°C cuprinse între 0,2 şi 5 mA V .
120°C Caracteristica de trnsfer depinde de temperatură
Z după cum se vede din fig.7.
uGS

Fig. 7
29
Este de remarcat faptul că există un punct în care curentul de drenă nu depinde de
temperatură (aşa-zisul punct Z).
Un alt parametru al tranzistorilor cu efect decîmp este factorul de
amplificare static, definit cu ajutorul relaţiei:
u DS u DS
   g m rDS .
uGS I D  const .
uGS I D  const .

2.6. Schemele echivalente a TEC-ului.

Tranzistoarele cu efect de cîmp pot fi utilizate în trei conexiuni:sursă

comună, drenă comună şi grilă comună.
Pentru a utiliza rezistenţa grilă-canal foarte mare (unul din principalele
avantaje ale tranzistorilor cu efect de cîmp ) este necesar ca grila să constituie
borna de intrare.
Conexiunea cu grilă comună va fi deci foarte puţin utilizată.
Ca amplificator, tranzistorul cu efect de cîmp lucrează aproape tot timpul în
regim de saturaţie.
În cele ce urmează se vor analiza numai tranzistorii cu efect de cîmp cu
canal n. Pentru tranzistorii cu canal p rezultatele sunt valabile dacă se inversează
polaritatea surselor. Diodele şi condensatorele electrolitice existente în circuit
trebuie de asemenea inversate.
Conexiune sursă comună. Acest circuit prezentat în fig. 8. este analog
conexiunii emitor comun a tranzistorului bipolar. Deosebirea constă în rezistenţa
mare grilă-canal adică în lipsa curentului de intrare.

30
 Alegerea punctului de funcţionare constă în alegerea şi menţinerea constantă
a tensiunii grilă-sursă (uGS).
Presupunînd că s-a ales o tensiune grilă-sursă UDS, din carasterici rezultă un
curent de drenă ID şi o tensiune drenă-sursă UDS .
Ţinînd cont că tranzistorul lucrează în regim saturat este valabilă relaţia (4).
Aplicînd la intrare o tensiune sionusoidală de amplificare U 1 max se poate scrie:
+E

D
G G
S
u2 u gmugs rDS RD u2
u1 1

Fig. 8
uGS  U GS  U 1 max sin t .
Cu ajutorul teoremei Kirchhoff aplicată circuitului drenă-sursă se obţine
relaţia :
E  RD i D  u DS
2
 U  U 1 max sin t 
u DS  E  RD I DS  1  GS  .
 Up 
Efectuînd calculele se obţine:
2
 U 
uDS  E  RD I DS  1  GS   RD I DS U 1 max 2 
Up  2U p
 
 U  U 1 max RD I DS U 12max
 2 RD I DS  1  GS 
 U sin  t  cos 2t
 Up  p 2U p2
Se constată că semnalul sinusoidal este distorsionat, deoarece a apărut şi armonica
a doua (termenul în cos2ωt). Definind ca factor de distorsiune pentru armonica a
doua (notat d2) raportul dintre amplitudinile celor două armonici se obţine:
U 1 max
d2  100% .

4 U GS  U p 
Pentru ca acest factor să fie mai mic de 1% este necesar ca amplitudinea
semnalului de intrare U 1 max să satisfacă inegalitatea:
U 1 max  0 ,04  U GS  U p 
considerînd U GS  2V şi U p  4V se obţine U 1 max  80 mV .
Amplificarea în tensiune a semnalului este:
 U  1
An  2 RD I DS  1  GS 
 U   RD S .
 Up  p

Deşi calculul făcut este aproximativ, se poate trage concluzia că tranzistorii

cu efect de cîmp avînd o caracteristică aproximativ pătratică introduc distorsiuni
mai mici decît tranzistorii bipolari.
Factorul de distorsiuni depinde şi de punctul de funcţionare, scăzînd odată
cu micşorarea tensiunii grilă-sursă.

31
 Diferenţiind relaţiile:
E  RD i D  u DS
i D  i D  uDS , uGS 
se obţine:
RD di D  du DS  0
i D i
du DS  D duGS  di D .
u DS uGS
Ţinînd seama de definiţiile pantei şi a rezistenţei interne şi eliminînd
curentul se obţine:
duDS du
 SduGS   DS .
rDS RD
Amplificarea în tensiune va fi:
duDS SRD rDS
An     RD S .
duGS RD  rDS
Cu ajutorul relaţiilor (17) şi (18) se poate construi circuitul echivalent pentru
amplificator, prezentat în fig. 9. Circuitul din fig.9,a este valabil numai la frecvenţe
mijlocii; în cazul frecvenţelor joase şi înalte este necesar să se ţină sema de
capacităţile de cuplare (fig. 9,b)şi de capacităţile interne ale tranzistorului (fig.9,c).
Valori uzuale pentru elementele de circuit sunt date în tabelul 1.
RG G D

gmugs
~ u1 R1 ugs rDS u2

a)
S

RG G D
ugs gmugs
~ u1 R1 rDS u2
C2
b)
S

RG G Cgd D

gmugs
~ u1 R1 rDS u2
Cgs
c)
S
Fig. 9

Două circuite de polarizare pentru conexiunea sursă comună sunt prezentate

în fig. 10.

32
 În fig. 10,a curentul de drenă produce pe rezistenţa R2 o cădere de tensiune
R2 I D .
+E +E
R3 RD
C2 R2
C1 C3
C3
R1
R1 R2 C2 C1

Fig. 10
Circuitul se poate utiliza pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de cîmp cu
regiune de trecere şi a tranzistorilor cu grilă izolată şi canal iniţial.
Condensatoarele C1 şi C3 sunt condensatoare de cuplaj cu generatorul şi respectiv
consumatorul.
Condensatorul C2 are rolul de a scurtcircuita rezistenţa R2, punînd la masă
componenta alternativă a curentului. Pentru a-şi îndeplini rolul, reactanţa
capacitivă a condensatorului C2 la frecvenţa cea mai joasă trebuie să fie mult mai
mică decît R2:
1
X C2   R2
2f j C 2
Dimensionarea circuitului se face su ajutorul relaţiilor:
E  U DS
RD 
ID
U DS  U DSS )U GS  U p
U GS
R2  .
ID
Condiţia (23) trebuie îndeplinită pentru a fi siguri că tranzistorul lu crează în
regim saturat. Valoarea rezistenţai R1 este limitată superior de căderea de tensiune
produsă de curentul de intrare. Aceasta cădere de tensiune trebuie să fie mult mai
mică decît U GS . Deoarece curentul de intrare este foarte mic (nA) valorile uzuale
ale rezistenţei R1 sunt de ordinul megaohmilor.
Tranzistorii TECMIS cu canal indus de tip n necesită o tensiune de
polarizare pozitivă faţă de sursă.
Această tensiune s-ar putea obţine uşor cu ajutorul unui divizor de tensiune
ale sursei de alimentare a drenei, însă variaţiile de tensiune ale sursei s-ar transmite
pe grilă şi ar apărea la ieşire amplificate.
Un mojntaj mai avantajos este prezentat în fig. 10,b. Prin rezistenţa R1 se
obţine U GS  U DS . În general această valoare este avantajoasă, deoarece rezultă
U DS  U DSS  U p
Impunînd curentul I D , se obţine din caracteristică U GS şi se calculează RD :
E  U GS
RD  .
ID

33
 Condensatorul C 2 are rolul de a împiedica transmiterea semnalelor
alternative pe grilă.
Pentru ambele circuite rezistenţa de intrare este egală cu R1 .
Conexiunea cu drenă comună. Circuitul cu drenă comună (fig. 15) sau
repetor pe sursă este asemănător circuitului cu colector comun sau repetor pe
emitor de la tranzistorii bipolari.
Circuitul echivalent din fig. 11,b se poate deduce cu uşurinţă din circuitul
echivalent prezentat în fig. 9.
+E G D
gmugs
rGS rDS
u1
u1 RS u2 RS u2

Fig. 11
Amplificarea în tensiune se poate calcula cu ajutorul relaţiilor:
u1  u gs  u2

RS rDS
u2  g m uGS
RS  rDS
1 g m RS
An  1
 .
 R r  1  g m RS
1   g m S DS 
 RS  rDS 
Amplificarea este subunitară, iar tensiunea de ieşire este în fază cu tensiunea de
intrare. Rezistenţa de intrare ( Rin ) este egală cu:
u1  R r 
Rin   rGS  1  S DS g m   rGS  1  RS g m  .
i1  RS  rDS 
Rezistenţa de ieşire ( Rieş ) se poate determina din circuitul echivalent:
1 1
RS rDS RS
gm gm
Rieş   .
1 rDS 1
RS rDS  RS  RS 
gm gm gm
Pentru polarizarea tranzistorului cu efect de cîmp ca repetor pe sursă se pot
utiliza circuite prezentate în fig. 12.
În circuitul din fig. 12,a, U DS este egală cu E  U GS , căderea de tensiune pe
rezistenţa RS fiind egală cu U GS . Dacă această tensiune este prea mică, se poate
utilioza un divizor de tensiune, însă acest divizor micşorează rezistenţa de intrare.

34
 +E
+E
R1
C1 C1
C2

u1 C3
u1 R1 RS u2 u2
RS

Fig. 12
Pentru tranzistorii TECMIS cu canal indus este indicat circuitul din fig. 12,b.
Căderea de tensiune pe rezistenţa RS este E  U GS , iar tensiunea drenă-sursă va fi
egală cu U GS . Această tensiune asigură funcţionarea în regim de saturaţie,
deoarece U GS  U DSS  U p .

2.7. Utilizarea tranzistorului cu efect de câmp

KП301Б în scheme electronice.
Voi prezenta mai jos o parte din circuitul în care se utilizează tranzistorul cu
efect de câmp KП301Б:

Amplificator de audio frecvenţă.

Tranzistorul VT6 este de tipul KП301Б. Acest tranzistor este folosit pentru a
stabiliza curentul colector al tranzistorului VT3.

35
3. Rezolvarea problemelor.
3.1. Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar să se
efectuieze următoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fără distorsiuni) să se calculeze
rezistenţa de intrare şi de ieşire a etajului, coeficientul de amplificare după
curent ki, tensiune kU şi putere kP. Să se determine puterea utilă pe sarcină
PR~ şi puterea împrăştiată pe colectorul tranzistorului.

Se dă:
EC=60 V; RS=3 k; IB=0,075 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină prin punctele:
EC
(EC,0) şi) (0, R ) adică (60 V,0) şi (0 ;20 mA)
S

36
 I C max  I C min 20  0
I Cm    10  mA 
2 2
U  U C min 60  4
U Cm  C max   28 V 
2 2
0 ,08
U BEm   0 ,04 V 
2
I Cm 10
  KI    133 ,33
I Bm 0 ,075
U 28
K U  CEm   700
U BEm 0 ,04
K P  K I  K U  133 ,33  700  93331

Rint 
U EBm

0 ,04

4  10 3
 530  
I Bm 0 ,075  10  3 7 ,5
I2  R
PR  Cm S 
  2
10  10  3  3  10 3.
 0 ,15 W 
2 2
PC  U CE  I C  20  10 3  30  0 ,6 W 
După nominalele date etajul de amplificare posedă distorsiuni nelimiare.

37
3.2. Problema 2.

Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar şi

parametrilor lui la frecvenţă înaltă să se efectuieze următoarele calcule pentru
etajul de amplificare:
a) să se calculeze parametrii h şi să se construiască shema echivelentă a
dispozitivului analizat la frecvenţă joasă;
b) să se calculeze parametrii fizici ai schemei echivalente la frecvenţă înaltă.

Din cauză că după nominalele date UCE=50 (V) şi IC=40 (mA) nu pot fi
soluţionate atunci vom considera datele iniţiale ca în problema 1, pentru care am
ales deja punctul de funcţionare:
IB=75 A; UCE=50 V prin urmare:
 IB=750,2=15 (A)
 UCE=500,2=10 (V)

Figura 1. Caracteristicile de ieşire şi intrare pentru

tranzistorul KT601A.

38
Din grafic determinăm IIC=2(mA); UBE=0,02 (V); IC=1(mA);

Determinăm parametrii hibrizi h:

U BE 0 ,02
h11 E    1 ,33 k  ;
I B U CE  const
15  10  6 U CE  20V

I C 2  10  3
h21 E    133 ,3 ;
I B U CE  const 15  10  6 U CE  20V

I CI 2  10  3
h22 E    0 ,2  mS  ;
U CE 10
I B  const I B  15 A

Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă joasă este:

Trantistorul bipolar KT601A posedă următorii parametri la frecvenşă înaltă:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinăm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului
la frecvenţe înalte:
rC 600 ps
rB     3  3  40  120   ;
CC 15 pF
C C 15 pF
C C1    5  pF  ;
 3
C C2  C C  C C1  15  5  10  pF  ;
I C 1
rB  rB   120   49   ;
IC 6
1
rCE   5  k  ;
h22 E
S j  20  I C  20  40  10 3  800  mS  ;
1
rBE  670  49  621    ;
 S  800  10  3
  C E   j   75 
C BE    6425  pF  ;
 lim  6 ,3  20  10 6
Schema echivalentă a tranzistorului bipolar la frecvenţe înalte:

39
3.3. Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar să se
determine parametrii etajului de amplificare în regim de recuplare a puterii:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare şi
puterea necesară pentru a o deschide.

Сaracteristicile de ieşire şi intrare pentru tranzistorul bipolar KT601.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină şi detetminăm Urest=4 (V)
U rest 4
Rcupl    2  10 2    ;
I Ccupl 20  10  3
PCcupl  U rest  I Ccupl  4  20  10 3  0 ,08 W  ;
I Csat 20  10 3
I Bcupl  k sat  4  0 ,6  mA  ;
kI 133 ,33
UBEcupl=0,38 (V)-din grafic.
Pint  U BEcupl  I Bcupl  0 ,6  10 3  0 ,38  0 ,228  mW 
.

40
3.4. Problema 4.

Conform datelor din îndrumare să se traseze carcteristicile statice pentru

tranzistorul cu efect de câmp şi să se efectuieze următoarele calcule grafo-analitice
pentru etajul de amplificare:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se traseze diagramele curenţilor şi tensiunilor în timp şi să se determine
dacă pot apărea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fără distorsiuni) să se determine
rezistenţa de intrare şi de ieşire a dispozitivului analizat şi să se calculeze
volorile numerice pentru coeficientul de amplificare după curent ki, tensiune
kU şi putere kP.

Date iniţiale:
ED=-20 (V); ID0=5 (mA);
UDS0=-10 (V); UGsmax=3 (V);
Ubloc=-2,5 (V); IDmax =1,5 (mA);
Pimp=130 (mW);

Rezolvare:
Ecuaţia caracteristicii căutate are forma:
2
 U GS  U bloc 
 I D  I D max   
 ;
 U GS max  U bloc 
2
U  1
 I D  1 ,5   GS   0 ,05   U GS  2 ,5  2  mA  ;
 3  2 ,5 
Folosind ecuaţia primită completăm tabelul:
-ID, mA 0 0,075 0,11 0,32 0,62 1
UGS, V -2,5 -2 -1 0 1 2
După datele din tabel trasăm caracteristica de transfer:

41
Figura 1.Caracteristica de transfer şi caracteristica de ieşire.
Trasăm dreapta de sarcină ştiind că :
ED=-20 V şi RS=2,5 k primim punctele (-20 ; 0) şi (0 ; 810-3)
 
I Dm  I Dm
I Dm   0 ,46  mA  ;
2
I Dm 0 ,46  10 3
S med    0 ,34  10  3  mS  ;
U GSm 2
Utilizând datele obţinute putem calcula următorii parametri ai tranzistorului:
kU  S med  RS  0 ,34  10 3  2 ,5  10 3  0 ,85 ;
Rint  RG  1 M 
U 2
I Gm  GSm  6  2 nA ;
RG 10
k I  S med  RG  0 ,34  10 3  10 6  340 ;
k P  k I  kU  340  0 ,85  289 ;

42
3.5. Problema 5.

Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de câmp şi parametrilor

lui la frecvenţă înaltă să se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitentă pentru
frecvenţă joasă);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitentă pentru
frecvenţă înaltă);
c) componenta activă a conductibilităţii de intrare şi modulul pantei
dispozitivului analizat la frecvenţa de 100 MHz.

Date iniţiale:
ID0=8,4 mA; UDS0=7 (V);
CGS=7 pF; CGD=1 pF;
RG=50 ;
Rezolvare:
ID0=0,28,410-3 (mA)=1,6810-3 (mA);
UDS0=0,27 (V)=1,4 (V);
I D 1 ,68  10 3
S   1 ,2  mS  ;
U DS 1 ,4
U DS 1 ,4
RI    833    ;
I D 1 ,68  10  3
Prezentăm schema echivalentă la frecvenţe joase a tranzistorului cu efect de câmp:

Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvenţe înalte putem determina

elementele schemei echivalente la frecvenţă înaltă:

Calculăm pentru frecvenţa de 100 MHz valoarea:

k    RC C GS  6 ,3  10 8  50  7  10 12  0 ,22 ;
1   0 ,22 
2
1 1 k2
Rint   RC   50   1083   ;
g int k2  0 ,22 2

43
 S0
S   0 ,25  mS  .
1 k2
3.6. Problema 6.

Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de câmp să se

efectuieze calculul proprietăţilor tranzistorului în regim de rezistor variabil:
a) să se calculeze caracteristica R~  f U DS ;  
b) să se calculeze coeficientil de amplificare după putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de câmp.

Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de câmp (după

rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflăm punctele de blocare a tranzistorului :
U D  U GS  U bloc ;
punctul 1 avem: U D  2  2 ,5  4 ,5 V  ; U G  2V  ;
punctul 2 avem: U D  1  2 ,5  3 ,5 V  ; U G  1V 
punctul 3 avem: U D  1  2 ,5  1 ,5 V  ; U G  1V 
punctul 4 avem: U D  2  2 ,5  0 ,5 V  ; U G  2V  .
Determinăm patru valori ale rezistenţei tranzistorului în regim ohmic:
4 ,5
R~  1   4 ,5  k  ;
1  10  3
3 ,5
R~  2    5 ,6  k  ;
0 ,62  10  3
1 ,5
R~  3    13 ,6  k  ;
0 ,11  10  3
0 ,5
R~  4    15 ,4  k  ;
0 ,0075  10  3
Cu ajutorul punctelor obţinute trasăm caracteristica: R=f(UGS):

Figura 1. Caracteristica regulatorului.

R 10 6
Amplificarea maximă a regulatorului : k P max  2  RG 
2  4500
 111 ,1 .
~ min

4. Bibliografie.

44
1. Sandu D. „Electronica fizică şi aplicată” – Iaşi: Editura „A.I. Cuza”,1994.
2. Гусев В.Г. „Электроника” – М.:Высшая школа, 1991.
3. Дулин В.Н. „Электронные приборы” – М.:Энергия, 1977.
4. Cтепаненко И.П. „Основы теории транзисторов” – М.:Энергия, 1977.
5. Vasilescu G. „Electronica” 1993.

45