Elemente de electronică analogică

Joncţiunea pn cu tensiune aplicată

 Regim de echilibru termodinamic:

 4 componente ale curentului

 numărul de purtători care difuzează (purtători care înving bariera de
potenţial) depinde de U 0 ;

iD  i pM  i pm  inM  inm  0

 Se aplică tensiune inversă:

Elemente de electronică analogică

Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în imediata

vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de perechi de
purtători care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel, curentul invers este
un curent de generare.

iD  i pM  i pm  inM  inm  0

 Se aplica tensiune directă:

Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere, în

zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de  p şi nu
pătrund mai mult de Lp . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternică în ambele zone şi se obtine curentul direct care este
un curent de recombinare.

iD  i pM  i pm  inM  inm  0

Concluzie: curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele

joncţiunii. Interesează o expresie de forma:

 i pM 
i pM  i pm  i pm   1  i pm  f (u D )  1
 i pm 
cu condiţia: f ( 0)  1
La fel şi pentru electroni.
Rezultă curentul prin joncţiune de forma:

i D  i pm  f (u D )  1  inm  f (u D )  1  I 0  f (u D )  1

I 0  i pm  inm curent de saturaţie

Elemente de electronică analogică

Deducerea caracteristicii curent-tensiune

 Aproximaţii pentru calcul:

- joncţiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ;
- fluxuri unidimensionale de purtători;
- regiunea de trecere complet golită de purtători;
- în regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;
- lungimile de difuzie sunt mai mici decât lungimile zonelor neutre
(diodă groasă);
- joncţiune abruptă;
- se neglijează rezistenţele zonelor neutre;
- se neglijează efectele de suprafaţă;
- se consideră temperaturi ambiante; impurităţile sunt ionizate
complet.

 Densitatea curentului electric este aceeaşi în orice secţiune:

 Pentru: L p  ln  x   - purtătorii de sarcină sunt numai

electroni; există curent de câmp;

 pentru: l n  x  L p  l n - componenta de difuzie a golurilor

- componenta de câmp a electronilor
 pentru:  l p  x  l n - se neglijează generarea -
recombinarea de purtători; densităţile de curent rămân constante;
 similar în zona P
Elemente de electronică analogică

Condiţii la limită:
Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă: U 0  U 0  u D , adică:

2U 0' p p  nn u
l  l0 1  D
q p p nn U0
- polarizare directă: l  l0 ;
- polarizare inversă; l  l0 .
La limitele zonei de trecere concentraţiile de purtători vor fi:
qU 0' qU 0 qu
D
qu
D
 
p (l n )  p p e kT
 ppe kT
e kT
 pn e kT

qU 0' qU 0 qu
D
qu
D
 
n ( l p )  n n e kT
 nn e kT
e kT
 npe kT

- condiţii la limită de tip Shockley

- injecţie de purtători

Densitatea de curent va fi:

jD  jn  j p
jn  j n camp  jn dif j p  j p camp  j p dif
În semiconductorul P, p  n :

dn dn
j D  qp p E p  qDn  qn n E p  qp p E p  qDn
dx dx
(curent de câmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de
câmp de goluri – neglijabil);
Elemente de electronică analogică

La fel, în semiconductorul N, n  p :
dp
jD  qn  n En  qD p
dx
Continuitate în regiunea de trecere:

dn
j D  qDn  qp p E p
dx x   l p x  l p

dp
j D   qD p  qn n E n x ln
dx x  ln
Dar:
dp
qp p E p  qD p
x  l p dx x ln
Rezultă:
dp dn
j D  qD p  qDn
dx x  ln dx x   l p
Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional
de purtători:

p p  p0 1 dj p dp
   0 cu j p ( x)   qD p
t p q dx dx
Rezultă:

p  p0 1 d  dp 
    qD p 0 cu p  p(x ) si:
p q dx  dx 
Elemente de electronică analogică

d 2 p ( x) p ( x)  pn
 0
dx 2 L2p
Soluţia:
x x

Lp Lp
p ( x)  p n  Ae  Be

cu condiţia la limită: x p( x)  pn  B  0

Deci:
x

Lp
p ( x)  pn  Ae
qu D

Condiţia la limită Shockley: x  ln p (l n )  pn e kT

;
Rezultă:
qu D ln
Lp
A  p n (e kT
 1)e ;
Deci:
qu D x  ln

Lp
p ( x )  p n  p n (e kT
 1)e .

Pentru: uD  0  p( x)  pn (echilibru termodinamic)

Pentru: u D  0 apare concentraţia în exces care dispare după x  L p .

Se calculează curentul de goluri:
dp
j p (l n )   qD p 
dx x  l n
x  ln
qu D
1  Lp qD p pn qu D

 qD p p n (e kT
 1)( )e  (e kT
 1)
Lp x  ln
Lp
Elemente de electronică analogică

Analog:
qDn n p qu D

j n ( l p )  (e kT
 1)
Ln
Rezultă:
qD p p n qu D
qDn n p qu D

jD  (e kT
 1)  (e kT
 1)
Lp Ln
AD fiind aria transversală a joncţiunii: i D  Aj D

 qD p p n qDn n p  qukTD
i D  A  (e  1)
 Lp Ln 

qu D
 qD p p n qDn n p 
i D  I 0 (e kT
 1) cu : I 0  A  
 Lp Ln 
( I 0 curentul de saturaţie)

Reprezentarea grafică:

kT kT
 pentru u D  0 u D  (  26mV ) la
q q
qu D

temperatura ambiantă, rezultă: iD  I 0 e kT

;
Elemente de electronică analogică

kT
 pentru uD  0 u D  , rezultă: iD   I 0
q

Semnificaţia curentului de saturaţie: I0

 qD p p n qDn n p   qD p ni2 qDn ni2 

I 0  A    A
   

 L p
Ln   L p
N d
Ln
N a 
 qD p 1 qDn 1  2
 A   ni
 Lp N d Ln N a 
W W
 
2 3 3
Deoarece: n  ct.T e
i
kT
, rezultă: I 0  ct.T e kT

Concluzii:
- I0 se dublează la fiecare 10 0 C pentru Ge şi la 60 C pentru Si.
- I0 este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime).